本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種載片及其制作方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

芯片經(jīng)過(guò)封裝后具有體積小、質(zhì)量輕、成本低、功耗低、可靠性高、技術(shù)附加值高，適于批量化生產(chǎn)、易于集成和實(shí)現(xiàn)智能化等特點(diǎn)。

現(xiàn)有技術(shù)cn105236346a公開(kāi)了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：蓋板和mems芯片，所述mems芯片的功能面具有功能區(qū)和位于功能區(qū)周邊的若干焊墊，所述焊墊與所述功能區(qū)電性相連，所述蓋板與所述mems芯片之間通過(guò)設(shè)置在接觸面上的導(dǎo)電凸點(diǎn)連接在一起，所述mems芯片的頂端設(shè)有焊球，焊球與導(dǎo)電凸點(diǎn)之間通過(guò)金屬線路連接。在使用過(guò)程中，直接將該mems芯片封裝結(jié)構(gòu)的焊球固定在pcb等連接板上即可。

但是，隨時(shí)芯片精密化及小型化程度的不斷提高，需要在相同體積的空間內(nèi)安裝多個(gè)mems芯片，為此，在對(duì)多個(gè)現(xiàn)有技術(shù)中提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行豎直方向的堆疊時(shí)，由于封裝的芯片只在單側(cè)設(shè)置引腳，因此相鄰兩層的芯片無(wú)法直接進(jìn)行連接。

此外，除了mems芯片，在其它類型的芯片進(jìn)行堆疊時(shí)也存在相同的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的芯片無(wú)法直接進(jìn)行堆疊、如果需要堆疊，則需要借助轉(zhuǎn)接板，導(dǎo)致整體占用空間較大的缺陷。

為此，本發(fā)明提供一種載片，所述載片包括第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)，所述載片的第一側(cè)成型有容納腔，所述容納腔內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)第一焊盤(pán)，所述載片的第二側(cè)上設(shè)置有至少一個(gè)第二焊盤(pán)。所述載片的所述容納腔的內(nèi)部上成型有密封環(huán)。所述載片上以所述容納腔為中心對(duì)稱成型有貫穿所述載片厚度方向的刻蝕孔。所述載片與所述刻蝕孔的外表面覆蓋有絕緣層。

一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：載片；第一芯片，固定連接在所述容納腔內(nèi)部并與所述第一焊盤(pán)連接；引線，設(shè)置在所述刻蝕孔內(nèi)，所述引線的兩端分別連接所述第一焊盤(pán)和所述第二焊盤(pán)，且所述引線位于所述載片第一側(cè)的位置上設(shè)有第三焊盤(pán)；第二芯片，固定安裝在所述第二焊盤(pán)和/或所述第三焊盤(pán)上。所述第一芯片嵌入所述容納腔內(nèi)部且不會(huì)突出所述容納腔的外表面。

一種制作載片的方法，包括如下步驟：在所述載片的第一側(cè)進(jìn)行刻蝕，以形成容納腔；在容納腔內(nèi)安裝至少一個(gè)所述第一焊盤(pán)；在所述第二側(cè)上形成至少一個(gè)所述第二焊盤(pán)。在所述容納腔的水平內(nèi)壁上安裝密封環(huán)。在所述基板上對(duì)稱成型處貫穿所述基板厚度、用以穿設(shè)引線的刻蝕孔；還包括在在所述基板上對(duì)稱成型處貫穿所述基板厚度、用以穿設(shè)引線的刻蝕孔的步驟后，對(duì)所述基板表面創(chuàng)建絕緣層的步驟。

一種制作封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括如下步驟：形成載片；在所述載片的所述刻蝕孔上安裝引線并在所述引線上安裝第三焊盤(pán)；在所述載片和所述第三焊盤(pán)上焊接第一芯片和第二芯片。

本發(fā)明技術(shù)方案，具有如下優(yōu)點(diǎn)：

1.本發(fā)明提供的載片，所述載片包括第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)，所述載片的第一側(cè)成型有容納腔，所述容納腔內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)第一焊盤(pán)，所述載片的第二側(cè)上設(shè)置有至少一個(gè)第二焊盤(pán)。

現(xiàn)有技術(shù)中的載片只在正面設(shè)置焊盤(pán)，當(dāng)需要載片進(jìn)行堆疊時(shí)，需要采用其它轉(zhuǎn)接板進(jìn)行輔助，因此在增加連接難度的同時(shí)也增加了所占用的體積。

通過(guò)本發(fā)明提供的載片，可以在載片的正反兩面同時(shí)焊接芯片，大大節(jié)省了多組芯片在封裝過(guò)程中所占用的體積。

2.本發(fā)明提供的載片，所述載片的所述容納腔的內(nèi)部上成型有密封環(huán)。當(dāng)載片上連接芯片后，通過(guò)密封環(huán)可以確保確保芯片中心部位的氣密性，防止外界水分或塵土進(jìn)入芯片的核心區(qū)域，對(duì)芯片造成污染。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明提供的所述載片與所述第一芯片的安裝示意圖；

圖2為實(shí)施例2中提供的所述載片結(jié)構(gòu)的制作流程圖；

圖3為實(shí)施例3中提供的所述芯片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

1-第一側(cè)；2-第二側(cè)；3-容納腔；4-第一焊盤(pán)；5-第二焊盤(pán)；6-密封環(huán)；7-刻蝕孔；8-第一芯片；9-引線；10-第三焊盤(pán)；11-第二芯片。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

此外，下面所描述的本發(fā)明不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互結(jié)合。

實(shí)施例1

本實(shí)施例提供一種載片，所述載片包括第一側(cè)1和與所述第一側(cè)1相對(duì)的第二側(cè)2，所述載片的第一側(cè)1成型有容納腔3，所述容納腔3內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)第一焊盤(pán)4，所述載片的第二側(cè)2上設(shè)置有至少一個(gè)第二焊盤(pán)5。作為變型，本實(shí)施例中的所述第一焊盤(pán)4和第二焊盤(pán)5也可以為凸點(diǎn)。所述載片的所述容納腔3的內(nèi)部上成型有密封環(huán)6。所述載片上以所述容納腔3為中心對(duì)稱成型有貫穿所述載片厚度方向的刻蝕孔7，具體地，本實(shí)施例中，所述刻蝕孔至少為兩排，且彼此對(duì)稱設(shè)置。同時(shí)，根據(jù)載片型號(hào)的不同，所述刻蝕孔可以為彼此對(duì)稱的四排、六排等。在刻蝕孔加工完畢后，在載片與所述刻蝕孔7的外表面覆蓋有絕緣層，絕緣層能夠起到防止導(dǎo)電的作用。

現(xiàn)有技術(shù)中的載片只在正面設(shè)置焊盤(pán)，當(dāng)需要載片進(jìn)行堆疊時(shí)，需要采用其它轉(zhuǎn)接板進(jìn)行輔助，因此在增加連接難度的同時(shí)也增加了所占用的體積。同時(shí)，所述載片的所述容納腔3的內(nèi)部上成型有密封環(huán)6。當(dāng)載片上連接芯片后，通過(guò)密封環(huán)6可以確保確保芯片中心部位的氣密性，防止外界水分或塵土進(jìn)入芯片的核心區(qū)域，對(duì)芯片造成污染。

實(shí)施例2

本實(shí)施例一種制作實(shí)施例1中記載的載片的方法，包括如下步驟：在所述載片的第一側(cè)1進(jìn)行刻蝕，以形成容納腔3；在容納腔3內(nèi)安裝至少一個(gè)所述第一焊盤(pán)4；在所述第二側(cè)2上形成至少一個(gè)所述第二焊盤(pán)5。在所述容納腔3的水平內(nèi)壁上安裝密封環(huán)6。在所述基板上對(duì)稱成型處貫穿所述基板厚度、用以穿設(shè)引線9的刻蝕孔7；還包括在在所述基板上對(duì)稱成型處貫穿所述基板厚度、用以穿設(shè)引線9的刻蝕孔7的步驟后，對(duì)所述基板表面創(chuàng)建絕緣層的步驟。

具體地，圖3中給出了本實(shí)施例中制作所述載片的具體過(guò)程，通過(guò)s1、s2、s3··s11，給出了比較完整的加工過(guò)程。首先對(duì)硅片進(jìn)行加工，并在加工過(guò)程中，對(duì)焊盤(pán)和密封環(huán)進(jìn)行安裝。通過(guò)本實(shí)施例制得的載片，封裝好的芯片正反面均有焊盤(pán)(可以用凸點(diǎn)代替)，在后續(xù)的使用過(guò)程中，可以直接用于3d封裝，取消pcb等轉(zhuǎn)接板，在方便安裝的同時(shí)，有效地壓縮整體的封裝體積。

具體地，在圖3中列舉的各種加工方法，如cvd、rdl等，就是本領(lǐng)域人員常用的工藝方法。

同時(shí)，由于加工過(guò)程主要集中在載片上，然后將芯片直接安裝在載片上，這樣的加工方式不會(huì)影響芯片內(nèi)部線路，有利于減小芯片中的內(nèi)應(yīng)力，從而有助于保持芯片內(nèi)部的穩(wěn)定性。同時(shí)，由于在載片的正反兩面均設(shè)置了焊盤(pán)或凸點(diǎn)，因此可以有效地增加引腳i/o數(shù)量。

實(shí)施例3

本實(shí)施例提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：實(shí)施例1中記載的所述載片；第一芯片8，固定連接在所述容納腔3內(nèi)部并與所述第一焊盤(pán)4連接；引線9，設(shè)置在所述刻蝕孔7內(nèi)，所述引線9的兩端分別連接所述第一焊盤(pán)4和所述第二焊盤(pán)5，且所述引線9位于所述載片第一側(cè)1的位置上設(shè)有第三焊盤(pán)10；第二芯片11，固定安裝在所述第二焊盤(pán)5和/或所述第三焊盤(pán)10上。所述第一芯片8嵌入所述容納腔3內(nèi)部且不會(huì)突出所述容納腔3的外表面。

通過(guò)本實(shí)施例提供的封裝結(jié)構(gòu)，由圖2可知，所述載片的上下兩側(cè)可以同時(shí)進(jìn)行芯片的焊接。這大大的提升了整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的在安裝過(guò)程中的靈活性。

實(shí)施例4

本實(shí)施例提供一種制作封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括如下步驟：形成實(shí)施例1中記載的載片；在所述載片的所述刻蝕孔7上安裝引線9并在所述引線9上安裝第三焊盤(pán)10；在所述載片和所述第三焊盤(pán)10上焊接第一芯片8和第二芯片11。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。