本實(shí)用新型涉及LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種結(jié)構(gòu)改良的LED芯片。

背景技術(shù)：

隨著LED燈應(yīng)用范圍越來(lái)越廣，大功率高亮度LED芯片應(yīng)運(yùn)而生；近年來(lái)隨著大功率高亮度LED芯片的研制成功及其反光效率的不斷提高，越來(lái)越多的大功率高亮度LED開(kāi)始進(jìn)入照明領(lǐng)域。

需進(jìn)一步指出，作為L(zhǎng)ED燈具的核心組成部分，LED芯片的發(fā)光效果直接影響著整個(gè)燈具的發(fā)光效果。其中，對(duì)于現(xiàn)有的LED芯片而言，發(fā)光的時(shí)候會(huì)在中心區(qū)域廣度最亮，且會(huì)在光源的邊緣形成黑影，這嚴(yán)重地影響了芯片的發(fā)光效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種結(jié)構(gòu)改良的LED芯片，該結(jié)構(gòu)改良的LED芯片設(shè)計(jì)新穎、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且能夠有效地防止芯片中心區(qū)域位置光度最亮并消除芯片邊緣形成黑影情況。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。

一種結(jié)構(gòu)改良的LED芯片，包括有芯片發(fā)光電路層，芯片發(fā)光電路層的上表面均勻涂覆有熒光粉層，熒光粉層的上端側(cè)裝設(shè)有與熒光粉層平行間隔分布的白反層，白反層與熒光粉層之間設(shè)置有硅膠層，硅膠層的上表面與白反層的下表面粘接，硅膠層的下表面與熒光粉層的上表面粘接；

白反層上表面的中間位置或者硅膠層上表面的中間位置開(kāi)設(shè)有呈“十”字形狀的中間槽。

其中，當(dāng)所述中間槽位于所述白反層上表面的中間位置時(shí)，中間槽的各末端分別延伸至所述白反層相應(yīng)的側(cè)面。

其中，當(dāng)所述中間槽位于所述硅膠層上表面的中間位置時(shí)，中間槽的各末端分別延伸至所述硅膠層相應(yīng)的側(cè)面。

本實(shí)用新型的有益效果為：本實(shí)用新型所述的一種結(jié)構(gòu)改良的LED芯片，其包括有芯片發(fā)光電路層，芯片發(fā)光電路層的上表面均勻涂覆有熒光粉層，熒光粉層的上端側(cè)裝設(shè)有與熒光粉層平行間隔分布的白反層，白反層與熒光粉層之間設(shè)置有硅膠層，硅膠層的上表面與白反層的下表面粘接，硅膠層的下表面與熒光粉層的上表面粘接；白反層上表面的中間位置或者硅膠層上表面的中間位置開(kāi)設(shè)有呈“十”字形狀的中間槽。通過(guò)上述結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，本實(shí)用新型能夠有效地防止芯片中心區(qū)域位置光度最亮并消除芯片邊緣形成黑影情況，即本實(shí)用新型具有設(shè)計(jì)新穎、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、發(fā)光效果好的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

下面利用附圖來(lái)對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步的說(shuō)明，但是附圖中的實(shí)施例不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的任何限制。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型另一視角的結(jié)構(gòu)示意圖。

在圖1和圖2中包括有：

1——芯片發(fā)光電路層 2——熒光粉層

3——白反層 4——硅膠層

5——中間槽。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體的實(shí)施方式來(lái)對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說(shuō)明。

如圖1和圖2所示，一種結(jié)構(gòu)改良的LED芯片，包括有芯片發(fā)光電路層1，芯片發(fā)光電路層1的上表面均勻涂覆有熒光粉層2，熒光粉層2的上端側(cè)裝設(shè)有與熒光粉層2平行間隔分布的白反層3，白反層3與熒光粉層2之間設(shè)置有硅膠層4，硅膠層4的上表面與白反層3的下表面粘接，硅膠層4的下表面與熒光粉層2的上表面粘接。

進(jìn)一步的，白反層3上表面的中間位置或者硅膠層4上表面的中間位置開(kāi)設(shè)有呈“十”字形狀的中間槽5。

需進(jìn)一步解釋，當(dāng)中間槽5位于白反層3上表面的中間位置時(shí)，中間槽5的各末端分別延伸至白反層3相應(yīng)的側(cè)面；另外，當(dāng)中間槽5位于硅膠層4上表面的中間位置時(shí)，中間槽5的各末端分別延伸至硅膠層4相應(yīng)的側(cè)面。

需進(jìn)一步指出，在本實(shí)用新型使用過(guò)程中，對(duì)于開(kāi)設(shè)于白反層3上表面的中間位置或者硅膠層4上表面的中間位置的中間槽5而言，其能夠有效地防止芯片中心區(qū)域位置光度最亮并消除芯片邊緣形成黑影情況。

綜合上述情況可知，通過(guò)上述結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，本實(shí)用新型具有設(shè)計(jì)新穎、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、發(fā)光效果好的優(yōu)點(diǎn)。

以上內(nèi)容僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。