本公開涉及功率圖優(yōu)化的熱感知三維(3d)芯片封裝。

背景技術(shù)：

基于互補金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)的微處理器是技術(shù)架構(gòu)的核心技術(shù)之一。性能縮放上的趨勢表明當(dāng)隨著時間推移cmos微處理器計算功率增加時，功率需求增加，會導(dǎo)致更大的熱產(chǎn)生。除了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的芯片封裝或基于cmos的微處理器之外，對特殊用途的硅的利用(例如，圖形處理單元(gpu)和定制專用集成電路(asic))增加，導(dǎo)致更高的熱產(chǎn)生。當(dāng)芯片性能增加時，高帶寬存儲器的性能也需要增加，從而導(dǎo)致附加的熱產(chǎn)生?？赡苄枰罅坑嬎銠C(jī)資源和大量高密度芯片封裝(緊密鄰近的許多服務(wù)器)的服務(wù)(例如成像和人工智能)會進(jìn)一步增加功率問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開的一方面提供一種半導(dǎo)體封裝。所述半導(dǎo)體封裝包括襯底、布置在襯底上的集成電路、布置在集成電路的低功率區(qū)域上的存儲器支撐件、布置在存儲器支撐件上并且與集成電路通信的堆棧式存儲器以及連接到襯底的蓋。所述蓋限定第一端口、第二端口和流體地連接第一端口和第二端口的蓋體積。所述集成電路具有低功率區(qū)域和高功率區(qū)域。所述存儲器支撐件配置為允許流體的流從其通過以將熱從集成電路的低功率區(qū)域傳導(dǎo)出去。所述蓋體積配置為容納集成電路、存儲器支撐件和堆棧式存儲器，同時引導(dǎo)流體的流在集成電路、存儲器支撐件和堆棧式存儲器上方流動。

本公開的實現(xiàn)方式可以包括下列可選特征中的一個或多個。在一些實現(xiàn)方式中，所述半導(dǎo)體封裝包括布置在集成電路的高功率區(qū)域上的散熱器。所述蓋體積可配置為容納散熱器同時引導(dǎo)流體的流在散熱器上方流動。在該示例中，所述散熱器具有多個鰭。所述半導(dǎo)體封裝還可包括布置在集成電路的高功率區(qū)域的導(dǎo)熱材料。所述蓋體積配置為容納導(dǎo)熱材料同時引導(dǎo)流體的流在導(dǎo)熱材料上方流動。所述導(dǎo)熱材料可包括金剛石和/或銅和碳納米管或銦的復(fù)合物。

在一些示例中，所述半導(dǎo)體封裝包括布置在導(dǎo)熱材料上的散熱器。所述導(dǎo)熱材料可布置在集成電路的高功率區(qū)域上，并且所述蓋體積配置為容納散熱器同時引導(dǎo)流體的流在散熱器上方流動。在該示例中，所述散熱器具有多個鰭。所述低功率區(qū)域和所述高功率區(qū)域可不重疊。存儲器支撐件可包括多孔材料。所述多孔材料可具有規(guī)則間隔的孔。所述半導(dǎo)體封裝可進(jìn)一步包括布置在集成電路上的內(nèi)插件(interposer)。所述存儲器支撐件可配置為電連接存儲器和集成電路。

本公開的另一方面提供一種用于操作半導(dǎo)體封裝的方法。所述方法包括接收流體的流并在包括堆棧式存儲器和集成電路的半導(dǎo)體封裝的表面上方引導(dǎo)流體的流。所述集成電路具有低功率區(qū)域和高功率區(qū)域。所述堆棧式存儲器由在集成電路的低功率區(qū)域上的存儲器支撐件支撐。所述存儲器支撐件引導(dǎo)流體的流以將熱從集成電路的低功率區(qū)域和高功率區(qū)域傳導(dǎo)出去。

該方面可包括下列可選特征中的一個或多個。所述方法可包括通過限定第一端口、第二端口和流體地連接第一端口和第二端口的蓋體積的蓋來引導(dǎo)流體的流。所述蓋體積可配置為容納集成電路、存儲器支撐件和堆棧式存儲器，同時引導(dǎo)流體的流在集成電路、存儲器支撐件和堆棧式存儲器上方流動。所述方法可進(jìn)一步包括布置在集成電路的高功率區(qū)域上的散熱器。所述蓋體積配置為容納散熱器同時引導(dǎo)流體的流在散熱器上方流動。在該示例中，所述散熱器具有多個鰭。所述方法可進(jìn)一步包括布置在集成電路的高功率區(qū)域上的導(dǎo)熱材料。所述蓋體積配置為容納導(dǎo)熱材料同時引導(dǎo)流體的流在導(dǎo)熱材料上方流動。所述導(dǎo)熱材料可包括金剛石和/或銅和碳納米管或銦的復(fù)合物。

在一些示例中，所述方法包括布置在導(dǎo)熱材料上的散熱器，所述導(dǎo)熱材料布置在集成電路的高功率區(qū)域上。所述蓋體積配置為容納散熱器同時引導(dǎo)流體的流在散熱器上方流動。在該示例中，所述散熱器具有多個鰭。所述低功率區(qū)域和所述高功率區(qū)域可不重疊。所述存儲器支撐件可包括多孔材料，并且所述多孔材料可具有規(guī)則間隔的孔。所述方法可進(jìn)一步包括布置在集成電路上的內(nèi)插件。所述存儲器支撐件可配置為電連接存儲器和集成電路。

本公開的一個或多個實現(xiàn)方式的細(xì)節(jié)在附圖和下面的描述中闡述。根據(jù)說明書、附圖并且根據(jù)權(quán)利要求書，其他方面、特征和優(yōu)點將是顯而易見的。

附圖說明

圖1是示例半導(dǎo)體封裝的示意圖。

圖2a是具有安裝到襯底的功率區(qū)域的示例集成電路的頂部示意圖。

圖2b是堆疊在集成電路上的一個或多個高帶寬存儲器(hbm)組件的頂部示意圖。

圖3a是襯底、集成電路、hbm和蓋的示例性布置的側(cè)面示意圖。

圖3b示出示例半導(dǎo)體封裝和熱交換系統(tǒng)的示意圖。

圖4是示例計算設(shè)備的示意圖。

圖5示出了用于操作半導(dǎo)體封裝的方法。

各個附圖中同樣的附圖標(biāo)記指示同樣的元件。

具體實施方式

圖1示出了半導(dǎo)體封裝100。所述半導(dǎo)體封裝包括襯底110。襯底110可為不導(dǎo)電材料或半導(dǎo)電材料以允許安裝、布線和穿過連接。在一些實現(xiàn)方式中，襯底110充當(dāng)安裝表面和熱分布表面。通常的襯底110的材料包括但不限于纖維玻璃、fr4、聚酰亞胺、硅、二氧化硅、氧化鋁、藍(lán)寶石、鍺、砷化鎵(gaas)、鋁和鍺的合金或磷化銦(inp)。內(nèi)插件112安裝在襯底110上。集成電路120和高帶寬存儲器(hbm)130安裝在內(nèi)插件112上。內(nèi)插件112提供一個或多個hbm130和集成電路120之間的電連接。內(nèi)插件112還提供多個連接點之間的電接口布線。在一些實現(xiàn)方式中，內(nèi)插件112將連接延伸到較寬的間距或者布線連接。內(nèi)插件112還可用于提供半導(dǎo)體封裝的外部和終端引腳之間的電通路以進(jìn)行電通信和數(shù)據(jù)通信。hbm130可以以可訪問的形式存儲信息或數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。hbm130可以是臨時性類型，例如隨機(jī)存取存儲器，或是較長期存儲類型，例如長期存儲器或可擦除的可編程只讀存儲器(eprom)。hbm130可包括用于讀取和寫入訪問的較寬的通信通道和較快的時鐘速度。集成電路120可為在半導(dǎo)體材料(通常來說是硅)的一個小板上的一組電子電路。集成電路120可為通用處理單元、特定類型的處理單元(例如圖形處理單元)、工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電路和/或?qū)Ｓ眉呻娐贰Ｓ眉呻娐房蔀獒槍μ囟ㄊ褂枚皇怯糜谕ㄓ檬褂玫亩ㄖ频募呻娐?ic)。為了執(zhí)行給定功能和計算，集成電路120可能需要與hbm130通信以存儲臨時數(shù)據(jù)或稍后要使用的數(shù)據(jù)。hbm130距離集成電路120越遠(yuǎn)，集成電路120和hbm130之間的通信時間可能越長。為了訪問數(shù)據(jù)，集成電路120可能必須與hbm130進(jìn)行多次通信。例如，集成電路120可請求包含在hbm130中的數(shù)據(jù)片，hbm130可向集成電路120回復(fù)該數(shù)據(jù)，集成電路120可向hbm130回復(fù)校驗和，并且當(dāng)檢驗和正確時hbm130可以向集成電路120回復(fù)確認(rèn)。每當(dāng)通信時，數(shù)據(jù)或電力穿過hbm130和集成電路120之間的距離所耗費的時間增加了延遲并且減緩了集成電路120和hbm130二者的最大操作速度?？拷呻娐?20來安置hbm130會減少數(shù)據(jù)行進(jìn)到hbm130或集成電路120需要的時間。

圖2a示出了具有安裝到襯底110的功率區(qū)域的集成電路120的頂部示意圖。當(dāng)集成電路120操作或執(zhí)行計算時會產(chǎn)生熱。在集成電路120上對半導(dǎo)體的數(shù)量和類型的安置可確定產(chǎn)生的熱的量。彼此緊密接近安置的高功率半導(dǎo)體或邏輯半導(dǎo)體比稀疏安置的功率半導(dǎo)體或邏輯半導(dǎo)體會產(chǎn)生更多的熱。集成電路120包括高功率區(qū)域122和低功率區(qū)域124。在集成電路120上，高功率區(qū)域122可為具有較多的熱的區(qū)域而低功率區(qū)域124可為具有較低的熱(相對于高功率區(qū)域122)的區(qū)域。低功率區(qū)域124和高功率區(qū)域122可通過仿真或?qū)嶋H實驗來確定。

圖2b示出了堆疊在集成電路120上的一個或多個hbm130的頂部示意圖。通過將hbm130安置在集成電路120上，與挨著集成電路120安置時相比，連接長度會縮短。hbm130可為在彼此頂部上堆疊的多個hbm130。hbm130安置在集成電路120的低功率區(qū)域124的頂部上以防止過多的熱累積，允許冷卻均勻分布，縮短通信時間并且縮短電連接。

圖3a示出了襯底110、集成電路120、hbm130和蓋150的側(cè)面示意圖。內(nèi)插件112連接到襯底110的頂部111。集成電路120連接到內(nèi)插件112并且提供襯底110和內(nèi)插件112之間的電連接。hbm支撐件140在低功率區(qū)域124上連接到集成電路120。hbm130連接到hbm支撐件140。hbm支撐件140提供集成電路120和hbm130之間的電連接，該電連接允許通信、電力和數(shù)據(jù)通過hbm支撐件140。hbm支撐件140可為包括hbm支撐孔142的多孔材料。hbm支撐孔142為材料的空隙，該空隙允許冷卻流體通過hbm支撐件140并增加附加的冷卻。hbm支撐孔142可為足以允許冷卻流體250通過hbm支撐孔142的任何形狀。hbm支撐孔142可為規(guī)則或不規(guī)則形狀，只要在hbm130和集成電路120之間能形成足夠的連接并且冷卻流體250可流過hbm支撐件140。在一些示例中，hbm支撐件140為金剛石、硅和/或銅。hbm支撐件140還可為復(fù)合金剛石、硅和/或具有碳納米管和/或銦的復(fù)合銅。

散熱器170連接到集成電路120的高功率區(qū)域122。散熱器170可包括基座174以增加從集成電路120吸收的熱。散熱器170還可包括一個或多個鰭172以增加散熱器的表面積和/或增加散熱器170的散熱能力。鰭172可為適于將熱從基座174或集成電路120傳導(dǎo)出去的任何形狀，包括但不限于圓形、針形、平面形和/或錐形等。散熱器170可由用于導(dǎo)熱的任何合適材料制造出，所述材料包括但不限于鋁、銅和/或合金等。導(dǎo)熱材料176可安置在散熱器170和集成電路120之間以促進(jìn)熱傳遞。在一些示例中，導(dǎo)熱材料176是金剛石和/或銅。導(dǎo)熱材料176還可為復(fù)合金剛石和/或具有碳納米管和/或銦的復(fù)合銅。

蓋150連接到襯底110并限定容納內(nèi)插件112、集成電路120、hbm支撐件140、hbm130、散熱器170、鰭172、基座174和導(dǎo)熱材料176的蓋體積160。蓋150限定包括第一端口152a和第二端口152b的一個或多個端口152。端口152可為多個端口152，而且對可使用的端口152的數(shù)量沒有限制。

圖3b示出了包括半導(dǎo)體封裝100和熱交換系統(tǒng)200的示意圖。熱交換系統(tǒng)200包括連接到輻射器220和蓋150的端口152、152b中的一個的泵210。輻射器220連接到端口152、152a中的一個和泵210。輻射器220可為能夠交換熱的任何裝置，包括但不限于管、珀爾帖冷卻(peltiercooling)、鰭系統(tǒng)和/或熱塊等。在一些實現(xiàn)方式中，輻射器220包括風(fēng)扇240以增加輻射器220到環(huán)境的散熱。在另外的實現(xiàn)方式中，熱交換系統(tǒng)200按需要包括貯存器230以存儲流體250。貯存器230還可用于消散來自熱交換系統(tǒng)200的熱。作為示例，泵210從第二端口152b吸取熱的流體250并且將其引導(dǎo)到輻射器220。輻射器220冷卻流體250并且泵210將流體250引導(dǎo)到第一端口152a。經(jīng)冷卻的流體進(jìn)入第一端口152a并且流過蓋體積160，從集成電路120、散熱器170、hbm130和hbm支撐件140吸熱。吸收了熱的流體250離開第二端口152b并且返回到泵210，完成熱交換器系統(tǒng)200。

半導(dǎo)體封裝100的總功率容量可通過仿真或?qū)嶒瀬泶_定。確定總功率容量的一種方法可為將hbm130的qmhbm功率、集成電路120的高功率區(qū)域122的qhigh功率和集成電路120的低功率區(qū)域122的qlow功率設(shè)置為低基線值。所述方法還包括將蓋150上的冷卻保持固定以確定或記錄hbm130、高功率區(qū)域122和低功率區(qū)域124的最大結(jié)溫并將記錄的結(jié)溫值與集成電路120和hbm130的規(guī)格進(jìn)行比較。接下來，調(diào)節(jié)蓋150的冷卻并確定或記錄hbm130、高功率區(qū)域122和低功率區(qū)域124的最大結(jié)溫。所述方法還包括將記錄的結(jié)溫值與集成電路120和hbm130的規(guī)格和先前測試進(jìn)行比較。所述方法進(jìn)一步包括調(diào)節(jié)高功率區(qū)域122和低功率區(qū)域124的位置和大小同時在蓋150上的冷卻保持固定并且確定或記錄hbm130、高功率區(qū)域122和低功率區(qū)域124的最大結(jié)溫。所述方法進(jìn)一步包括將記錄的結(jié)溫值與集成電路120和hbm130的規(guī)格和先前測試進(jìn)行比較并且連續(xù)調(diào)節(jié)直到結(jié)溫被最小化或已經(jīng)取得最大化的冷卻。

圖4是可用來實現(xiàn)在本文中描述的設(shè)備和方法的示例計算設(shè)備400的示意圖。計算設(shè)備400旨在代表各種形式的數(shù)字計算機(jī)，例如膝上型計算機(jī)、臺式計算機(jī)、工作站、個人數(shù)字助理、服務(wù)器、刀鋒服務(wù)器、大型主機(jī)和其他適當(dāng)?shù)挠嬎銠C(jī)。在本文示出的組件、它們的連接和關(guān)系以及它們的功能應(yīng)當(dāng)僅是示例性的，而不應(yīng)當(dāng)限制本公開描述和/或在本文中請求保護(hù)的實現(xiàn)方式。

計算設(shè)備400包括半導(dǎo)體封裝100或處理器、存儲器420、存儲設(shè)備430、連接到存儲器420和高速擴(kuò)展端口450的高速接口/控制器440以及連接到低速總線470和存儲設(shè)備430的低速接口/控制器460。組件100、420、430、440、450和460中的每一個均利用各種總線互連，并且可安裝在共同的母板上或者適當(dāng)?shù)匾云渌绞桨惭b。半導(dǎo)體封裝100或處理器能夠處理用于在計算設(shè)備400內(nèi)執(zhí)行的指令，包括存儲在存儲器420中或在存儲設(shè)備430上的指令以向在外部輸入/輸出設(shè)備(例如耦合到高速接口440的顯示器480)上的圖形用戶界面(gui)顯示圖形信息。在其他實現(xiàn)方式中，多個處理器和/或多個總線可適當(dāng)?shù)嘏c多個存儲器或多種類型的存儲器一起使用。另外，可以連接多個計算設(shè)備400，其中每個設(shè)備提供所需操作的一些部分(例如，作為服務(wù)器組、刀鋒服務(wù)器的群組或多處理器系統(tǒng))。

存儲器420在計算設(shè)備400內(nèi)非暫態(tài)地存儲信息。存儲器420可為計算機(jī)可讀介質(zhì)、(一個或多個)易失性存儲器單元或(一個或多個)非易失性存儲器單元。非暫態(tài)存儲器420可為用于在臨時性或永久性的基礎(chǔ)上存儲程序(例如，指令序列)或數(shù)據(jù)(例如，程序狀態(tài)信息)以供計算設(shè)備400使用的物理設(shè)備。非易失性存儲器的示例包括但不限于閃存式存儲器和只讀存儲器(rom)/可編程只讀存儲器(prom)/可擦除可編程只讀存儲器(eprom)/電可擦除可編程只讀存儲器(eeprom)(例如，一般用于固件，例如引導(dǎo)程序)。易失性存儲器的示例包括但不限于隨機(jī)存取存儲器(ram)、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dram)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(sram)、相變存儲器(pcm)以及盤或帶。

存儲設(shè)備430能夠為計算設(shè)備400提供大容量存儲。在一些實現(xiàn)方式中，存儲設(shè)備430是計算機(jī)可讀介質(zhì)。在各種不同實現(xiàn)方式中，存儲設(shè)備430可為軟盤設(shè)備、硬盤設(shè)備、光盤設(shè)備或帶設(shè)備、閃存式存儲器或其他類似固態(tài)存儲器設(shè)備或設(shè)備陣列，包括在存儲區(qū)域網(wǎng)絡(luò)或其他配置中的設(shè)備。在另外的實現(xiàn)方式中，計算機(jī)程序產(chǎn)品被具體化為信息載體。計算機(jī)程序產(chǎn)品包含指令，所述指令在被執(zhí)行時執(zhí)行諸如以上描述的一個或多個方法。信息載體是計算機(jī)可讀介質(zhì)或機(jī)器可讀介質(zhì)，例如存儲器420、存儲設(shè)備430或在半導(dǎo)體封裝100或處理器上的存儲器。

高速控制器440管理用于計算設(shè)備400的帶寬密集(bandwidth-intensive)的操作，而低速控制器460管理較低的帶寬密集的操作。這樣的職能分配僅是示例性的。在一些實現(xiàn)方式中，高速控制器440耦合到存儲器420、顯示器480(例如，通過圖形處理器或加速器)并且耦合到高速擴(kuò)展端口450，高速擴(kuò)展端口450可接受各種擴(kuò)展卡(未示出)。在一些實現(xiàn)方式中，低速控制器460耦合到存儲設(shè)備430和低速擴(kuò)展端口470?？砂ǜ鞣N通信端口(例如，usb、藍(lán)牙、以太網(wǎng)、無線以太網(wǎng))的低速擴(kuò)展端口470可耦合到一個或多個輸入/輸出設(shè)備，例如鍵盤、指示設(shè)備、掃描儀或(例如，通過網(wǎng)絡(luò)適配器)聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，例如交換機(jī)或路由器。

如圖中所示，計算設(shè)備400可以以許多不同形式來實現(xiàn)。例如，其可以實現(xiàn)為標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器400a或在這樣的服務(wù)器400a的群組中實現(xiàn)多次、實現(xiàn)為膝上型計算機(jī)400b或?qū)崿F(xiàn)為機(jī)架式服務(wù)器系統(tǒng)400c的一部分。

圖5示出了用于操作半導(dǎo)體封裝100的方法500。在框502處，方法500包括接收流體250的流。流體250可為適于吸收并傳導(dǎo)熱的任何流體250。流體250可通過蓋150中的端口152、152a到達(dá)蓋體積160。在框504處，方法500包括在堆棧式存儲器或高帶寬存儲器130和集成電路120的表面上方引導(dǎo)流體250的流。集成電路120具有低功率區(qū)域124和高功率區(qū)域122。所述堆棧式存儲器或hbm130由在集成電路120的低功率區(qū)域124上的存儲器支撐件140支撐。存儲器支撐件140引導(dǎo)流體250的流以從集成電路120的低功率區(qū)域124和高功率區(qū)域122將熱傳導(dǎo)出去。流體250可以被蓋150引導(dǎo)到內(nèi)插件112、集成電路120、hbm130、hbm支撐件140和散熱器170上方的蓋體積160中。流體250吸收由內(nèi)插件112、集成電路120、hbm130、hbm支撐件140和散熱器170產(chǎn)生的熱?？梢龑?dǎo)所述流體以被熱交換系統(tǒng)200驅(qū)散。

方法500可包括通過限定第一端口152a、第二端口152b和流體地連接第一端口152a和第二端口152b的蓋體積160的蓋150來引導(dǎo)流體250的流。蓋體積160可配置為容納集成電路120、存儲器支撐件140和堆棧式存儲器130，同時引導(dǎo)流體250的流在集成電路120、存儲器支撐件140和堆棧式存儲器130上方流動。方法500可進(jìn)一步包括布置在集成電路120的高功率區(qū)域122上的散熱器170。蓋體積160配置為容納散熱器170同時引導(dǎo)流體250的流在散熱器170上方流動。在該示例中，散熱器170可具有多個鰭172。方法500可進(jìn)一步包括布置在集成電路120的高功率區(qū)域122上的導(dǎo)熱材料176。蓋體積160配置為容納導(dǎo)熱材料176同時引導(dǎo)流體250的流在導(dǎo)熱材料176上方流動。導(dǎo)熱材料176可包括金剛石和/或銅和碳納米管或銦的復(fù)合物。

在一些示例中，方法500包括布置在導(dǎo)熱材料176上的散熱器170，導(dǎo)熱材料176布置在集成電路120的高功率區(qū)域122上。蓋體積160配置為容納散熱器170同時引導(dǎo)流體250的流在散熱器170上方流動。此外，散熱器170可具有多個鰭172。低功率區(qū)域124和高功率區(qū)域122可不重疊。存儲器支撐件140可包括多孔材料，并且所述多孔材料可具有規(guī)則間隔的孔142。方法500可進(jìn)一步包括布置在集成電路120上的內(nèi)插件112。存儲器支撐件140可配置為電連接存儲器130和集成電路120。

盡管本說明書包含許多細(xì)節(jié)，但是這些細(xì)節(jié)不應(yīng)當(dāng)被解釋為對本公開或請求保護(hù)的范圍進(jìn)行限制，而應(yīng)該被解釋為特定于本公開的具體實現(xiàn)方式的特征的描述。在本說明書中在不同實現(xiàn)方式的背景中描述的某些特征也可以以組合方式實現(xiàn)在單個實現(xiàn)方式中。相反，在單個實現(xiàn)方式的背景中描述的各種特征也可以單獨地實現(xiàn)在多個實現(xiàn)方式中或以任何合適的子組合的方式來實現(xiàn)。此外，盡管特征可以如上所述描述為在某些組合中起作用甚至最初也這樣要求，但在一些情況下，來自所要求的組合的一個或多個特征可以從組合中排除，并且所要求的組合可以是子組合或子組合的變體。

類似地，盡管在附圖中以特定次序描繪了操作，但是這不應(yīng)當(dāng)被理解為需要以示出的特定次序或以相繼的次序來執(zhí)行這樣的操作或者需要執(zhí)行所有示意的操作來取得滿意的結(jié)果。在某些情況下，多任務(wù)和并行處理可能是有利的。另外，在上述實施例中對各種系統(tǒng)組件的分離不應(yīng)當(dāng)被理解為在所有實施例中要求這樣的分離，而是應(yīng)當(dāng)理解，所描述的程序組件和系統(tǒng)可通常地在單個軟件產(chǎn)品中被集成在一起或者被封裝成多個軟件產(chǎn)品。

已經(jīng)描述了多個實現(xiàn)方式。盡管如此，將會理解，在不背離本公開的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行各種修改。因此，其他實現(xiàn)方式落入下述權(quán)利要求的范圍內(nèi)。例如，記載在權(quán)利要求中的動作可以以不同的次序執(zhí)行而仍然取得滿意的結(jié)果。