本發(fā)明涉及oled微顯示器件生產領域，尤其涉及一種全彩oled微顯示器件生產方法。

背景技術：

有機電致發(fā)光器件（oled）同時具備全固態(tài)、自發(fā)光、響應速度塊、視角廣泛、工作溫度范圍廣等一系列優(yōu)點，受到越來越多的學界和產業(yè)界的關注。經過多年不斷的積極探索，器件的結構和工藝的以及相關材料的進一步優(yōu)化，有機電致發(fā)光已經取得了長足進步，目前已經實現了產業(yè)化。根據有關研究機構的預測，oled面板2020年產值將超過600億美元。oled微顯示器指的是顯示尺寸在1英寸之下，基于硅基cmos驅動的有機發(fā)光器件，像素高達800×600以上，特別適合應用于頭盔顯示器、立體顯示鏡以及眼睛式顯示器等，具有廣闊的市場前景和軍事價值。

目前，全彩oled微顯示器件的工藝技術還不是特別成熟，成本高、良品率低，無法進行大規(guī)模的量產。尤其是，全彩oled微顯示器件的全彩化方案多采用白光oled上加rgb彩色濾光片的技術。rgb彩色濾光片制作在玻璃蓋板之上，通過ccd實現像素定位，貼合在oled器件上，實現彩色化顯示。oled微顯示器件的分辨率高，像素只有幾個微米的大小，而ccd定位精度也在1μm左右，所以對位難度高，精度差，容易出現串色的問題，限制了器件分辨率的提升。

另外，傳統(tǒng)的oled微顯示器件的制作工藝中，采用的是先機械劃片再小片玻璃貼合的技術，工藝復雜。機械劃片是機械力直接作用在晶圓表面，在晶圓內部產生應力損傷，熱影響范圍和殘留應力大，易崩邊，破碎，產品良率低，不利于大規(guī)模生產。

技術實現要素：

本發(fā)明針對現有技術的不足，提供一種全彩oled微顯示器件生產方法。

本發(fā)明通過以下技術手段實現解決上述技術問題的：

一種全彩oled微顯示器件生產方法，包括以下步驟：

s1：提供一包含驅動電路的晶圓基板，在晶圓基板上制作陽極像素點，形成陽極層；

s2：在陽極層上熱蒸鍍oled顯示器件；

s3：對oled顯示器件進行薄膜封裝，形成薄膜封裝層；

s4：在薄膜封裝層上制作rgb彩色濾光片，形成濾光層；

s5：在濾光層上貼合玻璃蓋板；

s6：對集成有驅動電路、oled顯示器件、薄膜封裝層、濾光層和玻璃蓋板的晶圓基板進行切割，形成單個尺寸在1寸以內的微型顯示芯片。

進一步地，在s1中，所述陽極像素點采用蒸鍍或者濺射的方式形成，材料選自al、au、ag、cr、mo、pt、cu、w。

進一步地，在s2中，蒸鍍的環(huán)境真空度小于10^-4pa。

進一步地，在s2中，所述oled顯示器件至少包括發(fā)光層和陰極層，其中，所述陰極層為半透明結構。

進一步地，在s3中，所述薄膜封裝層由有機或者無機材料多層交替沉積而成。

進一步地，在s3中，所述薄膜封裝層的有機材料選自聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚丙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚硅氧烷、聚硅氮烷或環(huán)氧類樹脂，無機材料選自al2o3、tio2、sinx、sicnx、siox、mgf2、zro2。

進一步地，在s4中，在薄膜封裝層上制作rgb彩色濾光片包括洗凈、涂覆、前烘、曝光、顯影、后烘的步驟，所述前烘和后烘的溫度≤90℃。

進一步地，在s6中，采用激光劃片的方式對所述晶圓基板進行切割，所述激光劃片的劃片速度在140~160nm/s。

本發(fā)明與現有技術相比較，本發(fā)明的實施效果如下：

在oled顯示器件上直接制作rgb彩色濾光片，提高了器件的集成度，利用光刻制程，更加容易的實現了顯示器件的高精細化，提高了分辨率。

由于rgb彩色濾光片是直接貼合在oled顯示器件上的，而不是采用

在玻璃蓋板上制造rgb彩色濾光片，再進行對位貼合的方法，避免了貼合對位精度差對器件分辨率和良率的影響，也避免了刻制化的彩色濾光片玻璃蓋板的定制，降低了器件的制作成本。

切割是在一整塊晶圓基板上進行的，并采用激光劃片的方式對晶圓基板進行切割，有效避免了切割中產生崩邊、破碎、熱影響范圍以及應力大的問題，有助于提高器件的生產率和良品率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明提出的全彩oled微顯示器件生產方法的流程示意圖。

具體實施方式

下面將結合具體的實施例來說明本發(fā)明的內容。

參照圖1，圖1是本發(fā)明提出的一種全彩oled微顯示器件生產方法的流程示意圖。

本發(fā)明提出的一種全彩oled微顯示器件生產方法，包括以下步驟：

一種全彩oled微顯示器件生產方法，包括以下步驟：

s1：提供一包含驅動電路的晶圓基板，在晶圓基板上制作陽極像素點，形成陽極層；s2：在陽極層上熱蒸鍍oled顯示器件；s3：對oled顯示器件進行薄膜封裝，形成薄膜封裝層；s4：在薄膜封裝層上制作rgb彩色濾光片，形成濾光層；s5：在濾光層上貼合玻璃蓋板；s6：對集成有驅動電路、oled顯示器件、薄膜封裝層、濾光層和玻璃蓋板的晶圓基板進行切割，形成單個尺寸在1寸以內的微型顯示芯片。

在s1中，所述陽極像素點采用蒸鍍或者濺射的方式形成，材料選自al、au、ag、cr、mo、pt、cu、w。在s2中，蒸鍍的環(huán)境真空度小于10^-4pa,所述oled顯示器件至少包括發(fā)光層和陰極層，其中，所述陰極層為半透明結構。在s3中，所述薄膜封裝層由有機或者無機材料多層交替沉積而成，所述薄膜封裝層的有機材料選自聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚丙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚硅氧烷、聚硅氮烷或環(huán)氧類樹脂，無機材料選自al2o3、tio2、sinx、sicnx、siox、mgf2、zro2。在s4中，在所述薄膜封裝層上制作rgb彩色濾光片包括洗凈、涂覆、前烘、曝光、顯影、后烘的步驟，所述前烘和后烘的溫度≤90℃。在s6中，采用激光劃片的方式對所述晶圓基板進行切割，所述激光劃片的劃片速度在140~160nm/s。

上述方案中，在oled顯示器件上直接制作rgb彩色濾光片，提高了器件的集成度，利用光刻制程，更加容易的實現了顯示器件的高精細化，提高了分辨率。

由于rgb彩色濾光片是直接貼合在oled顯示器件上的，而不是采用

在玻璃蓋板上制造rgb彩色濾光片，再進行對位貼合的方法，避免了貼合對位精度差對器件分辨率和良率的影響，也避免了刻制化的彩色濾光片玻璃蓋板的定制，降低了器件的制作成本。

切割是在一整塊晶圓基板上進行的，并采用激光劃片的方式對晶圓基板進行切割，有效避免了切割中產生崩邊、破碎、熱影響范圍以及應力大的問題，有助于提高器件的生產率和良品率。

密封層采用多層沉積的方式形成，在保證較高的光透射率的同時，能夠保護oled微顯示器內的電極，阻擋空氣進入oled微顯示器內，延長產品的使用壽命。

實施例1

本實施例中，全彩oled微顯示器件生產方法，包括以下步驟：

提供一包含驅動電路的晶圓基板，在晶圓基板上制作陽極像素點，形成陽極層。所述陽極像素點采用蒸鍍的方式形成，環(huán)境真空度小于10^-4pa，材料選自cu。在陽極層上熱蒸鍍oled顯示器件，所述oled顯示器件至少包括發(fā)光層和陰極層，其中，所述陰極層為半透明結構；對oled顯示器件進行薄膜封裝，形成薄膜封裝層，所述薄膜封裝層由有機或者無機材料多層交替沉積而成，所述薄膜封裝層的有機材料選自聚丙烯酸，無機材料選自al2o3；在薄膜封裝層上制作rgb彩色濾光片，形成濾光層，在所述薄膜封裝層上制作rgb彩色濾光片包括洗凈、涂覆、前烘、曝光、顯影、后烘的步驟，所述前烘和后烘的溫度≤90℃；在濾光層上貼合玻璃蓋板，采用激光劃片的方式對集成有驅動電路、oled顯示器件、薄膜封裝層、濾光層和玻璃蓋板的晶圓基板進行切割，形成單個尺寸在1寸以內的微型顯示芯片，劃片速度在140nm/s。

實施例2

本實施例中，全彩oled微顯示器件生產方法，包括以下步驟：

提供一包含驅動電路的晶圓基板，在晶圓基板上制作陽極像素點，形成陽極層。所述陽極像素點采用蒸鍍的方式形成，環(huán)境真空度小于10^-4pa，材料選自al。在陽極層上熱蒸鍍oled顯示器件，所述oled顯示器件至少包括發(fā)光層和陰極層，其中，所述陰極層為半透明結構。對oled顯示器件進行薄膜封裝，形成薄膜封裝層，所述薄膜封裝層由有機或者無機材料多層交替沉積而成，所述薄膜封裝層的有機材料選自聚氨酯丙烯酸酯、聚酯，無機材料選自mgf2。在薄膜封裝層上制作rgb彩色濾光片，形成濾光層，在所述薄膜封裝層上制作rgb彩色濾光片包括洗凈、涂覆、前烘、曝光、顯影、后烘的步驟，所述前烘和后烘的溫度≤90℃。在濾光層上貼合玻璃蓋板，采用激光劃片的方式對集成有驅動電路、oled顯示器件、薄膜封裝層、濾光層和玻璃蓋板的晶圓基板進行切割，形成單個尺寸在1寸以內的微型顯示芯片，劃片速度在150nm/s。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。