本發(fā)明涉及平面顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板、顯示基板的制作方法、顯示基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置具有機(jī)身薄、省電、無(wú)輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)而在光學(xué)、半導(dǎo)體、電機(jī)、化工、材料等各行業(yè)得到廣泛應(yīng)用。

金屬與半導(dǎo)體接觸時(shí)，若半導(dǎo)體一側(cè)的摻雜濃度很高，則勢(shì)壘區(qū)寬度將會(huì)變薄，載流子可以通過(guò)隧穿效應(yīng)穿越勢(shì)壘，產(chǎn)生相當(dāng)大的隧穿電流，形成歐姆接觸。液晶顯示基板中半導(dǎo)體與金屬電極間的歐姆接觸電阻的大小能夠影響半導(dǎo)體器件的性能。

目前常見(jiàn)的充當(dāng)歐姆接觸層的材料為n型摻雜硅，但是本申請(qǐng)的發(fā)明人在長(zhǎng)期的研發(fā)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，n型摻雜硅的歐姆接觸層具有漏電流大、開(kāi)關(guān)比低等缺點(diǎn)，并不能夠很好地導(dǎo)通半導(dǎo)體和金屬電極。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種陣列基板、顯示基板的制作方法、顯示基板及顯示面板，能夠很好的導(dǎo)通半導(dǎo)體層與金屬電極層，顯著提高半導(dǎo)體器件的性能。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：玻璃基板；柵極電極層，形成在所述玻璃基板上；絕緣層，覆蓋在所述玻璃基板和所述柵極電極層上；半導(dǎo)體層，覆蓋在所述絕緣層上；n型摻雜石墨烯層，形成在所述半導(dǎo)體層上，其包括第一n型摻雜石墨烯層和第二n型摻雜石墨烯層，所述第一n型摻雜石墨烯層和第二n型摻雜石墨烯層間隔設(shè)置，且位于所述柵極電極層垂直上方的兩端，所述第一n型摻雜石墨烯層和第二n型摻雜石墨烯層分別與所述柵極電極層部分重疊；源極和漏極電極層，形成在所述n型摻雜石墨烯層上。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種顯示基板的制作方法，所述方法包括：在一襯底基板上依次形成第一電極層、絕緣層、半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成具有納米級(jí)圖案的n型摻雜石墨烯層。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的又一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種顯示基板，所述顯示基板是根據(jù)上述方法中的任一種制成的。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的又一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種顯示面板，所述顯示面板包括上述的顯示基板。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明陣列基板中n型摻雜石墨烯層設(shè)置在半導(dǎo)體層以及源極和漏極電極層之間，由于其良好的導(dǎo)電性以及極高的電子遷移率，所形成的歐姆接觸電阻小，且具有漏電流小、開(kāi)關(guān)比高的優(yōu)點(diǎn)，能夠很好的導(dǎo)通半導(dǎo)體層與金屬電極層，顯著提高半導(dǎo)體器件的性能。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中：

圖1是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明顯示基板制作方法一實(shí)施方式的流程示意圖；

圖3至圖4是本發(fā)明顯示基板制作方法一實(shí)施方式的制程示意圖；

圖5是本發(fā)明氮摻雜石墨烯制備方法一實(shí)施方式的流程示意圖；

圖6是本發(fā)明具有納米級(jí)圖案的氮摻雜石墨烯層制作方法一實(shí)施方式的流程示意圖；

圖7至圖11是本發(fā)明具有納米級(jí)圖案的氮摻雜石墨烯層制作方法一實(shí)施方式的制程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性的勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1，圖1是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板包括：玻璃基板101；柵極電極層102，形成在玻璃基板101上；絕緣層103，覆蓋在玻璃基板101和柵極電極層102上；半導(dǎo)體層104，覆蓋在絕緣層103上；n型摻雜石墨烯層105，形成在半導(dǎo)體層104上，其包括第一n型摻雜石墨烯層1051和第二n型摻雜石墨烯層1052，第一n型摻雜石墨烯層1051和第二n型摻雜石墨烯層1052間隔設(shè)置，且位于柵極電極層102垂直上方的兩端，第一n型摻雜石墨烯層1051和第二n型摻雜石墨烯層1052分別與柵極電極層102部分重疊；源極和漏極電極層106，形成在n型摻雜石墨烯層105上。

其中，玻璃基板101可以為透明玻璃，在一些應(yīng)用中，也可以采用二氧化硅基板，或者聚氯乙烯(polyvinylchloride，pv)、可熔性聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，pfa)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，pet)基板等。

柵極電極層102具體可以為單金屬層或復(fù)合金屬層，如cr、mo、mo/al、moti、cu等。

絕緣層103具體可以為sinx，在一些應(yīng)用場(chǎng)景中也可以為siox等，當(dāng)然在其它應(yīng)用場(chǎng)景中也可以由其它絕緣物質(zhì)制作而成。

半導(dǎo)體層104具體可以為非晶硅材質(zhì)，在一些應(yīng)用場(chǎng)景中也可以為銦氧化物、鋅氧化物、錫氧化物、鎵氧化物等中的至少一種。

石墨烯是一種新型的納米碳材料，具有極高的強(qiáng)度和熱導(dǎo)率，以及良好的導(dǎo)電性和電子遷移率。但其零帶隙的特點(diǎn)也給其在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用帶來(lái)了困難，如漏電流大、開(kāi)關(guān)比低等。對(duì)石墨烯進(jìn)行可控的摻雜和能帶調(diào)控，如n型摻雜石墨烯，可以對(duì)本征石墨烯進(jìn)行改性，使得摻雜后的石墨烯具有更加優(yōu)良的性能，降低第一電極層與半導(dǎo)體層的接觸電阻方面比本征石墨烯有更好的表現(xiàn)。具體地，n型摻雜石墨烯層105可通過(guò)氮摻雜或者磷摻雜來(lái)實(shí)現(xiàn)，具體可通過(guò)化學(xué)氣相沉積法、溶液反應(yīng)法中的至少一種制備。該n型摻雜石墨烯層105還可通過(guò)一定的處理技術(shù)進(jìn)行圖案化處理，使其具有特定的圖案。如通過(guò)普通壓印技術(shù)進(jìn)行圖案化，或者利用納米壓印技術(shù)獲得納米級(jí)圖案等，此處不做限定。

源極和漏極電極層106，與n型摻雜石墨烯層105類似，也分為兩部分間隔設(shè)置，且位于柵極電極層102垂直上方的兩端，第一部分和第二部分分別與柵極電極層101部分重疊。

本發(fā)明陣列基板包括：玻璃基板101；柵極電極層102，形成在玻璃基板101上；絕緣層103，覆蓋在玻璃基板101和柵極電極層102上；半導(dǎo)體層104，覆蓋在絕緣層103上；n型摻雜石墨烯層105，形成在半導(dǎo)體層104上，其包括第一n型摻雜石墨烯層1051和第二n型摻雜石墨烯層1052，第一n型摻雜石墨烯層1051和第二n型摻雜石墨烯層1052間隔設(shè)置，且位于柵極電極層102垂直上方的兩端，第一n型摻雜石墨烯層1051和第二n型摻雜石墨烯層1052分別與柵極電極層102部分重疊；源極和漏極電極層106，形成在n型摻雜石墨烯層105上。n型摻雜后的石墨烯更加優(yōu)良的導(dǎo)電性以及極高的電子遷移率，所形成的歐姆接觸電阻小、漏電流小、開(kāi)關(guān)比高，能夠很好地導(dǎo)通半導(dǎo)體層104與源極和漏極電極層106，顯著提高半導(dǎo)體器件的性能。

請(qǐng)參閱圖2至圖4，本發(fā)明顯示基板的制作方法一實(shí)施方式包括：

s101，在一襯底基板201上依次形成第一電極層202、絕緣層203、半導(dǎo)體層204；

其中，襯底基板201可以為透明材質(zhì)，具體可以為隔水隔氧透明有機(jī)材質(zhì)或玻璃。常見(jiàn)的有玻璃基板、二氧化硅基板，也有一些應(yīng)用中可采用聚氯乙烯(polyvinylchloride，pv)、可熔性聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，pfa)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，pet)基板等。

第一電極層202具體可在襯底基板201上通過(guò)金屬濺射沉積法形成一金屬層，再進(jìn)行光刻膠涂覆、曝光、顯影、蝕刻以及光刻膠剝離等工藝以形成具有預(yù)定圖案的第一電極層202。

絕緣層203具體可以在第一電極層202上進(jìn)一步通過(guò)化學(xué)氣相沉積以及黃光蝕刻工藝形成。

半導(dǎo)體層204的形成方法與第一電極層202相似，此處不再贅述。

容易理解地，在其它應(yīng)用場(chǎng)景中，第一電極層202、絕緣層203以及半導(dǎo)體層204也可以采用其它形成方法，例如通過(guò)噴涂等方式，此處不做限定。

s102，在半導(dǎo)體層204上形成具有納米級(jí)圖案的n型摻雜石墨烯層205。

n型摻雜石墨烯層205可以通過(guò)將形成的n型摻雜石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體層204上形成，也可以將通過(guò)涂布的方式，將n型摻雜石墨烯分散液涂布到半導(dǎo)體層204上形成。

其中，n型摻雜石墨烯可以為氮摻雜石墨烯，也可以為磷摻雜石墨烯等，此處并不限定。

n型摻雜石墨烯層的納米級(jí)圖案的形成可通過(guò)黃光刻蝕、軟刻蝕、石墨烯邊緣印刷術(shù)、納米壓印技術(shù)等方法中的至少一種。

進(jìn)一步地，在半導(dǎo)體層204上形成具有納米級(jí)圖案的n型摻雜石墨烯層205后，在該具有納米級(jí)圖案的n型摻雜石墨烯層205上形成第二電極層(即源極和漏極層)、保護(hù)層以及ito電極層，即得到完整的薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)基板；當(dāng)然也可以在tft基板上進(jìn)一步形成彩色光阻層，得到彩色濾波陣列(colorfilteronarray，coa)結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，繼續(xù)進(jìn)行聚酰亞胺(polyimide，pi)涂布、液晶滴下(onedropfilling，odf)等制程，制備顯示器件，并通過(guò)施加外部電壓驅(qū)動(dòng)液晶傾倒實(shí)現(xiàn)液晶顯示的功能。

本實(shí)施方式中，采用n型摻雜石墨烯取代本征石墨烯或非晶硅。n型摻雜石墨烯具有良好的導(dǎo)電性以及電子遷移率，所形成的歐姆接觸電阻低，能夠更好地導(dǎo)通半導(dǎo)體和源、漏極，顯著提高半導(dǎo)體器件的性能。且納米級(jí)圖案的形成使得基板的制作更加精細(xì)，為后續(xù)提高面板顯示的分辨率提供技術(shù)支持，進(jìn)而提高顯示質(zhì)量。

其中，在一個(gè)實(shí)施方式中，n型摻雜石墨烯層為氮摻雜石墨烯層，步驟s102之前，進(jìn)一步包括：

s201，提供氮摻雜石墨烯。

具體地，氮摻雜石墨烯可通過(guò)化學(xué)氣相沉積法、溶液反應(yīng)法等方法制備而成。

請(qǐng)參閱圖5，圖5是本發(fā)明氮摻雜石墨烯制備方法一實(shí)施方式的流程示意圖。在本實(shí)施方式中，采用溶液反應(yīng)法制備氮摻雜石墨烯層，此時(shí)步驟s201包括：子步驟s2011、子步驟s2012和子步驟s2013。

子步驟s2011，向氧化石墨烯分散液中加入尿素，形成混合液；

其中，氧化石墨烯分散液可由氧化石墨烯和一定量溶劑配制而成，該溶劑具體可為乙醇、丙酮等常見(jiàn)有機(jī)溶劑或者水等。氧化石墨烯分散液的濃度可以為0.1～5mg/ml，具體可以為0.1mg/ml、0.5mg/ml、1mg/ml、1.5mg/ml、2mg/ml、2.5mg/ml、3mg/ml、3.5mg/ml、4mg/ml、4.5mg/ml、5mg/ml等。在本實(shí)施方式中，所采用的氧化石墨烯分散液的濃度具體為0.5mg/ml，體積為30ml。

尿素具體可采用尿素純凈物，也可以采用一定濃度的尿素溶液。其中，氧化石墨烯與純凈尿素的質(zhì)量比為1：5～1：50，具體可以為1：5、1：10、1：15、1：20、1：25、1：30、1：35、1：40、1：45、1：50等。在本實(shí)施方式中，采用尿素純凈物，具體為450mg。

在一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中，對(duì)所形成的上述混合液進(jìn)行攪拌，具體可采用磁力攪拌器，攪拌30分鐘。

子步驟s2012，加熱上述混合液至第一溫度并保溫，進(jìn)而得到氮摻雜石墨烯粗品；

對(duì)氧化石墨烯和尿素的混合液進(jìn)行加熱，加熱的溫度范圍為120～250℃，具體可以為120℃、140℃、160℃、180℃、200℃、225℃、250℃等，并反應(yīng)2～3小時(shí)，在本實(shí)施方式中具體采用水熱反應(yīng)釜加熱至160℃，并在該溫度下反應(yīng)3小時(shí)，析出氮摻雜石墨烯固體，形成氮摻雜石墨烯粗品。

子步驟s2013，對(duì)氮摻雜石墨烯粗品進(jìn)行純化處理，獲得氮摻雜石墨烯。

其中，純化處理具體指，將氮摻雜石墨烯粗品冷卻，可采用自然冷卻的方式，或者置于冰水中輔助冷卻，冷卻后進(jìn)行離心，具體可放置在離心機(jī)上進(jìn)行離心，使得反應(yīng)生成的氮摻雜石墨烯發(fā)生沉降，從而達(dá)到氮摻雜石墨烯固體與反應(yīng)物分離的目的。通常使用的離心機(jī)可為低速離心機(jī)、高速離心機(jī)、超速離心機(jī)等，根據(jù)需要進(jìn)行選擇。離心結(jié)束后，將發(fā)生沉降的氮摻雜石墨烯固體與液體進(jìn)行分離，具體可采用過(guò)濾的方式進(jìn)行分離，然后洗滌并進(jìn)行干燥，得到氮摻雜石墨烯黑色固體。需要指出的是，為了保證所得樣品的純度，可進(jìn)行多次離心純化處理，獲得較為純凈的氮摻雜石墨烯。

本實(shí)施方式以氧化石墨烯和尿素為原料，通過(guò)水熱法制備氮摻雜石墨烯，屬于低溫制程，反應(yīng)條件溫和、操作簡(jiǎn)單，無(wú)毒、對(duì)環(huán)境污染小，反應(yīng)時(shí)間短、反應(yīng)效率高，還能節(jié)約成本。

請(qǐng)參閱圖6至圖11，本發(fā)明具有納米級(jí)圖案的氮摻雜石墨烯層制作方法一實(shí)施例中，步驟s102包括：子步驟s1021、子步驟s1022、子步驟s1023和子步驟s1024。

子步驟s1021，在半導(dǎo)體層301上依次形成n型摻雜石墨烯層302、輔助層303；

其中，輔助層303材質(zhì)具體可以是聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、聚苯乙烯(polystyrene，ps)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚氯乙烯(polyvinylchloride，pvc)等中的至少一種。在一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中，輔助層303還需可納米壓印。

本實(shí)施方式中以pmma為例，輔助層303的具體形成方法可以為：在襯底基板201上采用旋涂法涂覆液態(tài)的pmma，均勻涂布后固化即可形成pmma層。當(dāng)然，也可以采用其它的涂覆方式，如噴涂法、浸涂法、電泳涂裝法以及涂刷法等，此處不做限定。

子步驟s1022，對(duì)輔助層303進(jìn)行納米級(jí)圖案化處理，以使該輔助層303形成納米級(jí)圖案；

對(duì)輔助層303進(jìn)行納米級(jí)圖案化處理，具體可以采用光刻、電子束直寫、x射線曝光、極深紫外光源曝光、真空紫外光蝕技術(shù)、軟刻蝕以及納米壓印技術(shù)等方式進(jìn)行。在一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中，采用納米壓印技術(shù)對(duì)輔助層303進(jìn)行納米級(jí)圖案化處理，以使輔助層303形成納米級(jí)圖案。采用納米壓印技術(shù)，可以根據(jù)需要在pmma層上形成分辨率為納米級(jí)三維人工結(jié)構(gòu)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)其納米級(jí)圖案化處理。納米壓印技術(shù)不存在光學(xué)曝光中的衍射現(xiàn)象和電子束曝光中的散射現(xiàn)象，具有超高分辨率；但卻可以像光學(xué)曝光那樣并行處理，同時(shí)制作成百上千個(gè)器件，從而具有高產(chǎn)量的優(yōu)點(diǎn)；同時(shí)，納米壓印技術(shù)不像光學(xué)曝光機(jī)那樣需要復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)，或者電子束曝光機(jī)那樣需要復(fù)雜的電磁聚焦系統(tǒng)，成本低；并且能夠幾乎無(wú)差別的將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上，具有高保真度。

其中，納米壓印技術(shù)包括熱壓印光刻技術(shù)、紫外固化納米壓印技術(shù)、微接觸納米壓印技術(shù)、軟壓印技術(shù)等。本實(shí)施方式中具體采用熱壓印光刻技術(shù)對(duì)輔助層303進(jìn)行納米級(jí)圖案化處理。

其中，進(jìn)行納米級(jí)圖案化處理時(shí)采用的壓印模具304的材質(zhì)可以為精度高、硬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的sic、si3n4、sio2等，可利用電子束蝕刻技術(shù)或反應(yīng)離子蝕刻技術(shù)處理使得壓印模具304形成所需的納米級(jí)圖形。

以pmma為例，對(duì)輔助層303進(jìn)行熱壓印形成納米級(jí)圖案的處理具體可以為：將pmma層加熱至其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度之上；加熱方式具體可采用加熱板加熱、超聲波加熱等。其中，采用超聲波加熱可以將加熱過(guò)程縮短至幾秒鐘，有利于降低功耗、提高產(chǎn)量和降低成本。加熱完成后，加壓于壓印模具304，并保持加熱溫度和壓力一段時(shí)間，使液態(tài)的pmma填充壓印模具304的納米級(jí)圖形空隙，然后降低溫度至玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以下后脫模，此時(shí)的pmma層便完成了納米級(jí)圖案化處理。

在一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中，為了減小空氣氣泡對(duì)轉(zhuǎn)移圖案質(zhì)量的影響，整個(gè)工藝過(guò)程均在小于1pa的真空環(huán)境中進(jìn)行。其中，真空環(huán)境可以使輔助層303中的氣體順利排出，減少壓印時(shí)氣泡對(duì)圖案質(zhì)量的影響，進(jìn)而提高所形成的納米級(jí)圖案質(zhì)量。

在一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中，可以采用氣體輔助納米壓印技術(shù)，具體是在壓印前將模具304和具有輔助層303的襯底基板對(duì)準(zhǔn)后固定置于真空腔體內(nèi)，然后向真空腔體內(nèi)充入惰性氣體加壓。采用氣體施壓的方式，壓力均勻，且壓力大小可以根據(jù)進(jìn)氣量控制，進(jìn)而能夠避免機(jī)械施壓過(guò)程中承片臺(tái)需要采用多自由度自適應(yīng)校正的難題，簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝。

子步驟s1023，對(duì)n型摻雜石墨烯層302進(jìn)行處理，以形成具有納米級(jí)圖案的n型摻雜石墨烯層3021；

在一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中，對(duì)n型摻雜石墨烯層302進(jìn)行處理具體可采用等離子表面處理技術(shù)、光刻、激光刻蝕等，本實(shí)施方式中具體采用等離子表面處理技術(shù)，使得n型摻雜石墨烯層302形成與具有納米級(jí)圖案的輔助層3031相同的圖案。

子步驟s1024，去除該具有納米級(jí)圖案的輔助層3031。

在本實(shí)施方式中，在n型摻雜石墨烯層302形成納米級(jí)電極圖案之后，可去除該具有納米級(jí)圖案的輔助層3031。

去除上述具有納米級(jí)圖案的輔助層3031具體可通過(guò)浸泡在能夠?qū)⑵淙芙獾挠袡C(jī)溶劑當(dāng)中。同樣以pmma為例，可以采用例如丙酮、二甲基苯胺(dimethylformaid，dmf)、二氯甲烷、氯苯、甲苯、四氫呋喃、氯仿等中的至少一種，也可以采用堿性溶液，如naoh溶液。當(dāng)然，也可以進(jìn)一步采用加熱和超聲的方法作為輔助，加速pmma層的去除。

通過(guò)本實(shí)施方式，熱壓印技術(shù)工藝簡(jiǎn)單、精確度高，能夠形成高質(zhì)量、低成本的納米級(jí)圖案，且納米級(jí)圖案的形成使得基板的制作更加精細(xì)化，為后續(xù)提高面板顯示的分辨率提供技術(shù)支持，進(jìn)而提高顯示質(zhì)量。

其中，在本發(fā)明顯示基板一實(shí)施方式中，該顯示基板由上述顯示基板制作方法中的任一種方法制成，具體方法如上述各實(shí)施方式，此處不再贅述。其中，本實(shí)施方式中的顯示基板具體可以是薄膜晶體管陣列基板、彩色濾波陣列基板等。本實(shí)施方式中的顯示基板采用n型摻雜石墨烯層作為歐姆接觸層，歐姆接觸電阻低，能夠更好地導(dǎo)通半導(dǎo)體和源、漏極，提高顯示器件的性能。

其中，在本發(fā)明顯示面板一實(shí)施方式中，該顯示面板包括上述顯示基板一實(shí)施方式中的基板。其中，本發(fā)明顯示面板包括電視機(jī)、電子計(jì)算機(jī)、平板電腦、手機(jī)、mp3、mp4等電子設(shè)備所使用的顯示面板。本實(shí)施方式中的顯示器件的性能好，具有極高的顯示質(zhì)量。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。