本技術(shù)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種真空吸附系統(tǒng)及半導(dǎo)體處理設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體的制造工藝中，晶圓的固定方式有靜電吸附、真空吸附等，其中，真空吸附通過在真空背壓吸附基座形成負(fù)壓，以吸附其上的晶圓。

2、目前存在的真空吸附系統(tǒng)，提供背壓的范圍很少，使用情況比較單一，不能滿足高低壓切換等復(fù)雜工藝使用的需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于上述問題，本實(shí)用新型提供一種真空吸附系統(tǒng)，通過流量閥單元與壓力控制單元的配合，可以為復(fù)雜的背壓變換工藝提供穩(wěn)定的吸附壓力。

2、為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供了一種真空吸附系統(tǒng)，包括位于反應(yīng)腔內(nèi)的基座，所述基座用于承載吸附晶圓，所述基座內(nèi)設(shè)有背壓管路，所述背壓管路一端為基座表面提供負(fù)壓，以吸附晶圓，所述背壓管路另一端分別連通有抽氣管路和供氣管路，所述抽氣管路與真空泵連通，由所述真空泵抽氣提供負(fù)壓，所述供氣管路上設(shè)有壓力控制單元，以調(diào)節(jié)供氣壓力流量；所述抽氣管路上設(shè)置抽氣閥單元，以控制抽氣壓力流量。

3、可選的，所述背壓管路上設(shè)有背壓閥。

4、可選的，所述壓力控制單元包括質(zhì)量流量控制單元和壓力傳感器。

5、可選的，所述流量控制單元位于壓力傳感器的上游。

6、可選的，所述抽氣閥單元和背壓閥包括流量閥。

7、可選的，所述壓力控制單元下游通過泄壓管路與反應(yīng)腔連通，并通過泄壓閥控制開度。

8、可選的，所述抽氣閥單元設(shè)置為調(diào)節(jié)閥組，所述調(diào)節(jié)閥組包括多個(gè)并聯(lián)的調(diào)節(jié)閥。

9、可選的，每個(gè)所述調(diào)節(jié)閥的流量系數(shù)不同。

10、可選的，多個(gè)所述調(diào)節(jié)閥之間的流量系數(shù)呈倍數(shù)差異

11、本實(shí)用新型還提供了一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，包括前述真空吸附系統(tǒng)。

12、本實(shí)用新型通過流量閥單元與壓力控制單元的配合，可以為復(fù)雜的背壓變換工藝提供穩(wěn)定的吸附壓力。

技術(shù)特征：

1.一種真空吸附系統(tǒng)，包括位于反應(yīng)腔內(nèi)的基座，所述基座用于承載吸附晶圓，所述基座內(nèi)設(shè)有背壓管路，所述背壓管路一端為基座表面提供負(fù)壓，以吸附晶圓，其特征在于，

2.如權(quán)利要求1所述的真空吸附系統(tǒng)，其特征在于，所述背壓管路上設(shè)有背壓閥。

3.如權(quán)利要求1所述的真空吸附系統(tǒng)，其特征在于，所述壓力控制單元包括質(zhì)量流量控制單元和壓力傳感器。

4.如權(quán)利要求3所述的真空吸附系統(tǒng)，其特征在于，所述流量控制單元位于壓力傳感器的上游。

5.如權(quán)利要求2所述的真空吸附系統(tǒng)，其特征在于，所述抽氣閥單元和背壓閥包括流量閥。

6.如權(quán)利要求1所述的真空吸附系統(tǒng)，其特征在于，所述壓力控制單元下游通過泄壓管路與反應(yīng)腔連通，并通過泄壓閥控制開度。

7.如權(quán)利要求1所述的真空吸附系統(tǒng)，其特征在于，每個(gè)所述調(diào)節(jié)閥的流量系數(shù)不同。

8.如權(quán)利要求7所述的真空吸附系統(tǒng)，其特征在于，多個(gè)所述調(diào)節(jié)閥之間的流量系數(shù)呈倍數(shù)差異。

9.一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，其特征在于，包括，如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的真空吸附系統(tǒng)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開一種真空吸附系統(tǒng)及半導(dǎo)體處理設(shè)備，真空吸附系統(tǒng)包括位于反應(yīng)腔內(nèi)的基座，所述基座用于承載吸附晶圓，所述基座內(nèi)設(shè)有背壓管路，所述背壓管路一端為基座表面提供負(fù)壓，以吸附晶圓，所述背壓管路另一端分別連通有抽氣管路和供氣管路，所述抽氣管路與真空泵連通，由所述真空泵抽氣提供負(fù)壓，所述供氣管路上設(shè)有壓力控制單元，以調(diào)節(jié)供氣壓力流量；所述抽氣管路上設(shè)置抽氣閥單元，以控制抽氣壓力流量。通過流量閥單元與壓力控制單元的配合，可以為復(fù)雜的背壓變換工藝提供穩(wěn)定的吸附壓力。

技術(shù)研發(fā)人員：付海濤,莊宇峰,呂術(shù)亮,李遠(yuǎn),董維,謝忠?guī)?徐立
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231228
技術(shù)公布日：2025/1/9