技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于電子器件材料制備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種顯示用電子器件高導電聯(lián)耦合電極及其制備方法。所述方法包括如下制備步驟：(1)在襯底上沉積5～200nm厚度的銅合金薄膜作為粘附阻擋層；(2)在銅合金薄膜上沉積5～1000nm厚的純銅薄膜。步驟(1)和步驟(2)完成后可選擇性在溫度100～500℃的條件下進行退火0.5～2h。所述銅合金薄膜的材料成分包括銅、鉻和鋯。本發(fā)明制備的高導電聯(lián)耦合電極具有高結(jié)合強度，低電阻率，刻蝕兼容性好，工藝簡單，成本低廉的優(yōu)點。

技術(shù)研發(fā)人員：彭俊彪;盧寬寬;寧洪龍;姚日暉;胡詩犇;魏靖林;鄒建華;陶洪;徐苗;王磊
受保護的技術(shù)使用者：華南理工大學
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.10
技術(shù)公布日：2017.07.28