本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)，尤其涉及一種采用激光標(biāo)記對(duì)位的p型perc雙面太陽能電池，還涉及該太陽能電池的制備方法。

背景技術(shù)：

晶硅太陽能電池是一種有效吸收太陽輻射能，利用光生伏打效應(yīng)把光能轉(zhuǎn)換成電能的器件。當(dāng)太陽光照射在半導(dǎo)體p-n結(jié)上時(shí)，會(huì)形成新的空穴-電子對(duì)，在p-n結(jié)電場(chǎng)的作用下，空穴由n區(qū)流向p區(qū)，電子由p區(qū)流向n區(qū)，接通電路后就形成了電流。

傳統(tǒng)的晶硅太陽能電池一般只采用正面鈍化技術(shù)，即在硅片的正面使用pecvd方式沉積一層氮化硅，降低少子在前表面的復(fù)合速率，可以大幅度提升晶硅太陽能電池的開路電壓和短路電流，從而提升晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

隨著對(duì)晶硅太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的要求越來越高，人們開始研究perc背鈍化太陽電池技術(shù)。目前，業(yè)界主流廠家的焦點(diǎn)集中在單面perc太陽能電池的量產(chǎn)化。而對(duì)于雙面perc太陽能電池而言，由于其光電轉(zhuǎn)換效率高，同時(shí)雙面吸收太陽光，發(fā)電量更高，在實(shí)際應(yīng)用中具有更大的使用價(jià)值。

現(xiàn)有的perc雙面太陽能電池包括從下至上依次設(shè)置的背電極、背面氮化硅膜、氧化鋁膜、p型硅、n型發(fā)射極、正面氮化硅膜和正銀電極，背電極主要由呈垂直相交的背極主柵線和背極副柵線相連而成，背極副柵線通常是鋁柵線，在背面氮化硅膜上開有貫通背面氮化硅膜和氧化鋁膜的開槽構(gòu)成激光開槽區(qū)，鋁柵線位于開槽內(nèi)的部分與p型硅相連。

在perc雙面太陽能電池的制備過程中，在背面印刷鋁漿時(shí)，為了確定印刷鋁漿的位置，一般采用硅片邊對(duì)位方式。這種對(duì)位方式具體是：通過印刷機(jī)的攝像頭獲取硅片的四條邊的位置來確定激光開槽區(qū)與硅片的邊之間的距離，進(jìn)而確定激光開槽區(qū)的位置，根據(jù)攝像頭的定位，印刷機(jī)將鋁漿準(zhǔn)確地印刷在激光開槽區(qū)上。但是，這種硅片邊對(duì)位方式存在以下缺陷：硅片在制備過程中會(huì)存在誤差，使其外形不一定是標(biāo)準(zhǔn)的正方形形狀，采用硅片邊對(duì)位方式會(huì)帶來定位不準(zhǔn)的問題，這是由于印刷機(jī)在印刷時(shí)是根據(jù)硅片的邊和激光開槽區(qū)之間的距離來確定印刷鋁漿的位置，而硅片的形狀不是規(guī)則的正方形，直接導(dǎo)致了每片硅片背面的鋁漿無法準(zhǔn)確印刷在激光開槽區(qū)上，如此，提高了雙面perc太陽能電池的不良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的第一個(gè)目的在于提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)鋁漿與激光開槽區(qū)的準(zhǔn)確對(duì)位、降低電池不良率的采用激光標(biāo)記對(duì)位的p型perc雙面太陽能電池。

本發(fā)明的第一個(gè)目的通過如下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：一種采用激光標(biāo)記對(duì)位的p型perc雙面太陽能電池，包括從下至上依次設(shè)置的背電極、背面氮化硅膜、氧化鋁膜、p型硅、n型發(fā)射極、正面氮化硅膜和正銀電極，所述背電極主要由呈垂直相交的背極主柵和背鋁柵線相連而成，在所述背面氮化硅膜上開有數(shù)條貫通背面氮化硅膜和氧化鋁膜的開槽構(gòu)成激光開槽區(qū)，所述p型硅露于所述開槽中，所述背鋁柵線位于開槽中的部分與p型硅相連，其特征在于：在背面氮化硅膜上設(shè)置激光標(biāo)記，所述激光標(biāo)記和激光開槽區(qū)的相對(duì)位置預(yù)先設(shè)定，通過定位激光標(biāo)記并根據(jù)激光開槽區(qū)與激光標(biāo)記之間的距離進(jìn)行印刷背鋁柵線的對(duì)位。

本發(fā)明通過設(shè)置與激光開槽區(qū)的相對(duì)位置預(yù)先設(shè)定的激光標(biāo)記，在印刷鋁漿時(shí)，印刷機(jī)定位激光標(biāo)記并根據(jù)激光開槽區(qū)與激光標(biāo)記之間的距離進(jìn)行印刷背鋁柵線的對(duì)位。本發(fā)明與現(xiàn)有硅片邊對(duì)位方式相比，能夠確保每片硅片背面的鋁漿準(zhǔn)確覆蓋在激光開槽區(qū)上，可有效降低雙面perc太陽能電池的不良率。而且，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，適合于大規(guī)模量產(chǎn)。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述激光標(biāo)記位于激光開槽區(qū)的外圍，且處于太陽能電池的邊角或者靠近側(cè)邊設(shè)置，全部的激光標(biāo)記處于同一正方形上，所述激光標(biāo)記中至少兩個(gè)處于相對(duì)位置上，通過定位激光標(biāo)記并根據(jù)激光開槽區(qū)最外側(cè)的那條開槽與激光標(biāo)記之間的距離進(jìn)行印刷背鋁柵線的對(duì)位。

作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，所述激光標(biāo)記為四個(gè)，分別位于太陽能電池的四個(gè)邊角。

作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，單個(gè)激光標(biāo)記的形狀為十字形、三角形、圓形、方形、五邊形或六邊形等。

作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，所述背面氮化硅膜的厚度為20～500nm。

作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，所述氧化鋁膜的厚度為2～50nm。

本發(fā)明可以有以下實(shí)施方式：所述開槽為若干組，各組開槽呈平行排布；每組開槽由數(shù)段開槽組成，或者每組開槽是一條完整的開槽，或者每組開槽由數(shù)個(gè)通孔狀的開槽和數(shù)段開槽組成，或者每組開槽由數(shù)個(gè)通孔狀的開槽組成，或者每組開槽由沿橫向平行排布的數(shù)列開槽組成，每列開槽由沿縱向平行排布的數(shù)段開槽組成。

作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，相鄰組開槽之間的間距為0.5～50mm。

作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，所述背鋁柵線的寬度大于開槽的寬度，背鋁柵線的寬度為55～550微米。

作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，開槽的寬度為50～500微米。

作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，所述背極主柵為完整的一條，或者由數(shù)段組成。

本發(fā)明的第二個(gè)目的在于提供一種上述采用激光標(biāo)記對(duì)位的p型perc雙面太陽能電池的制備方法。

本發(fā)明的第二個(gè)目的通過如下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：一種上述采用激光標(biāo)記對(duì)位的p型perc雙面太陽能電池的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

⑴在p型硅的正面形成絨面；

⑵在由步驟⑴所得產(chǎn)品的正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成n型發(fā)射極；

⑶去除由步驟⑵所得產(chǎn)品在擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃和周邊pn結(jié)；

⑷在由步驟⑶所得產(chǎn)品的背面依次沉積氧化鋁膜和背面氮化硅膜，再在正面沉積正面氮化硅膜，或者在由步驟⑶所得產(chǎn)品的正面沉積正面氮化硅膜，再在背面依次沉積氧化鋁膜和背面氮化硅膜；

⑸在由步驟⑷所得產(chǎn)品的背面打上激光標(biāo)記，激光標(biāo)記和激光開槽區(qū)的相對(duì)位置預(yù)先設(shè)定，同時(shí)采用激光開設(shè)開槽構(gòu)成激光開槽區(qū)；

⑹在由步驟⑸所得產(chǎn)品的背面印刷背極主柵線；

⑺通過定位激光標(biāo)記并根據(jù)激光開槽區(qū)與激光標(biāo)記之間的距離進(jìn)行印刷背鋁柵線的對(duì)位，在由步驟⑹所得產(chǎn)品的背面且位于激光開槽區(qū)上印刷背鋁柵線，背鋁柵線位于開槽內(nèi)的部分與p型硅相連；

⑻在由步驟⑺所得產(chǎn)品的正面印刷正電極漿料；

⑼在由步驟⑻所得產(chǎn)品進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極和正銀電極；

⑽將由步驟⑼所得產(chǎn)品進(jìn)行抗lid退火即得。

作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，在所述步驟⑹～⑻中，采用絲網(wǎng)印刷或噴墨方式印刷。

作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，根據(jù)實(shí)際情況決定是否對(duì)由步驟⑶所得產(chǎn)品的背面拋光，若需要拋光，則對(duì)由步驟⑶所得產(chǎn)品的背面進(jìn)行拋光后，轉(zhuǎn)入步驟⑷。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下顯著的效果：

⑴本發(fā)明通過設(shè)置與激光開槽區(qū)的相對(duì)位置預(yù)先設(shè)定的激光標(biāo)記，在印刷鋁漿時(shí)，印刷機(jī)定位激光標(biāo)記并根據(jù)激光開槽區(qū)與激光標(biāo)記之間的距離進(jìn)行印刷背鋁柵線的對(duì)位。本發(fā)明與現(xiàn)有硅片邊對(duì)位方式相比，能夠確保每片硅片背面的鋁漿準(zhǔn)確覆蓋在激光開槽區(qū)上，可有效降低雙面perc太陽能電池的不良率。

⑵本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，適合于大規(guī)模量產(chǎn)。

⑶本發(fā)明方法簡(jiǎn)單易行，采用現(xiàn)有生產(chǎn)線上激光開槽所使用的激光設(shè)備來打激光標(biāo)記，無需另增設(shè)備，生產(chǎn)成本低。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例1背面的示意圖(未畫背極主柵線)；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例2背面的示意圖(未畫背極主柵線)；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例3背面的示意圖(未畫背極主柵線)。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1

如圖1和2所示，是本發(fā)明一種采用激光標(biāo)記對(duì)位的p型perc雙面太陽能電池，包括從下至上依次設(shè)置的背電極1、背面氮化硅膜3、氧化鋁膜4、p型硅5、n型發(fā)射極6、正面氮化硅膜7和正銀電極8，正銀電極8主要由呈垂直相交的正銀電極副柵82和正銀電極主柵81相連而成。背銀電極1主要由呈垂直相交的背極主柵線11和背鋁柵線12相連而成，在背面氮化硅膜上3開有數(shù)條貫通背面氮化硅膜3和氧化鋁膜4的開槽2構(gòu)成激光開槽區(qū)10，p型硅5露于開槽2中，背鋁柵線12位于開槽2內(nèi)的部分9與p型硅5相連，在背面氮化硅膜3上且位于激光開槽區(qū)10的外圍設(shè)有激光標(biāo)記13，激光標(biāo)記13和激光開槽區(qū)10的相對(duì)位置預(yù)先設(shè)定，在本實(shí)施例中，激光標(biāo)記13為兩個(gè)，分別位于太陽能電池15相對(duì)的兩個(gè)邊角，該兩個(gè)激光標(biāo)記13處于同一正方形14上，通過定位激光標(biāo)記13并通過激光開槽區(qū)10最外側(cè)的那條開槽2a、2b分別與和其最靠近的激光標(biāo)記13之間的距離l進(jìn)行印刷背鋁柵線的對(duì)位。在本實(shí)施例中，單個(gè)激光標(biāo)記13的形狀為十字形。在其它實(shí)施例中，單個(gè)激光標(biāo)記13的形狀也可以為三角形、圓形、方形、五邊形或六邊形等。

每條背極主柵線11為完整的一條，或者由數(shù)段組成。背面氮化硅膜3的厚度為20～500nm。氧化鋁膜4的厚度為2～50nm。背鋁柵線12的寬度為55～550微米，背鋁柵線12的寬度大于開槽2的寬度。開槽2為若干組，各組開槽呈平行排布，在本實(shí)施例中，每組開槽是一條完整的開槽。相鄰組開槽2之間的間距為0.5～50mm；開槽2的寬度為50～500微米。

一種上述采用激光標(biāo)記對(duì)位的p型perc雙面太陽能電池的制備方法，具體包括以下步驟：

⑴在p型硅5的正面形成絨面；

⑵在由步驟⑴所得產(chǎn)品的正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成n型發(fā)射極6；

⑶去除由步驟⑵所得產(chǎn)品在擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃和周邊pn結(jié)；

⑷在由步驟⑶所得產(chǎn)品的背面依次沉積氧化鋁膜4和背面氮化硅膜3，再在正面沉積正面氮化硅膜7，或者在由步驟⑶所得產(chǎn)品的正面沉積正面氮化硅膜7，再在背面依次沉積氧化鋁膜4和背面氮化硅膜3；

⑸在由步驟⑷所得產(chǎn)品的背面打上激光標(biāo)記13，激光標(biāo)記13和激光開槽區(qū)10的相對(duì)位置預(yù)先設(shè)定，該激光標(biāo)記13位于激光開槽區(qū)10的外圍，且處于太陽能電池相對(duì)的兩個(gè)邊角，全部的激光標(biāo)記13處于同一正方形14上，同時(shí)采用激光開設(shè)開槽構(gòu)成激光開槽區(qū)10；

⑹在由步驟⑸所得產(chǎn)品的背面采用絲網(wǎng)印刷或噴墨方式印刷背極主柵線11；

⑺印刷機(jī)通過定位激光標(biāo)記13并根據(jù)激光開槽區(qū)10最外側(cè)的那條開槽2a、2b分別與和其最靠近的激光標(biāo)記13之間的距離l進(jìn)行印刷背鋁柵線12的對(duì)位，在由步驟⑹所得產(chǎn)品的背面且位于激光開槽區(qū)10上采用絲網(wǎng)印刷或噴墨方式印刷背鋁柵線12，背鋁柵線12位于開槽2內(nèi)的部分與p型硅5相連；

⑻在由步驟⑺所得產(chǎn)品的正面采用絲網(wǎng)印刷或噴墨方式印刷正電極漿料；

⑼在由步驟⑻所得產(chǎn)品進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背電極1和正銀電極8；

⑽將由步驟⑼所得產(chǎn)品進(jìn)行抗lid退火即得。

可以根據(jù)實(shí)際情況，對(duì)由步驟⑶所得產(chǎn)品的背面進(jìn)行拋光后，再轉(zhuǎn)入步驟⑷。

實(shí)施例2

如圖3所示，本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于：激光標(biāo)記13為四個(gè)，分別位于太陽能電池15的四個(gè)邊角，全部的激光標(biāo)記13處于同一正方形14上。

一種上述采用激光標(biāo)記對(duì)位的p型perc雙面太陽能電池的制備方法，包括以下步驟：

⑴在p型硅5的正面形成絨面；

⑵在由步驟⑴所得產(chǎn)品的正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成n型發(fā)射極6；

⑶去除由步驟⑵所得產(chǎn)品在擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃和周邊pn結(jié)，并對(duì)背面進(jìn)行拋光后，轉(zhuǎn)入步驟⑷；

⑷在由步驟⑶所得產(chǎn)品的背面依次沉積氧化鋁膜4和背面氮化硅膜3，再在正面沉積正面氮化硅膜7，或者在由步驟⑶所得產(chǎn)品的正面沉積正面氮化硅膜7，再在背面依次沉積氧化鋁膜4和背面氮化硅膜3；

⑸在由步驟⑷所得產(chǎn)品的背面打上激光標(biāo)記13，激光標(biāo)記13和激光開槽區(qū)10的相對(duì)位置預(yù)先設(shè)定，該激光標(biāo)記13位于激光開槽區(qū)10的外圍，且處于太陽能電池相對(duì)的四個(gè)邊角，全部的激光標(biāo)記13處于同一正方形14上，同時(shí)采用激光開設(shè)開槽構(gòu)成激光開槽區(qū)10；

⑹在由步驟⑸所得產(chǎn)品的背面采用絲網(wǎng)印刷或噴墨方式印刷背極主柵線12；

⑺印刷機(jī)通過定位激光標(biāo)記13并根據(jù)激光開槽區(qū)10最外側(cè)的那條開槽2a、2b分別與和其最靠近的激光標(biāo)記13之間的距離l進(jìn)行印刷背鋁柵線11的對(duì)位，在由步驟⑹所得產(chǎn)品的背面且位于激光開槽區(qū)10上采用絲網(wǎng)印刷或噴墨方式印刷背鋁柵線12，背鋁柵線12位于開槽2內(nèi)的部分與p型硅5相連；

⑻在由步驟⑺所得產(chǎn)品的正面采用絲網(wǎng)印刷或噴墨方式印刷正電極漿料；

⑼在由步驟⑻所得產(chǎn)品進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背電極1和正銀電極8；

⑽將由步驟⑼所得產(chǎn)品進(jìn)行抗lid退火即得。

實(shí)施例3

如圖4所示，本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于：激光標(biāo)記13為兩個(gè)，分別靠近太陽能電池15的相對(duì)的兩側(cè)邊，全部的激光標(biāo)記13處于同一正方形14上。

一種上述采用激光標(biāo)記對(duì)位的p型perc雙面太陽能電池的制備方法，包括以下步驟：

⑴在p型硅5的正面形成絨面；

⑵在由步驟⑴所得產(chǎn)品的正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成n型發(fā)射極6；

⑶去除由步驟⑵所得產(chǎn)品在擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃和周邊pn結(jié)，并對(duì)背面進(jìn)行拋光后，轉(zhuǎn)入步驟⑷；

⑷在由步驟⑶所得產(chǎn)品的背面依次沉積氧化鋁膜4和背面氮化硅膜3，再在正面沉積正面氮化硅膜7，或者在由步驟⑶所得產(chǎn)品的正面沉積正面氮化硅膜7，再在背面依次沉積氧化鋁膜4和背面氮化硅膜3；

⑸在由步驟⑷所得產(chǎn)品的背面打上激光標(biāo)記13，激光標(biāo)記13和激光開槽區(qū)10的相對(duì)位置預(yù)先設(shè)定，該激光標(biāo)記13位于激光開槽區(qū)10的外圍，激光標(biāo)記13為兩個(gè)，且分別靠近太陽能電池相對(duì)的兩側(cè)邊，全部的激光標(biāo)記13處于同一正方形14上，同時(shí)采用激光開設(shè)開槽構(gòu)成激光開槽區(qū)10；

⑹在由步驟⑸所得產(chǎn)品的背面采用絲網(wǎng)印刷或噴墨方式印刷背極主柵線12；

⑺印刷機(jī)通過定位激光標(biāo)記13并根據(jù)激光開槽區(qū)10最外側(cè)的那條開槽2a、2b分別與和其最靠近的激光標(biāo)記13之間的距離l進(jìn)行印刷背鋁柵線11的對(duì)位，在由步驟⑹所得產(chǎn)品的背面且位于激光開槽區(qū)10上采用絲網(wǎng)印刷或噴墨方式印刷背鋁柵線12，背鋁柵線12位于開槽2內(nèi)的部分與p型硅5相連；

⑻在由步驟⑺所得產(chǎn)品的正面采用絲網(wǎng)印刷或噴墨方式印刷正電極漿料；

⑼在由步驟⑻所得產(chǎn)品進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背電極1和正銀電極8；

⑽將由步驟⑼所得產(chǎn)品進(jìn)行抗lid退火即得。

實(shí)施例4

一種采用激光標(biāo)記對(duì)位的p型perc雙面太陽能電池的制備方法，包括以下步驟：

⑴在p型硅的正面形成絨面；

⑵在由步驟⑴所得產(chǎn)品的正面進(jìn)行擴(kuò)散，形成n型發(fā)射極；

⑶去除由步驟⑵所得產(chǎn)品在擴(kuò)散過程形成的磷硅玻璃和周邊pn結(jié)，并對(duì)背面進(jìn)行拋光后，轉(zhuǎn)入步驟⑷；

⑷在由步驟⑶所得產(chǎn)品的背面依次沉積氧化鋁膜和背面氮化硅膜，再在正面沉積正面氮化硅膜，或者在由步驟⑶所得產(chǎn)品的正面沉積正面氮化硅膜，再在背面依次沉積氧化鋁膜和背面氮化硅膜；

⑸在由步驟⑷所得產(chǎn)品的背面打上激光標(biāo)記，激光標(biāo)記和激光開槽區(qū)的相對(duì)位置預(yù)先設(shè)定，該激光標(biāo)記位于激光開槽區(qū)的外圍，且處于太陽能電池相對(duì)的兩個(gè)邊角，全部的激光標(biāo)記處于同一正方形上，同時(shí)采用激光開設(shè)開槽構(gòu)成激光開槽區(qū)；

⑹在由步驟⑸所得產(chǎn)品的背面采用絲網(wǎng)印刷或噴墨方式印刷背極主柵線；

⑺印刷機(jī)通過定位激光標(biāo)記并根據(jù)激光開槽區(qū)最外側(cè)的那條開槽分別與和其最靠近的激光標(biāo)記之間的距離進(jìn)行印刷背鋁柵線的對(duì)位，在由步驟⑹所得產(chǎn)品的背面且位于激光開槽區(qū)上采用絲網(wǎng)印刷或噴墨方式印刷背鋁柵線，背鋁柵線位于開槽內(nèi)的部分與p型硅相連；

⑻在由步驟⑺所得產(chǎn)品的正面采用絲網(wǎng)印刷或噴墨方式印刷正電極漿料；

⑼在由步驟⑻所得產(chǎn)品進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背電極和正銀電極；

⑽將由步驟⑼所得產(chǎn)品進(jìn)行抗lid退火即得。

在其它實(shí)施例中，每組開槽由數(shù)段開槽組成，或者每組開槽由數(shù)個(gè)通孔狀的開槽和數(shù)段開槽組成，或者每組開槽由數(shù)個(gè)通孔狀的開槽組成，或者每組開槽由沿橫向平行排布的數(shù)列開槽組成，每列開槽由沿縱向平行排布的數(shù)段開槽組成。

本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此，根據(jù)本發(fā)明的上述內(nèi)容，按照本領(lǐng)域的普通技術(shù)知識(shí)和慣用手段，在不脫離本發(fā)明上述基本技術(shù)思想前提下，本發(fā)明單個(gè)激光標(biāo)記的形狀以及布置形式、背面氮化硅膜的厚度、氧化鋁膜的厚度、相鄰組開槽之間的間距、背鋁柵線的寬度和開槽的寬度等均還有其它的實(shí)施方式。因此，本發(fā)明還可以做出其它多種形式的修改、替換或變更，均落在本發(fā)明權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)。