本公開的實施例涉及高級集成電路結(jié)構(gòu)制造領(lǐng)域，尤其涉及用于集成電路結(jié)構(gòu)制造和所得結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線方案。

背景技術(shù)：

1、過去幾十年來，集成電路中特征的縮放已經(jīng)成為不斷成長的半導(dǎo)體行業(yè)背后的驅(qū)動力。縮放至越來越小的特征使得在半導(dǎo)體芯片的有限面積上能夠?qū)崿F(xiàn)增大密度的功能單元。例如，縮小晶體管的尺寸允許將更大數(shù)量的存儲器或邏輯器件結(jié)合到芯片上，從而制造出具有增大容量的產(chǎn)品。然而，對越來越大容量的驅(qū)動并非毫無問題。優(yōu)化每個器件性能的必要性變得越來越大。

2、常規(guī)和當(dāng)前已知制造工藝中的變化可能會限制將它們進一步擴展到15納米節(jié)點或亞15納米節(jié)點范圍的可能性。因此，將來技術(shù)節(jié)點所需的功能部件的制造可能需要在當(dāng)前制造工藝中引入新技術(shù)或整合新技術(shù)，或者取代當(dāng)前制造工藝。

技術(shù)實現(xiàn)思路

技術(shù)特征：

1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，包括鉬(mo)的所述襯層具有在2-5納米范圍內(nèi)的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，包括鉬(mo)的所述襯層包括大于98原子百分比的mo。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，包括鎢(w)的所述填充物包括大于98原子百分比的w。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，包括鉬(mo)的所述襯層是熱原子層沉積(ald)襯層、等離子體ald襯層、物理氣相沉積(pvd)襯層或有機ald襯層，并且其中，包括鎢(w)的所述填充物是化學(xué)氣相沉積(cvd)填充物。

6.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述多條導(dǎo)線中的所述第一導(dǎo)線包括沒有導(dǎo)電阻擋部的導(dǎo)電填充物。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，包括鉬(mo)的所述襯層具有在2-5納米范圍內(nèi)的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，包括鉬(mo)的所述襯層包括大于98原子百分比的mo，并且其中，包括鎢(w)的所述填充物包括大于98原子百分比的w。

10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，包括鉬(mo)的所述襯層是熱原子層沉積(ald)襯層、等離子體ald襯層、物理氣相沉積(pvd)襯層或有機ald襯層，并且其中，包括鎢(w)的所述填充物是化學(xué)氣相沉積(cvd)填充物。

11.一種計算裝置，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的計算裝置，還包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的計算裝置，還包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的計算裝置，還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的計算裝置，還包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的計算裝置，還包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的計算裝置，還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的計算裝置，還包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的計算裝置，還包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的計算裝置，其中，所述部件是封裝集成電路管芯。

技術(shù)總結(jié)
本公開的實施例涉及集成電路結(jié)構(gòu)制造領(lǐng)域。在示例中，一種集成電路結(jié)構(gòu)包括多條導(dǎo)線，所述多條導(dǎo)線的各條導(dǎo)線具有包括鉬(Mo)的襯層以及包括鎢(W)的填充物。所述集成電路結(jié)構(gòu)還包括層間電介質(zhì)(ILD)結(jié)構(gòu)，所述ILD結(jié)構(gòu)的一些部分位于所述多條導(dǎo)線的相鄰導(dǎo)線之間。

技術(shù)研發(fā)人員：J·S·萊布,D·B·奧布萊恩,J·扎韋斯托斯基,H·K·金,C·基爾羅伊,C·福格爾什派格,A·戈薩維,A·巴特拉伊
受保護的技術(shù)使用者：英特爾公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30