技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，公開(kāi)了一種基于硅襯底P型溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括由下至上的襯底、低溫GaSb/AlSb超晶格緩沖層、AlGaSb緩沖層、GaSb溝道層、AlSb隔離層、AlGaSb勢(shì)壘層、所述AlGaSb勢(shì)壘層上一端面的第一梯度InXGa1?XSb帽層和相對(duì)另一端面的第二梯度InXGa1?XSb帽層，還包括形成于第一梯度InXGa1?XSb帽層上的源極和第二梯度InXGa1?XSb帽層上的漏極，形成于第一梯度InXGa1?XSb帽層和第二梯度InXGa1?XSb帽層之間且位于AlGaSb勢(shì)壘層上的柵極，所述AlGaSb勢(shì)壘層具體為P型摻雜結(jié)構(gòu)，與GaSb溝道層之間形成二維空穴氣，有效的改善晶體管等比例縮小過(guò)程中帶來(lái)短溝道效應(yīng)并降低功耗，克服摩爾定律，打破極限，維持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)等比例縮小進(jìn)程。

技術(shù)研發(fā)人員：黎明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都海威華芯科技有限公司
文檔號(hào)碼：201720288143
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.22
技術(shù)公布日：2017.10.31