本申請(qǐng)屬于刻蝕，具體涉及刻蝕裝置和刻蝕工藝。

背景技術(shù)：

1、等離子體刻蝕是干法刻蝕中常見(jiàn)的一種形式，等離子體刻蝕被廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體晶圓加工中。由于半導(dǎo)體晶圓尺寸較小，等離子體體刻蝕裝置的作業(yè)面積小，不適用于大尺寸產(chǎn)品的加工，從而限制了等離子體刻蝕裝置的使用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N刻蝕裝置和刻蝕工藝。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N刻蝕裝置，所述刻蝕裝置包括多個(gè)導(dǎo)電線圈、第一射頻電源、第二射頻電源、磁體和導(dǎo)電載臺(tái)，所述導(dǎo)電載臺(tái)具有承載面，多個(gè)所述導(dǎo)電線圈設(shè)置在所述導(dǎo)電載臺(tái)的一側(cè)且朝向所述承載面，所述導(dǎo)電線圈與所述第一射頻電源電連接，用于將通入所述刻蝕裝置中的氣體電離并產(chǎn)生等離子體，所述導(dǎo)電載臺(tái)與第二射頻電源電連接，用于提高所述等離子體的移動(dòng)速度，所述磁體設(shè)置在所述導(dǎo)電線圈遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電載臺(tái)的一側(cè)。

3、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N刻蝕工藝，包括：

4、將待刻蝕件置于第一方面所述的刻蝕裝置中導(dǎo)電載臺(tái)的承載面上；

5、向刻蝕裝置中通入氣體；

6、開(kāi)啟第一射頻電源和第二射頻電源，所述氣體等離子化形成等離子體；

7、所述等離子體刻蝕所述待刻蝕件。

8、本申請(qǐng)?zhí)峁┑目涛g裝置中多個(gè)導(dǎo)電線圈與第一射頻電源電連接可以使通入刻蝕裝置中的氣體等離子化，產(chǎn)生等離子體，同時(shí)導(dǎo)電載臺(tái)與第二射頻電源電連接，對(duì)等離子體能夠產(chǎn)生加速作用，設(shè)置的磁體可以提升刻蝕均勻性，從而產(chǎn)生優(yōu)異的刻蝕效果，有利于刻蝕裝置的使用；同時(shí)，本申請(qǐng)?zhí)峁┑目涛g工藝操作簡(jiǎn)單，刻蝕效果好，有利于刻蝕后的待刻蝕件的應(yīng)用。

技術(shù)特征：

1.一種刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕裝置包括多個(gè)導(dǎo)電線圈、第一射頻電源、第二射頻電源、磁體和導(dǎo)電載臺(tái)，所述導(dǎo)電載臺(tái)具有承載面，多個(gè)所述導(dǎo)電線圈設(shè)置在所述導(dǎo)電載臺(tái)的一側(cè)且朝向所述承載面，所述導(dǎo)電線圈與所述第一射頻電源電連接，用于將通入所述刻蝕裝置中的氣體電離并產(chǎn)生等離子體，所述導(dǎo)電載臺(tái)與第二射頻電源電連接，用于提高所述等離子體的移動(dòng)速度，所述磁體設(shè)置在所述導(dǎo)電線圈遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電載臺(tái)的一側(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，多個(gè)所述導(dǎo)電線圈間隔設(shè)置，相鄰所述導(dǎo)電線圈之間的間距小于或等于10cm。

3.如權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，多個(gè)所述導(dǎo)電線圈在所述承載面上的正投影完全覆蓋所述承載面。

4.如權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，多個(gè)所述導(dǎo)電線圈在所述承載面所在平面上的正投影面積大于或等于0.15m2。

5.如權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電線圈為平面線圈。

6.如權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述第一射頻電源施加到每一所述導(dǎo)電線圈的功率小于或等于5kw；

7.如權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述磁體的磁場(chǎng)強(qiáng)度小于100gs。

8.如權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕裝置包括刻蝕腔室，所述刻蝕腔室具有容置空間，所述導(dǎo)電載臺(tái)設(shè)置在所述容置空間內(nèi)，所述導(dǎo)電線圈設(shè)置在所述刻蝕腔室外部。

9.如權(quán)利要求8所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕腔室包括第一蓋板、第二蓋板和側(cè)壁，所述第一蓋板和所述第二蓋板相對(duì)設(shè)置，所述側(cè)壁連接所述第一蓋板和所述第二蓋板，所述導(dǎo)電載臺(tái)設(shè)置在所述第二蓋板朝向所述第一蓋板的表面，所述導(dǎo)電線圈設(shè)置在所述第一蓋板遠(yuǎn)離所述第二蓋板的一側(cè)；

10.一種刻蝕工藝，其特征在于，包括：

11.如權(quán)利要求10所述的刻蝕工藝，其特征在于，所述氣體包括bcl3、chf3、cf6、ar和o2中至少一種；

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N刻蝕裝置，包括多個(gè)導(dǎo)電線圈、第一射頻電源、第二射頻電源、磁體和導(dǎo)電載臺(tái)，所述導(dǎo)電載臺(tái)具有承載面，多個(gè)所述導(dǎo)電線圈設(shè)置在所述導(dǎo)電載臺(tái)的一側(cè)且朝向所述承載面，所述導(dǎo)電線圈與所述第一射頻電源電連接，用于將通入所述刻蝕裝置中的氣體電離并產(chǎn)生等離子體，所述導(dǎo)電載臺(tái)與第二射頻電源電連接，用于提高所述等離子體的移動(dòng)速度，所述磁體設(shè)置在所述導(dǎo)電線圈遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電載臺(tái)的一側(cè)。本申請(qǐng)?zhí)峁┑目涛g裝置可以對(duì)多種尺寸的待刻蝕件進(jìn)行刻蝕，刻蝕速度以及刻蝕均勻性佳，刻蝕效果好，有利于刻蝕后的待刻蝕件的使用。本申請(qǐng)還提供了一種刻蝕工藝。

技術(shù)研發(fā)人員：彭鈺
受保護(hù)的技術(shù)使用者：OPPO廣東移動(dòng)通信有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30