本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法及陣列基板。

背景技術(shù)：

現(xiàn)在開發(fā)的自容內(nèi)嵌式(incelltouch)觸控技術(shù)是將有效顯示區(qū)的公共電極分成小區(qū)塊作為觸控電極。每個(gè)觸控電極都有連接觸控芯片的觸控信號(hào)線以接收觸控信號(hào)。

參閱圖1，圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，在現(xiàn)有的陣列基板制程中，在基板101上生長(zhǎng)有源層，以形成薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道102。在有源層上依次生長(zhǎng)第一絕緣層103和第一金屬層，以形成薄膜晶體管的柵極104和掃描線105。在第一金屬層上生長(zhǎng)第二絕緣層106，隨后在第二絕緣層上生長(zhǎng)第二金屬層，以形成薄膜晶體管的源極107和漏極108，以及數(shù)據(jù)線109，接著在第二金屬層上依次生長(zhǎng)有機(jī)平坦化層110和第三金屬層，以形成觸控信號(hào)線111。在第三金屬層上依次生長(zhǎng)第三絕緣層112和第四金屬層，以形成觸控電極113。在第四金屬層上生長(zhǎng)第四絕緣層114和第五金屬層，以形成像素電極115。其中，像素115電極通過第一過孔116與薄膜晶體管的漏極108連接，觸控電極113通過第二過孔117與觸控信號(hào)線111連接。

由此可見，為了制作觸控信號(hào)線111，在制作陣列基板時(shí)，新增一道金屬制程，及第三金屬層，其增加了產(chǎn)品的制作成本并且會(huì)降低產(chǎn)品的良率。

故，有必要提供一種陣列基板的制作方法及陣列基板，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板的制作方法及陣列基板，能夠簡(jiǎn)化工藝流程，進(jìn)而節(jié)約成本，提高產(chǎn)品的良率以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，包括：

基板；

在所述基板上生長(zhǎng)有源層，以形成薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道；

在所述有源層上生長(zhǎng)第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上生長(zhǎng)第一金屬層，以形成所述薄膜晶體管的柵極、掃描線、第一數(shù)據(jù)線第二數(shù)據(jù)線；其中，所述第一數(shù)據(jù)線與所述第二數(shù)據(jù)線位于所述掃描線兩端，且互不連接；

在所述第一金屬層上生長(zhǎng)第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上生長(zhǎng)第二金屬層，以形成所述薄膜晶體管的源極、漏極、連接線以及觸控信號(hào)線；其中，所述連接線用于連接所述第一數(shù)據(jù)線與所述第二數(shù)據(jù)線；

在所述第二金屬層上生長(zhǎng)有機(jī)平坦化層；

在所述有機(jī)平坦化層上生長(zhǎng)第三金屬層，以形成觸控電極，其中，所述觸控電極與所述觸控信號(hào)線連接；

在所述第三金屬層上生長(zhǎng)第三絕緣層；

在所述第三絕緣層上生長(zhǎng)第四金屬層，以形成像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極連接。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述第二絕緣層上設(shè)有第一通孔和第二通孔，所述連接線通過所述第一通孔與所述第一數(shù)據(jù)線連接，所述連接線通過所述第二通孔與所述第二數(shù)據(jù)線連接。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述薄膜晶體管的源極通過第三通孔與所述薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的一端連接，所述薄膜晶體管的漏極通過第四通孔與所述薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的另一端連接。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述第三通孔以及所述第四通孔均貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述像素電極通過第五通孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述第五通孔均貫穿所述第三絕緣層、所述第三金屬層以及所述有機(jī)平坦化層。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述觸控電極通過第六通孔與所述觸控信號(hào)線連接。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，所述第六通孔貫穿所述有機(jī)平坦化層。

在本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，在所述在所述基板上生長(zhǎng)有源層，以形成薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的步驟之前，還包括：

在所述基板上依次形成遮光層以及第四絕緣層。

依據(jù)本發(fā)明的上述目的，還提供一種陣列基板，包括：

基板；

在所述基板上的有源層，以形成薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道；

在所述有源層上的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上的第一金屬層，以形成所述薄膜晶體管的柵極、掃描線、第一數(shù)據(jù)線第二數(shù)據(jù)線；其中，所述第一數(shù)據(jù)線與所述第二數(shù)據(jù)線位于所述掃描線兩端，且互不連接；

在所述第一金屬層上的第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上的第二金屬層，以形成所述薄膜晶體管的源極、漏極、連接線以及觸控信號(hào)線；其中，所述連接線用于連接所述第一數(shù)據(jù)線與所述第二數(shù)據(jù)線；

在所述第二金屬層上的有機(jī)平坦化層；

在所述有機(jī)平坦化層上的第三金屬層，以形成觸控電極，其中，所述觸控電極與所述觸控信號(hào)線連接；

在所述第三金屬層上的第三絕緣層；

在所述第三絕緣層上的第四金屬層，以形成像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極連接。

本發(fā)明的陣列基板的制作方法及陣列基板，通過在第一絕緣層上生長(zhǎng)第一金屬層，以形成薄膜晶體管的柵極、掃描線、第一數(shù)據(jù)線第二數(shù)據(jù)線，且在第二絕緣層上生長(zhǎng)第二金屬層，以形成薄膜晶體管的源極、漏極、連接線以及觸控信號(hào)線；其中，連接線用于連接第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線，從而簡(jiǎn)化了工藝流程，進(jìn)而節(jié)約成本，提高產(chǎn)品的良率以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的步驟流程示意圖；

圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的陣列基板的制作方法制成的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

參閱圖2，圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的步驟流程示意圖。如圖1所示，本優(yōu)選實(shí)施例的陣列基板的制作方法，包括以下步驟：

步驟s101，在基板上生長(zhǎng)有源層，以形成薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道。

步驟s102，在有源層上生長(zhǎng)第一絕緣層。

步驟s103，在第一絕緣層上生長(zhǎng)第一金屬層，以形成薄膜晶體管的柵極、掃描線、第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線；其中，第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線位于掃描線兩端，且互不連接。

步驟s104，在第一金屬層上生長(zhǎng)第二絕緣層。

步驟s105，在第二絕緣層上生長(zhǎng)第二金屬層，以形成薄膜晶體管的源極、漏極、連接線以及觸控信號(hào)線；其中，連接線用于連接第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線。

步驟s106，在第二金屬層上生長(zhǎng)有機(jī)平坦化層。

步驟s107，在有機(jī)平坦化層上生長(zhǎng)第三金屬層，以形成觸控電極，其中，觸控電極與觸控信號(hào)線連接。

步驟s108，在第三金屬層上生長(zhǎng)第三絕緣層。

步驟s109，在第三絕緣層上生長(zhǎng)第四金屬層，以形成像素電極，像素電極與薄膜晶體管的漏極連接。

特別地，本優(yōu)選實(shí)施例的陣列基板的制作方法中，為了防止陣列基板的顯示區(qū)中的薄膜晶體管器件漏電，一般會(huì)在薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的下方設(shè)置一遮光層，其中，該遮光層采用的材料為金屬。因而，在采用本發(fā)明的陣列基板的制作方法時(shí)，上述步驟s102之前，還包括：在基板上依次形成遮光層以及第四絕緣層。其中，第四絕緣層用于阻隔遮光層與有源層，使得導(dǎo)電溝道與遮光層阻隔開。

具體地，以下對(duì)本優(yōu)選實(shí)施例的陣列基板的制作方法形成的陣列基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。參閱圖3，圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的陣列基板的制作方法制成的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，在基板301上依次形成遮光層302、第四絕緣層303、有源層304、第一絕緣層305、第一金屬層306、第二絕緣層307、第二金屬層308、有機(jī)平坦化層309、第三金屬層310、第三絕緣層311以及第四金屬層312。其中，遮光層302設(shè)置在陣列基板中的薄膜晶體管的下方；有源層304圖形化形成薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道3041；第一金屬層306形成薄膜晶體管的柵極3061、掃描線3062、第一數(shù)據(jù)線3063以及第二數(shù)據(jù)線3064；第二金屬層308形成薄膜晶體管的源極3081、漏極3082、連接線3083以及觸控信號(hào)線3084；第三金屬層310用于形成觸控電極3101；第四金屬層312用于形成像素電極3121。

本優(yōu)選實(shí)施例與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于，現(xiàn)有技術(shù)是通過生長(zhǎng)三層金屬層分別形成數(shù)據(jù)線、掃描線以及觸控信號(hào)線，制程步驟較復(fù)雜，而本優(yōu)選實(shí)施例的陣列基板的制作方法，則是通過生長(zhǎng)兩層金屬層形成數(shù)據(jù)線、掃描線以及觸控信號(hào)線，簡(jiǎn)化了工藝，進(jìn)而節(jié)約了成本。

具體地，在第一金屬層306中同時(shí)形成的掃描線3062、第一數(shù)據(jù)線3063以及第二數(shù)據(jù)線3064，其中第一數(shù)據(jù)線3063與第二數(shù)據(jù)線3064位于掃描線3062兩端，為了使第一數(shù)據(jù)線3063和第二數(shù)據(jù)線3064連接并且不與掃描線3062連接，通過在第二金屬層308中形成一連接線3083用于連接第一數(shù)據(jù)線3063與第二數(shù)據(jù)線3064，并且在第二絕緣層307中開設(shè)第一通孔3071和第二通孔3072，連接線3083通過第一通孔3071與第一數(shù)據(jù)線3063的一端連接，連接線3083通過第二通孔3072與第二數(shù)據(jù)線3064的另一端連接。同時(shí)在第二金屬層308中還形成觸控信號(hào)線3084，觸控信號(hào)線3084與連接線3083無連接關(guān)系并且通過將觸控信號(hào)線3084設(shè)置在黑色矩陣區(qū)域，可以提高開口率。

另外，薄膜晶體管的源極3081通過第三通孔30811與薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道3041的一端連接，薄膜晶體管的漏極3082通過第四通孔30821與薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道3041的另一端連接。第三通孔30811以及第四通孔30821均貫穿第一絕緣層305和第二絕緣層307。

像素電3121通過第五通孔31211與薄膜晶體管的漏極3082連接。第五通孔31211均貫穿第三絕緣層311、第三金屬層310以及有機(jī)平坦化層309。

觸控電極3101通過第六通孔31011與觸控信號(hào)線3084連接。第六通孔31011貫穿有機(jī)平坦化層309。

本優(yōu)選實(shí)施例的陣列基板的制作方法，通過在第一絕緣層上生長(zhǎng)第一金屬層，以形成薄膜晶體管的柵極、掃描線、第一數(shù)據(jù)線第二數(shù)據(jù)線，且在第二絕緣層上生長(zhǎng)第二金屬層，以形成薄膜晶體管的源極、漏極、連接線以及觸控信號(hào)線；其中，連接線用于連接第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線，從而簡(jiǎn)化了工藝流程，進(jìn)而節(jié)約成本，提高產(chǎn)品的良率以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括：

基板；在基板上的有源層，以形成薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道；在有源層上的第一絕緣層；在第一絕緣層上的第一金屬層，以形成薄膜晶體管的柵極、掃描線、第一數(shù)據(jù)線第二數(shù)據(jù)線；其中，第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線位于掃描線兩端，且互不連接；在第一金屬層上的第二絕緣層；在第二絕緣層上的第二金屬層，以形成薄膜晶體管的源極、漏極、連接線以及觸控信號(hào)線；其中，連接線用于連接第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線；在第二金屬層上的有機(jī)平坦化層；在有機(jī)平坦化層上的第三金屬層，以形成觸控電極，其中，觸控電極與觸控信號(hào)線連接；在第三金屬層上的第三絕緣層；在第三絕緣層上的第四金屬層，以形成像素電極，像素電極與薄膜晶體管的漏極連接。

第二絕緣層上設(shè)有第一通孔和第二通孔，連接線通過第一通孔與第一數(shù)據(jù)線連接，連接線通過第二通孔與第二數(shù)據(jù)線連接。

薄膜晶體管的源極通過第三通孔與薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的一端連接，薄膜晶體管的漏極通過第四通孔與薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的另一端連接。

第三通孔以及所述第四通孔均貫穿第一絕緣層和第二絕緣層。

像素電極通過第五通孔與薄膜晶體管的漏極連接。第五通孔均貫穿第三絕緣層、第三金屬層以及有機(jī)平坦化層。

觸控電極通過第六通孔與觸控信號(hào)線連接。第六通孔貫穿平坦化層。

另外，在基板上還包括遮光層以及第四絕緣層。

本發(fā)明的陣列基板與上述陣列基板的制作方法形成的陣列基板一致，具體可參照上述陣列基板的制作方法的優(yōu)選實(shí)施例的描述，在此不再贅述。

本發(fā)明的陣列基板的制作方法及陣列基板，通過在第一絕緣層上生長(zhǎng)第一金屬層，以形成薄膜晶體管的柵極、掃描線、第一數(shù)據(jù)線第二數(shù)據(jù)線，且在第二絕緣層上生長(zhǎng)第二金屬層，以形成薄膜晶體管的源極、漏極、連接線以及觸控信號(hào)線；其中，連接線用于連接第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線，從而簡(jiǎn)化了工藝流程，進(jìn)而節(jié)約成本，提高產(chǎn)品的良率以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

綜上，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。