技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于c面Al2O3襯底的N面Ⅲ族氮化物的發(fā)光二極管，主要解決現(xiàn)有LED器件生長步驟繁多，工藝周期長的問題。其自下而上包括：c面Al2O3襯底層、10?40nm厚的高溫AlN成核層、700?2000nm厚的發(fā)光層和電極，其中發(fā)光層為一層N面Ⅲ族氮化物層，該Ⅲ族氮化物層采用GaN或AlN或AlGaN材料，分別獲得發(fā)紫外光、極紫外光和深紫外光不同顏色的發(fā)光二極管。本發(fā)明利用N面Ⅲ族氮化物薄膜內(nèi)的反型疇代替?zhèn)鹘y(tǒng)LED的量子阱結(jié)構(gòu)發(fā)光，簡化了器件結(jié)構(gòu)和制作流程，縮短了工藝周期，可用于照明，顯示屏和背光源。

技術(shù)研發(fā)人員：許晟瑞;彭若詩;李培咸;劉大為;張進(jìn)成;孟錫俊;李雨洋;牛牧童;郝躍;林志宇;吳浩洋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.31
技術(shù)公布日：2017.09.05