本發(fā)明是申請(qǐng)日為2014年7月22日，申請(qǐng)?zhí)枮?01410349956.2，發(fā)明名稱為“一種導(dǎo)線架及其制造方法”的中國(guó)專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

本發(fā)明有關(guān)于一種導(dǎo)線架，特別是有關(guān)于一形成三維空間的導(dǎo)線架。

背景技術(shù)：

導(dǎo)線架(leadframe)是一種應(yīng)用在集成電路(ic)封裝的材料，其具有不同的型式，例如四邊接腳扁平式封裝(qfp)、薄小外型封裝(tsop)、小外型晶體管(sot)或j型接腳小外型封裝(soj)。借由組裝和互相連接一半導(dǎo)體組件至一導(dǎo)線架來(lái)構(gòu)成封膠(molding)的半導(dǎo)體組件。此結(jié)構(gòu)常常使用塑性材料封膠。一導(dǎo)線架由金屬帶狀物(metalribbon)構(gòu)成，且具有一槳狀物(paddle)(亦為已知的晶粒槳狀物(diepaddle)、晶粒附加標(biāo)簽(die-attachtab)或島狀物(island))，一半導(dǎo)體組件設(shè)置在該槳狀物上。前述導(dǎo)線架具有多個(gè)導(dǎo)線(lead)不與該槳狀物重迭排列。

傳統(tǒng)上，導(dǎo)線架用于集成電路芯片的晶粒結(jié)合(diebond)。制造程序包含很多步驟:打線(wirebond)、集成電路芯片封膠、切單后測(cè)試等等。借由整合或封裝導(dǎo)線架和其他組件，例如電感或電容，可以制造不同的產(chǎn)品。因?yàn)橹瞥倘菀?、成熟且信賴性良好，為目前最主要制程的一?/p>

上述導(dǎo)線架通常以平面的形式呈現(xiàn)，因此產(chǎn)品尺寸無(wú)法縮小。此外，它僅益于封裝單一組件。然而，當(dāng)組件尺寸縮小時(shí)，具有用以容納至少一組件的三維空間的導(dǎo)線架是需要的。導(dǎo)線架的形變可能進(jìn)一步影響產(chǎn)品良率。因此，本發(fā)明提出了一導(dǎo)線架及其制造方法以克服上述的缺點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一導(dǎo)線架，包含：一第一接腳(lead)和一第二接腳，其中該第一接腳和該第二接腳互相分隔；一第一導(dǎo)電柱，其中該第一導(dǎo)電柱借由在該第一接腳上配置一第一導(dǎo)孔(via)而形成在該第一接腳上，其中至少一第一導(dǎo)電材料填充于該第一導(dǎo)孔的內(nèi)部以形成該第一導(dǎo)電柱；以及一第二導(dǎo)電柱，其中該第二導(dǎo)電柱借由在該第二接腳上配置一第二導(dǎo)孔而形成在該第二接腳上，其中至少一第二導(dǎo)電材料填充于該第二導(dǎo)孔的內(nèi)部以形成該第二導(dǎo)電柱；其中該第一接腳、該第二接腳、該第一導(dǎo)電柱和該第二導(dǎo)電柱形成一三維空間用以容納至少一組件，其中該至少一組件電性連接該第一導(dǎo)電柱和該第二導(dǎo)電柱。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該第一導(dǎo)電柱頂部、該第二導(dǎo)電柱頂部和該至少一組件的至少二接點(diǎn)的頂部實(shí)質(zhì)上位于同一平面上。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一支撐材料配置于該第一接腳和該第二接腳的間以支撐該至少一組件。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一第一凸塊(bump)和一第二凸塊分別配置在該第一導(dǎo)電柱和該第二導(dǎo)電柱上以連接該至少一組件。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該至少一組件為具有一線圈的一磁性組件，其中該線圈具有一第一接點(diǎn)和一第二接點(diǎn)，其中該第一接腳通過(guò)該第一導(dǎo)電柱電性連接該線圈的該第一接點(diǎn)，以及該第二接腳通過(guò)該第二導(dǎo)電柱電性連接該線圈的該第二接點(diǎn)。

本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一形成導(dǎo)線架的方法。該方法包含了下列步驟：提供一第一接腳和一第二接腳，其中該第一接腳和該第二接腳互相分隔；以及執(zhí)行一圖案化制程(process)以分別在該第一接腳和該第二接腳上形成一第一導(dǎo)電柱和一第二導(dǎo)電柱；其中該第一接腳、該第二接腳、該第一導(dǎo)電柱和該第二導(dǎo)電柱形成一三維空間用以容納至少一組件，其中該至少一組件電性連接該第一導(dǎo)電柱和該第二導(dǎo)電柱。

本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一形成導(dǎo)線架的方法。該方法包含了下列步驟：提供一基板，其中該基板具有一第一部分、一第二部分和位于該第一部分和該第二部分之間的一第三部分；以及執(zhí)行一圖案化制程以分別在該基板的該第一部分和該第二部分上形成一第一導(dǎo)電柱和一第二導(dǎo)電柱，并移除該基板的該第三部分，以使該基板的該第一部分和該第二部分分別定義互相分隔的一第一接腳和一第二接腳；其中該第一接腳、該第二接腳、該第一導(dǎo)電柱和該第二導(dǎo)電柱形成一三維空間用以容納至少一組件，其中該至少一組件電性連接該第一導(dǎo)電柱和該第二導(dǎo)電柱。

在參閱接下來(lái)的段落及所附圖式所描述的本發(fā)明的實(shí)施例及詳細(xì)技術(shù)的后，該技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者便可了解本發(fā)明的技術(shù)特征及實(shí)施態(tài)樣。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的前面所述的態(tài)樣及所伴隨的優(yōu)點(diǎn)將借著參閱以下的詳細(xì)說(shuō)明及結(jié)合圖式更加被充分了解，其中：

圖1a根據(jù)本發(fā)明例示一導(dǎo)線架的三維空間示意圖；

圖1b根據(jù)本發(fā)明例示一封裝結(jié)構(gòu)的三維空間示意圖，其中至少一組件被容納在由圖1a中導(dǎo)線架所形成的三維空間中；

圖1c例示圖1a中導(dǎo)線架的三維空間示意圖；

圖1d根據(jù)本發(fā)明例示一導(dǎo)線架的三維空間示意圖，其中一支撐材料配置于第一接腳和第二接腳的間；

圖2a根據(jù)本發(fā)明例示一導(dǎo)線架的三維空間示意圖，其中該導(dǎo)線架具有一第一凸塊(bump)和一第二凸塊；

圖2b根據(jù)本發(fā)明例示一封裝結(jié)構(gòu)的三維空間示意圖，其中至少一組件被容納至由第2a圖中導(dǎo)線架所形成的三維空間中；

圖2c例示第2a圖中導(dǎo)線架的剖面示意圖；

圖3為制造導(dǎo)線架的一制造流程；

圖4為制造導(dǎo)線架的另一制造流程；

圖5a至圖5h例示制造本發(fā)明第一實(shí)施例中的導(dǎo)線架的一詳細(xì)制造流程圖；

圖6a至圖6h例示制造本發(fā)明第二實(shí)施例中的導(dǎo)線架的一詳細(xì)制造流程圖；

圖7a至圖7h例示制造本發(fā)明第三實(shí)施例中的導(dǎo)線架的一詳細(xì)制造流程圖；及

圖8a至圖8h例示制造本發(fā)明第四實(shí)施例中的導(dǎo)線架的一詳細(xì)制造流程圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：100-導(dǎo)線架；101-第一接腳；102-第二接腳；103-第一導(dǎo)電柱；104-第二導(dǎo)電柱；105-組件；105a-第一接點(diǎn)；105b-第二接點(diǎn)；106-芯本體；107-支撐材料；111-第一凸塊；112-第二凸塊；113-第三柱；114-第四柱；201-步驟；202-步驟；211-步驟；212-步驟；303-第一導(dǎo)電柱；304-第二導(dǎo)電柱；309-第一貫穿孔；310-第二貫穿孔；311-第一凸塊；312-第二凸塊；313-第三貫穿孔；314-第四貫穿孔；321-第一接觸區(qū)域；322-第二接觸區(qū)域；323-第一貫穿溝槽；351-金屬基板；352-第一部分；353-第二部分；354-第三部分；355-第一表面；356-第二表面；357-第一絕緣層；358-第二絕緣層；359-第三絕緣層；360-第四絕緣層；370-黏著劑；403-第一導(dǎo)電柱；404-第二導(dǎo)電柱；409-第一貫穿孔；410-第二貫穿孔；411-第一凸塊；412-第二凸塊；421-第一接觸區(qū)域；422-第二接觸區(qū)域；423-第一貫穿溝槽；450-基板；451-金屬板；452-第一部件；453-第二部件；454-第三部分；455-上表面；456-下表面；457-第一絕緣層；458-第二絕緣層；459-第三絕緣層；460-第四絕緣層；470-黏著劑；481-絕緣材料；482-第一導(dǎo)孔；483-第二導(dǎo)孔；484-第一導(dǎo)電層；486-第一部分；487-第二部分；488-第三部分；489-第一表面；490-第二表面；503-第一導(dǎo)電柱；504-第二導(dǎo)電柱；509-第一貫穿溝槽；510-第二貫穿溝槽；510-第三貫穿溝槽；511-第一凸塊；512-第二凸塊；513-第一貫穿孔；514-第二貫穿孔；521-第一接觸區(qū)域；522-第二接觸區(qū)域；541-第二貫穿溝槽；550-基板；551-第一導(dǎo)電層；552-第一部分；553-第二部分；555-第一表面；556-第二表面；558-第一絕緣層；559-第二絕緣層；560-第三絕緣層；570-黏著劑；581-絕緣材料；584-第二導(dǎo)電層；585-第三導(dǎo)電層；592-第三部分；593-第四部分；594-第五部分；595-第六部分；603-第一導(dǎo)電柱；604-第二導(dǎo)電柱；609-第一貫穿溝槽；611-第一凸塊；612-第二凸塊；613-第一貫穿孔；614-第二貫穿孔；621-第一接觸區(qū)域；622-第二接觸區(qū)域；650-基板；651-第一導(dǎo)電層；655-第一表面；656-第二表面；657-第一絕緣層；658-第二絕緣層；659-第三絕緣層；660-第四絕緣層；670-黏著劑；681-絕緣材料；684-第二導(dǎo)電層；685-第三導(dǎo)電層；691-第一部分；692-第二部分；693-第三部分；694-第四部分；695-第五部分。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明于隨后描述，這里所描述的較佳實(shí)施例是作為說(shuō)明和描述的用途，并非用來(lái)限定本發(fā)明的范圍。

下面的多個(gè)實(shí)施例揭露一種導(dǎo)線架和用于制造該導(dǎo)線架的一方法。下面的多個(gè)實(shí)施例也揭露一三維封裝結(jié)構(gòu)和用于制造該三維封裝結(jié)構(gòu)的一方法。具有大高寬比(aspectratio)的二導(dǎo)電柱和其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)線架的二接腳(lead)形成一三維空間用以容納至少一組件。二導(dǎo)電柱可借由一圖案化制程(例如黃光制程)形成以配合組件尺寸需求。

圖1a根據(jù)本發(fā)明例示一導(dǎo)線架100的三維空間示意圖。導(dǎo)線架包含：

一第一接腳101和一第二接腳102，其中該第一接腳101和該第二接腳102互相分隔；一第一導(dǎo)電柱103，其中該第一導(dǎo)電柱103借由在該第一接腳101上配置一第一導(dǎo)孔(via)而形成在該第一接腳101上，其中至少一第一導(dǎo)電材料填充于該第一導(dǎo)孔的內(nèi)部以形成該第一導(dǎo)電柱103；以及一第二導(dǎo)電柱104，其中該第二導(dǎo)電柱104借由在該第二接腳102上配置一第二導(dǎo)孔而形成在該第二接腳102上，其中至少一第二導(dǎo)電材料填充于該第二導(dǎo)孔的內(nèi)部以形成該第二導(dǎo)電柱104；其中該第一接腳101、該第二接腳102、該第一導(dǎo)電柱103和該第二導(dǎo)電柱104形成一三維空間用以容納至少一組件，其中該至少一組件電性連接該第一導(dǎo)電柱103和該第二導(dǎo)電柱104。較佳來(lái)說(shuō)，第一導(dǎo)電材料和第二導(dǎo)電材料相同。圖1b根據(jù)本發(fā)明例示一封裝結(jié)構(gòu)的三維空間示意圖，其中至少一組件105被容納在由圖1a中導(dǎo)線架100所形成的三維空間中。在一個(gè)實(shí)施例中，第一導(dǎo)電柱103和第二導(dǎo)電柱104分別形成在第一接腳101的第一角落和第二接腳102的第二角落上以形成用以容納至少一組件的最大三維空間。第一導(dǎo)電柱103和第二導(dǎo)電柱104皆具有大高寬比。選擇性地，一封膠(molding)材料(未圖示)可包覆至少一組件105。

圖1c例示圖1a中導(dǎo)線架100的三維空間示意圖。關(guān)于圖1a和圖1c，圖1c中部分x1-x1′沿著在圖1a中線x1-x1′。至少一組件105可包含集成電路芯片、金氧半場(chǎng)效晶體管(mosfet)、絕緣閘雙極晶體管(igbt)、二極管、電阻、電感或者電容其中至少一個(gè)。在一個(gè)實(shí)施例中，一支撐材料107可配置于第一接腳101和第二接腳102之間以支撐該至少一組件105(見(jiàn)圖1d)。

較佳來(lái)說(shuō)，組件105為具有線圈的一磁性組件。請(qǐng)參閱圖1a和圖1b，線圈具有一第一接點(diǎn)105a和一第二接點(diǎn)105b。第一接腳101通過(guò)第一導(dǎo)電柱103電性連接線圈的第一接點(diǎn)105a，以及第二接腳102通過(guò)第二導(dǎo)電柱104電性連接線圈的第二接點(diǎn)105b。較佳來(lái)說(shuō)，芯本體(corebody)106(例如t芯)配置在導(dǎo)線架100上，且線圈配置在芯本體(corebody)106上。

第一導(dǎo)電柱103頂部、第二導(dǎo)電柱104頂部和至少一組件105的至少二接點(diǎn)的頂部可實(shí)質(zhì)上位于相同水平面上，用以方便將至少一組件105電性連接第一導(dǎo)電柱103和第二導(dǎo)電柱104且執(zhí)行一圖案化制程(例如黃光制程)以制造此封裝結(jié)構(gòu)。換句話說(shuō)，第一導(dǎo)電柱103、第二導(dǎo)電柱104和至少一組件105具有相同的高度。

第2a圖根據(jù)本發(fā)明例示一導(dǎo)線架100′的三維空間示意圖，其中該導(dǎo)線架100′具有一第一凸塊(bump)和一第二凸塊。圖2b根據(jù)本發(fā)明例示一封裝結(jié)構(gòu)的三維空間示意圖，其中至少一組件105被容納至由圖2a中導(dǎo)線架100′所形成的三維空間中。圖2c例示圖中2a導(dǎo)線架100′的剖面示意圖。關(guān)于第2a圖和圖2c，圖2c中部分x2-x2′沿著在圖2a中線x2-x2′。

第一凸塊111和第二凸塊112可分別配置在第一導(dǎo)電柱101和第二導(dǎo)電柱102上以連接至少一組件105。較佳來(lái)說(shuō)，第一凸塊111頂部、第二凸塊112頂部和至少一組件105的至少二接點(diǎn)的頂部實(shí)質(zhì)上可位于相同平面上，用以方便將至少一組件105電性連接第一導(dǎo)電柱103和第二導(dǎo)電柱104。

請(qǐng)回頭參閱圖1a、圖1b、圖2a和圖2b。選擇性地，一第三柱113和一第四柱114可分別設(shè)在第一接腳101和第二接腳102上以固定至少一組件105。較佳來(lái)說(shuō)，第三柱113和第四柱114分別形成在第一接腳101的第三角落和第二接腳102的第四角落上以形成用以容納至少一組件105的最大三維空間。選擇性地，第三柱113和第四柱114中每一個(gè)可為一導(dǎo)電柱。第一導(dǎo)電柱103頂部、第二導(dǎo)電柱104頂部、第三柱113頂部、第四柱114頂部和至少一組件105的至少二接點(diǎn)的頂部實(shí)質(zhì)上位于相同平面上，用以方便執(zhí)行一圖案化制程(例如黃光制程)以制造此封裝結(jié)構(gòu)。換句話說(shuō)，第一導(dǎo)電柱103、第二導(dǎo)電柱104、第三柱113和第四柱114和至少一組件105具有相同的高度。

圖3為制造導(dǎo)線架的一制造流程。在步驟201中，提供一第一接腳和一第二接腳，其中該第一接腳和該第二接腳互相分隔。在步驟202中，執(zhí)行一圖案化制程(例如黃光制程)以分別在該第一接腳和該第二接腳上形成一第一導(dǎo)電柱和一第二導(dǎo)電柱；其中該第一接腳、該第二接腳、該第一導(dǎo)電柱和該第二導(dǎo)電柱形成一三維空間用以容納至少一組件，其中該至少一組件電性連接該第一導(dǎo)電柱和該第二導(dǎo)電柱。

步驟202還包含：在該第一接腳和該第二接腳上形成一絕緣層；在絕緣層中形成一第一貫穿孔和一第二貫穿孔以分別露出該第一接腳和該第二接腳；分別在該第一貫穿孔和該第二貫穿孔中填充至少一導(dǎo)電材料以形成該第一導(dǎo)電柱和該第二導(dǎo)電柱；以及移除該絕緣層。

圖4為制造導(dǎo)線架的另一制造流程。在步驟211中，提供一基板，其中該基板具有一第一部分、一第二部分和位于該第一部分和該第二部分之間的一第三部分。在步驟212中，執(zhí)行一圖案化制程(例如黃光制程)以分別在該基板的該第一部分和該第二部分上形成一第一導(dǎo)電柱和一第二導(dǎo)電柱，并移除該基板的該第三部分，以使該基板的該第一部分和該第二部分分別定義互相分隔的一第一接腳和一第二接腳；其中該第一接腳、該第二接腳、該第一導(dǎo)電柱和該第二導(dǎo)電柱形成一三維空間用以容納至少一組件，其中該至少一組件電性連接該第一導(dǎo)電柱和該第二導(dǎo)電柱。

在步驟212中所述“執(zhí)行一圖案化制程以分別在該基板的該第一部分和該第二部分上形成一第一導(dǎo)電柱和一第二導(dǎo)電柱”包含:在該第一部分和該第二部分上形成一絕緣層；在絕緣層中形成一第一貫穿孔和一第二貫穿孔以分別露出該第一部分和該第二部分；分別在該第一貫穿孔和該第二貫穿孔中填充至少一導(dǎo)電材料以形成該第一導(dǎo)電柱和該第二導(dǎo)電柱；以及移除該絕緣層。

下面四個(gè)實(shí)施例揭露制造在圖3和圖4中所描述的導(dǎo)線架的一詳細(xì)制造流程圖。

實(shí)施例1

在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，基底(base)材料為一金屬(metallic)基板351(例如銅箔)(見(jiàn)圖5a)。為了方便解釋，僅呈現(xiàn)一局部性的圖案化制程(例如黃光制程)，然而習(xí)知技藝者可了解為了大量生產(chǎn)，圖案化制程可全面性地執(zhí)行。

圖5a例示棕化后金屬基板351的上視圖和棕化后金屬基板351的y1-y1′剖面示意圖。金屬基板351包含一第一部分352、一第二部分353和位于該第一部分352和該第二部分353之間的一第三部分354。金屬基板351具有一第一表面355和相對(duì)于該第一表面355的一第二表面356。

接著，在金屬基板351的第一表面355和第二表面356上可形成一第一絕緣層357(見(jiàn)圖5b；上視圖和y2-y2′剖面圖)。選擇性地，兩絕緣層可分別形成在金屬基板351的第一表面355和第二表面356上。

接著，在金屬基板351第一表面355上的第一絕緣層357中可形成一第一貫穿孔309和一第二貫穿孔310以露出第一部分352的一第一接觸區(qū)域321和第二部分353的一第二接觸區(qū)域322，并且移除在金屬基板351第二表面356上的第一絕緣層357(見(jiàn)圖5c；上視圖和y3-y3′剖面圖)。較佳來(lái)說(shuō)，第一接觸區(qū)域321和第二接觸區(qū)域322分別位于第一部分352的第一角落和第二部分353的第二角落以形成用以容納至少一組件105的最大三維空間。

接著，在第一絕緣層357上可形成一第二絕緣層358(例如光阻)。接著，在第一絕緣層357和第二絕緣層358中可形成一第三貫穿孔313和一第四貫穿孔314以露出第一部分352的第一接觸區(qū)域321和第二部分353的第二接觸區(qū)域322。較佳來(lái)說(shuō)，第一接觸區(qū)域321和第二接觸區(qū)域322分別位于第一部分352的第一角落和第二部分353的第二角落以形成用以容納至少一組件105的最大三維空間。接著，在第一接觸區(qū)域321和第二接觸區(qū)域322上可分別形成一第一導(dǎo)電柱303和一第二導(dǎo)電柱304。選擇性地，在第一導(dǎo)電柱303和第二導(dǎo)電柱304上可分別形成一第一凸塊(bump)311和一第二凸塊312(見(jiàn)圖5d；上視圖和y4-y4′剖面圖)。第一凸塊311和第二凸塊312可由任何適合的材料形成，例如銅/錫。接著，在金屬基板351的第二表面356上可形成一第三絕緣層359。

接著，在第二絕緣層358上可形成一第四絕緣層360。接著，在金屬基板351第二表面356上的第三絕緣層359中形成一第一貫穿溝槽323以露出金屬基板351的第三部分354(見(jiàn)圖5e；下視圖和y5-y5′剖面圖)。

接著，借由在金屬基板351的第二表面356上執(zhí)行一蝕刻制程可移除金屬基板351的第三部分354，以使第一部分352和第二部分353互相分隔以形成導(dǎo)線架100的第一接腳101和第一接腳102(見(jiàn)圖5f；下視圖和y6-y6′剖面圖)。

接著，可移除第二絕緣層358(例如光阻)、第三絕緣層359、第四絕緣層360(見(jiàn)圖5g；上視圖和y7-y7′剖面圖)。

最后，在金屬基板351的第二表面356上可形成一黏著劑370(見(jiàn)圖5h；上視圖和y8-y8′剖面圖)。請(qǐng)注意，圖5g中的該第一絕緣層357能夠如圖5h中那樣被移除。

實(shí)施例2

在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，基底材料為包含一金屬板451(例如銅箱)、一絕緣材料481(例如bt)、一第一導(dǎo)孔482、一第二導(dǎo)孔483和一第一導(dǎo)電層484的一基板450(見(jiàn)圖6c)。為了方便解釋，僅呈現(xiàn)一局部性的圖案化制程(例如黃光制程)，然而習(xí)知技藝者可了解為了大量生產(chǎn)，圖案化制程可全面性地執(zhí)行。

圖6a例示棕化后金屬基板451的上視圖和棕化后金屬基板451的y9-y9′剖面示意圖。金屬基板451包含一第一部件452、一第二部件453和位于該第一部件452和該第二部件453之間的一第三部分454。金屬基板451具有一上表面455和相對(duì)于該上表面455的一下表面456。

接著，在金屬基板451下表面456上可形成一絕緣材料481(例如abf(ajinomotobuild-upfilm)樹(shù)脂)(見(jiàn)圖6b；上視圖和y10-y10′剖面圖)。

接著，在絕緣材料481中可形成一第一導(dǎo)孔482和一第二導(dǎo)孔483(例如雷射鉆孔、去膠(desmear)和導(dǎo)孔電鍍)。接著，在絕緣材料481上可形成一第一導(dǎo)電層484以形成包含金屬基板451、絕緣材料481、第一導(dǎo)孔482、第二導(dǎo)孔483和第一導(dǎo)電層484的一基板450?；?50包含一第一部分486、一第二部分487和位于該第一部分486和該第二部分487之間的一第三部分488(見(jiàn)圖6c；下視圖和y11-y11′剖面圖)?；?50具有一第一表面489和相對(duì)于該第一表面489的一第二表面490。

接著，在基板450的第一表面489上可形成一第一絕緣層457。接著，借由在基板450的第一表面489上執(zhí)行一蝕刻制程可移除基板450的第三部分488以定義第一部分486頂部和第二部分487頂部(見(jiàn)圖6d；上視圖和y12-y12′剖面圖)。接著，可移除第一絕緣層457。

接著，在基板450的第一表面489上可形成一第二絕緣層458(例如光阻)。接著，在基板450第一表面489上的第二絕緣層458中可形成一第一貫穿孔409和一第二貫穿孔410以露出第一部分486的一第一接觸區(qū)域421和第二部分487的一第二接觸區(qū)域422。較佳來(lái)說(shuō)，第一接觸區(qū)域421和第二接觸區(qū)域422分別位于第一部分486的第一角落和第二部分487的第二角落以形成用以容納至少一組件105的最大三維空間。接著，在第一接觸區(qū)域421和第二接觸區(qū)域422上可分別形成一第一導(dǎo)電柱403和一第二導(dǎo)電柱404。選擇性地，在第一導(dǎo)電柱403和第二導(dǎo)電柱404上可分別形成一第一凸塊411和一第二凸塊412(見(jiàn)圖6e；上視圖和y13-y13′剖面圖)。第一凸塊411和第二凸塊412可由任何適合的材料形成，例如銅/錫。接著，在基板450的第二表面490上可形成一第三絕緣層459。

接著，在第一導(dǎo)電層484和第三絕緣層459中可形成一第一貫穿溝槽423以露出絕緣材料481以定義基板450的第一部分486底部和第二部分487底部(見(jiàn)第6f圖；下視圖和y14-y14′剖面圖)。接著，在第二絕緣層458上可形成一第四絕緣層460。

接著，移除第二絕緣層458(例如光阻)、第三絕緣層459和第四絕緣層460以露出絕緣材料481(見(jiàn)圖6g；上視圖和y15-y15′剖面圖)。

最后，可移除在基板450第一部分486和第二部分487之間的絕緣材料481(例如雷射鉆孔或機(jī)械鉆孔)。選擇性地，可保持在基板450第一部分486和第二部分487之間的絕緣材料481基板450的第一部分486和第二部分487分別形成導(dǎo)線架100的第一接腳101和第二接腳102，其中該第一接腳101和該第二接腳102互相分隔。在導(dǎo)線架100的第一接腳101和第二接腳102的每一個(gè)接腳的中，金屬基板451和第一導(dǎo)電層484可通過(guò)其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)孔482、483來(lái)電性連接。在基板450的第二表面490上可形成一黏著劑470(見(jiàn)圖6h；上視圖和y16-y16′剖面圖)。

實(shí)施例3

在本發(fā)明的第三實(shí)施例中，基底材料為具有一第一導(dǎo)電層551、第二導(dǎo)電層584和一絕緣材料581(配置在該第一導(dǎo)電層551和該第二導(dǎo)電層584之間)的一基板550(例如bt(bismaleimidetriacine)/銅箔)(見(jiàn)圖7a)。為了方便解釋，僅呈現(xiàn)一局部性的圖案化制程(例如黃光制程)，然而習(xí)知技藝者可了解為了大量生產(chǎn)，圖案化制程可全面性地執(zhí)行。

圖7a例示棕化后基板550的上視圖和棕化后基板550的y17-y17′剖面示意圖?；?50具有一第一表面555和相對(duì)于該第一表面555的一第二表面556。

接著，在基板550中可形成一第一貫穿溝槽509(例如機(jī)械鉆孔)以形成基板550的一第一部分552和一第二部分553(見(jiàn)圖7b；上視圖和y18-y18′剖面圖)。

接著，在基板550的第一部分552和第二部分553中每一個(gè)部分的表面上可形成一第三導(dǎo)電層585(例如去膠和導(dǎo)孔電鍍)，且第三導(dǎo)電層585可并入至基板550的第一部分552和第二部分553(見(jiàn)圖7c；上視圖和y19-y19′剖面圖)。

接著，在第一導(dǎo)電層551和第三導(dǎo)電層585中可分別形成一第二貫穿溝槽510和一第三貫穿溝槽511以定義基板550的第三部分592頂部、第四部分593頂部、第五部分594頂部和第六部分595頂部(見(jiàn)第7d圖；上視圖、y20-y20′剖面圖和y20″-y20″′剖面圖)?；?50的第三部分592和第四部分593頂部將分別形成導(dǎo)線架100的第一接腳101和第二接腳102(該第一接腳101和該第二接腳102互相分隔)，且在后續(xù)制程中，將聚焦于基板550的第三部分592和第四部分593。請(qǐng)注意后續(xù)制程可適用于基板550的第五部分594和第六部分595。

接著，在基板550的第一表面555上和基板550的第三部分592和第四部分593之間可形成一第一絕緣層558(例如光阻)。接著，在基板550第一表面555上的第一絕緣層558中可形成一第一貫穿孔513和一第二貫穿孔514以露出第三部分592的一第一接觸區(qū)域521和第四部分593的一第二接觸區(qū)域522。較佳來(lái)說(shuō)，第一接觸區(qū)域521和第二接觸區(qū)域522分別位于第三部分592的第一角落和第四部分593的第二角落以形成用以容納至少一組件105的最大三維空間。接著，在第一接觸區(qū)域521和第二接觸區(qū)域522上可分別形成一第一導(dǎo)電柱503和一第二導(dǎo)電柱504。選擇性地，在第一導(dǎo)電柱503和第二導(dǎo)電柱504上可分別形成一第一凸塊511和一第二凸塊512(見(jiàn)圖7e；上視圖和y21-y21′剖面圖)。第一凸塊511和第二凸塊512可由任何適合的材料形成，例如銅/錫。接著，在基板550的第二表面556上可形成一第二絕緣層559。

接著，在第一絕緣層558上可形成一第三絕緣層560。接著，在第二導(dǎo)電層584和第三導(dǎo)電層585中可形成一第二貫穿溝槽541以露出絕緣層581以定義基板550的第三部分592底部、第四部分593底部、第五部分594底部和第六部分595底部(見(jiàn)圖7f；下視圖、y22-y22′剖面圖和y22″-y22″′剖面圖)。

接著，可移除第一絕緣層558(例如光阻)、第二絕緣層559和第三絕緣層560以露出絕緣材料581(見(jiàn)圖7g；上視圖、y23-y23′剖面圖和y23″-y23″′剖面圖)。

最后，可移除在基板550第三部分592及第五部分594和基板550第四部分593及第六部分595之間的絕緣材料581(例如雷射鉆孔或機(jī)械鉆孔)?；?50的第三部分592和第四部分593分別形成導(dǎo)線架100的第一接腳101和第二接腳102，其中該第一接腳101和該第二接腳102互相分隔。在導(dǎo)線架100第一接腳101和第二接腳102的每一個(gè)接腳中，第一導(dǎo)電層551和第二導(dǎo)電層584可通過(guò)第三導(dǎo)電層585來(lái)電性連接。在基板550的第二表面556上可形成一黏著劑570(見(jiàn)圖7h；上視圖和y24-y24′剖面圖)。

實(shí)施例4

在本發(fā)明的第四實(shí)施例中，基底材料為具有一第一導(dǎo)電層651、第二導(dǎo)電層684和一絕緣材料681(配置在該第一導(dǎo)電層651和該第二導(dǎo)電層684之間)的一基板650(例如bt(bismaleimidetriacine)/銅箔)(見(jiàn)圖8a)。為了方便解釋，僅呈現(xiàn)一局部性的圖案化制程(例如黃光制程)，然而習(xí)知技藝者可了解為了大量生產(chǎn)，圖案化制程可全面性地執(zhí)行。

圖8a例示棕化后基板650的上視圖和棕化后基板650的y25-y25′剖面示意圖?；?50具有一第一表面655和相對(duì)于該第一表面655的一第二表面656。

接著，可形成基板650的一第一部分691(例如機(jī)械鉆孔)(見(jiàn)圖8b；上視圖和y26-y26′剖面圖)。

接著，在基板650第一部分691的表面上可形成一第三導(dǎo)電層685(例如去膠和導(dǎo)孔電鍍)，且第三導(dǎo)電層685可并入至基板650的第一部分691(見(jiàn)圖8c；上視圖和y27-y27′剖面圖)。

接著，在基板650的第一表面655上可形成一第一絕緣層657且在基板650的第二表面656上可形成一第二絕緣層658。在第一絕緣層657、第三導(dǎo)電層685和第一導(dǎo)電層651中可形成一第一貫穿溝槽609以露出絕緣材料681以定義基板650的第二部分692頂部、第三部分693頂部、第四部分694頂部和第五部分695頂部。基板650的第二部分692和第三部分693頂部將分別形成導(dǎo)線架100的第一接腳101和第二接腳102(該第一接腳101和該第二接腳102互相分隔)，且在后續(xù)制程中，將聚焦于基板650的第二部分692和第三部分693(見(jiàn)圖8d；上視圖、y28-y28′剖面圖和y28″-y28″′剖面圖)。請(qǐng)注意后續(xù)制程可適用于基板650的第四部分694和第五部分695。

接著，可移除第一絕緣層657。接著，在基板650的第一表面655上和基板650的第二部分692和第三部分693之間可形成一第三絕緣層659(例如光阻)。接著，在基板650第一表面655上的第三絕緣層659中可形成一第一貫穿孔613和一第二貫穿孔614以露出第二部分692的一第一接觸區(qū)域621和第三部分693的一第二接觸區(qū)域622。較佳來(lái)說(shuō)，第一接觸區(qū)域621和第二接觸區(qū)域622分別位于第二部分692的第一角落和第三部分693的第二角落以形成用以容納至少一組件105的最大三維空間。接著，在第一接觸區(qū)域621和第二接觸區(qū)域622上可分別形成一第一導(dǎo)電柱603和一第二導(dǎo)電柱604。選擇性地，在第一導(dǎo)電柱603和第二導(dǎo)電柱604上可分別形成一第一凸塊611和一第二凸塊612(見(jiàn)第8e圖；上視圖和y29-y29′剖面圖)。第一凸塊611和第二凸塊612可由任何適合的材料形成，例如銅/錫。

接著，在第三絕緣層659上可形成一第四絕緣層660。接著，在第二導(dǎo)電層684、第三導(dǎo)電層685和第二絕緣層658中可形成一第二貫穿溝槽631以露出絕緣材料681以定義基板650的第二部分692底部、第三部分693底部、第四部分694底部和第五部分695底部(見(jiàn)第8f圖；下視圖、y30-y30′剖面圖和y30″-y30″′剖面圖)。

接著，可移除第二絕緣層658、第三絕緣層659(例如光阻)和第四絕緣層660以露出絕緣材料681(見(jiàn)第8g圖；上視圖、y31-y31′剖面圖和y31″-y31″′剖面圖)。

最后，可移除在基板650第二部分692及第四部分694和基板650第三部分693及第五部分695之間的絕緣材料681(例如雷射鉆孔或機(jī)械鉆孔)。基板650的第二部分692和第三部分693分別形成導(dǎo)線架100的第一接腳101和第二接腳102(該第一接腳101和該第二接腳102互相分隔)，且在該第一接腳101和該第二接腳102的絕緣材料681作為一支撐材料107以支撐至少一組件105。在導(dǎo)線架100第一接腳101和第二接腳102的每一個(gè)接腳中，第一導(dǎo)電層651和第二導(dǎo)電層684可通過(guò)第三導(dǎo)電層685來(lái)電性連接。在基板650的第二表面656上可形成一黏著劑670(見(jiàn)圖8h；上視圖、y32-y32′剖面圖和y32″-y32″′剖面圖)。

從上面多個(gè)實(shí)施例的敘述中，本發(fā)明的導(dǎo)線架及其制造方法可提供很多優(yōu)點(diǎn)，包含：1.可依需求控制組件尺寸及增加設(shè)計(jì)彈性，因此適合量產(chǎn)；2.應(yīng)用上較開(kāi)模成型方式更廣，并且可配合金屬繞線，因此無(wú)治具磨耗的問(wèn)題產(chǎn)生；3.制程可以片狀方式生產(chǎn)；相較于單顆組件生產(chǎn)的制程，可利于定位且提高良率；4.適合高密度布局設(shè)計(jì)，且具有大高寬比的導(dǎo)電柱可避免相鄰電子組件發(fā)生短路；5.支撐材料可克服導(dǎo)線架形變和組件尺寸變異。

雖然本發(fā)明以前述的較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)相像技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾。雖然在上述描述說(shuō)明中并無(wú)完全揭露這些可能的更動(dòng)與替代，而本說(shuō)明書(shū)所附權(quán)利要求書(shū)的專利保護(hù)范圍實(shí)質(zhì)上已經(jīng)涵蓋所有這些態(tài)樣。