本實(shí)用新型涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

目前市面上的芯片封裝結(jié)構(gòu)，大部分都只有一個(gè)芯片，這是由于若設(shè)置多個(gè)芯片，容易互相干擾，更容易產(chǎn)生靜電，導(dǎo)致芯片被擊穿，同時(shí)芯片越多，散熱也更難。但目前的設(shè)備要求越來(lái)越高，一個(gè)芯片遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足所需性能，故急需一種能夠設(shè)置多個(gè)芯片的封裝結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的就在于提供一種解決上述封裝結(jié)構(gòu)無(wú)法設(shè)置多個(gè)芯片的一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是這樣的：一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括一引線(xiàn)板體，所述引線(xiàn)板體上表面設(shè)置有數(shù)個(gè)并排的焊接層，所述焊接層上表面水平，每個(gè)焊接層上表面均設(shè)置有一限位塊與一芯片，所述限位塊卡緊芯片的一邊角，每個(gè)焊接層的四個(gè)邊角處均設(shè)置有豎直貫穿引線(xiàn)板體的通孔，每個(gè)焊接層外還設(shè)置有一能夠包覆它的金屬屏蔽殼，所述金屬屏蔽殼包括四個(gè)支腳，所述支腳恰好穿過(guò)所在焊接層的四個(gè)通孔并與所述通孔固定連接，每個(gè)支腳還連接有一金屬接地線(xiàn)。

進(jìn)一步的是：所述限位塊與芯片的邊角均是L型的。

進(jìn)一步的是：所述焊接層有兩個(gè)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：解決了多個(gè)芯片同時(shí)設(shè)置的技術(shù)問(wèn)題，通過(guò)焊接層與限位塊固定芯片，限位塊保證了芯片不易發(fā)生位移，設(shè)置金屬屏蔽殼與金屬接地線(xiàn)，導(dǎo)出了不同芯片之間產(chǎn)生的靜電，保證芯片不受干擾，同時(shí)能夠安全使用。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型第一主視圖；

圖2為本實(shí)用新型第二主視圖；

圖3為本實(shí)用新型金屬屏蔽殼主視圖。

圖中：1-引線(xiàn)板體、2-焊接層、3-通孔、4-限位塊、5-芯片、6-金屬屏蔽殼、7-金屬接地線(xiàn)。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

實(shí)施例1：如圖1、圖2、圖3所示，本實(shí)用新型一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括一引線(xiàn)板體1，所述引線(xiàn)板體1上表面設(shè)置有數(shù)個(gè)并排的焊接層2，所述焊接層2上表面水平，每個(gè)焊接層2上表面均設(shè)置有一限位塊4與一芯片5，所述限位塊4卡緊芯片5的一邊角，每個(gè)焊接層2的四個(gè)邊角處均設(shè)置有豎直貫穿引線(xiàn)板體1的通孔3，每個(gè)焊接層2外還設(shè)置有一能夠包覆它的金屬屏蔽殼6，所述金屬屏蔽殼6包括四個(gè)支腳，所述支腳恰好穿過(guò)所在焊接層2的四個(gè)通孔3并與所述通孔3固定連接，每個(gè)支腳還連接有一金屬接地線(xiàn)7。首先通過(guò)焊接層2與限位塊4確定芯片5的位置，然后將芯片5焊接于焊接層2上表面，每個(gè)芯片5都會(huì)安裝一個(gè)金屬屏蔽殼6，所述金屬屏蔽殼6能夠包覆芯片5極其匹配的限位塊4、焊接層2與四個(gè)通孔3，金屬屏蔽殼6的支腳連接的金屬接地線(xiàn)7通過(guò)通孔3穿出，接入地面。

在上述實(shí)施方式中，為了使得在焊接的過(guò)程中，芯片5能夠非常輕松的定位，并不發(fā)生位移，作為優(yōu)選的方式，所述限位塊4與芯片5的邊角均是L型的。

在上述實(shí)施方式中，為了兼顧所占空間大小的同時(shí)，保證封裝結(jié)構(gòu)中有多個(gè)芯片5，作為優(yōu)選的方式，所述焊接層2有兩個(gè)。