本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置。更具體地，本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例涉及具有改善的反射性質(zhì)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和它們的制造。

背景技術(shù)：

因?yàn)榕c陰極射線管(crt)顯示裝置相比，平板顯示(fpd)裝置質(zhì)輕且薄，所以已經(jīng)發(fā)現(xiàn)平板顯示裝置在各種電子裝置中的廣泛應(yīng)用。平板顯示裝置的典型示例是液晶顯示(lcd)裝置和有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示裝置。與lcd相比，oled具有諸如更高的亮度和更寬的視角的許多優(yōu)點(diǎn)。另外，因?yàn)閛led顯示裝置不需要背光，所以oled顯示裝置可以被制造得更薄。在oled顯示裝置中，電子和空穴通過(guò)陰極和陽(yáng)極被注入到有機(jī)薄層中，然后在有機(jī)薄層中復(fù)合以產(chǎn)生激子，從而產(chǎn)生特定波長(zhǎng)的光。

近來(lái)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了通過(guò)包括反射構(gòu)件能夠反射位于oled裝置前方的物體(或目標(biāo))的圖像的鏡面oled裝置。另外，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了具有鏡子功能和觸摸功能的oled裝置。反射構(gòu)件可以設(shè)置在顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域中。

然而，設(shè)置在顯示區(qū)域中的反射構(gòu)件的反射率會(huì)與設(shè)置在外圍區(qū)域中的反射構(gòu)件的反射率不同。因此，設(shè)置在外圍區(qū)域中的反射構(gòu)件會(huì)被看作與設(shè)置在顯示區(qū)域中的反射構(gòu)件分開(kāi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例提供了一種具有鏡子功能和觸摸功能的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例還提供了一種制造所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。

在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括包含顯示區(qū)域和外圍區(qū)域的基底以及位于顯示區(qū)域和外圍區(qū)域兩者中的第一反射構(gòu)件。第一反射構(gòu)件包括形成在顯示區(qū)域的發(fā)光區(qū)域中的第一開(kāi)口和形成在外圍區(qū)域中的第二開(kāi)口。

在示例性實(shí)施例中，第二開(kāi)口可以具有與第一開(kāi)口基本上相同的形狀和相同的尺寸。

在示例性實(shí)施例中，第二開(kāi)口可以具有與第一開(kāi)口不同的形狀。

在示例性實(shí)施例中，第二開(kāi)口可以具有與第一開(kāi)口不同的尺寸。

在示例性實(shí)施例中，第一反射構(gòu)件可以包括設(shè)置在顯示區(qū)域中的第一反射部分以及設(shè)置在外圍區(qū)域中并與第一反射部分一體地形成的第二反射部分。

在示例性實(shí)施例中，第二反射部分的反射率可以基本上等于第一反射部分的反射率。

在示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括設(shè)置在發(fā)光區(qū)域中并且包括柵電極、源電極、漏電極以及與柵電極疊置的有源圖案的開(kāi)關(guān)元件、電連接到開(kāi)關(guān)元件的下電極、接近下電極并且具有形成在發(fā)光區(qū)域中的開(kāi)口的像素限定層、設(shè)置在下電極上的發(fā)光層、設(shè)置在像素限定層和發(fā)光層上的上電極以及設(shè)置在外圍區(qū)域中的金屬線。

在示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括設(shè)置在外圍區(qū)域中并與金屬線疊置光阻擋圖案。

在示例性實(shí)施例中，光阻擋圖案可以設(shè)置在與像素限定層相同的層上。

在示例性實(shí)施例中，光阻擋圖案可以包括黑色有機(jī)材料。

在示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括完全設(shè)置在顯示區(qū)域和外圍區(qū)域中的第二反射構(gòu)件，第二反射構(gòu)件與第一反射構(gòu)件疊置，并且比第一反射構(gòu)件薄。

在示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括設(shè)置為面向基底的第二基底。第一反射構(gòu)件可以設(shè)置在第二基底的第一表面上，第二反射構(gòu)件可以設(shè)置在第二基底的與第一表面相對(duì)的第二表面上。

在示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括設(shè)置為面向基底的第二基底。第一反射構(gòu)件可以設(shè)置在第二基底的第一表面上，第二反射構(gòu)件可以設(shè)置在第二基底和第一反射構(gòu)件之間。

在示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括設(shè)置為面向基底的第二基底。第二反射構(gòu)件可以設(shè)置在第二基底的第一表面上，第一反射構(gòu)件可以設(shè)置在第二基底和第二反射構(gòu)件之間。

在示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括設(shè)置在基底上的薄膜包封層。第一反射構(gòu)件可以設(shè)置在薄膜包封層上。

在示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括設(shè)置在發(fā)光區(qū)域中并且包括柵電極、源電極、漏電極以及與柵電極疊置的有源圖案的開(kāi)關(guān)元件、電連接到開(kāi)關(guān)元件的下電極、接近下電極并且具有形成在發(fā)光區(qū)域中的開(kāi)口的像素限定層、設(shè)置在下電極上的發(fā)光層、設(shè)置在像素限定層和發(fā)光層上的上電極以及設(shè)置在外圍區(qū)域中的金屬線。

在示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括設(shè)置在外圍區(qū)域中并與金屬線疊置的光阻擋圖案。

在示例性實(shí)施例中，光阻擋圖案可以設(shè)置在與像素限定層相同的層上。

在示例性實(shí)施例中，光阻擋圖案可以包括黑色有機(jī)材料。

在示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括設(shè)置為面向基底的相對(duì)基底以及設(shè)置在外圍區(qū)域中以將基底結(jié)合到相對(duì)基底的密封構(gòu)件。第二開(kāi)口可以設(shè)置在顯示區(qū)域和密封構(gòu)件之間，并且可以設(shè)置在密封構(gòu)件和基底的端部之間。

在示例性實(shí)施例中，第二開(kāi)口可以與密封構(gòu)件疊置。

在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的示例性實(shí)施例中，所述方法包括形成包括具有預(yù)定反射率的金屬的第一反射層以及將第一反射層圖案化以形成第一反射構(gòu)件。第一反射構(gòu)件包括形成在顯示區(qū)域的發(fā)光區(qū)域中的第一開(kāi)口和形成在外圍區(qū)域中的第二開(kāi)口。

在示例性實(shí)施例中，所述方法還可以包括：形成包括柵電極、源電極、漏電極以及與柵電極疊置的有源圖案的開(kāi)關(guān)元件，所述開(kāi)關(guān)元件形成在包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域的基底上；在開(kāi)關(guān)元件上形成下電極；形成具有在發(fā)光區(qū)域中形成的開(kāi)口的像素限定層并且像素限定層進(jìn)一步形成在下電極上；在下電極的被像素限定層的開(kāi)口暴露的部分上形成發(fā)光層；以及在像素限定層和發(fā)光層上形成上電極。

在示例性實(shí)施例中，形成開(kāi)關(guān)元件還可以包括形成設(shè)置在與柵電極相同的層上并且電連接到開(kāi)關(guān)元件的金屬線。形成像素限定層還可以包括在外圍區(qū)域中形成與金屬線疊置的光阻擋圖案。

在示例性實(shí)施例中，光阻擋圖案可以包括黑色有機(jī)材料。

在示例性實(shí)施例中，所述方法還可以包括形成與第一反射構(gòu)件疊置的第二反射構(gòu)件，第二反射構(gòu)件比第一反射構(gòu)件薄。

在示例性實(shí)施例中，可以在第二基底的第一表面上設(shè)置第一反射構(gòu)件，可以在第二基底的與第一表面相對(duì)的第二表面上設(shè)置第二反射構(gòu)件。

在示例性實(shí)施例中，可以在第二基底的第一表面上設(shè)置第一反射構(gòu)件，可以在第二基底和第一反射構(gòu)件之間設(shè)置第二反射構(gòu)件。

在示例性實(shí)施例中，可以在第二基底的第一表面上設(shè)置第二反射構(gòu)件，可以在第二基底和第二反射構(gòu)件之間設(shè)置第一反射構(gòu)件。

在示例性實(shí)施例中，所述方法還可以包括在圖案化之前在基底上形成薄膜包封層?？梢栽诒∧ぐ鈱由显O(shè)置第一反射構(gòu)件。

在示例性實(shí)施例中，所述方法還可以包括：形成包括柵電極、源電極、漏電極以及與柵電極疊置的有源圖案的開(kāi)關(guān)元件，所述開(kāi)關(guān)元件形成在包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域的基底上；在開(kāi)關(guān)元件上形成下電極；形成具有在發(fā)光區(qū)域中形成的開(kāi)口的像素限定層并且像素限定層進(jìn)一步形成在下電極上；在下電極的被像素限定層的開(kāi)口暴露的部分上形成發(fā)光層；以及在像素限定層和發(fā)光層上形成上電極。

在示例性實(shí)施例中，形成開(kāi)關(guān)元件還可以包括形成設(shè)置在與柵電極相同的層上并且電連接到開(kāi)關(guān)元件的金屬線。形成像素限定層還可以包括在外圍區(qū)域中形成與金屬線疊置的光阻擋圖案。

在示例性實(shí)施例中，光阻擋圖案可以包括黑色有機(jī)材料。

根據(jù)本示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括包含設(shè)置在顯示區(qū)域中的第一反射部分和設(shè)置在外圍區(qū)域中的第二反射部分的反射構(gòu)件。另外，第二反射部分具有具備與形成在第一反射部分中的開(kāi)口大致相同的形狀的開(kāi)口。因此，第一反射部分的反射率可以與第二反射部分的反射率基本上相同，因此第一反射部分和第二反射部分可以看作整體反射構(gòu)件。因此，可以制造無(wú)框鏡面有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

另外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括設(shè)置在外圍區(qū)域中并且與金屬線疊置的光阻擋圖案，因此光阻擋圖案可以阻擋由于金屬線反射的光。由于來(lái)自下基底的光被阻擋，所以反射構(gòu)件的反射率遍及其區(qū)域可以是基本上恒定的。因此，可以通過(guò)調(diào)整第二開(kāi)口的形狀、尺寸和數(shù)量來(lái)調(diào)整第二反射部分的反射率。第二反射部分的反射率可以與第一反射部分的反射率相同。

另外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括薄膜包封層。因此，可以制造具有鏡子功能和觸摸功能的柔性有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，本發(fā)明構(gòu)思的上述和其它特征以及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖；

圖2是沿圖1的線i-i'和線ii-ii'截取的剖視圖；

圖3至圖8是示出制造圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖；

圖9是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖；

圖10是沿圖9的線iii-iii'和線iv-iv'截取的剖視圖；

圖11至圖13是示出制造圖10的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖；

圖14是沿圖9的線iii-iii'和線iv-iv'截取的剖視圖；

圖15是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖；

圖16a、16b和16c是沿圖15的線v-v'和線vi-vi'截取的剖視圖；

圖17至圖19是示出制造圖16a的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖；

圖20是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖；

圖21是沿圖20的線vii-vii'和線viii-viii'截取的剖視圖；

圖22是沿圖20的線vii-vii'和線viii-viii'截取的剖視圖；

圖23是沿圖20的線vii-vii'和線viii-viii'截取的剖視圖；

圖24至圖26是示出制造圖21的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖；

圖27是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖；

圖28是沿著圖27的線ix-ix'和線x-x'截取的剖視圖；

圖29至圖31是示出制造圖28的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖；

圖32是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖；

圖33是沿圖32的線xi-xi'和線xii-xii'截取的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明構(gòu)思。各個(gè)附圖不必按比例。所有數(shù)值是近似的，并且可以變化。具體材料和組合物的所有示例僅被當(dāng)作是非限制性和示例性的。可以使用其它合適的材料和組合物來(lái)代替。

圖1是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖。圖2是沿圖1的線i-i'和線ii-ii'截取的剖視圖。

參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b。開(kāi)口60、開(kāi)口70和開(kāi)口80可以設(shè)置在發(fā)光區(qū)域a中。例如，開(kāi)口60中的像素可以是發(fā)射紅色的像素，開(kāi)口70中的像素可以是發(fā)射綠色的像素，開(kāi)口80中的像素可以是發(fā)射藍(lán)色的像素。

反射構(gòu)件370可以設(shè)置在反射區(qū)域b中。反射構(gòu)件370可以包括設(shè)置在顯示區(qū)域da中的第一反射部分371和設(shè)置在外圍區(qū)域pa中的第二反射部分372。第一反射部分371可以與第二反射部分372一體地形成。

反射構(gòu)件370可以包括具有預(yù)定的反射率的材料。例如，反射構(gòu)件370可以包括金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鎂(mg)、鉑(pt)、鎳(ni)、鈦(ti)等。可選擇地，反射構(gòu)件370可以由合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物等形成。例如，反射構(gòu)件370可以包括包含鋁的合金、氮化鋁(alnx)、包含銀的合金、氮化鎢(wnx)、包含銅的合金、氮化鉻(crnx)、包含鉬的合金、氮化鈦(tinx)、氮化鉭(tanx)、氧化鍶釕(sro)、氧化鋅(znox)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)等。

第一反射部分371可以具有多個(gè)第一開(kāi)口60、70和80。第二反射部分372可以具有與第一開(kāi)口60、70和80具有相同的形狀的多個(gè)第二開(kāi)口50。第一開(kāi)口60、70和80以及第二開(kāi)口50可以具有四邊形形狀。第二開(kāi)口50可以具有與第一開(kāi)口60、70和80相同的形狀和相同的尺寸。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，第二開(kāi)口50可以具有與第一開(kāi)口60、70和80中的任何一個(gè)不同的形狀和不同的尺寸。

第一反射部分371可以具有多個(gè)第一開(kāi)口60、70和80。第二反射部分372可以具有多個(gè)第二開(kāi)口50。因?yàn)榈诙_(kāi)口50具有與第一開(kāi)口60、70和80相同的形狀，所以第一反射部分371的反射率可以與第二反射部分372的反射率基本上相同。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，當(dāng)?shù)谝环瓷洳糠?71的反射率與第二反射部分372的反射率不同時(shí)，為了調(diào)整第二反射部分372的反射率，可以改變第二開(kāi)口50的形狀、尺寸和數(shù)量。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括第一基底110、緩沖層115、第一絕緣層150、第二絕緣層190、第三絕緣層270、發(fā)光結(jié)構(gòu)、像素限定層310、反射構(gòu)件370和第二基底350。這里，發(fā)光結(jié)構(gòu)包括開(kāi)關(guān)元件250、第一電極290、發(fā)光層330和第二電極340。開(kāi)關(guān)元件250包括有源圖案130、柵電極170、源電極210和漏電極230。反射構(gòu)件370包括形成在顯示區(qū)域da中的第一開(kāi)口60、70和80以及形成在外圍區(qū)域pa中的第二開(kāi)口50。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置100可以包括多個(gè)像素區(qū)域。一個(gè)像素區(qū)域可以包括發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b。反射區(qū)域b可以基本上圍繞發(fā)光區(qū)域a。開(kāi)關(guān)元件250、第一電極290、發(fā)光層330和部分的第二電極340可以設(shè)置在發(fā)光區(qū)域a中。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，開(kāi)關(guān)元件250可以設(shè)置在反射區(qū)域b中。

顯示圖像可以顯示在發(fā)光區(qū)域a中。位于有機(jī)發(fā)光顯示裝置100前方的物體的圖像可以反映在反射區(qū)域b中。

發(fā)光結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在第一基底110上。第一基底110可以由透明材料形成。例如，第一基底110可以包括石英、合成石英、氟化鈣、氟摻雜石英、鈉鈣玻璃、無(wú)堿玻璃等?？蛇x擇地，第一基底110可以由柔性透明樹(shù)脂基底形成。這里，用于第一基底110的柔性透明樹(shù)脂基底可以包括聚酰亞胺基底。例如，聚酰亞胺基底可以包括第一聚酰亞胺層、阻擋膜層、第二聚酰亞胺層等。

當(dāng)聚酰亞胺基底薄且柔性時(shí)，可以將聚酰亞胺基底形成在剛性玻璃基底上以有助于支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)的形成。也就是說(shuō)，在示例實(shí)施例中，第一基底110可以具有其中第一聚酰亞胺層、阻擋膜層和第二聚酰亞胺層堆疊在玻璃基底上的結(jié)構(gòu)。這里，在第二聚酰亞胺層上設(shè)置絕緣層之后，可以在絕緣層上設(shè)置發(fā)光結(jié)構(gòu)(例如，開(kāi)關(guān)元件250、電容器、第一電極290、發(fā)光層330、第二電極340等)。

在絕緣層上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)之后，可以去除玻璃基底。因?yàn)榫埘啺坊妆∏胰嵝裕詴?huì)難以直接在聚酰亞胺基底上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)。因此，在剛性玻璃基底上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，然后可以在去除玻璃基底之后將聚酰亞胺基底用作第一基底110。由于有機(jī)發(fā)光顯示裝置100包括發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b，所以第一基底110還可以包括發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b。

緩沖層115可以設(shè)置在第一基底110上。緩沖層115可以從發(fā)光區(qū)域a延伸到反射區(qū)域b中。緩沖層115可以防止來(lái)自第一基底110的金屬原子和/或雜質(zhì)的擴(kuò)散(例如，釋氣)。另外，緩沖層115可以控制用來(lái)形成有源圖案130的結(jié)晶工藝中的熱傳遞速率，從而獲得基本上均勻的有源圖案130。此外，當(dāng)?shù)谝换?10的表面相對(duì)不規(guī)則時(shí)，緩沖層115可以改善第一基底110的表面平坦度。根據(jù)第一基底110的類型，可以在第一基底110上設(shè)置至少兩個(gè)緩沖層，或者可以不存在緩沖層。

開(kāi)關(guān)元件250可以包括有源圖案130、柵電極170、源電極210和漏電極230。例如，有源圖案130可以設(shè)置在第一基底110上。有源圖案130可以由氧化物半導(dǎo)體、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體(例如，非晶硅、多晶硅等)、有機(jī)半導(dǎo)體等形成。

第一絕緣層150可以設(shè)置在有源圖案130上。第一絕緣層150可以在發(fā)光區(qū)域a中覆蓋有源圖案130，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。也就是說(shuō)，第一絕緣層150可以設(shè)置在基本上整個(gè)第一基底110上。第一絕緣層150可以由硅化合物、金屬氧化物等形成。

柵電極170可以設(shè)置在第一絕緣層150的下方設(shè)置有有源圖案130的部分上。柵電極170可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

第二絕緣層190可以設(shè)置在柵電極170上。第二絕緣層190可以在發(fā)光區(qū)域a中覆蓋柵電極170，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。也就是說(shuō)，第二絕緣層190可以設(shè)置在基本上整個(gè)第一基底110上。第二絕緣層190可以由硅化合物、金屬氧化物等形成。

源電極210和漏電極230可以設(shè)置在第二絕緣層190上。通過(guò)去除第一絕緣層150和第二絕緣層190的一部分，源電極210可以與有源圖案130的第一側(cè)接觸。通過(guò)去除第一絕緣層150和第二絕緣層190的第二部分，漏電極230可以與有源圖案130的第二側(cè)接觸。源電極210和漏電極230中的每個(gè)可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

第三絕緣層270可以設(shè)置在源電極210和漏電極230上。第三絕緣層270可以在發(fā)光區(qū)域a中覆蓋源電極210和漏電極230，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。也就是說(shuō)，第三絕緣層270可以設(shè)置在基本上整個(gè)第一基底110上。第三絕緣層270可以由硅化合物、金屬氧化物等形成。

第一電極290可以設(shè)置在第三絕緣層270上。通過(guò)去除第三絕緣層270的一部分，第一電極290可以與漏電極230接觸。也就是說(shuō)，第一電極290可以電連接到開(kāi)關(guān)元件250。第一電極290可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

在本示例性實(shí)施例中，柵電極170設(shè)置在有源圖案130上。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，相反，柵電極170可以設(shè)置在有源圖案130下方。

像素限定層310可以設(shè)置在第三絕緣層270上以暴露第一電極290的一部分。像素限定層310可以由有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料形成。在這種情況下，發(fā)光層330可以設(shè)置在第一電極290的被像素限定層310暴露的部分上。

發(fā)光層330可以設(shè)置在暴露的第一電極290上。發(fā)光層330可以使用能夠產(chǎn)生不同顏色(例如，紅色、藍(lán)色和綠色)的光的發(fā)光材料來(lái)形成。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，相反，發(fā)光層330可以堆疊能夠產(chǎn)生不同顏色的光的發(fā)光材料，以便發(fā)射白色(或其它)顏色的光。

第二電極340可以設(shè)置在像素限定層310和發(fā)光層330上。第二電極340可以在發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b中覆蓋像素限定層310和發(fā)光層330，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。也就是說(shuō)，第二電極340可以電連接到第一像素至第三像素。第二電極340可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。這些可以單獨(dú)使用或以它們的任意組合使用。可以通過(guò)使用密封構(gòu)件將第一基底110結(jié)合到第二基底350。另外，填充件可以設(shè)置在第一基底110和第二基底350之間。

反射構(gòu)件370可以包括具有預(yù)定的反射率的材料。例如，反射構(gòu)件370可以包括金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鎂(mg)、鉑(pt)、鎳(ni)、鈦(ti)等?？蛇x擇地，反射構(gòu)件370可以由合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物等形成。例如，反射構(gòu)件370可以包括包含鋁的合金、氮化鋁(alnx)、包含銀的合金、氮化鎢(wnx)、包含銅的合金、氮化鉻(crnx)、包含鉬的合金、氮化鈦(tinx)、氮化鉭(tanx)、氧化鍶釕(sro)、氧化鋅(znox)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)等。

第二基底350和第一基底110可以包括基本上相同的材料。例如，第二基底350可以由石英、合成石英、氟化鈣、氟摻雜石英、鈉鈣玻璃、無(wú)堿玻璃等形成。在一些示例實(shí)施例中，第二基底350可以由透明無(wú)機(jī)材料或柔性塑料形成。例如，第二基底350可以包括柔性透明樹(shù)脂基底。在這種情況下，為了增加有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的柔性，第二基底350可以包括其中至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無(wú)機(jī)層交替地堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)。

圖3至圖8是示出制造圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。

參照?qǐng)D3，在第一基底110上形成緩沖層115。此后，在緩沖層115上形成有源圖案130和第一絕緣層150。

第一基底110可以包括石英、合成石英、氟化鈣、氟摻雜石英、鈉鈣玻璃、無(wú)堿玻璃等。

第一基底110可以由透明材料形成。例如，第一基底110可以包括石英、合成石英、氟化鈣、氟摻雜石英、鈉鈣玻璃、無(wú)堿玻璃等。可選擇地，可以由柔性透明樹(shù)脂基底形成第一基底110。這里，用于第一基底110的柔性透明樹(shù)脂基底可以包括聚酰亞胺基底。例如，聚酰亞胺基底可以包括第一聚酰亞胺層、阻擋膜層、第二聚酰亞胺層等。當(dāng)聚酰亞胺基底薄且柔性時(shí)，可以將它形成在剛性玻璃基底上以幫助支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)的形成。也就是說(shuō)，在示例實(shí)施例中，第一基底110可以具有其中第一聚酰亞胺層、阻擋膜層和第二聚酰亞胺層堆疊在玻璃基底上的結(jié)構(gòu)。這里，在第二聚酰亞胺層上設(shè)置絕緣層之后，可以在絕緣層上設(shè)置發(fā)光結(jié)構(gòu)(例如，開(kāi)關(guān)元件250、電容器、第一電極290、發(fā)光層330、第二電極340等)。

在絕緣層上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)之后，可以去除玻璃基底。因?yàn)榫埘啺坊妆∏胰嵝?，所以直接在聚酰亞胺基底上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)會(huì)是困難的。因此，可以在剛性玻璃基底上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，然后可以在去除玻璃基板之后將聚酰亞胺基底用作第一基底110。由于有機(jī)發(fā)光顯示裝置100包括發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b，所以第一基底110還可以包括發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b。

可以在第一基底110上設(shè)置緩沖層115。緩沖層115可以從發(fā)光區(qū)域a延伸到反射區(qū)域b中。緩沖層115可以防止來(lái)自第一基底110的金屬原子和/或雜質(zhì)的擴(kuò)散(例如，釋氣)。另外，緩沖層115可以控制用來(lái)形成有源圖案130的結(jié)晶工藝中的熱傳遞速率，從而獲得基本上均勻的有源圖案130。此外，當(dāng)?shù)谝换?10的表面相對(duì)不規(guī)則時(shí)，緩沖層115可以改善第一基底110的表面平坦度。根據(jù)第一基底110的類型，可以在第一基底110上設(shè)置至少兩個(gè)緩沖層，或者可以不存在緩沖層。

有源圖案130可以由氧化物半導(dǎo)體、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體(例如，非晶硅、多晶硅等)、有機(jī)半導(dǎo)體等形成。

可以在有源圖案130上設(shè)置第一絕緣層150。第一絕緣層150可以在發(fā)光區(qū)域a中覆蓋有源圖案130，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。也就是說(shuō)，第一絕緣層150可以設(shè)置在基本上整個(gè)第一基底110上。第一絕緣層150可以由硅化合物、金屬氧化物等形成。

參照?qǐng)D4，形成第一絕緣層150之后，在第一基底110上形成柵電極170、金屬線135和第二絕緣層190。

可以在第一絕緣層150的下方設(shè)置有有源圖案130的部分上設(shè)置柵電極170。柵電極170可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

金屬線135可以與柵電極170設(shè)置在相同的層上。金屬線135可以包括與柵電極170相同的材料。金屬線135可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。金屬線135可以是電連接到開(kāi)關(guān)元件250的線、電路或公共線。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，相反，金屬線135可以例如設(shè)置在與源電極210和漏電極230相同的層上。

可以在柵電極170上設(shè)置第二絕緣層190。第二絕緣層190可以在發(fā)光區(qū)域a中覆蓋柵電極170，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。也就是說(shuō)，第二絕緣層190可以設(shè)置在整個(gè)第一基底110上。第二絕緣層190可以由硅化合物、金屬氧化物等形成。

參照?qǐng)D5，形成第二絕緣層190之后，在第一基底110上形成源電極210和漏電極230。

可以在第二絕緣層190上設(shè)置源電極210和漏電極230。通過(guò)去除第一絕緣層150和第二絕緣層190的一部分，源電極210可以與有源圖案130的第一側(cè)接觸。通過(guò)去除第一絕緣層150和第二絕緣層190的第二部分，漏電極230可以與有源圖案130的第二側(cè)接觸。源電極210和漏電極230中的每個(gè)可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

在本示例性實(shí)施例中，柵電極170設(shè)置在有源圖案130上。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，相反，柵電極170可以例如設(shè)置在有源圖案130下方。

參照?qǐng)D6，在第一基底110上在源電極210和漏電極230的上方形成第三絕緣層270和第一電極290。

可以在源電極210和漏電極230上設(shè)置第三絕緣層270。第三絕緣層270可以在發(fā)光區(qū)域a中覆蓋源電極210和漏電極230，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。也就是說(shuō)，第三絕緣層270可以設(shè)置在基本上整個(gè)第一基底110上。第三絕緣層270可以由硅化合物、金屬氧化物等形成。

可以在第三絕緣層270上設(shè)置第一電極290。通過(guò)去除第三絕緣層270的一部分，第一電極290可以與漏電極230接觸。另外，第一電極290可以電連接到開(kāi)關(guān)元件250。第一電極290可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

參照?qǐng)D7，在第一基底110上在第一電極290上方形成像素限定層310、發(fā)光層330和第二電極340。

可以在第三絕緣層270上設(shè)置像素限定層310，以暴露第一電極290的一部分。像素限定層310可以由有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料形成。在這種情況下，可以在第一電極290的被像素限定層310暴露的部分上設(shè)置發(fā)光層330。

可以在暴露的第一電極290上設(shè)置發(fā)光層330?？梢允褂媚軌虍a(chǎn)生不同顏色(例如，紅色、藍(lán)色和綠色)的光的發(fā)光材料來(lái)形成發(fā)光層330。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，相反，發(fā)光層330可以堆疊能夠產(chǎn)生不同顏色的光的發(fā)光材料，以便發(fā)射白色或其它顏色的光。

可以在像素限定層310和發(fā)光層330上設(shè)置第二電極340。第二電極340可以在發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b中覆蓋像素限定層310和發(fā)光層330，并且可以在第一基底110上沿第一方向延伸。也就是說(shuō)，第二電極340可以電連接到開(kāi)口60中的第一像素、開(kāi)口70中的第二像素和開(kāi)口80中的第三像素。第二電極340可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。這些可以單獨(dú)使用或以它們的任意組合使用。

可以不在外圍區(qū)域pa中形成(即，可以從外圍區(qū)域pa去除)像素限定層310和第二電極340。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，可以在外圍區(qū)域pa中或者外圍區(qū)域pa的至少一部分中形成像素限定層310和第二電極340中的至少一個(gè)。

參照?qǐng)D8，在第二基底350上形成反射構(gòu)件370。

第二基底350和第一基底110可以包括基本上相同的材料。例如，第二基底350可以由石英、合成石英、氟化鈣、氟摻雜石英、鈉鈣玻璃、無(wú)堿玻璃等形成。

反射構(gòu)件370可以包括設(shè)置在顯示區(qū)域da中的第一反射部分371和設(shè)置在外圍區(qū)域pa中的第二反射部分372。第一反射部分371可以與第二反射部分372一體地形成。

反射構(gòu)件370可以包括具有預(yù)定的反射率的材料。例如，反射構(gòu)件370可以包括金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鎂(mg)、鉑(pt)、鎳(ni)、鈦(ti)等?？蛇x擇地，反射構(gòu)件370可以由合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物等形成。例如，反射構(gòu)件370可以包括包含鋁的合金、氮化鋁(alnx)、包含銀的合金、氮化鎢(wnx)、包含銅的合金、氮化鉻(crnx)、包含鉬的合金、氮化鈦(tinx)、氮化鉭(tanx)、氧化鍶釕(sro)、氧化鋅(znox)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)等。

第一反射部分371可以具有多個(gè)第一開(kāi)口60、70和80。第二反射部分372可以具有與第一開(kāi)口60、70和80具有相同的一般形狀的多個(gè)第二開(kāi)口50。例如，第一開(kāi)口60、70和80以及第二開(kāi)口50可以具有四邊形形狀。第二開(kāi)口50可以具有與第一開(kāi)口60、70和80相同的形狀和相同的尺寸。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，相反，第二開(kāi)口50可以具有與第一開(kāi)口60、70和80不同的形狀和/或不同的尺寸。

第一反射部分371可以具有多個(gè)第一開(kāi)口60、70和80。第二反射部分372可以具有多個(gè)第二開(kāi)口50。因?yàn)榈诙_(kāi)口50具有與第一開(kāi)口60、70和80相同的形狀，所以第一反射部分371的反射率可以與第二反射部分372的反射率相同。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，當(dāng)?shù)谝环瓷洳糠?71的反射率與第二反射部分372的反射率不同時(shí)，為了調(diào)整第二反射部分372的反射率，可以改變第二開(kāi)口50的形狀、尺寸和數(shù)量。

圖9是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖。圖10是沿圖9的線iii-iii'和線iv-iv'截取的剖視圖。

除了存在光阻擋圖案1315之外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置與圖1和圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置基本上相同，因此相同的標(biāo)號(hào)用于相同的元件并且將省略重復(fù)的說(shuō)明。

參照?qǐng)D9和圖10，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括光阻擋圖案1315。

光阻擋圖案1315與金屬線1135疊置。光阻擋圖案1315可以設(shè)置在與像素限定層1310相同的層上。

光阻擋圖案1315可以包括不透明材料。例如，光阻擋圖案1315可以包括黑色有機(jī)材料。光阻擋圖案1315可以包括碳或鈷。因此，光阻擋圖案1315可以阻擋由于金屬布線反射的光。

反射構(gòu)件1370可以包括設(shè)置在顯示區(qū)域da中的第一反射部分1371和設(shè)置在外圍區(qū)域pa中的第二反射部分1372。第一反射部分1371可以與第二反射部分1372一體地形成。

第一反射部分1371可以具有多個(gè)第一開(kāi)口60、70和80。第二反射部分1372可以具有與第一開(kāi)口60、70和80具有基本上相同的形狀的多個(gè)第二開(kāi)口50。第一開(kāi)口60、70和80以及第二開(kāi)口50可以具有大致四邊形形狀。第二開(kāi)口50可以具有與第一開(kāi)口60、70和80相同的形狀和相同的尺寸。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，第二開(kāi)口50可以可選擇地具有與第一開(kāi)口60、70和80不同的形狀和不同的尺寸。

第一反射部分1371可以具有多個(gè)第一開(kāi)口60、70和80。第二反射部分1372可以具有多個(gè)第二開(kāi)口50。因?yàn)榈诙_(kāi)口50具有與第一開(kāi)口60、70和80相同的形狀，所以第一反射部分1371的反射率可以與第二反射部分1372的反射率相同。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，當(dāng)?shù)谝环瓷洳糠?371的反射率與第二反射部分1372的反射率不同時(shí)，為了調(diào)整第二反射部分1372的反射率，可以改變第二開(kāi)口50的形狀、尺寸和數(shù)量。

在本示例性實(shí)施例中，由于光阻擋圖案1315與金屬線1135疊置，因此光阻擋圖案1315可以阻擋由于來(lái)自金屬線1135反射的光。由于來(lái)自下基底的光被阻擋，所以反射構(gòu)件1370的反射率可以是恒定的。因此，可以通過(guò)調(diào)整第二開(kāi)口50的形狀、尺寸和數(shù)量來(lái)調(diào)整第二反射部分1372的反射率。第二反射部分1372的反射率可以與第一反射部分1371的反射率基本上相同。

圖11至圖13是示出制造圖10的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。

參照?qǐng)D11，在其上形成有源電極1210和漏電極1230的第一基底1110上，形成第三絕緣層1270和第一電極1290。

可以在源電極1210和漏電極1230上設(shè)置第三絕緣層1270。第三絕緣層1270可以在發(fā)光區(qū)域a中覆蓋源電極1210和漏電極1230，并且可以在第一基底1110上沿第一方向延伸。也就是說(shuō)，第三絕緣層1270可以設(shè)置在整個(gè)第一基底1110上。第三絕緣層1270可以由硅化合物、金屬氧化物等形成。

可以在第三絕緣層1270上設(shè)置第一電極1290。通過(guò)去除第三絕緣層1270的一部分，第一電極1290可以與漏電極1230接觸。按照這種方式，第一電極1290可以電連接到開(kāi)關(guān)元件1250。第一電極1290可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

參照?qǐng)D12，在其上形成有第一電極1290的第一基底1110上，形成像素限定層1310、光阻擋圖案1315、發(fā)光層1330和第二電極1340。

可以在第三絕緣層1270上設(shè)置像素限定層1310，以暴露第一電極1290的一部分。像素限定層1310可以由有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料形成。在這種情況下，發(fā)光層1330可以設(shè)置在第一電極1290的被像素限定層1310暴露的部分上。

光阻擋圖案1315可以包括不透明材料。例如，光阻擋圖案1315可以包括黑色有機(jī)材料。光阻擋圖案1315可以包括碳或鈷。因此，光阻擋圖案1315可以阻擋由于金屬布線反射的光。

可以在暴露的第一電極1290上設(shè)置發(fā)光層1330。可以使用能夠產(chǎn)生不同顏色(例如，紅色、藍(lán)色和綠色)的光的發(fā)光材料來(lái)形成發(fā)光層1330。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，發(fā)光層1330可以堆疊能夠產(chǎn)生不同顏色的光的發(fā)光材料，以便發(fā)射白色或其它顏色的光。

可以在像素限定層1310和發(fā)光層1330上設(shè)置第二電極1340。第二電極1340可以在發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b中覆蓋像素限定層1310和發(fā)光層1330，并且可以在第一基底1110上沿第一方向延伸。也就是說(shuō)，第二電極1340可以電連接到第一像素至第三像素。第二電極1340可以由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。這些可以單獨(dú)使用或以它們的任意組合使用。

參照?qǐng)D13，在第二基底1350上形成反射構(gòu)件1370。

第二基底1350和第一基底1110可以包括基本上相同的材料。例如，第二基底1350可以由石英、合成石英、氟化鈣、氟摻雜石英、鈉鈣玻璃、無(wú)堿玻璃等形成。

反射構(gòu)件1370可以包括設(shè)置在顯示區(qū)域da中的第一反射部分1371和設(shè)置在外圍區(qū)域pa中的第二反射部分1372。第一反射部分1371可以與第二反射部分1372一體地形成。

反射構(gòu)件1370可以包括具有預(yù)定的反射率的材料。例如，反射構(gòu)件1370可以包括金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鎂(mg)、鉑(pt)、鎳(ni)、鈦(ti)等?？蛇x擇地，反射構(gòu)件1370可以由合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物等形成。例如，反射構(gòu)件1370可以包括包含鋁的合金、氮化鋁(alnx)、包含銀的合金、氮化鎢(wnx)、包含銅的合金、氮化鉻(crnx)、包含鉬的合金、氮化鈦(tinx)、氮化鉭(tanx)、氧化鍶釕(sro)、氧化鋅(znox)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)等。

第一反射部分1371可以具有多個(gè)第一開(kāi)口60、70和80。第二反射部分1372可以具有與第一開(kāi)口60、70和80具有至少近似相同的形狀的多個(gè)第二開(kāi)口50。第一開(kāi)口60、70和80以及第二開(kāi)口50可以具有大致四邊形形狀。第二開(kāi)口50可以具有與第一開(kāi)口60、70和80大體上相同的形狀和相同的尺寸。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，相反，第二開(kāi)口50可以具有與第一開(kāi)口60、70和80不同的形狀和不同的尺寸。

因?yàn)榈诙_(kāi)口50具有與第一開(kāi)口60、70和80相同的形狀，所以第一反射部分1371的反射率可以與第二反射部分1372的反射率相同。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，當(dāng)?shù)谝环瓷洳糠?371的反射率與第二反射部分1372的反射率不同時(shí)，為了調(diào)整第二反射部分1372的反射率，可以改變第二開(kāi)口50的形狀、尺寸和數(shù)量。

圖14是沿圖9的線iii-iii'和線iv-iv'截取的剖視圖。

除了像素限定層1310之外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置與圖10的有機(jī)發(fā)光顯示裝置基本上相同，因此相同的標(biāo)號(hào)用于相同的元件，并且將省略重復(fù)的說(shuō)明。

參照?qǐng)D14，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括與像素限定層1310一體地形成的光阻擋圖案1315。

光阻擋圖案1315與金屬線1135疊置。光阻擋圖案1315可以設(shè)置在與像素限定層1310相同的層上。

像素限定層1310可以包括不透明材料。例如，像素限定層1310可以包括黑色有機(jī)材料。像素限定層1310可以包括碳或鈷。

光阻擋圖案1315可以由與可以包括不透明材料的像素限定層1310相同的材料形成。例如，光阻擋圖案1315可以包括黑色有機(jī)材料。光阻擋圖案1315可以包括碳或鈷。因此，光阻擋圖案1315可以阻擋由于金屬布線反射的光。

圖15是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖。圖16a、16b和16c是沿圖15的線v-v'和線vi-vi'截取的剖視圖。

除了第一反射構(gòu)件2370和第二反射構(gòu)件2390之外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置與圖1和圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置基本上相同。因此，相同的標(biāo)號(hào)用于相同的元件并且將省略重復(fù)的說(shuō)明。

參照?qǐng)D15、圖16a、圖16b和圖16c，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括第一反射構(gòu)件2370和第二反射構(gòu)件2390。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的反射構(gòu)件包括設(shè)置在反射區(qū)域b中的第一反射構(gòu)件2370以及設(shè)置在發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b中的第二反射構(gòu)件2390。

第一反射構(gòu)件2370的反射率可以與第二反射構(gòu)件2390的反射率不同。第二反射構(gòu)件2390的厚度可以比第一反射構(gòu)件2370的厚度薄。一部分光可以穿透第二反射構(gòu)件2390，一部分光可以被第二反射構(gòu)件2390反射。當(dāng)反射構(gòu)件僅包括第一反射構(gòu)件2370時(shí)，會(huì)在第一反射構(gòu)件2370的邊緣處發(fā)生散射反射。然而，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括設(shè)置在發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b中的第二反射構(gòu)件2390。因此，可以減少來(lái)自第一反射構(gòu)件2370的邊緣的散射反射。

在圖16a的示例性實(shí)施例中，第一反射構(gòu)件2370可以設(shè)置在第二基底2350的第一(例如，下)表面上，第二反射構(gòu)件2390可以設(shè)置在第二基底2350的與第一表面相對(duì)的第二(例如，上)表面上。也就是說(shuō)，第一反射構(gòu)件2370可以設(shè)置在第二基底2350下方，第二反射構(gòu)件2390可以設(shè)置在第二基底2350上方。第四絕緣層2395可以設(shè)置在第二反射構(gòu)件2390上。

在圖16b的示例性實(shí)施例中，第一反射構(gòu)件2370和第二反射構(gòu)件2390可以設(shè)置在第二基底2350的第一(例如，下)表面上。例如，第一反射構(gòu)件2370可以設(shè)置在第二基底2350下方，第二反射構(gòu)件2390可以設(shè)置在第二基底2350和第一反射構(gòu)件2370之間。

在圖16c的示例性實(shí)施例中，第一反射構(gòu)件2370和第二反射構(gòu)件2390都可以設(shè)置在第二基底2350的第一(例如，下)表面上。例如，第二反射構(gòu)件2390可以設(shè)置在第二基底2350下方，第一反射構(gòu)件2370可以設(shè)置在第二基底2350和第二反射構(gòu)件2390之間。

圖17至圖19是示出制造圖16a的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。

參照?qǐng)D17，在其上形成有第一電極2290的第一基底2110上形成像素限定層2310、發(fā)光層2330和第二電極2340。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法與圖3至圖7的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法基本上相同，因此相同的標(biāo)號(hào)用于相同的元件并且將省略重復(fù)的說(shuō)明。

參照?qǐng)D18，在第二基底2350的第一表面上形成第一反射構(gòu)件2370。

第二基底2350和第一基底2110可以包括基本上相同的材料。例如，第二基底2350可以由石英、合成石英、氟化鈣、氟摻雜石英、鈉鈣玻璃、無(wú)堿玻璃等形成。

第一反射構(gòu)件2370可以包括設(shè)置在顯示區(qū)域da中的第一反射部分2371和設(shè)置在外圍區(qū)域pa中的第二反射部分2372。第一反射部分2371可以與第二反射部分2372一體地形成。

參照?qǐng)D19，在與第二基底2350的第一(下)表面相對(duì)的第二(上)表面上形成第二反射構(gòu)件2390。在第二反射構(gòu)件2390上形成第四絕緣層2395。

第二反射構(gòu)件2390直接形成在第二基底2350的與第一表面相對(duì)的第二表面上。第二反射構(gòu)件2390設(shè)置在發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b中。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，相反，絕緣層可以例如設(shè)置在第二基底2350和第二反射構(gòu)件2390之間。

圖20是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖。圖21是沿圖20的線vii-vii'和線viii-viii'截取的剖視圖。

除了薄膜包封層3410和第四絕緣層3420之外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置與圖1和圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置基本上相同。因此，相同的標(biāo)號(hào)用于相同的元件并且將省略重復(fù)的說(shuō)明。

參照?qǐng)D20和圖21，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括形成在第二電極3340上的薄膜包封層3410以及形成在反射構(gòu)件3370上的第四絕緣層3420。

薄膜包封層3410可包括至少一個(gè)無(wú)機(jī)層和至少一個(gè)有機(jī)層。例如，薄膜包封層3410可以通過(guò)堆疊(例如，順序地堆疊)第一無(wú)機(jī)層、有機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層來(lái)形成。

例如，有機(jī)層可以由聚合物形成，并且本身可以是由例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹(shù)脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一種形成的單層或多層(例如，堆疊層)。有機(jī)層也可以由聚丙烯酸酯形成；例如，有機(jī)層可以包括包含二丙烯酸酯單體或三丙烯酸酯單體的聚合的單體組合物。單體組合物還可以包括單丙烯酸酯單體。單體組合物還可以包括諸如熱塑性聚烯烴(tpo)的合適的光引發(fā)劑，但是不限于此。

第一無(wú)機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。例如，第一無(wú)機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層可以包括氮化硅(例如sinx)、氧化鋁(例如al2o3)、氧化硅(例如sio2)和氧化鈦(例如tio2)中的一種。在這種情況下，第二無(wú)機(jī)層可以形成為或構(gòu)造為防止或減少濕氣滲透到發(fā)光結(jié)構(gòu)中。

然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，并預(yù)期其它構(gòu)造。例如，薄膜包封層3410可以通過(guò)堆疊(例如，順序堆疊)第一無(wú)機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無(wú)機(jī)層、第二有機(jī)層和第三無(wú)機(jī)層來(lái)形成。

反射構(gòu)件3370形成在薄膜包封層3410上。

反射構(gòu)件3370可以包括設(shè)置在顯示區(qū)域da中的第一反射部分3371和設(shè)置在外圍區(qū)域pa中的第二反射部分3372。第一反射部分3371可以與第二反射部分3372一體地形成。

反射構(gòu)件3370可以包括具有預(yù)定的反射率的材料。例如，反射構(gòu)件3370可以包括金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鎂(mg)、鉑(pt)、鎳(ni)、鈦(ti)等?？蛇x擇地，反射構(gòu)件3370可以由合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物等形成。例如，反射構(gòu)件3370可以包括包含鋁的合金、氮化鋁(alnx)、包含銀的合金、氮化鎢(wnx)、包含銅的合金、氮化鉻(crnx)、包含鉬的合金、氮化鈦(tinx)、氮化鉭(tanx)、氧化鍶釕(sro)、氧化鋅(znox)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)等。

第一反射部分3371可以具有多個(gè)第一開(kāi)口60、70和80。第二反射部分3372可以具有與第一開(kāi)口60、70和80具有大體上相同的形狀多個(gè)第二開(kāi)口50。第一開(kāi)口60、70和80以及第二開(kāi)口50可以具有例如大體上的四邊形形狀。第二開(kāi)口50可以具有與第一開(kāi)口60、70和80近似地相同的形狀和相同的尺寸。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，相反，第二開(kāi)口50可以具有與第一開(kāi)口60、70和80不同的形狀和不同的尺寸。

第一反射部分3371可以具有多個(gè)第一開(kāi)口60、70和80。第二反射部分3372可以具有多個(gè)第二開(kāi)口50。因?yàn)榈诙_(kāi)口50具有與第一開(kāi)口60、70和80相同的形狀，所以第一反射部分3371的反射率可以與第二反射部分3372的反射率大致相同。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，當(dāng)?shù)谝环瓷洳糠?371的反射率與第二反射部分3372的反射率不同時(shí)，為了調(diào)整第二反射部分3372的反射率，可以改變第二開(kāi)口50的形狀、尺寸和數(shù)量。

第四絕緣層3420可以設(shè)置在反射構(gòu)件3370上。第四絕緣層3420可以由硅化合物、金屬氧化物等形成。

圖22是沿圖20的線vii-vii'和線viii-viii'截取的剖視圖。

除了第一反射構(gòu)件3370和第二反射構(gòu)件3390之外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置與圖21的有機(jī)發(fā)光顯示裝置基本上相同，因此相同的標(biāo)號(hào)用于相同的元件并且將省略重復(fù)的說(shuō)明。

參照?qǐng)D22，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的反射構(gòu)件可以包括設(shè)置在反射區(qū)域b中的第一反射構(gòu)件3370以及設(shè)置在發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b中的第二反射構(gòu)件3390。

第一反射構(gòu)件3370形成在薄膜包封層3410上。第二反射構(gòu)件3390在第一反射構(gòu)件3370上方設(shè)置在薄膜包封層3410上。

第一反射構(gòu)件3370的反射率可以與第二反射構(gòu)件3390的反射率不同。第二反射構(gòu)件3390的厚度可以比第一反射構(gòu)件3370的厚度薄。一部分光可以穿透第二反射構(gòu)件3390，一部分光可以被第二反射構(gòu)件3390反射。當(dāng)反射構(gòu)件僅包括第一反射構(gòu)件3370時(shí)，會(huì)在第一反射構(gòu)件3370的邊緣處發(fā)生散射反射。然而，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括設(shè)置在發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b中的第二反射構(gòu)件3390。因此，可以減少在第一反射構(gòu)件3370的邊緣處發(fā)生的散射反射。

圖23是沿圖20的線vii-vii'和線viii-viii'截取的剖視圖。

除了第一反射構(gòu)件3370和第二反射構(gòu)件3390之外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置與圖21的有機(jī)發(fā)光顯示裝置基本上相同，因此相同的標(biāo)號(hào)用于相同的元件并且將省略重復(fù)的說(shuō)明。

參照?qǐng)D23，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的反射構(gòu)件可以包括設(shè)置在反射區(qū)域b中的第一反射構(gòu)件3370以及設(shè)置在發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b中的第二反射構(gòu)件3390。

第二反射構(gòu)件3390形成在薄膜包封層3410上。第一反射構(gòu)件3370設(shè)置在第二反射構(gòu)件3390上。

第一反射構(gòu)件3370的反射率可以與第二反射構(gòu)件3390的反射率不同。第二反射構(gòu)件3390的厚度可以比第一反射構(gòu)件3370的厚度薄。一部分光可以穿透第二反射構(gòu)件3390，一部分光可以被第二反射構(gòu)件3390反射。當(dāng)反射構(gòu)件僅包括第一反射構(gòu)件3370時(shí)，會(huì)在第一反射構(gòu)件3370的邊緣處發(fā)生散射反射。然而，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括設(shè)置在發(fā)光區(qū)域a和反射區(qū)域b中的第二反射構(gòu)件3390。因此，可以減少在第一反射構(gòu)件3370的邊緣處發(fā)生的散射反射。

圖24至圖26是示出制造圖21的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。

參照?qǐng)D24，在其上形成有第一電極3290的第一基底3110上形成像素限定層3310、發(fā)光層3330和第二電極3340。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法與圖3至圖7的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法基本上相同，因此相同的標(biāo)號(hào)用于相同的元件并且將省略重復(fù)的說(shuō)明。

參照?qǐng)D25，在其上形成有第二電極3340的第一基底3110上形成薄膜包封層3410。

可以通過(guò)堆疊(例如，順序地堆疊)第一無(wú)機(jī)層、有機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層形成薄膜包封層3410。

例如，有機(jī)層可以由聚合物形成，并且還可以是由例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹(shù)脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一種形成的單層或多層(例如，堆疊層)。有機(jī)層也可以由聚丙烯酸酯形成；例如，有機(jī)層可以包括包含二丙烯酸酯單體或三丙烯酸酯單體的聚合的單體組合物。單體組合物還可以包括單丙烯酸酯單體。單體組合物還可以包括諸如熱塑性聚烯烴(tpo)的合適的光引發(fā)劑，但是不限于此。

第一無(wú)機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。例如，第一無(wú)機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層可以包括氮化硅(例如sinx)、氧化鋁(例如al2o3)、氧化硅(例如sio2)和氧化鈦(例如tio2)中的一種。在這種情況下，第二無(wú)機(jī)層可以形成為或構(gòu)造為防止或減少濕氣滲透到發(fā)光結(jié)構(gòu)中。

參照?qǐng)D26，在其上形成有薄膜包封層3410的第一基底3110上形成反射構(gòu)件3370。

反射構(gòu)件3370可以包括設(shè)置在顯示區(qū)域da中的第一反射部分3371和設(shè)置在外圍區(qū)域pa中的第二反射部分3372。第一反射部分3371可以與第二反射部分3372一體地形成。

參照?qǐng)D21，在其上形成有反射構(gòu)件3370的第一基底3110上形成第四絕緣層3420。

第四絕緣層3420可以設(shè)置在反射構(gòu)件3370上。第四絕緣層3420可以由硅化合物、金屬氧化物等形成。

圖27是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖。圖28是沿著圖27的線ix-ix'和線x-x'截取的剖視圖。

除了光阻擋圖案4315、薄膜包封層4410和第四絕緣層4420之外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置與圖1和圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置基本上相同，因此相同的標(biāo)號(hào)用于相同的元件并且將省略重復(fù)的說(shuō)明。

參照?qǐng)D27和圖28，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括光阻擋圖案4315、形成在第二電極4340和光阻擋圖案4315上的薄膜包封層4410以及形成在反射構(gòu)件4370上的第四絕緣層4420。

光阻擋圖案4315與金屬線4135疊置。光阻擋圖案4315可以設(shè)置在與像素限定層4310相同的層上。

光阻擋圖案4315可以包括不透明材料。例如，光阻擋圖案4315可以包括黑色有機(jī)材料。光阻擋圖案4315可以包括碳或鈷。因此，光阻擋圖案4315可以阻擋由于被諸如下面的金屬線4135的金屬布線反射的光。

薄膜包封層4410可以通過(guò)堆疊(例如，順序地堆疊)第一無(wú)機(jī)層、有機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層來(lái)形成。

例如，有機(jī)層可以由聚合物形成，并且還可以是由例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹(shù)脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一種形成的單層或多層(例如，堆疊層)。有機(jī)層也可以由聚丙烯酸酯形成；例如，有機(jī)層可以包括包含二丙烯酸酯單體或三丙烯酸酯單體的聚合的單體組合物。單體組合物還可以包括單丙烯酸酯單體。單體組合物還可以包括諸如熱塑性聚烯烴(tpo)的合適的光引發(fā)劑，但是不限于此。

第一無(wú)機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。例如，第一無(wú)機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層可以包括氮化硅(例如sinx)、氧化鋁(例如al2o3)、氧化硅(例如sio2)和氧化鈦(例如tio2)中的一種。在這種情況下，第二無(wú)機(jī)層可以形成為或構(gòu)造為防止或減少濕氣滲透到發(fā)光結(jié)構(gòu)中。

然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于以上所述。例如，作為替代，薄膜包封層4410可以通過(guò)堆疊(例如，順序堆疊)第一無(wú)機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無(wú)機(jī)層、第二有機(jī)層和第三無(wú)機(jī)層來(lái)形成。

反射構(gòu)件4370形成在薄膜包封層4410上。第四絕緣層4420可以設(shè)置在反射構(gòu)件4370上。第四絕緣層4420可以由硅化合物、金屬氧化物等形成。

圖29至圖31是示出制造圖28的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。

參照?qǐng)D29，在其上形成有第一電極4290的第一基底4110上形成像素限定層4310、光阻擋圖案4315、發(fā)光層4330和第二電極4340。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法與圖3至圖7的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法基本上相同，因此相同的標(biāo)號(hào)用于相同的元件并且將省略重復(fù)的說(shuō)明。

光阻擋圖案4315與金屬線4135疊置?？梢栽谂c像素限定層4310相同的層上設(shè)置光阻擋圖案4315。

光阻擋圖案4315可以包括不透明材料。例如，光阻擋圖案4315可以包括黑色有機(jī)材料。光阻擋圖案4315可以包括碳或鈷。因此，光阻擋圖案4315可以阻擋由于金屬布線反射的光。

參照?qǐng)D30，在其上形成有第二電極4340的第一基底4110上形成薄膜包封層4410。

可以通過(guò)堆疊(例如，順序地堆疊)第一無(wú)機(jī)層、有機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層形成薄膜包封層4410。

例如，有機(jī)層可以由聚合物形成，并且還可以是由例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹(shù)脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一種形成的單層或多層(例如，堆疊層)。有機(jī)層也可以由聚丙烯酸酯形成；例如，有機(jī)層可以包括包含二丙烯酸酯單體或三丙烯酸酯單體的聚合的單體組合物。單體組合物還可以包括單丙烯酸酯單體。單體組合物還可以包括諸如熱塑性聚烯烴(tpo)的合適的光引發(fā)劑，但是不限于此。

第一無(wú)機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。例如，第一無(wú)機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層可以包括氮化硅(例如sinx)、氧化鋁(例如al2o3)、氧化硅(例如sio2)和氧化鈦(例如tio2)中的一種。在這種情況下，第二無(wú)機(jī)層可以形成為或構(gòu)造為防止或減少濕氣滲透到發(fā)光結(jié)構(gòu)中。

參照?qǐng)D31，在其上形成有薄膜包封層4410的第一基底4110上形成反射構(gòu)件4370。

反射構(gòu)件4370可以包括設(shè)置在顯示區(qū)域da中的第一反射部分4371和設(shè)置在外圍區(qū)域pa中的第二反射部分4372。第一反射部分4371可以與第二反射部分4372一體地形成。

參照?qǐng)D28，在其上形成有反射構(gòu)件4370的第一基底4110上形成第四絕緣層4420。

第四絕緣層4420可以設(shè)置在反射構(gòu)件4370上。第四絕緣層4420可以由硅化合物、金屬氧化物等形成。

圖32是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖。圖33是沿圖32的線xi-xi'和線xii-xii'截取的剖視圖。

除了第二開(kāi)口50和密封構(gòu)件5400之外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置與圖1和圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置基本上相同，因此相同的標(biāo)號(hào)用于相同的元件并且將省略重復(fù)的說(shuō)明。

參照?qǐng)D32和圖33，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括將第一基底5110和第二基底5350結(jié)合到一起的密封構(gòu)件5400。

密封構(gòu)件5400在第一基底5110和第二基底5350之間設(shè)置在外圍區(qū)域pa中。密封構(gòu)件5400可以包封顯示區(qū)域da。

第二開(kāi)口50可以形成在外圍區(qū)域pa中。例如，第二開(kāi)口50可以形成在密封構(gòu)件5400與顯示區(qū)域da之間的區(qū)域中以及密封構(gòu)件5400與第一基底5110和第二基底5350的端部之間的區(qū)域中。例如，第二開(kāi)口50可以與密封構(gòu)件5400疊置。

根據(jù)示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括包含設(shè)置在顯示區(qū)域中的第一反射部分和設(shè)置在外圍區(qū)域中的第二反射部分的反射構(gòu)件。另外，第二反射部分具有具備與形成在第一反射部分中的開(kāi)口大致相同的形狀的開(kāi)口。因此，第一反射部分的反射率可以與第二反射部分的反射率相同，因此第一反射部分和第二反射部分可以作為整體反射構(gòu)件呈現(xiàn)給觀察者。因此，可以制造無(wú)框鏡面有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

另外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括設(shè)置在外圍區(qū)域中并且與金屬線疊置的光阻擋圖案，因此光阻擋圖案可以阻擋由于金屬線反射的光。由于來(lái)自下基底的光被阻擋，所以反射構(gòu)件的反射率可以是恒定的。因此，可以通過(guò)調(diào)整第二開(kāi)口的形狀、尺寸和數(shù)量來(lái)調(diào)整第二反射部分的反射率。第二反射部分的反射率可以與第一反射部分的反射率基本上相同。

另外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括薄膜包封層。因此，可以制造具有鏡子功能和觸摸功能的柔性有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

前述是本發(fā)明構(gòu)思的說(shuō)明，而不應(yīng)被解釋為對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的限制。雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明構(gòu)思的一些示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解的是，在實(shí)質(zhì)上不脫離本發(fā)明構(gòu)思的新穎教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，示例性實(shí)施例中許多修改是可能的。因此，所有這樣的修改旨在包括在如權(quán)利要求中限定的本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求書(shū)中，功能性限定旨在覆蓋這里被描述為執(zhí)行所述功能的結(jié)構(gòu)，不僅覆蓋結(jié)構(gòu)等同物，而且覆蓋等同的結(jié)構(gòu)。因此，將理解的是，上文是對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的說(shuō)明，而不應(yīng)被解釋對(duì)公開(kāi)的具體示例性實(shí)施例的限制，對(duì)公開(kāi)的示例性實(shí)施例以及其它示例性實(shí)施例的修改旨在包括在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。本發(fā)明構(gòu)思由權(quán)利要求以及這里包括的權(quán)利要求的等同物來(lái)限定。上述和其它實(shí)施例的各種特征可以以任何方式混合和匹配，以產(chǎn)生與本發(fā)明一致的更多的實(shí)施例。