本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光二極管(OLED)顯示技術(shù)是一種利用有機功能材料在電流的驅(qū)動下產(chǎn)生的可逆變色來實現(xiàn)顯示的技術(shù)。目前，制造OLED顯示裝置中的有機功能材料層的常見方法是采用噴墨打印(ink jet Printing)方法。使用噴墨打印方法制作OLED產(chǎn)品有生產(chǎn)效率高，材料成本低的優(yōu)點，但是，也受到打印技術(shù)自身特性的約束，很難實現(xiàn)高精細(xì)產(chǎn)品制作。影響高分辨產(chǎn)品制作的主要有像素內(nèi)膜厚的均一性?，F(xiàn)有技術(shù)中，受墨水表面張力影響，墨水打印到像素中干燥后形成的圖案不均勻，周邊會出現(xiàn)一圈咖啡環(huán)，從而影響發(fā)光區(qū)域的有效面積。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其制造方法，能夠提高成膜的均一性，增加發(fā)光區(qū)域的有效面積。

為了達(dá)到本發(fā)明目的，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括：襯底基板，設(shè)置于所述襯底基板上的像素界定層，所述像素界定層設(shè)置有包括底壁和側(cè)壁的開口區(qū)域，在所述開口區(qū)域內(nèi)，所述底壁的邊緣設(shè)置有多個表面為親水性的親水誘導(dǎo)柱。

可選的，多個所述親水誘導(dǎo)柱的位置滿足如下關(guān)系：

對任一設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱的第一位置，與所述第一位置對稱的第二位置和第三位置設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱，所述對稱基于所述底壁的對稱軸。

可選的，在所述開口區(qū)域內(nèi)，所述底壁的每個轉(zhuǎn)角處設(shè)置有所述親水誘導(dǎo)柱。

可選的，所述親水誘導(dǎo)柱與所述開口區(qū)域的高度相同。

可選的，所述親水誘導(dǎo)柱的親水性大于所述底壁的親水性。

可選的，所述像素界定層上表面上靠近所述側(cè)壁處設(shè)置有多個表面為疏水性的疏水誘導(dǎo)柱。

可選的，多個所述疏水誘導(dǎo)柱的位置滿足如下關(guān)系：

對任一設(shè)置有疏水誘導(dǎo)柱的第四位置，與所述第四位置對稱的第五位置和第六位置設(shè)置有疏水誘導(dǎo)柱，所述對稱基于所述像素界定層的上表面與所述側(cè)壁的交界所圍成的區(qū)域的對稱軸。

可選的，所述像素界面層上表面靠近所述側(cè)壁的轉(zhuǎn)角處設(shè)置有所述疏水誘導(dǎo)柱。

可選的，所述疏水誘導(dǎo)柱的高度大于所述像素界定層的厚度。

可選的，所述疏水誘導(dǎo)柱的高度相同。

本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板的制造方法，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上設(shè)置像素界定層；

在所述像素界定層設(shè)置包括底壁和側(cè)壁的開口區(qū)域；

在所述開口區(qū)域內(nèi)，所述底壁的邊緣設(shè)置多個表面為親水性的親水誘導(dǎo)柱。

可選的，多個所述親水誘導(dǎo)柱的位置滿足如下關(guān)系：

對任一設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱的第一位置，與所述第一位置對稱的第二位置和第三位置設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱，所述對稱基于所述底壁的對稱軸。

可選的，在所述開口區(qū)域內(nèi)，所述底壁的每個轉(zhuǎn)角處設(shè)置所述親水誘導(dǎo)柱。

可選的，在所述像素界定層上表面上靠近所述側(cè)壁處設(shè)置多個表面為疏水性的疏水誘導(dǎo)柱。

可選的，在所述像素界面層上表面靠近所述側(cè)壁的轉(zhuǎn)角處設(shè)置所述疏水誘導(dǎo)柱。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例中，通過設(shè)置親水誘導(dǎo)柱，抵消墨水張力，使得墨水表面更為平整，增加了成膜的均勻性。

進(jìn)一步地，本發(fā)明實施例中，設(shè)置疏水誘導(dǎo)柱，可以提高墨水的容納量，滿足像素尺寸比較小時的墨水需求量，從而實現(xiàn)高分辨率產(chǎn)品的噴墨打印制作。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本申請的實施例一起用于解釋本發(fā)明的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對本發(fā)明技術(shù)方案的限制。

圖1為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板截面圖；

圖2為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板俯視圖；

圖3為本發(fā)明另一實施例提供的陣列基板俯視圖；

圖4為本發(fā)明又一實施例提供的陣列基板俯視圖；

圖5為現(xiàn)有技術(shù)中噴入墨水后最高墨水量截面圖；

圖6為采用本發(fā)明實施例提供方案噴入墨水后最高墨水量截面圖；

圖7為現(xiàn)有技術(shù)中噴入墨水后，墨水干燥到bank層高度的截面圖；

圖8為采用本發(fā)明實施例提供的方案噴入墨水后，墨水干燥到bank層高度的截面圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互任意組合。

在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計算機可執(zhí)行指令的計算機系統(tǒng)中執(zhí)行。并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

應(yīng)當(dāng)指出的是，盡管以下實施例以O(shè)LED顯示裝置為例來說明本發(fā)明，但是如本領(lǐng)域技術(shù)人員將領(lǐng)會到的，本發(fā)明可以應(yīng)用于任何能夠采用噴墨打印方法制作功能層的顯示裝置，而不限于OLED顯示裝置。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括：襯底基板，設(shè)置于所述襯底基板上的像素界定層，所述像素界定層設(shè)置有包括底壁和側(cè)壁的開口區(qū)域，在所述開口區(qū)域內(nèi)，所述底壁的邊緣設(shè)置有多個表面為親水性的親水誘導(dǎo)柱。

其中，所述底壁的邊緣為靠近底壁與側(cè)壁的交界的位置，親水誘導(dǎo)柱可以緊挨底壁與側(cè)壁的邊界，也可以離邊界略微有點距離。

可選的，該多個親水誘導(dǎo)柱的位置對稱，具體的，多個所述親水誘導(dǎo)柱的位置滿足如下關(guān)系：對任一設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱的第一位置，與所述第一位置對稱的第二位置和第三位置設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱，所述對稱基于所述底壁的對稱軸。即每個親水誘導(dǎo)柱所在位置的對稱位置處設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱。特殊情況下，比如，第一位置為底壁的兩個轉(zhuǎn)角的正中時，此時，第三位置與第一位置相同。

在本發(fā)明的一可選實施例中，所述像素界定層上表面上靠近所述側(cè)壁處設(shè)置有多個表面為疏水性的疏水誘導(dǎo)柱。

可選的，對任一設(shè)置有疏水誘導(dǎo)柱的第四位置，與所述第四位置對稱的第五位置和第六位置設(shè)置有疏水誘導(dǎo)柱，所述對稱基于所述像素界定層的上表面與所述側(cè)壁的交界所圍成的區(qū)域的對稱軸。即每個所述疏水誘導(dǎo)柱所在位置的對稱位置處設(shè)置有所述疏水誘導(dǎo)柱。

下面以具體實例進(jìn)一步說明本發(fā)明。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的截面圖，圖2為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視圖，如圖1,2所示，本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板包括：襯底基板10，設(shè)置于所述襯底基板10上的像素界定層(PDL層，或稱bank層)20，所述像素界定層設(shè)置有開口區(qū)域30，所述開口區(qū)域包括底壁301和側(cè)壁302，所述開口區(qū)域30的底壁301的每個轉(zhuǎn)角3011處設(shè)置有表面為親水性的親水誘導(dǎo)柱40。所述底壁301和側(cè)壁302形成一個腔體，容納待噴入的墨水。需要說明的是，該開口區(qū)域30暴露一陽極層，即開口區(qū)域30的底壁301為一陽極層。該親水誘導(dǎo)柱40在所述開口區(qū)域30內(nèi)。一般地，該親水誘導(dǎo)柱40與底壁垂直。

從圖2可以看出，底壁301有四個轉(zhuǎn)角3011，可以在每個轉(zhuǎn)角3011處設(shè)置一個親水誘導(dǎo)柱40，從而共設(shè)置四個親水誘導(dǎo)柱40。親水誘導(dǎo)柱40的作用是抵消墨水張力。親水誘導(dǎo)柱可以挨著底壁301的邊界3012，也可以與邊界3012略微有點距離。可選的，這4個親水誘導(dǎo)柱的位置對稱。該對稱是基于底壁301的對稱軸對稱，包括左右對稱和上下對稱。

親水誘導(dǎo)柱40可以為圖1，2中所示的圓柱形，也可以是其他形狀，比如方形柱，或者棱形柱等等。

親水誘導(dǎo)柱40可以采用有機親水材料或者無機親水材料，且其表面親水性大于所述底壁的親水性，但與底壁的親水性的差值小于一設(shè)定閾值，與底壁形成拉扯，從而抵消墨水的表面張力。

在發(fā)明的一可選實施例中，所述親水誘導(dǎo)柱40的高度相等。

在本發(fā)明的一可選實施例中，所述親水誘導(dǎo)柱40與所述開口區(qū)域的高度相同。當(dāng)然，親水誘導(dǎo)柱40也可以略高于所述開口區(qū)域。

在本發(fā)明的一可選實施例中，可以根據(jù)需要設(shè)置更多的親水誘導(dǎo)柱，如圖3所示，在所述底壁301上兩個轉(zhuǎn)角處之間靠近所述側(cè)壁302處設(shè)置有所述親水誘導(dǎo)柱40，且每個親水誘導(dǎo)柱40的對稱位置處設(shè)置有所述親水誘導(dǎo)柱40，所述對稱基于所述底壁的對稱軸，對稱軸如圖3中的虛線所示。圖3中，底壁301靠近側(cè)壁302的位置即靠近底壁301與側(cè)壁302的邊界3012的位置。圖3中，在靠近邊界3012的中間位置設(shè)置了一個親水誘導(dǎo)柱40，在該親水誘導(dǎo)柱40的對稱位置也設(shè)置了一個親水誘導(dǎo)柱40。圖3中僅示出了在靠近左邊界和右邊界的中間位置設(shè)置了親水誘導(dǎo)柱40。在本發(fā)明的其他實施例中，可以在圖3中靠近底壁301與側(cè)壁的上邊界的中間位置設(shè)置一個親水誘導(dǎo)柱，在靠近底壁301與側(cè)壁302的下邊界的中間位置設(shè)置一個親水誘導(dǎo)柱。另外，也可以在底壁301上靠近邊界3012的位置設(shè)置多個親水誘導(dǎo)柱。比如，如圖4所示，在像素大小為50um*150um時，每隔25um布置一個親水誘導(dǎo)柱40。此時，對親水誘導(dǎo)柱401，其對稱位置有兩個，分別設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱402和親水誘導(dǎo)柱403。對另一親水誘導(dǎo)柱402，其對稱位置有兩個，分別設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱401和親水誘導(dǎo)柱404。

需要說明的是，親水誘導(dǎo)柱的個數(shù)可根據(jù)需要設(shè)定，比如根據(jù)像素尺寸和墨水特性設(shè)定。

本發(fā)明實施例提供的在開口區(qū)域內(nèi)增加親水誘導(dǎo)柱的方案，在開口區(qū)域內(nèi)噴入墨水后，墨水逐步干燥，當(dāng)剩余的墨水量和像素界定層高度齊平時，親水誘導(dǎo)柱開始發(fā)揮作用，抵消墨滴的表面張力，使得墨滴的上表面更為平整，提高了成膜的均一性。

當(dāng)要打印高分辨率產(chǎn)品時，像素的尺寸變得很小，所能容納的墨水量越來越少，而制作顯示器件使用的墨水量又比較大，如果單純依靠增高bank層的高度，雖然可以提高墨水的容納量，但是會給陰極的蒸鍍工作帶來很大的困難。本發(fā)明實施例中，提供了一種解決方案。如圖1，2所示，在像素界定層20上表面上靠近所述側(cè)壁302的轉(zhuǎn)角3021處設(shè)置有表面為疏水性的疏水誘導(dǎo)柱50。所述疏水誘導(dǎo)柱50可采用含氟類的材料，在制作過程中考慮到要和像素界定層連接，界面上需要一定的處理，比如，使用UV照射，CF4plsma處理等。所述疏水誘導(dǎo)柱50位于像素界定層50的上表面上，一般地，疏水誘導(dǎo)柱50的方向為垂直于所述像素界定層20。如圖2所示，設(shè)置了4個疏水誘導(dǎo)柱50。可選的，這4個疏水誘導(dǎo)柱50的位置對稱。該對稱是基于側(cè)壁302與像素界定層20的交界3022所形成的區(qū)域的對稱軸對稱，包括左右對稱和上下對稱。

在本發(fā)明的一可選實施例中，所述疏水誘導(dǎo)柱50的高度相同，且高于所述像素界定層20的高度。疏水誘導(dǎo)柱50的高度的一個可選范圍為：所述開口區(qū)域內(nèi)噴入墨水后墨水最高高度的2/3-4/3之間。

在本發(fā)明的一可選實施例中，可以根據(jù)需要設(shè)置更多的疏水誘導(dǎo)柱，如圖3所示，在像素界定層20上表面上靠近所述側(cè)壁的兩個轉(zhuǎn)角處之間的位置設(shè)置有疏水誘導(dǎo)柱50，且每個疏水誘導(dǎo)柱50的對稱位置設(shè)置有所述疏水誘導(dǎo)柱，所述對稱基于所述像素界定層的上表面與所述側(cè)壁的交界3022所圍成的區(qū)域的對稱軸，如圖3中的虛線所示。其中，在像素界定層20上表面上靠近所述側(cè)壁的兩個轉(zhuǎn)角處之間的位置設(shè)置疏水誘導(dǎo)柱50，即在像素界定層上靠近邊界3022的位置且非轉(zhuǎn)角3021處設(shè)置疏水誘導(dǎo)柱。圖3中，在靠近邊界3022的中間位置設(shè)置了一個疏水誘導(dǎo)柱50，在該疏水誘導(dǎo)柱50的對稱位置也設(shè)置了一個疏水誘導(dǎo)柱50。圖3中僅示出了在靠近左邊界和右邊界的中間位置設(shè)置了疏水誘導(dǎo)柱50。在本發(fā)明的其他實施例中，也可以在靠近上邊界和下邊界的中間位置設(shè)置疏水誘導(dǎo)柱50。另外，也可以在像素界定層20的上表面靠近邊界3022的位置設(shè)置多個親水誘導(dǎo)柱。比如，在像素大小為50um*150um時，圍繞所述側(cè)壁與所述像素界定層的上表面的邊界(即圍繞該開口區(qū)域與像素界定層上表面的交界)，每隔20um布置一個疏水誘導(dǎo)柱50。疏水誘導(dǎo)柱的個數(shù)可根據(jù)需要設(shè)定，比如根據(jù)像素尺寸和墨水特性設(shè)定。

本發(fā)明實施例提供的增加疏水性誘導(dǎo)柱的方案，由于在像素外層增加了疏水誘導(dǎo)柱，從而可以容納更多的墨水，滿足高分辨率像素對墨水量的需求，同時，因為疏水性誘導(dǎo)柱是分離的，不會影響陰極的制作，而且在疏水誘導(dǎo)柱附近材料的堆積會起到輔助電極的作用。

需要說明的是，本發(fā)明實施例所述方案，不限于圖1，2中所示形狀的開口區(qū)域，其他形狀的開口區(qū)域也可應(yīng)用本發(fā)明所述方案。

下面說明一下使用本申請?zhí)峁┑姆桨冈趪娙肽蟮膶崿F(xiàn)。

圖5為現(xiàn)有技術(shù)中最高容納墨水量示意圖。圖6為本發(fā)明實施例最高容納墨水量示意圖。如圖5所示，噴入墨水后，容納的最高墨水量為區(qū)域60中的墨水量；增加疏水誘導(dǎo)柱后，如圖6所示，容納的最高墨水量為區(qū)域70所示的墨水量，可以發(fā)現(xiàn)，增加疏水誘導(dǎo)柱后，容納的墨水量增加，對于高分辨率產(chǎn)品，盡管像素區(qū)域減小，采用本申請?zhí)峁┑姆桨负?，仍然可以容納所需的墨水量。

圖7為現(xiàn)有技術(shù)中墨水干燥到像素界定層時墨水表面示意圖；圖8為采用本發(fā)明實施例方案后墨水干燥到像素界定層時墨水表面示意圖。如圖7所示，墨水干燥到像素界定層20時，墨水表面見圖7中的墨水表面80所示，為一凹陷區(qū)域，膜厚不一致，導(dǎo)致最終成膜不均一。采用本發(fā)明實施例提供的方案，如圖8所示，由于增加了親水誘導(dǎo)柱，墨水干燥到像素界定層20時，親水誘導(dǎo)柱抵消部分表面張力，墨水表面如圖8中墨水表面90所示，與圖7中的墨水表面80相比，更為平坦，從而使得最終成膜更為均勻。另外，通過改變親水誘導(dǎo)柱的數(shù)量和親水性，可以達(dá)到墨水表面為平面的效果，因此，采取本發(fā)明實施例所述方案，最終成膜厚度比較一致，提高了成膜的均一性。

本發(fā)明實施例還提供一種上述陣列基板的制造方法，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上設(shè)置像素界定層；

在所述像素界定層設(shè)置包括底壁和側(cè)壁的開口區(qū)域；

在所述開口區(qū)域內(nèi)，所述底壁的邊緣設(shè)置多個表面為親水性的親水誘導(dǎo)柱。

在本發(fā)明的一可選實施例中，多個所述親水誘導(dǎo)柱的位置滿足如下關(guān)系：

對任一設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱的第一位置，與所述第一位置對稱的第二位置和第三位置設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱，所述對稱基于所述底壁的對稱軸。

在本發(fā)明的一可選實施例中，在所述開口區(qū)域內(nèi)，所述底壁的每個轉(zhuǎn)角處設(shè)置所述親水誘導(dǎo)柱。

在本發(fā)明的一可選實施例中，在所述底壁上處于兩個轉(zhuǎn)角處之間且靠近所述側(cè)壁的位置設(shè)置所述親水誘導(dǎo)柱。

在本發(fā)明的一可選實施例中，所述親水誘導(dǎo)柱與所述開口區(qū)域的高度相同。

在本發(fā)明的一可選實施例中，在所述像素界定層上表面上靠近所述側(cè)壁處設(shè)置多個表面為疏水性的疏水誘導(dǎo)柱。

在本發(fā)明的一可選實施例中，在所述像素界定層上表面上靠近所述側(cè)壁的轉(zhuǎn)角處設(shè)置表面為疏水性的疏水誘導(dǎo)柱。

在本發(fā)明的一可選實施例中，多個所述疏水誘導(dǎo)柱的位置滿足如下關(guān)系：

對任一設(shè)置有疏水誘導(dǎo)柱的第四位置，與所述第四位置對稱的第五位置和第六位置設(shè)置有疏水誘導(dǎo)柱，所述對稱基于所述像素界定層的上表面與所述側(cè)壁的交界所圍成的區(qū)域的對稱軸。

在本發(fā)明的一可選實施例中，在所述像素界定層上表面上靠近所述側(cè)壁的兩個轉(zhuǎn)角處之間的位置設(shè)置有疏水誘導(dǎo)柱。

在本發(fā)明的一可選實施例中，所述疏水誘導(dǎo)柱的高度大于所述像素界定層的厚度。

雖然本發(fā)明所揭露的實施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式及細(xì)節(jié)上進(jìn)行任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。