本實(shí)用新型涉及微波通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種寬帶階梯腔體同頻合路器。

背景技術(shù)：

在移動(dòng)通信室內(nèi)分布系統(tǒng)中，需要將基站信號(hào)進(jìn)行合路，同頻合路器是最常用的器件。傳統(tǒng)方式設(shè)計(jì)的同頻合路器一般有兩種：一種是采用高頻介質(zhì)帶狀線進(jìn)行設(shè)計(jì)，介質(zhì)上的金屬帶線厚度為0.35mm,金屬帶線之間的間隙僅為0.25mm因此承載功率較?。涣硪环N是單節(jié)設(shè)計(jì)的窄帶腔體同頻合路器，由于頻帶較窄應(yīng)用場(chǎng)合十分局限。隨著4G通信技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶、大功率器件是發(fā)展的趨勢(shì)，傳統(tǒng)的同頻合路器將難以滿足系統(tǒng)使用要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種具有大功率、寬頻帶的寬帶階梯腔體同頻合路器。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案：一種寬帶階梯腔體同頻合路器，包括腔體和蓋體，蓋體通過螺栓安裝在腔體上并壓緊腔體，所述腔體內(nèi)部的一側(cè)下沉形成沉腔作為緊耦合區(qū)域，另一側(cè)相對(duì)于沉腔形成平腔作為松耦合區(qū)域；第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線在沉腔內(nèi)上下重疊，且二者之間通過中間絕緣介質(zhì)隔開，第一導(dǎo)線和蓋體之間設(shè)置第一上支撐絕緣介質(zhì)，第二導(dǎo)線和沉腔的底部之間設(shè)置第一下支撐絕緣介質(zhì)；第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線在平腔內(nèi)左右對(duì)稱上下間隔布置，第一導(dǎo)線和蓋體之間設(shè)置第二上支撐絕緣介質(zhì)，第二導(dǎo)線和平腔的底部之間設(shè)置第二下支撐絕緣介質(zhì)。

所述腔體的外側(cè)設(shè)置第一接線端子、第二接線端子和第三接線端子，所述第一接線端子和第二接線端子相對(duì)布置且位于沉腔的外側(cè)，所述第三接線端子位于平腔的外側(cè)；第一導(dǎo)線的一端與第一接線端子相連，另一端與第三接線端子相連；第二導(dǎo)線的一端與第二接線端子相連，另一端與位于平腔內(nèi)部的大功率電阻相連；所述第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線的結(jié)構(gòu)相同。

所述腔體上間隔開設(shè)多個(gè)可供第一上支撐絕緣介質(zhì)、第一下支撐絕緣介質(zhì)、第二上支撐絕緣介質(zhì)、第二下支撐絕緣介質(zhì)插入的插槽。

所述第一上支撐絕緣介質(zhì)、第一下支撐絕緣介質(zhì)、第二上支撐絕緣介質(zhì)、第二下支撐絕緣介質(zhì)和中間絕緣介質(zhì)均采用聚四氟乙烯絕緣介質(zhì)。

所述第一上支撐絕緣介質(zhì)、第一下支撐絕緣介質(zhì)的形狀相同，所述第二上支撐絕緣介質(zhì)、第二下支撐絕緣介質(zhì)的形狀相同，所述第一上支撐絕緣介質(zhì)的高度和厚度大于第二上支撐絕緣介質(zhì)的高度和厚度。

由上述技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：第一，采用第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線上下結(jié)構(gòu)安裝可以實(shí)現(xiàn)信號(hào)輸入端口和輸出口分別在同一側(cè)；第二，采用多組介質(zhì)進(jìn)行支撐和間隔可以確保第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線在腔體內(nèi)平行安裝且結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。

附圖說明

圖1、2均為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖2的局部A-A剖視圖。

具體實(shí)施方式

如圖1、2、3所示，一種寬帶階梯腔體同頻合路器，包括腔體1和蓋體2，蓋體2通過螺栓安裝在腔體1上并壓緊腔體1，所述腔體1內(nèi)部的一側(cè)下沉形成沉腔3作為緊耦合區(qū)域，另一側(cè)相對(duì)于沉腔3形成平腔4作為松耦合區(qū)域；第一導(dǎo)線5和第二導(dǎo)線6在沉腔3內(nèi)上下重疊，且二者之間通過中間絕緣介質(zhì)9隔開，第一導(dǎo)線5和蓋體2之間設(shè)置第一上支撐絕緣介質(zhì)7，第二導(dǎo)線6和沉腔3的底部之間設(shè)置第一下支撐絕緣介質(zhì)8；第一導(dǎo)線5和第二導(dǎo)線6在平腔4內(nèi)左右對(duì)稱上下間隔布置，第一導(dǎo)線5和蓋體2之間設(shè)置第二上支撐絕緣介質(zhì)10，第二導(dǎo)線6和平腔4的底部之間設(shè)置第二下支撐絕緣介質(zhì)11。

如圖1、2、3所示，所述腔體1的外側(cè)設(shè)置第一接線端子12、第二接線端子13和第三接線端子14，所述第一接線端子12和第二接線端子13相對(duì)布置且位于沉腔3的外側(cè)，所述第三接線端子14位于平腔4的外側(cè)；第一導(dǎo)線5的一端與第一接線端子12相連，另一端與第三接線端子14相連；第二導(dǎo)線6的一端與第二接線端子13相連，另一端與位于平腔4內(nèi)部的大功率電阻15相連；所述第一導(dǎo)線5和第二導(dǎo)線6的結(jié)構(gòu)相同。

如圖1、2、3所示，所述腔體1上間隔開設(shè)多個(gè)可供第一上支撐絕緣介質(zhì)7、第一下支撐絕緣介質(zhì)8、第二上支撐絕緣介質(zhì)10、第二下支撐絕緣介質(zhì)11插入的插槽16。所述第一上支撐絕緣介質(zhì)7、第一下支撐絕緣介質(zhì)8、第二上支撐絕緣介質(zhì)10、第二下支撐絕緣介質(zhì)11和中間絕緣介質(zhì)9均采用聚四氟乙烯絕緣介質(zhì)。所述第一上支撐絕緣介質(zhì)7、第一下支撐絕緣介質(zhì)8的形狀相同，所述第二上支撐絕緣介質(zhì)10、第二下支撐絕緣介質(zhì)11的形狀相同，所述第一上支撐絕緣介質(zhì)7的高度和厚度大于第二上支撐絕緣介質(zhì)10的高度和厚度

本實(shí)用新型采用兩節(jié)進(jìn)行設(shè)計(jì)，兩節(jié)設(shè)計(jì)阻抗是呈階梯狀進(jìn)行分配，其中第一段為緊耦合區(qū)域，緊耦合區(qū)域與第二段松耦合區(qū)域約有2倍的阻抗差異，造成兩段線的線寬度有兩倍差異，線連接處阻抗差異大造成不連續(xù)性，

本實(shí)用新型導(dǎo)體采用兩節(jié)進(jìn)行設(shè)計(jì)，兩節(jié)設(shè)計(jì)阻抗是呈階梯狀進(jìn)行分配，其中第一段為緊耦合區(qū)域，緊耦合區(qū)域與第二段松耦合區(qū)域約有2倍的阻抗差異，若緊耦合與松耦合腔體深度相同的情況下，兩段導(dǎo)體的線寬度有兩倍差異，由于導(dǎo)體連接處阻抗差異大，造成阻抗不連續(xù)性，產(chǎn)品的指標(biāo)變差，帶寬減小。本實(shí)用新型專利為避免兩段導(dǎo)線寬度差異造成的影響，采用了階梯腔的結(jié)構(gòu)，根據(jù)阻抗原理，增加腔體1深度可以改變導(dǎo)線寬度，腔體1越深，導(dǎo)線越寬，考慮到增加腔深材料成本也會(huì)增加，因此沉腔3位置深度設(shè)計(jì)成平腔4的兩倍，縮小了兩段線的寬度差。緊耦合區(qū)域是上下重疊安裝在沉腔3的位置，投影相交，松耦合區(qū)域是上下錯(cuò)位平行安裝在平腔4的位置。

為保證大功率，采用空氣腔體結(jié)構(gòu)，散熱快；為實(shí)現(xiàn)頻帶寬，導(dǎo)體的兩段耦合區(qū)域采用了階梯腔的機(jī)構(gòu)，在導(dǎo)線緊耦合的位置使腔體深度為導(dǎo)線松耦合位置腔體的兩倍,使緊耦合區(qū)域?qū)Ь€與松耦合區(qū)域?qū)Ь€寬度接近，減小了兩段線寬的不連續(xù)性。

綜上所述，本實(shí)用新型采用第一導(dǎo)線5和第二導(dǎo)線6上下結(jié)構(gòu)安裝可以實(shí)現(xiàn)信號(hào)輸入端口和輸出口分別在同一側(cè)；第二，采用多組介質(zhì)進(jìn)行支撐和間隔可以確保第一導(dǎo)線5和第二導(dǎo)線6在腔體1內(nèi)平行安裝且結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。