本申請要求2015年12月15日提交的韓國專利申請第10-2015-0178962號的權(quán)益，通過引用將其如在本文中完全陳述一樣并入本文以用于所有目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及反射式顯示裝置。

背景技術(shù)：

近來，隨著信息時代的發(fā)展，用于處理和顯示大量信息的顯示技術(shù)已經(jīng)得到快速地發(fā)展。響應(yīng)于這種趨勢，各種顯示裝置已經(jīng)被引入且引起關(guān)注。顯示裝置的具體示例包括液晶顯示(LCD)裝置、等離子體顯示面板(PDP)裝置、場發(fā)射顯示(FED)裝置、電致發(fā)光顯示(ELD)裝置以及有機發(fā)光顯示(OLED)裝置。

近來，顯示裝置已經(jīng)具有了薄輪廓、輕重量以及低功耗的特性，從而顯示裝置的應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)地增加。特別是，顯示裝置已經(jīng)被用作在大多數(shù)電子設(shè)備和移動設(shè)備中的用戶界面之一。

另外，近來，對于分成反射區(qū)和顯示區(qū)的反射式顯示裝置，已經(jīng)活躍地進行了許多研究。反射式顯示裝置可以在不顯示圖像時通過反射光而被用作鏡子并且在顯示圖像時被用作一般的顯示裝置。

然而，在這種情況下，因為反射率不被控制而總是保持高反射率，所以當顯示圖像時由于對比度低所以反射式顯示裝置不能被合適地作為顯示裝置工作。

圖1是示出常規(guī)反射式顯示裝置的簡圖。

如圖1所示，常規(guī)反射式顯示裝置包括顯示區(qū)和反射區(qū)。

在顯示區(qū)上形成有薄膜晶體管T。其中薄膜晶體管包括第一基板10、有源層11、柵極絕緣膜12、柵電極13、層間電介質(zhì)14、源電極15以及漏電極16，并且在薄膜晶體管T上以合適的順序形成有鈍化層20和平坦化層30。

在平坦化層30上形成有陽極電極40和輔助電極50。輔助電極用于減少陰極電極80的電阻，后續(xù)將對此進行描述。在陽極電極40和輔助電極50上形成有堤部60以限定像素區(qū)，在由堤部60限定的像素區(qū)中形成有有機發(fā)光層70，并且在有機發(fā)光層70上形成有陰極電極80。

在第二基板90上形成有黑矩陣91和濾色器92。

在第二基板90的反射區(qū)上布置有反射金屬93。當在顯示區(qū)上不顯示圖像時，反射金屬93可以通過反射光而用作鏡子。

然而，當Ag、Ag合金以及Al用作高反射率的反射金屬93時，由于對第二基板90的低的粘合而會發(fā)生缺陷。另外，如果在第二基板90與反射金屬93之間添加粘合層以解決這個問題，則由于粘合層的厚度而使得反射的光的顏色會改變。

以上所描述的相關(guān)技術(shù)基于發(fā)明人所擁有的技術(shù)信息，該技術(shù)信息用以得到本發(fā)明或者在得到本發(fā)明的過程中得到，并且在提交本發(fā)明的申請之前不一定為公眾所知。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

實施方案涉及包括第一基板以及具有面對第一基板的第一表面的第二基板的顯示裝置。第一基板和第二基板分為多個顯示區(qū)和多個反射區(qū)。在第一基板上的多個顯示區(qū)中有多個薄膜晶體管。在第一基板與第二基板之間有多個顯示元件，并且顯示元件配置為由所述多個薄膜晶體管驅(qū)動。在第二基板的第一表面上的多個反射區(qū)中有多個光學(xué)層。所述多個光學(xué)層配置為由入射到光學(xué)層上的第二顏色的光產(chǎn)生第一顏色的光。在光學(xué)層上有多個反射層并且所述多個反射層配置為將通過光學(xué)層的光朝著光學(xué)層反射。

在一個實施方案中，顯示區(qū)和與顯示區(qū)相鄰的反射區(qū)限定像素區(qū)。

在一個實施方案中，光學(xué)層通過光學(xué)層的微腔效應(yīng)由第二顏色的光產(chǎn)生第一顏色的光。

在一個實施方案中，光學(xué)層與第二基板的第一表面之間的粘合強于反射層與第二基板的第一表面之間的粘合。

在一個實施方案中，光學(xué)層由透明導(dǎo)電氧化物(TCO)材料制成。

在一個實施方案中，在第二顏色為白色時，在光學(xué)層的厚度在55nm與100nm之間時，第一顏色是藍色，在光學(xué)層的厚度在175nm與200nm之間時，第一顏色是紅色，以及在光學(xué)層的厚度在225nm與275nm之間時，第一顏色是綠色。

在一個實施方案中，反射層由Ag、Ag合金、Al以及AlNd中至少之一制成。

在一個實施方案中，顯示元件包括：在多個薄膜晶體管上的平坦化層；在顯示區(qū)中的平坦化層上的陽極電極；以及在平坦化層上的輔助電極。輔助電極與陽極電極以預(yù)定距離隔開。堤層部分地覆蓋陽極電極和輔助電極。堤層露出部分的陽極電極和部分的輔助電極。在輔助電極的露出的部分上有阻擋部，并且阻擋部與堤層隔開。阻擋部的至少一部分的寬度大于輔助電極的露出的部分的寬度。在陽極電極的露出的部分上并且在阻擋部的頂表面的至少一部分上有有機發(fā)光層。在有機發(fā)光層上有陰極電極并且陰極電極接觸輔助電極的露出的部分。

在一個實施方案中，顯示元件包括在第二基板上的多個顯示區(qū)中的多個濾色器。

在一個實施方案中，光學(xué)層的第一子集具有第一厚度，所述第一厚度不同于光學(xué)層的第二子集的第二厚度。

在一個實施方案中，在反射層的子集上有補充的光學(xué)層。

在一個實施方案中，反射區(qū)的面積大于顯示區(qū)的面積。

實施方案還涉及制造顯示裝置的方法。在第一基板上設(shè)置薄膜晶體管。至少在薄膜晶體管上或之上設(shè)置多個顯示元件。顯示元件配置為由薄膜晶體管驅(qū)動。在第二基板的選擇區(qū)域中設(shè)置光學(xué)層以由入射到光學(xué)層上的第二顏色的光產(chǎn)生第一顏色的光。在光學(xué)層上的選擇區(qū)域中設(shè)置反射層以將通過光學(xué)層的光朝著光學(xué)層反射。在第一基板上方設(shè)置第二基板，使得顯示元件的至少一部分位于第一基板與第二基板之間而不被光學(xué)層和反射層阻擋。

在一個實施方案中，在第二基板上的在選擇區(qū)之外的至少多個部分中設(shè)置顯示元件的多個濾色器。

在一個實施方案中，光學(xué)層通過光學(xué)層的微腔效應(yīng)由第二顏色的光產(chǎn)生第一顏色的光。

在一個實施方案中，在光學(xué)層與第二基板的第一表面之間的粘合強于反射層與第二基板的第一表面之間的粘合。

在一個實施方案中，光學(xué)層由透明導(dǎo)電氧化物(TCO)材料制成。

在一個實施方案中，在第二顏色為白色時，在光學(xué)層的厚度在55nm與100nm之間時，第一顏色是藍色，在光學(xué)層的厚度在175nm與200nm之間時，第一顏色是紅色，以及在光學(xué)層的厚度在225nm與275nm之間時，第一顏色是綠色。

在一個實施方案中，反射層由Ag、Ag合金、Al以及AlNd中至少之一制成。

在一個實施方案中，在第二基板的第一表面上設(shè)置光學(xué)層，在光學(xué)層上設(shè)置反射層，以及在第二基板的選擇區(qū)域中的反射層上設(shè)置光致抗蝕劑圖案，并且去除光學(xué)層和反射層的通過光學(xué)膠圖案露出的至少一部分以提供在第二基板的選擇區(qū)域中的光學(xué)層和反射層。

在一個實施方案中，光學(xué)層的第一子集具有不同于光學(xué)層的第二子集的第二厚度的第一厚度。

在一個實施方案中，在反射層的子集上形成補充的光學(xué)層。

在一個實施方案中，反射區(qū)的面積大于顯示區(qū)的面積。

實施方案還涉及包括多個像素區(qū)的顯示裝置。每個像素區(qū)包括顯示區(qū)和反射區(qū)。顯示區(qū)包括：第一基板的第一部分；第二基板的第一部分，第二基板的第一部分與第一基板的第一部分對準；薄膜晶體管，薄膜晶體管在第一基板的第一部分上；以及顯示元件，顯示元件在第一基板的第一部分與第二基板的第一部分之間。顯示元件配置為由所述薄膜晶體管驅(qū)動。反射區(qū)與顯示區(qū)相鄰并且包括：第一基板的第二部分；第二基板的第二部分，第二基板的第二部分與第一基板的第二部分對準；以及光學(xué)層，光學(xué)層在第二基板的第二部分的面對第一基板的第一表面上。光學(xué)層配置為由入射到光學(xué)層上的第二顏色的光產(chǎn)生第一顏色的光。在光學(xué)層上有反射層，并且所述反射層配置為將通過光學(xué)層的光朝著光學(xué)層反射。

在一個實施方案中，光學(xué)層通過光學(xué)層的微腔效應(yīng)由第二顏色的光產(chǎn)生第一顏色的光。

在一個實施方案中，在光學(xué)層與第二基板的第一表面之間的粘合強于反射層與第二基板的第一表面之間的粘合。

在一個實施方案中，光學(xué)層由透明導(dǎo)電氧化物(TCO)材料制成。

在一個實施方案中，在第二顏色為白色時，在光學(xué)層的厚度在55nm與100nm之間時，第一顏色是藍色，在光學(xué)層的厚度在175nm與200nm之間時，第一顏色是紅色，以及在光學(xué)層的厚度在225nm與275nm之間時，第一顏色是綠色。

在一個實施方案中，反射層由Ag、Ag合金、Al以及AlNd中至少之一制成。

在一個實施方案中，在第二基板上的第一部分上有濾色器。

在一個實施方案中，在像素區(qū)的第一子集中的光學(xué)層具有不同于在像素區(qū)的第二子集中的光學(xué)層的第二厚度的第一厚度。

在一個實施方案中，像素區(qū)的子集的反射區(qū)還包括在反射層上的補充的光學(xué)層。

在一個實施方案中，反射區(qū)的面積大于顯示區(qū)的面積。

實施方案還涉及包括多個像素區(qū)的顯示裝置。每個像素區(qū)包括第一基板以及具有面對第一基板的第一表面的第二基板。第一基板和第二基板分為多個顯示區(qū)和多個反射區(qū)。在第一基板的顯示區(qū)上有薄膜晶體管。在第一基板與第二基板之間放置有顯示元件，并且顯示元件配置為由薄膜晶體管驅(qū)動。在第二基板的第一表面上的反射區(qū)中有光學(xué)層，并且光學(xué)層配置為由入射到光學(xué)層上的第二顏色的光產(chǎn)生第一顏色的光。在光學(xué)層上有反射層，并且反射層配置為將通過光學(xué)層的光朝著光學(xué)層反射。

應(yīng)該理解的是，本發(fā)明的前述一般描述和以下詳細描述均是示例性和說明性的并且旨在提供對所要求保護的發(fā)明的進一步說明。

附圖說明

附圖示出了本發(fā)明的實施方案并且與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理，本發(fā)明包括附圖來提供本發(fā)明的進一步理解并且附圖被合并到本申請中并且構(gòu)成本申請的一部分。在附圖中：

圖1是示出常規(guī)反射式顯示裝置的簡化的截面圖。

圖2是示出根據(jù)一個實施方案的反射式顯示裝置的一個像素區(qū)的前視圖。

圖3是示出根據(jù)一個實施方案的反射式顯示裝置的截面圖。

圖4是示出根據(jù)由銦錫氧化物(ITO)形成的光學(xué)層的厚度的在CIELu'v'的色彩空間中的u'v'的色坐標偏差Δu'v'的圖。

圖5是示出CIELu'v'的色彩空間的圖。

圖6是示出所反射的光的顏色變化根據(jù)光學(xué)層的厚度變化的圖。

圖7A至圖7F是示出在根據(jù)一個實施方案的反射式顯示裝置中的包括光學(xué)層的第二基板的制造過程的圖。

圖8是示出根據(jù)一個實施方案制造反射式顯示裝置的方法的流程圖。

具體實施方式

本發(fā)明的優(yōu)點和特征及其實現(xiàn)方法將通過以下參照附圖所描述的實施方案闡明。然而，本發(fā)明可以以不同的形式實施并且不應(yīng)該被理解為限于本文中所陳述的實施方案。而是，提供這些實施方案使得本公開內(nèi)容將變得完整和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。另外，本發(fā)明僅由權(quán)利要求的范圍限定。

在附圖中所公開的用于描述本發(fā)明的實施方案的形狀、尺寸、比例、角度和數(shù)目僅為示例，因而本發(fā)明不限于所示出的細節(jié)。貫穿說明書相同的附圖標記指代相同的元件。在以下描述中，在相關(guān)公知的功能或構(gòu)造的詳細描述被確定為不必要地混淆本發(fā)明的重點時，將省略該詳細描述。在使用在本說明書中描述的“包括”、“具有”以及“包含”時，除非使用“僅”，否則可以添加有另一部件。除非相反指出，否則單數(shù)形式的術(shù)語可以包括復(fù)數(shù)形式。

在構(gòu)造元件時，盡管沒有明確說明，但是元件應(yīng)該被理解為包括誤差范圍。

在描述本發(fā)明的實施方案時，當結(jié)構(gòu)例如電極、線、布線、層或接觸被描述為形成在另一結(jié)構(gòu)上部/下部或者形成在另一結(jié)構(gòu)上/下時，該描述應(yīng)該被理解為包括其中該結(jié)構(gòu)彼此接觸的情況以及另外的在其間設(shè)置有第三結(jié)構(gòu)的情況。

在描述時間關(guān)系時，例如，當時間順序被描述為“在…之后”、“隨后”、“然后”以及“在…之前”時，除非使用“緊接著”或“直接”，否則可以包括不連續(xù)的情況。

應(yīng)該理解的是，盡管在本文中可以使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種元件，但是這些元件不受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件與另一元件區(qū)分。例如，在不脫離本發(fā)明的范圍時，第一元件可以稱為第二元件，并且類似地，第二元件可以稱為第一元件。

本發(fā)明的各種實施方案的特征可以部分地或者全部地彼此耦合或結(jié)合，并且可以如本領(lǐng)域技術(shù)人員可以充分理解的那樣各種地彼此相互操作和技術(shù)驅(qū)動。本發(fā)明的實施方案可以彼此獨立地執(zhí)行或者可以以相互依賴的關(guān)系共同執(zhí)行。

下文中，將參照附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選的實施方案。

圖2是示出根據(jù)一個實施方案的反射式顯示裝置的一個像素區(qū)的前視圖，圖3是示出根據(jù)一個實施方案的反射式顯示裝置的截面圖。

參照圖2和圖3，根據(jù)一個實施方案的反射式顯示裝置包括彼此面對的第一基板105和第二基板107，第一基板和第二基板中的每一個包括顯示區(qū)和反射區(qū)。顯示區(qū)設(shè)置有顯示元件200，并且第二基板107的反射區(qū)包括反射層330和光學(xué)層310。顯示元件200可以包括陽極180、有機發(fā)光層240、陰極250、輔助電極190以及濾色器層320。將首先描述顯示區(qū)，隨后將描述反射區(qū)。

在第一基板105上的顯示區(qū)中形成有薄膜晶體管T、鈍化層165、平坦化層170、陽極電極180、輔助電極190、堤部220、阻擋部230、有機發(fā)光層240以及陰極電極250。在第二基板107的顯示區(qū)上形成有濾色器層320。

根據(jù)所發(fā)射的光的方向，第一基板105和第二基板107中的至少之一可以是透明基板。例如，第二基板107可以是透明塑料膜。例如，基板105可以是但是不限于包括以下的板或膜：纖維素樹脂如TAC(三乙酰纖維素)或DAC(二乙酰纖維素)；COP(環(huán)烯烴聚合物)如降冰片烯衍生物；COC(環(huán)烯烴共聚物)；丙烯酸樹脂如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)；聚烯烴如PC(聚碳酸酯)、PE(聚乙烯)和PP(聚丙烯)；PVA(聚乙烯醇)；聚酯如PES(聚醚砜)、PEEK(聚醚醚酮)、PEI(聚醚酰亞胺)、PEN(聚萘)和PET(聚對苯二甲酸乙酯)；PI(聚酰亞胺)；PSF(聚砜)或氟化樹脂。

薄膜晶體管驅(qū)動顯示元件200以發(fā)光并且薄膜晶體管包括有源層110、柵極絕緣膜120、柵電極130、層間電介質(zhì)140、源電極150以及漏電極160。

有源層110形成在基板105上以與柵電極130交疊。有源層110可以由硅基半導(dǎo)體材料制成并且還可以由氧化物基半導(dǎo)體材料制成。

在有源層110上形成有柵極絕緣膜120。柵極絕緣膜120用于使有源層110與柵電極130絕緣。柵極絕緣膜120可以但是不限于由無機絕緣材料例如硅氧化物(SiO_X)膜、硅氮化物(SiN_X)膜、或者SiO_X和SiN_X的多層制成。

在柵極絕緣膜120上形成有柵電極130。柵電極130形成為通過在柵電極130與有源層110之間插入柵極絕緣膜120而與有源層110交疊。

在柵電極130上形成有層間電介質(zhì)140。層間電介質(zhì)140可以但是不限于由無機絕緣材料例如硅氧化物(SiO_X)膜、硅氮化物(SiN_X)膜、或者SiO_X和SiN_X的多層形成。

在層間電介質(zhì)140上形成有彼此面對的源電極150和漏電極160。前述柵極絕緣膜120和前述層間電介質(zhì)140設(shè)置有第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2，其中第一接觸孔CH1露出有源層110的一個端區(qū)，第二接觸孔CH2露出有源層110的另一端區(qū)。源電極150通過第二接觸孔CH2與有源層110的另一端區(qū)連接，漏電極160通過第一接觸孔CH1與有源層110的一個端區(qū)連接。另外，源電極150可以包括下源電極151、中心源電極152和上源電極153。

下源電極151形成在層間電介質(zhì)140與中心源電極152之間并且可以用于提高層間電介質(zhì)140與中心源電極152之間的粘合。另外，下源電極151保護中心源電極152的下表面以防止中心源電極152的下表面被腐蝕。

中心源電極152形成在下源電極151與上源電極153之間。中心源電極152可以但是不必限于由具有低電阻的金屬銅(Cu)制成。上源電極153形成在中心源電極152的上表面上并且因此可以防止中心源電極152的上表面被腐蝕。

在一個實施方案中，下源電極151和上源電極153可以但是不必限于由Mo、Ti、MoTi或銦錫氧化物(ITO)制成，中心源電極152可以但是不必限于由Cu或Al制成。在一個實施方案中，在中心源電極152由Cu制成時，下源電極151由MoTi或ITO制成，上源電極153由MoTi或ITO制成，或者可以省略。在另一實施方案中，在中心源電極152由Al制成時，下源電極151和上源電極153由Mo或Ti制成。

與源電極150類似，漏電極160可以包括下漏電極161、中心漏電極162和上漏電極163。下漏電極161、中心漏電極162和上漏電極163可以配置為與下源電極151、中心源電極152和上源電極153相似或相同。為了避免重復(fù)描述，可以省略相同的描述。

前述薄膜晶體管層T可以更改為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的各種結(jié)構(gòu)，而不限于如以上所示出的結(jié)構(gòu)。例如，盡管薄膜晶體管T以其中柵電極130形成在有源層110之上的頂部柵極結(jié)構(gòu)形成，但是薄膜晶體管T也可以以其中柵電極130形成在有源層110之下的底部柵極結(jié)構(gòu)形成。

在薄膜晶體管層T上、更具體地在源電極150和漏電極160上形成有鈍化層165。鈍化層165用于保護薄膜晶體管層T并且可以但是不限于由無機絕緣材料例如硅氧化物(SiO_X)或硅氮化物(SiN_X)制成。

在鈍化層165上形成有平坦化層170。平坦化層170用于對設(shè)置有薄膜晶體管層T的基板105的上部進行平坦化。平坦化層170可以但是不限于由有機絕緣材料例如丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂以及聚酰胺樹脂制成。

在平坦化層170上形成有陽極電極180和輔助電極190。也就是說，陽極電極180和輔助電極190形成在彼此相同的層上。前述鈍化層165和前述平坦化層170設(shè)置有露出源電極150的第三接觸孔CH3，并且源電極150和陽極電極180通過第三接觸孔CH3彼此連接。陽極電極180可以包括下陽極電極181和上陽極電極182，并且輔助電極190可以包括下輔助電極191和上輔助電極192。

在陽極電極180和輔助電極190上形成有堤部220。堤部220可以部分地覆蓋陽極電極180和輔助電極190。例如，堤部220形成在陽極電極180的一側(cè)以及與所述一側(cè)相對的另一側(cè)上，同時露出陽極電極180的上表面。堤部220可以通過露出陽極180的上表面而限定顯示圖像的區(qū)域。

堤部220還形成在輔助電極190的一側(cè)以及與所述一側(cè)相對的另一側(cè)上，同時露出輔助電極190的上表面。堤部220可以通過露出輔助電極190的上表面而限定輔助電極190與陰極電極250之間的電連接空間。

在輔助電極190上形成有阻擋部230。阻擋部230以預(yù)定距離與堤部220隔開，并且輔助電極190和陰極電極250通過在阻擋部230與堤部220之間的空間而彼此電連接。

如果不形成阻擋部230，則為了使輔助電極190的上表面不被有機發(fā)光層240覆蓋，在沉積有機發(fā)光層240時需要覆蓋輔助電極190的上表面的掩模圖案。然而，如果形成阻擋部230，則在沉積有機發(fā)光層240時阻擋部230的上表面用作檐。因而，有機發(fā)光層不沉積在檐的下方，并且因而不需要覆蓋輔助電極190的上表面的掩模圖案。

阻擋部230形成為其上表面比下表面寬。阻擋部230可以包括第一阻擋部231和第二阻擋部232，其中第一阻擋部231低于第二阻擋部231。另外，阻擋部230的至少一部分的寬度可以等于或大于輔助電極190的通過堤部220露出的上表面的寬度。

在陽極電極180上形成有有機發(fā)光層240。有機發(fā)光層240可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層。有機發(fā)光層240可以更改為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的各種結(jié)構(gòu)。

在有機發(fā)光層240上形成有陰極電極250。因為陰極電極250形成在發(fā)光的表面或方向上，所以陰極電極250由透明導(dǎo)電材料制成。因為陰極電極250由透明導(dǎo)電材料制成，所以其具有高電阻。因此，為了減小陰極電極250的電阻，將陰極電極250與輔助電極190連接。也就是說，陰極電極250通過在阻擋部230與堤部220之間的空間與輔助電極190連接。因為陰極電極250可以通過不具有沉積材料良好直線性的沉積工藝如濺射工藝形成，所以在陰極電極250的沉積工藝期間陰極電極250會沉積在阻擋部230與堤部220之間的空間中。

盡管未示出，但是可以在陰極電極250上另外地形成封裝層以防止水滲透的發(fā)生。

在第二基板107的上表面上形成有濾色器層320以與第二基板的各個像素區(qū)或顯示區(qū)對應(yīng)。如以下進一步描述的，可以通過反射層330的邊界限定像素區(qū)。在這種情況下，濾色器層320可以包括與各個像素區(qū)對應(yīng)的紅色濾色器層、綠色濾色器層和藍色濾色器層。此時，各個紅色濾色器層、綠色濾色器層和藍色濾色器層形成在整個顯示區(qū)上。

另外，與常規(guī)反射式顯示裝置不同，在根據(jù)一個實施方案的反射式顯示裝置中，省略了形成在濾色器層320的兩端上并且可以限定像素區(qū)的黑矩陣。如所示出的，之后將要描述的反射層330可以取代黑矩陣的作用。

下文中，將描述包括光學(xué)層310和反射層330的反射區(qū)，如圖3所示。為了避免重復(fù)的描述，將省略對顯示區(qū)的重復(fù)結(jié)構(gòu)的描述。

根據(jù)一個實施方案的反射式顯示裝置還包括在第二基板107的上表面上的在反射區(qū)中的光學(xué)層310和反射層330。第二基板107的上表面可以面對第一基板105。

反射層330是反射外部光的層并且可以由高反射金屬包括但不限于Ag、Ag合金、AlNd以及Al制成。在不顯示圖像時，這樣的反射層330可以以能夠?qū)⑼獠抗夥瓷潆x開反射層330的表面并且使得用戶看到經(jīng)反射的圖像的反射模式工作。例如，反射層330可以能夠?qū)⑼獠康墓夥瓷潆x開反射層330的面對光學(xué)層310的表面。另外，即使顯示區(qū)以顯示區(qū)顯示圖像的顯示模式工作，反射模式和顯示模式也可以通過反射外部的光而同時工作。

在反射層330由金屬制成時，光學(xué)層310布置在反射層330與第二基板107之間以提高與第二基板107的粘合。換言之，在第二基板107和光學(xué)層310之間的粘合強于在第二基板107和反射層330之間的粘合，并且在光學(xué)層310和反射層330之間的粘合強于在第二基板107和反射層330之間的粘合。因此，能夠提高在第二基板107與反射層330之間的粘合。

這樣的光學(xué)層310可以但是不限于由基于透明電極的材料制成。例如，光學(xué)層310可以由銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)制成。

當入射到光學(xué)層310的表面上第二顏色的光通過光學(xué)層310時，由光學(xué)層產(chǎn)生第一顏色的光。例如，光學(xué)層310可以控制由反射層330反射的光的光譜或顏色。通常，透明電極如ITO或IZO生成根據(jù)層的厚度改變光的光譜或顏色的弱的微腔效應(yīng)。因此，當外部光進入并且由反射層330的表面反射時，通過光學(xué)層310改變了反射的光的顏色。這樣的顏色改變根據(jù)光學(xué)層310的厚度，這將參照圖4和圖5詳細地描述。

圖4是示出根據(jù)光學(xué)層的厚度的在CIELu'v'的色彩空間中的u'v'的色坐標偏差Δu'v'的簡圖，圖5是示出CIELu'v'的色彩空間的圖。

同時參照圖4和圖5，在根據(jù)一個實施方案的反射式顯示裝置中，當如在圖4的橫軸中所示出的改變光學(xué)層310的厚度時，生成如在圖4的縱軸中所示出的色坐標偏差Δu'v'。通常，如果色坐標偏差Δu'v'達到0.01或者更多，則可以察覺出顏色改變。然而，色坐標偏差Δu'v'根據(jù)光學(xué)層310的厚度在0.001至0.02之間變化。因此，通過反射層330反射的白色的光由于通過光學(xué)層310時的色坐標偏差Δu'v'而可改變成黃顏色的光，如圖5所示。

如圖5所示，光的顏色可以根據(jù)其所屬于的色彩空間中的顏色區(qū)域被分類。例如，如圖5所示，光的顏色可以根據(jù)光所屬于的CIELu'v'色彩空間中的顏色區(qū)域而分類成紅色(“R”)、藍色(“B”)、綠色(“G”)、黃色(“Y”)和白色(“W”)。白色的光可以限定為具有在u'(0.1965-0.1975)和v'(0.4685-0.4720)的范圍內(nèi)的CIELu'v'坐標，紅色的光可以限定為具有在u'(0.2010-0.2045)和v'(0.4650-0.4720)的范圍內(nèi)的CIELu'v'坐標，綠色的光可以限定為具有在u'(0.1925-0.1940)和v'(0.4645-0.4780)的范圍內(nèi)的CIELu'v'坐標，以及藍色的光可以限定為具有在u'(0.1915-0.1930)和v'(0.4570-0.4580)的范圍內(nèi)的CIELu'v'坐標，以及黃色的光可以限定為具有在u'(0.1990-0.2010)和v'(0.4735-0.4790)的范圍內(nèi)的CIELu'v'坐標。然而，在圖5中所示出的色坐標偏差Δu'v'僅是示例性的并且可以依據(jù)光學(xué)層310的厚度而改變。

例如，通過反射層330反射的白色的光，在通過光學(xué)層310時可由于色坐標偏差Δu'v'而改變成藍色的光。

另外，通過反射層330反射的白色的光，在通過光學(xué)層310時可由于色坐標偏差Δu'v'而改變成綠色的光。

因此，根據(jù)本實施方案的反射式顯示裝置能夠通過控制光學(xué)層310的厚度改變所反射的光的顏色。換言之，通過反射層330反射的光在通過光學(xué)層310時可以混合，由此可以依據(jù)光學(xué)層310的厚度控制反射的光的顏色。在一個實施方案中，跨越每個像素區(qū)的光學(xué)層的厚度可以是相同的。在另一實施方案中，光學(xué)層的厚度在像素區(qū)之間可不同。例如，反射式顯示裝置中光學(xué)層的第一子集可以具有第一厚度，在該裝置中光學(xué)層的第二子集可以具有與第一厚度不同的第二厚度。

圖6是示出所反射的光的顏色變化根據(jù)光學(xué)層的厚度變化的圖。

參照圖6，當光學(xué)層310的厚度在55nm與100nm之間(區(qū)域A)時，光學(xué)層310可以產(chǎn)生藍色的光，當光學(xué)層310的厚度在175nm與200nm之間(區(qū)域B)時，光學(xué)層310反射紅色的光，當光學(xué)層310的厚度在225nm與275nm之間(區(qū)域C)時，光學(xué)層310反射綠色的光。

因此，如果如上控制光學(xué)層310的厚度，則可以選擇所反射的光的顏色。例如，如果進入根據(jù)本實施方案的反射式顯示裝置的反射區(qū)的外部光是白色光并且所反射的光需要是藍色，則可以將光學(xué)層310的厚度設(shè)置在55nm與100nm之間。另外，如果進入根據(jù)本實施方案的反射式顯示裝置的反射區(qū)的外部光是白色光并且所反射的光需要是紅色，則可以將光學(xué)層310的厚度設(shè)置在175nm與200nm之間。另外，如果進入根據(jù)本實施方案的反射式顯示裝置的反射區(qū)的外部光是白色光并且所反射的光需要是綠色，則可以將光學(xué)層310的厚度設(shè)置在225nm與275nm之間。然而，光的顏色可以在可見光譜區(qū)中選擇，而不限于以上實例。

下文中，將參照圖7A至圖7F描述用于制造設(shè)置在根據(jù)一個實施方案的反射式顯示裝置的反射區(qū)上的第二基板107的方法。

圖7A示出了在第二基板107的上表面上形成光學(xué)層310的步驟。根據(jù)反射式顯示裝置的發(fā)射方向，第二基板107可以是透明的或不透明的塑料基板。例如，第二基板107可以是纖維素樹脂如TAC(三乙酰纖維素)或DAC(二乙酰纖維素)；COP(環(huán)烯烴聚合物)如降冰片烯衍生物；COC(環(huán)烯烴共聚物)；以及丙烯酸樹脂如PMMA(聚(甲基丙烯酸甲酯))等。

光學(xué)層310可以但是不限于由基于透明電極的材料例如基于透明導(dǎo)電氧化物(TCO)的材料制成。例如，光學(xué)層310可以由ITO或IZO制成。

然后，圖7B示出了在光學(xué)層310的上表面上形成反射層330的步驟。反射層330是反射外部光的層并且可以由高反射金屬例如但是不限于Ag、Ag合金、Al以及AlNd等制成。

然后，圖7C示出了形成光致抗蝕劑圖案的步驟。光致抗蝕劑圖案形成在反射層330的一個表面上?？梢酝ㄟ^半色調(diào)掩模工藝獲得這樣的光致抗蝕劑圖案。

然后，圖7D示出了利用光致抗蝕劑圖案作為掩模部分地去除形成在第二基板107的一個表面上的其上沒有形成光致抗蝕劑圖案的光學(xué)層310和反射層330的步驟。

然后，圖7E和圖7F示出了形成濾色器層320的步驟。首先在第二基板107的整個表面上形成濾色器層320。之后，去除濾色器層320的與反射區(qū)對應(yīng)的一部分，由此露出反射層330。濾色器層320可以是紅色濾色器、綠色濾色器和/或藍色濾色器并且布置為與各個像素區(qū)對應(yīng)。此時，紅色濾色器層、綠色濾色器層、藍色濾色器層中的每一個形成在所有的顯示區(qū)上。如上所述，在根據(jù)一個實施方案的反射式顯示裝置中，可以省略形成在濾色器層320的兩端上以限定像素區(qū)的黑矩陣，這與常規(guī)反射式顯示裝置不同。布置在反射區(qū)上的反射層330可以用作黑矩陣以限定像素區(qū)。例如，反射式顯示裝置的不具有反射層330的區(qū)域可以對應(yīng)于像素區(qū)。

圖8是示出根據(jù)一個實施方案形成反射式顯示裝置的方法的流程圖。

在第一基板上設(shè)置薄膜晶體管(802)。至少在薄膜晶體管上或上方設(shè)置多個顯示元件(804)。每個顯示元件與相應(yīng)的一個薄膜晶體管連接。在第二基板的選擇區(qū)域上設(shè)置光學(xué)層(806)，以由入射到光學(xué)層上的第二顏色的光產(chǎn)生第一顏色的光。在選擇區(qū)域中的光學(xué)層上設(shè)置反射層(808)，以將通過光學(xué)層的光朝著光學(xué)層反射。將第二基板置于第一基板上方(810)，使得顯示元件的至少一部分位于第一基板與第二基板之間而不被光學(xué)層和反射層阻擋。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得以下優(yōu)點。

首先，提高在基板與反射層之間的粘合，由此能夠避免差的粘合。

另外，通過控制光學(xué)層的厚度能夠獲得能夠選擇所反射的光的顏色的反射式顯示裝置。

對本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍時，可以在本發(fā)明中做出各種更改和變化。因而，旨在本發(fā)明覆蓋本發(fā)明的更改方案和變化方案，只要他們在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)即可。