本發(fā)明的實(shí)施例涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制備方法以及具有該陣列基板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是有機(jī)電致發(fā)光顯示領(lǐng)域，存在對(duì)窄邊框的設(shè)計(jì)需求。窄邊框由于具有相對(duì)更大的顯示面積和更好的顯示效果，能夠吸引消費(fèi)者的青睞，也能夠幫助提高產(chǎn)品的玻璃利用率。但是，窄邊框在產(chǎn)品設(shè)計(jì)和產(chǎn)品的良率方面往往存在一定的技術(shù)問題?，F(xiàn)有工藝生產(chǎn)中，需要對(duì)陣列基板進(jìn)行檢測(cè)，而為了實(shí)現(xiàn)窄邊框和節(jié)約空間的目的，現(xiàn)在普遍通過引線將信號(hào)線引出到陣列基板外部進(jìn)行檢測(cè)，如圖1所示。由于陣列基板由陣列基板母板切割形成，引線的存在則會(huì)使得切割時(shí)應(yīng)力不均而造成陣列基板邊緣截面的不平整，影響切割良率，陣列基板邊緣截面如圖2所示。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法以及具有該陣列基板的顯示裝置。

本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例提供一種陣列基板，包括邊緣區(qū)域和位于所述邊緣區(qū)域的引線，還包括襯底基板，其特征在于，在所述邊緣區(qū)域設(shè)置有輔助結(jié)構(gòu)，所述輔助結(jié)構(gòu)和所述引線在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述邊緣區(qū)域的所述襯底基板。

例如，本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述輔助結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述邊緣區(qū)域的襯底基板。

例如，本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述輔助結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影所覆蓋的襯底基板的區(qū)域，與所述引線在所述襯底基板上的正投影所未覆蓋的襯底基板的邊緣區(qū)域重合。

例如，本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述引線在所述襯底基板上的正投影和所述輔助結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影間隔排布，所述輔助結(jié)構(gòu)形成在同一層或不同層。

例如，本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述引線和所述輔助結(jié)構(gòu)材質(zhì)相同，所述引線與所述輔助結(jié)構(gòu)間具有絕緣層。

例如，本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述引線和所述輔助結(jié)構(gòu)厚度相同。

例如，本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述引線與電源信號(hào)線、時(shí)鐘信號(hào)線或控制信號(hào)線等信號(hào)線中的任一種同層設(shè)置且材料相同。

例如，本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述輔助結(jié)構(gòu)與柵極金屬線、源極金屬線或漏極金屬線等金屬線中的任一種同層設(shè)置且材料相同。

本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例提供一種顯示裝置，其包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。

本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板由陣列基板母板在待切割區(qū)域切割形成，包括提供襯底基板母板，在所述待切割區(qū)域形成引線，其特征在于，還包括在所述待切割區(qū)域形成輔助結(jié)構(gòu)，所述輔助結(jié)構(gòu)和所述引線在所述襯底基板母板上的正投影覆蓋所述待切割區(qū)域的襯底基板母板，在所述待切割區(qū)域切割陣列基板母板，形成具有邊緣區(qū)域的如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陣列基板。

需要理解的是本發(fā)明的上述概括說明和下面的詳細(xì)說明都是示例性和解釋性的，用于進(jìn)一步說明所要求的發(fā)明。

本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例至少具有以下有益效果：

通過設(shè)置在陣列基板邊緣區(qū)域的輔助結(jié)構(gòu)，使邊緣區(qū)域的輔助結(jié)構(gòu)和引線在襯底基板上的正投影覆蓋邊緣區(qū)域的襯底基板，由于切割形成此邊緣區(qū)域時(shí)具有與引線的切割應(yīng)力相同或相近的輔助結(jié)構(gòu)，從而提高陣列基板邊緣區(qū)域切割平整度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對(duì)本發(fā)明的限制。

圖1為一種對(duì)陣列基板進(jìn)行檢測(cè)的示意圖；

圖2為一種陣列基板的邊緣區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種陣列基板的邊緣區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的一種陣列基板的邊緣區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的一種陣列基板的邊緣區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于所描述的本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。本發(fā)明的實(shí)施例所涉及各圖案的尺寸在實(shí)際產(chǎn)品中通常為較小量級(jí)，為了清楚起見，本發(fā)明實(shí)施例的附圖中各結(jié)構(gòu)的尺寸被放大，除非另有明確說明，不代表實(shí)際尺寸與比例。

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是有機(jī)電致發(fā)光顯示領(lǐng)域，存在對(duì)窄邊框的設(shè)計(jì)需求。窄邊框由于具有相對(duì)更大的顯示面積和更好的顯示效果，能夠吸引消費(fèi)者的青睞，也能夠幫助提高產(chǎn)品的玻璃利用率。但是，窄邊框在產(chǎn)品設(shè)計(jì)和產(chǎn)品的良率方面往往存在一定的技術(shù)問題。

圖1示出了一種對(duì)陣列基板1進(jìn)行檢測(cè)的示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有工藝生產(chǎn)中，需要對(duì)陣列基板1進(jìn)行檢測(cè)，而為了實(shí)現(xiàn)窄邊框和節(jié)約空間的目的，現(xiàn)在普遍通過顯示區(qū)2外的引線將信號(hào)線引出到陣列基板1外部利用檢測(cè)線3在檢測(cè)板4上進(jìn)行檢測(cè)。圖2示出了一種陣列基板1的邊緣區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，由于陣列基板1由陣列基板母板切割形成，引線21的存在會(huì)使得切割時(shí)應(yīng)力不均而造成陣列基板1邊緣截面的不平整，進(jìn)而影響切割良率。

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板1及其制備方法、顯示裝置，從而提高陣列基板1邊緣區(qū)域切割平整度。

根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種陣列基板1，包括邊緣區(qū)域和位于所述邊緣區(qū)域的引線21，還包括襯底基板10，其特征在于，在所述邊緣區(qū)域設(shè)置有輔助結(jié)構(gòu)22，所述輔助結(jié)構(gòu)22和所述引線21在所述襯底基板10上的正投影覆蓋所述邊緣區(qū)域的所述襯底基板10。

該實(shí)施例的陣列基板1通過設(shè)置在陣列基板1邊緣區(qū)域的輔助結(jié)構(gòu)22，使邊緣區(qū)域的輔助結(jié)構(gòu)22和引線21在襯底基板10上的正投影覆蓋邊緣區(qū)域的襯底基板10，由于切割形成此邊緣區(qū)域時(shí)具有與引線21的切割應(yīng)力相同或相近的輔助結(jié)構(gòu)22，從而提高陣列基板1邊緣區(qū)域切割平整度。

以下通過幾個(gè)實(shí)施例予以說明。

實(shí)施例一

圖3示出了本實(shí)施例提供的一種陣列基板1的邊緣區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)示意圖。需要說明的是，圖3僅示出陣列基板1相關(guān)結(jié)構(gòu)的一部分以便更清楚的說明。

如圖3所示，本實(shí)施例的陣列基板1，包括邊緣區(qū)域和位于邊緣區(qū)域的引線21，還包括襯底基板10，其特征在于，在邊緣區(qū)域設(shè)置有輔助結(jié)構(gòu)22，輔助結(jié)構(gòu)22在襯底基板10上的正投影覆蓋邊緣區(qū)域的襯底基板10。由于切割形成此邊緣區(qū)域時(shí)具有與引線21的切割應(yīng)力相同或相近的輔助結(jié)構(gòu)22，從而提高陣列基板1邊緣區(qū)域切割平整度。

例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22可以材質(zhì)相同，例如，引線21與輔助結(jié)構(gòu)22可以均為金屬且之間具有絕緣層，例如，絕緣層可以是柵極絕緣層11。例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22也可以材質(zhì)不同，例如，引線21為金屬，輔助結(jié)構(gòu)22為其他切割應(yīng)力相同或相近的絕緣材質(zhì)。只需要引線21和輔助結(jié)構(gòu)22的切割應(yīng)力相同或相近，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22可以厚度相同，以使得引線21和輔助結(jié)構(gòu)22的切割應(yīng)力相同或相近。例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22也可以厚度不同，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

例如，引線21可以與電源信號(hào)線、時(shí)鐘信號(hào)線或控制信號(hào)線等信號(hào)線中的任一種同層設(shè)置且材料相同，例如，同層設(shè)置且材料相同可以是由同一工藝形成。例如，引線21也可以與其他需要檢測(cè)的信號(hào)線相連，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

例如，輔助結(jié)構(gòu)22可以與柵極金屬線、源極金屬線或漏極金屬線等金屬線中的任一種同層設(shè)置且材料相同，例如，同層設(shè)置且材料相同可以是由同一工藝形成，以避免增加額外的工藝。例如，輔助結(jié)構(gòu)22也可以與其他膜層同層設(shè)置且材料相同。例如，輔助結(jié)構(gòu)22也可以不與任一其他膜層同層設(shè)置且材料相同，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

下面將說明上述實(shí)施例的制備方法。

該陣列基板1由陣列基板母板在待切割區(qū)域切割形成，包括提供襯底基板10母板，在待切割區(qū)域形成引線21，其特征在于，還包括在待切割區(qū)域形成輔助結(jié)構(gòu)22，輔助結(jié)構(gòu)22在襯底基板10母板上的正投影覆蓋待切割區(qū)域的襯底基板10母板，在待切割區(qū)域切割陣列基板母板，形成具有邊緣區(qū)域的陣列基板1。

例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22可以采用相同材質(zhì)形成，例如，引線21與輔助結(jié)構(gòu)22可以均采用金屬形成且之間形成絕緣層，例如，絕緣層可以是柵極絕緣層11。例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22也可以采用不同材質(zhì)形成，例如，引線21由金屬形成，輔助結(jié)構(gòu)22由其他切割應(yīng)力相同或相近的絕緣材質(zhì)形成。只需要引線21和輔助結(jié)構(gòu)22的切割應(yīng)力相同或相近，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22可以形成相同厚度，以使得引線21和輔助結(jié)構(gòu)22的切割應(yīng)力相同或相近。例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22也可以形成不同厚度，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

例如，引線21可以與電源信號(hào)線、時(shí)鐘信號(hào)線或控制信號(hào)線等信號(hào)線中的任一種由同一工藝形成。例如，引線21也可以與其他需要檢測(cè)的信號(hào)線由同一工藝形成，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

例如，輔助結(jié)構(gòu)22可以與柵極金屬線、源極金屬線或漏極金屬線等金屬線中的任一種由同一工藝形成，以避免增加額外的工藝。例如，輔助結(jié)構(gòu)22也可以與其他膜層由同一工藝形成。例如，輔助結(jié)構(gòu)22也可以單獨(dú)形成，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

實(shí)施例二

圖4和圖5示出了本實(shí)施例提供的一種陣列基板1的邊緣區(qū)域的截面結(jié)構(gòu)示意圖。需要說明的是，圖4和圖5僅示出陣列基板1相關(guān)結(jié)構(gòu)的一部分以便更清楚的說明。

如圖4和圖5所示，本實(shí)施例的陣列基板1，包括邊緣區(qū)域和位于邊緣區(qū)域的引線21，還包括襯底基板10，其特征在于，在邊緣區(qū)域設(shè)置有輔助結(jié)構(gòu)22，輔助結(jié)構(gòu)22在襯底基板10上的正投影所覆蓋的襯底基板10的區(qū)域，與引線21在襯底基板10上的正投影所未覆蓋的襯底基板10的邊緣區(qū)域重合。由于切割形成此邊緣區(qū)域時(shí)具有與引線21的切割應(yīng)力相同或相近的輔助結(jié)構(gòu)22，從而提高陣列基板1邊緣區(qū)域切割平整度。

例如，引線21在襯底基板10上的正投影和輔助結(jié)構(gòu)22在襯底基板10上的正投影間隔排布。例如，輔助結(jié)構(gòu)22可以為同一層，可以是如圖4所示的引線21在襯底基板10與輔助結(jié)構(gòu)22之間，也可以是如圖5所示的輔助結(jié)構(gòu)22在襯底基板10與引線21之間。例如，輔助結(jié)構(gòu)22可以至少為兩層，可以是引線21在襯底基板10與所有層的輔助結(jié)構(gòu)22之間，也可以是所有層的輔助結(jié)構(gòu)22在襯底基板10與引線21之間，還可以是不同層的輔助結(jié)構(gòu)22分別位于引線21兩側(cè)。

例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22可以材質(zhì)相同，例如，引線21與輔助結(jié)構(gòu)22可以均為金屬且之間具有絕緣層，例如，絕緣層可以是柵極絕緣層11。例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22也可以材質(zhì)不同，例如，引線21為金屬，輔助結(jié)構(gòu)22為其他切割應(yīng)力相同或相近的絕緣材質(zhì)。只需要引線21和輔助結(jié)構(gòu)22的切割應(yīng)力相同或相近，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22可以厚度相同，以使得引線21和輔助結(jié)構(gòu)22的切割應(yīng)力相同或相近。例如，輔助結(jié)構(gòu)22為至少兩層時(shí)，可以是各層輔助結(jié)構(gòu)22的厚度之和與引線21厚度相同。例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22也可以厚度不同，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

例如，引線21可以與電源信號(hào)線、時(shí)鐘信號(hào)線或控制信號(hào)線等信號(hào)線中的任一種同層設(shè)置且材料相同，例如，同層設(shè)置且材料相同可以是由同一工藝形成。例如，引線21也可以與其他需要檢測(cè)的信號(hào)線相連，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

例如，輔助結(jié)構(gòu)22可以與柵極金屬線、源極金屬線或漏極金屬線等金屬線中的任一種同層設(shè)置且材料相同，例如，同層設(shè)置且材料相同可以是由同一工藝形成，以避免增加額外的工藝。例如，輔助結(jié)構(gòu)22也可以與其他膜層同層設(shè)置且材料相同。例如，輔助結(jié)構(gòu)22為至少兩層時(shí)，不同層輔助結(jié)構(gòu)22可以與不同膜層同層設(shè)置且材料相同，例如，不同層輔助結(jié)構(gòu)均是金屬時(shí)，其間可以是層間絕緣層12。例如，輔助結(jié)構(gòu)22也可以不與任一其他膜層同層設(shè)置且材料相同，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

下面將說明上述實(shí)施例的制備方法。

該陣列基板1由陣列基板母板在待切割區(qū)域切割形成，包括提供襯底基板10母板，在待切割區(qū)域形成引線21，其特征在于，還包括在待切割區(qū)域形成輔助結(jié)構(gòu)22，輔助結(jié)構(gòu)22在襯底基板10母板上的正投影所覆蓋的襯底基板10母板的待切割區(qū)域，與引線21在襯底基板10母板上的正投影所未覆蓋的襯底基板10母板的待切割區(qū)域重合，在待切割區(qū)域切割陣列基板母板，形成具有邊緣區(qū)域的陣列基板1。

例如，引線21在襯底基板10上的正投影和輔助結(jié)構(gòu)22在襯底基板10上的正投影形成間隔排布。例如，輔助結(jié)構(gòu)22可以由同一次工藝形成在同一層，可以是先形成引線21后再形成輔助結(jié)構(gòu)22，也可以是先形成輔助結(jié)構(gòu)22后再形成引線21。例如，輔助結(jié)構(gòu)22可以至少由兩次工藝形成在至少兩層，可以是先形成引線21再形成所有層的輔助結(jié)構(gòu)22，也可以先形成所有層的輔助結(jié)構(gòu)22再形成引線21，還可以先形成部分層的輔助結(jié)構(gòu)22后形成引線21再形成部分層的輔助結(jié)構(gòu)22。

例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22可以采用相同材質(zhì)形成，例如，引線21與輔助結(jié)構(gòu)22可以均采用金屬形成且之間形成絕緣層，例如，絕緣層可以是柵極絕緣層11。例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22也可以采用不同材質(zhì)形成，例如，引線21由金屬形成，輔助結(jié)構(gòu)22由其他切割應(yīng)力相同或相近的絕緣材質(zhì)形成。只需要引線21和輔助結(jié)構(gòu)22的切割應(yīng)力相同或相近，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22可以形成相同厚度，以使得引線21和輔助結(jié)構(gòu)22的切割應(yīng)力相同或相近。例如，輔助結(jié)構(gòu)22為形成在至少兩層時(shí)，可以是各層輔助結(jié)構(gòu)22的厚度之和與引線21形成相同厚度。例如，引線21和輔助結(jié)構(gòu)22也可以形成不同厚度，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

例如，引線21可以與電源信號(hào)線、時(shí)鐘信號(hào)線或控制信號(hào)線等信號(hào)線中的任一種由同一工藝形成。例如，引線21也可以與其他需要檢測(cè)的信號(hào)線由同一工藝形成，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

例如，輔助結(jié)構(gòu)22可以與柵極金屬線、源極金屬線或漏極金屬線等金屬線中的任一種由同一工藝形成，以避免增加額外的工藝。例如，輔助結(jié)構(gòu)22也可以與其他膜層由同一工藝形成。例如，輔助結(jié)構(gòu)22為形成在至少兩層，不同層輔助結(jié)構(gòu)22可以與不同膜層由同一工藝形成，例如，不同層輔助結(jié)構(gòu)均是金屬時(shí)，其間可以是層間絕緣層12。例如，輔助結(jié)構(gòu)22也可以單獨(dú)形成，本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)此不做限制。

實(shí)施例三

本實(shí)施例提供了一種顯示裝置，其包括上述任一實(shí)施例的陣列基板1，并且還可以包括柵極驅(qū)動(dòng)電路、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路以及電源等。該顯示裝置可以為顯示面板、電視、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、手表、平板電腦、筆記本電腦、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。

需要說明的是，為表示清楚，并沒有敘述該顯示裝置的全部結(jié)構(gòu)。為實(shí)現(xiàn)顯示裝置的必要功能，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行設(shè)置其他結(jié)構(gòu)，本發(fā)明對(duì)此不做限制。

需要說明的是，陣列基板母板的待切割區(qū)域和陣列基板1的邊緣區(qū)域等均是根據(jù)對(duì)應(yīng)區(qū)域劃分的，在陣列基板母板和陣列基板1上可能并不存在這些區(qū)域的實(shí)體界線。

對(duì)于本發(fā)明，還有以下幾點(diǎn)需要說明：

(1)本發(fā)明實(shí)施例附圖只涉及到本發(fā)明實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。

(2)為了清晰起見，在用于描述本發(fā)明的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實(shí)際的比例繪制。

(3)在不沖突的情況下，本發(fā)明的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合以得到新的實(shí)施例。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。