本發(fā)明涉及一種同頻合路器。
背景技術(shù):
同頻合路器內(nèi)為3db電橋,寬頻率帶3db電橋一直是功分器類努力的方向,縮短空間距離,實(shí)現(xiàn)寬頻3db電橋是目前迫切需要的。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于克服以上所述的缺點(diǎn),提供一種同頻合路器。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的具體方案如下:同頻合路器,包括有底殼以及蓋子,所述底殼內(nèi)設(shè)有一個(gè)3db電橋,所述3db電橋,包括有主耦合線帶以及次耦合線帶;所述主耦合線帶包括有第一矩形主帶,第一矩形主帶的兩端分別向兩側(cè)延伸出有l(wèi)形的第一曲帶,第一曲帶的自由端延伸出l形第二曲帶,一側(cè)的第二曲帶延伸出第一輸入端,另一側(cè)的第二曲帶延伸出第一輸出端;第一矩形主帶的頂側(cè)設(shè)有t形去耦帶,底側(cè)設(shè)有矩形的延展帶,延展帶向下設(shè)有半圓形的第一耦合片;次耦合線帶包括有第二矩形主帶,第二矩形主帶底側(cè)設(shè)有半圓形的第二耦合片,第二矩形主帶兩端均連接有傾斜設(shè)置的第一波導(dǎo)臂,還包括有與第一波導(dǎo)臂同一平面、大小相同、且邊平行設(shè)置的第二波導(dǎo)臂和第三波導(dǎo)臂;第二波導(dǎo)臂底部與第一波導(dǎo)臂的底部通過(guò)直通帶相連,第二波導(dǎo)臂的頂部與第三波導(dǎo)臂的中部通過(guò)直通帶相連;與第一輸入端同側(cè)的第三波導(dǎo)臂向外延伸出第二輸入端,與第一輸出端同側(cè)的第三波導(dǎo)臂向外延伸出第二輸出端;所述主耦合線帶與次耦合線帶平行設(shè)置且高度差為3-7mm,第一耦合片位于第二耦合片垂直投影內(nèi)。所述底殼內(nèi)設(shè)有隔離墻,隔離墻位于第二曲帶與第二波導(dǎo)臂之間以及第一曲帶與第一波導(dǎo)帶之間。
其中,所述主耦合線帶與次耦合線帶平行設(shè)置且高度差為5mm。
其中,所述直通帶上設(shè)有頂柱孔,所述第一矩形主帶兩側(cè)也設(shè)有頂柱孔,頂柱孔套設(shè)支撐柱。
其中,所述第一矩形主帶的兩側(cè)的底側(cè)向次耦合線帶一側(cè)延伸出有框帶。
本發(fā)明的有益效果為:同頻合路器,包括有底殼以及蓋子,所述底殼內(nèi)設(shè)有一個(gè)3db電橋,所述3db電橋可實(shí)現(xiàn)較為優(yōu)化的耦合,其在頻率0.8ghz至2.8ghz內(nèi)可實(shí)現(xiàn)較好的耦合效果,其s21通路和s31通路的相位差,不超過(guò)±5°,符合3db電橋的90度相位差的要求。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明的主耦合線帶的俯視圖;
圖2是本發(fā)明的次耦合線帶的俯視圖;
圖3是本發(fā)明的電橋俯視圖;
圖4是本發(fā)明的電橋側(cè)視圖;
圖5是本發(fā)明去掉蓋子的俯視圖;
圖6是本發(fā)明底殼的俯視圖;
圖7是本發(fā)明的s21通路和s31通路的相位差圖;
圖8中為電平值圖。
圖1至圖8中的附圖標(biāo)記說(shuō)明:
1-次耦合線帶;2-主耦合線帶;10-支撐柱;3-底殼;4-隔離墻;
r1-第一矩形主帶;r2-延展帶;r3-第一耦合片;r4-t形去耦帶;r5-第一曲帶;r6-第二曲帶;r7-框帶;r8-第一輸出端;r9-第一輸入端;
a1-第二矩形主帶;a2-第一波導(dǎo)臂;a3-第二波導(dǎo)臂;a4-第三波導(dǎo)臂;a5-第二輸入端;a6-第二輸出端。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明,并不是把本發(fā)明的實(shí)施范圍局限于此。
如圖1至圖8所示,以圖3方向,本實(shí)施例所述的為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的具體方案如下:同頻合路器,包括有底殼以及蓋子,所述底殼內(nèi)設(shè)有一個(gè)3db電橋,包括有主耦合線帶2以及次耦合線帶1;所述主耦合線帶2包括有第一矩形主帶r1,第一矩形主帶r1的兩端分別向兩側(cè)延伸出有l(wèi)形的第一曲帶r5,第一曲帶r5的自由端延伸出l形第二曲帶r6,一側(cè)的第二曲帶r6延伸出第一輸入端r9,另一側(cè)的第二曲帶r6延伸出第一輸出端r8;第一矩形主帶r1的頂側(cè)設(shè)有t形去耦帶r4,底側(cè)設(shè)有矩形的延展帶r2,延展帶r2向下設(shè)有半圓形的第一耦合片r3;次耦合線帶1包括有第二矩形主帶a1,第二矩形主帶a1底側(cè)設(shè)有半圓形的第二耦合片,第二矩形主帶a1兩端均連接有傾斜設(shè)置的第一波導(dǎo)臂a2,還包括有與第一波導(dǎo)臂a2同一平面、大小相同、且邊平行設(shè)置的第二波導(dǎo)臂a3和第三波導(dǎo)臂a4;第二波導(dǎo)臂a3底部與第一波導(dǎo)臂a2的底部通過(guò)直通帶相連,第二波導(dǎo)臂a3的頂部與第三波導(dǎo)臂a4的中部通過(guò)直通帶相連;與第一輸入端r9同側(cè)的第三波導(dǎo)臂a4向外延伸出第二輸入端a5,與第一輸出端r8同側(cè)的第三波導(dǎo)臂a4向外延伸出第二輸出端a6;所述主耦合線帶2與次耦合線帶1平行設(shè)置且高度差為3-7mm,第一耦合片r3位于第二耦合片垂直投影內(nèi)。所述底殼3內(nèi)設(shè)有隔離墻4,隔離墻位于第二曲帶與第二波導(dǎo)臂之間以及第一曲帶與第一波導(dǎo)帶之間。
同頻合路器中的電橋可實(shí)現(xiàn)較為優(yōu)化的耦合,其在頻率0.8ghz至2.8ghz內(nèi)可實(shí)現(xiàn)較好的耦合效果,如圖7,其s21通路和s31通路的相位差,不超過(guò)±5°,符合3db電橋的90度相位差的要求。圖8中,實(shí)線表示耦合口電平值,虛線表示直通口電平值,可以看到其基本保持在3.5db以下。本電橋的端口駐波比小于1.2。主耦合線帶2與次耦合線的厚度均為3mm-4mm,其承載功率可達(dá)400w。未達(dá)到最優(yōu)化的耦合效果,其具體尺寸可以優(yōu)化為:以圖3方向,并且以虛線為界限,第一矩形主帶r1、第一曲帶r5、第二曲帶r6以及第一輸入端r9和第二輸入端a5的帶寬為:6.5mm,第一曲帶r5的靠近第一矩形主帶r1的一邊最長(zhǎng)為:13mm,另一邊最長(zhǎng)為:13.5mm;第二曲帶r6的靠近第一曲帶r5的邊最長(zhǎng)為:17mm,另一邊最長(zhǎng)為:12.4mm;第一輸入端r9和第二輸出端a6不限。t形去耦帶r4的縱向桿的帶寬為12.5mm高為3.2mm,橫向桿的帶寬為2.8mm,長(zhǎng)為:12.5mm;延展帶r2的高和寬分別為:23mm和25mm。第一耦合片r3的半徑為12.5mm??驇7的帶寬為:0.5mm;內(nèi)框高為74mm,寬為:11mm。第二矩形主帶a1的線寬為6.5mm,第二耦合片的12.5mm。第一波導(dǎo)臂a2的線寬為10mm,長(zhǎng)為:58mm;直通帶寬和長(zhǎng)均不超過(guò)10mm,第二輸出端a6和第二輸入端a5不需限定,可跟臨近臂帶等寬。本發(fā)明所述一種3db電橋,所述主耦合線帶2與次耦合線帶1平行設(shè)置且高度差為5mm。本發(fā)明所述一種3db電橋,所述直通帶上設(shè)有頂柱孔,所述第一矩形主帶r1兩側(cè)也設(shè)有頂柱孔,頂柱孔套設(shè)支撐柱10。支撐柱10為絕緣介質(zhì),用于固定帶線。本發(fā)明所述一種3db電橋,所述第一矩形主帶r1的兩側(cè)的底側(cè)向次耦合線帶1一側(cè)延伸出有框帶r7。該結(jié)構(gòu),通過(guò)仿真和實(shí)際測(cè)試可以發(fā)現(xiàn),其提高耦合度,有效降低相位差的偏差。所述底殼內(nèi)設(shè)有隔離墻,隔離墻位于第二曲帶與第二波導(dǎo)臂之間以及第一曲帶與第一波導(dǎo)帶之間,隔離墻用于增加隔離度,增加性能。
以上所述僅是本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例,故凡依本發(fā)明專利申請(qǐng)范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾,包含在本發(fā)明專利申請(qǐng)的保護(hù)范圍內(nèi)。