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功率圖優(yōu)化的熱感知3D芯片封裝的制作方法

文檔序號(hào):11434442閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體封裝(100),包括:襯底(110)、集成電路(120)、存儲(chǔ)器支撐件(140)、堆棧式存儲(chǔ)器(130)以及蓋(150)。集成電路具有低功率區(qū)域(124)和高功率區(qū)域(122)。存儲(chǔ)器支撐件布置在集成電路的低功率區(qū)域上并且配置為允許流體(250)的流從其通過(guò)以將熱從集成電路的低功率區(qū)域傳導(dǎo)出去。所述蓋限定第一端口(152,152a)、第二端口(152,152b)和流體地連接第一端口和第二端口的蓋體積。蓋體積(160)配置為容納集成電路、存儲(chǔ)器支撐件和堆棧式存儲(chǔ)器,同時(shí)引導(dǎo)流體的流在集成電路、存儲(chǔ)器支撐件和堆棧式存儲(chǔ)器上方流動(dòng)。

技術(shù)研發(fā)人員:M.K.艾楊格;T-G.康;C.G.馬龍;N.P.約皮
受保護(hù)的技術(shù)使用者:谷歌公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.02.20
技術(shù)公布日:2017.08.29
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