本申請(qǐng)大體上涉及半導(dǎo)體技術(shù)，且更具體地說(shuō)，涉及具有多種類型導(dǎo)電元件的半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體芯片內(nèi)部的互連用引線非常細(xì)，其寬度在幾微米或更小的數(shù)量級(jí)上。這種引線的形成使得可以制造包含數(shù)百萬(wàn)個(gè)或更多互連組件的半導(dǎo)體芯片。然而，在某些時(shí)候，需要在芯片和外部世界之間建立連接，這時(shí)難以采用如此小的引線容差。

2、為了將半導(dǎo)體芯片連接到外部設(shè)備或系統(tǒng)，印刷電路板(pcb)、中間層或其他類似基板被廣泛使用來(lái)安裝芯片，從而形成具有較大尺寸的半導(dǎo)體封裝。pcb上的引線比芯片上的引線粗得多，通常以毫米為單位。將芯片引線直接連接到pcb引線是不切實(shí)際的。因此，需要一種中間結(jié)構(gòu)，其能夠處理這種引線寬度范圍的變化。

3、這種結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例是球柵陣列(bga)。bga封裝技術(shù)是一種應(yīng)用于集成電路的表面貼裝技術(shù)，常用于永久固定如微處理器等器件。bga封裝是封裝基板底部的一個(gè)陣列，其中焊球被用作電路的輸入/輸出(i/o)端子，并連接到pcb。

4、焊球具有信號(hào)傳導(dǎo)、電氣連接和熱傳導(dǎo)的功能。在現(xiàn)有的bga封裝中，封裝基板上的焊球通常是相同的。焊球越大，熱傳導(dǎo)能力越強(qiáng)。然而與此同時(shí)，焊球越大，占據(jù)的基板面積也越大，這與bga的高密度和高引腳輸出相沖突。

5、因此，有必要對(duì)半導(dǎo)體封裝進(jìn)行進(jìn)一步改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的目標(biāo)是提供一種具有改進(jìn)的散熱效率的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

2、根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝。所述半導(dǎo)體封裝包括：封裝基板，其具有正面和背面，其中所述封裝基板包括：多組正面導(dǎo)電圖形，其形成于所述正面；多組背面導(dǎo)電圖形，其形成于所述背面；以及多組互連結(jié)構(gòu)，其將所述一組正面導(dǎo)電圖形與所述一組背面導(dǎo)電圖形分別電耦接；其中，所述封裝基板至少包括第一熱學(xué)性能區(qū)域和第二熱學(xué)性能區(qū)域，所述第一熱學(xué)性能區(qū)域和所述第二熱學(xué)性能區(qū)域具有不同的熱學(xué)性能；多組導(dǎo)電元件，其被附接在所述封裝基板的正面和背面，并且與所述多組正面導(dǎo)電圖形和所述多組背面導(dǎo)電圖形連接，其中所述多組導(dǎo)電元件包括：安裝在所述封裝基板的第一熱學(xué)性能區(qū)域的一組第一類型導(dǎo)電元件，其與所述正面導(dǎo)電圖形和背面導(dǎo)電圖形中的一部分連接；以及安裝在所述封裝基板的第二熱學(xué)性能區(qū)域的一組第二類型導(dǎo)電元件，其與所述正面導(dǎo)電圖形和背面導(dǎo)電圖形中的一部分連接。

3、應(yīng)理解，以上一般描述和以下詳細(xì)描述兩者僅是示例性和解釋性的并且并不限制本發(fā)明。此外，并入在本說(shuō)明書中且構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分的附圖說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與描述一起用以解釋本發(fā)明的原理。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一類型導(dǎo)電元件包括導(dǎo)電銅柱，或者包括具有銅芯和包覆在所述銅芯外部的焊料的導(dǎo)電焊球。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一類型導(dǎo)電元件成對(duì)地附接在所述封裝基板的正面和背面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第二類型導(dǎo)電元件包括具有樹脂芯和包覆在所述樹脂芯外部的焊料的導(dǎo)電焊球。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述多組導(dǎo)電元件還包括純錫焊球，其被附接在所述封裝基板的第一熱學(xué)性能區(qū)域和第二熱學(xué)性能區(qū)域以外的區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述封裝基板的第一熱學(xué)性能區(qū)域用于安裝第一電子元件，而所述封裝基板的第二熱學(xué)性能區(qū)域用于安裝第二電子元件，其中所述第一電子元件的功耗高于所述第二電子元件的功耗。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一電子元件包括邏輯電路電子元件或電源電路電子元件，而所述第二電子元件包括控制電路電子元件。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述封裝基板的第一熱學(xué)性能區(qū)域用于安裝第一電子元件，所述封裝基板的第二熱學(xué)性能區(qū)域用于安裝第二電子元件，所述封裝基板的第一熱學(xué)性能區(qū)域和第二熱學(xué)性能區(qū)域以外的區(qū)域用于安裝其他電子元件，其中

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述封裝基板的第二熱學(xué)性能區(qū)域中的互連結(jié)構(gòu)的密度高于所述封裝基板的第二熱學(xué)性能區(qū)域以外的區(qū)域的互連結(jié)構(gòu)的密度。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體封裝。該半導(dǎo)體封裝包括：封裝基板，其具有正面和背面，其中所述封裝基板包括：多組正面導(dǎo)電圖形；多組背面導(dǎo)電圖形；以及多組互連結(jié)構(gòu)，其將所述一組正面導(dǎo)電圖形與所述一組背面導(dǎo)電圖形分別電耦接；其中，所述封裝基板至少包括第一熱學(xué)性能區(qū)域和第二熱學(xué)性能區(qū)域，所述第一熱學(xué)性能區(qū)域和所述第二熱學(xué)性能區(qū)域具有不同的熱學(xué)性能；多組導(dǎo)電元件，其被附接在所述封裝基板的正面和背面，并且與所述多組正面導(dǎo)電圖形和所述多組背面導(dǎo)電圖形連接，其中所述多組導(dǎo)電元件包括：安裝在所述封裝基板的第一熱學(xué)性能區(qū)域的一組第一類型導(dǎo)電元件；以及安裝在所述封裝基板的第二熱學(xué)性能區(qū)域的一組第二類型導(dǎo)電元件。

技術(shù)研發(fā)人員：應(yīng)戰(zhàn),劉愷,王亞琴
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)電科技管理有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2