技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NLED外延生長方法，該LED外延是采用金屬化學(xué)氣相沉積法MOCVD對(duì)基底進(jìn)行處理獲得的，該方法包括：將基底進(jìn)行退火，在基底上依次生長緩沖層、u?GaN層、n?GaN層、量子阱層、Al漸變AlGaN層、InGaN:Mg層、In漸變InGaN層、p型AlGaN層和p型GaN層；通過將Al漸變AlGaN層作為第一電子阻擋層，InGaN:Mg層和In漸變InGaN層構(gòu)成新型電子注入層，p型AlGaN層作為第二電子阻擋層，制備出量子阱區(qū)域的空穴注入濃度高，驅(qū)動(dòng)電壓低的LED，提高了LED的發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：林傳強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湘能華磊光電股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.24
技術(shù)公布日：2017.09.26