本發(fā)明涉及感應(yīng)耦合型等離子體處理裝置等的等離子體處理裝置。

背景技術(shù)：

在液晶顯示器等的平板顯示器(fpd)的制造工序中，對fpd用玻璃基板通過例如等離子體蝕刻、等離子體灰化、等離子體成膜等的進行電路形成，作為進行這樣的等離子體處理的裝置能夠使用感應(yīng)耦合型等離子體處理裝置(icp處理裝置)。

icp處理裝置包括對fpd用玻璃基板進行等離子體處理的腔室、高頻天線和向腔室內(nèi)供給處理氣體的氣體供給部件。在腔室內(nèi)的下部配置載置fpd用玻璃基板的載置臺，在腔室內(nèi)的上部以與載置臺的基板載置面相對的方式配置由電介質(zhì)體材料形成的多個平板部件。高頻天線配置在上述的平板部件的上表面，氣體供給部件埋入上述平板部件的處理空間側(cè)。在腔室內(nèi)載置臺的基板載置面和平板部件之間的空間成為用于生成等離子體的處理空間(例如參照專利文獻1)。

在如上所述構(gòu)成icp處理裝置中，在從氣體供給部件向處理空間供給處理氣體的同時，通過對高頻天線施加高頻電力，在處理空間產(chǎn)生感應(yīng)電場。由此，從導(dǎo)入到處理空間的處理氣體生成等離子體，利用生成的等離子體對fpd用玻璃基板進行蝕刻等的等離子體處理。在此，在上述專利文獻1中作為氣體供給部件使用具有十字形狀的噴淋頭，噴淋頭除了向處理空間供給處理氣體的功能之外，還起到將平板部件支承在腔室內(nèi)的作用。在噴淋頭的規(guī)定位置設(shè)置向與fpd用玻璃基板的處理面正交的方向(鉛垂方向)吹出處理氣體的氣體吹出孔。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第4028534號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明想要解決的技術(shù)問題

但是，在進行等離子體蝕刻的icp處理裝置中，使用在上述專利文獻1中記載的十字型的噴淋頭，從噴淋頭向與基板載置面大致正交的方向吹出處理氣體的結(jié)構(gòu)的情況下，在fpd用玻璃基板的處理面上的與噴淋頭相對的區(qū)域及其附近的區(qū)域和fpd用玻璃基板的角部及其附近區(qū)域中，蝕刻率產(chǎn)生較大的差，有fpd用玻璃基板產(chǎn)生處理的不均勻的問題。

本發(fā)明的目的提供能夠?qū)寰鶆虻剡M行等離子體處理的等離子體處理裝置。

用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

為了實現(xiàn)上述目的，權(quán)利要求1所記載的等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

具有用于載置基板的基板載置面的載置臺；

將上述載置臺收容在內(nèi)部的腔室；

在上述腔室的內(nèi)部與上述基板載置面相對配置的隔板部；

配置在上述隔板部的上表面，通過施加高頻電力而在上述基板載置面和上述隔板部之間的處理空間生成等離子體的高頻天線；和

配置在上述隔板部的下表面，向上述處理空間導(dǎo)入處理氣體的氣體導(dǎo)入單元，

上述等離子體處理裝置對載置在上述載置臺的基板實施利用上述等離子體進行的處理，

上述氣體導(dǎo)入單元包括：

具有長條狀的形狀，具有向與上述基板載置面大致正交的方向吹出上述處理氣體的多個氣體吹出孔的多個第1噴淋板；和

具有長條狀的形狀，具有向與上述基板載置面大致平行的方向吹出上述處理氣體的多個氣體吹出孔的多個第2噴淋板，

多個上述第1噴淋板和上述第2噴淋板配置成，在從上述隔板部觀看載置在上述載置臺的基板時，上述第1噴淋板和上述第2噴淋板的長邊方向為輻射狀延伸的方向。

權(quán)利要求2記載的等離子體處理裝置是，如在權(quán)利要求1記載的等離子體處理裝置中，其特征在于：設(shè)置在上述第1噴淋板的氣體吹出孔的數(shù)量和設(shè)置在上述第2噴淋板的氣體吹出孔的數(shù)量相等且設(shè)置在上述第1噴淋板的氣體吹出孔的電導(dǎo)和設(shè)置在上述第2噴淋板的氣體吹出孔的電導(dǎo)大致相等。

權(quán)利要求3記載的等離子體處理裝置是，如權(quán)利要求1或者2記載的等離子體處理裝置中，其特征在于：由兩對構(gòu)成的多個上述第1噴淋板中、一對位于連結(jié)上述隔板部的長邊的中央部的線上，另一對位于連結(jié)上述隔板部的短邊的中央部的線上。

權(quán)利要求4記載的等離子體處理裝置是，如在權(quán)利要求1記載的等離子體處理裝置中，其特征在于：上述氣體導(dǎo)入單元僅由多個上述第2噴淋板構(gòu)成，多個上述第2噴淋板配置成其長邊方向為輻射狀延伸的方向。

權(quán)利要求5記載的等離子體處理裝置是，如在權(quán)利要求1～3中任一項記載的等離子體處理裝置中，其特征在于：在上述載置臺載置有矩形的基板時，多個上述第2噴淋板配置成其長邊方向的一端分別位于的上述基板的角部或角部附近的上部。

權(quán)利要求6記載的等離子體處理裝置是，如在權(quán)利要求5記載的等離子體處理裝置中，其特征在于：上述隔板部具有矩形形狀，具有四個上述第1噴淋板，在4個上述第1噴淋板中、2個第1噴淋板位于連結(jié)上述隔板部的長邊的中央部的線上，其余2個第1噴淋板位于連結(jié)上述隔板部的短邊的中央部的線上。

發(fā)明的效果

本發(fā)明所涉及的等離子體處理裝置中，形成有向與載置臺的基板載置面大致正交的方向吹出處理氣體的多個第1吹出孔的多個第1噴淋板和形成有向與基板載置面大致平行的方向吹出處理氣體的多個第2吹出孔的多個第2噴淋板呈輻射狀交替配置在腔室內(nèi)的上部。

通過采用上述的結(jié)構(gòu)，使處理空間的處理氣體的分布均勻化，能夠?qū)寰鶆虻剡M行等離子體處理，進而，能夠提高使用基板的制品的生產(chǎn)性。另外，能夠進行更高精度的等離子體處理。

附圖說明

圖1是表示具備本發(fā)明的實施方式所涉及的等離子體處理裝置的基板處理系統(tǒng)的概略構(gòu)成的立體圖。

圖2是表示基板處理系統(tǒng)所具備的等離子體處理裝置的概略構(gòu)成的截面圖。

圖3是說明設(shè)置在等離子體處理裝置的腔室內(nèi)的隔板部和第1噴淋板的位置關(guān)系、第1噴淋板的概略構(gòu)造及其支承構(gòu)造的圖。

圖4是表示配置在圖2的等離子體處理裝置的腔室內(nèi)的第1噴淋板的概略構(gòu)成的截面圖。

圖5是示意地表示利用配置有第1噴淋板的圖2的等離子體處理裝置進行了等離子體蝕刻時的蝕刻率(e/r)的分布的圖和示意地表示在線b-b下的蝕刻率的分布的實施例和參考例的圖。

圖6是說明設(shè)置在圖2的等離子體處理裝置的腔室內(nèi)的隔板部和第1噴淋板和第2噴淋板的位置關(guān)系、第2噴淋板的概略構(gòu)造及其支承構(gòu)造的圖。

圖7是表示配置在圖2的等離子體處理裝置的腔室內(nèi)的第2噴淋板的概略構(gòu)成的截面圖。

圖8是示意地表示利用配置有第1噴淋板和第2噴淋板的圖2的等離子體處理裝置進行了等離子體蝕刻時的蝕刻率(e/r)的分布的圖和示意地表示在線d-d下的蝕刻率的分布的圖。

附圖標記說明

10基板處理系統(tǒng)

11等離子體處理裝置

20腔室

20a上壁

21載置臺

22隔板部

22a平板部件

23支承框

24a～24h第1噴淋板

25b氣體吹出孔

44處理氣體配管

50高頻天線

54a～54d第2噴淋板

55b氣體吹出孔。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。圖1是表示具備本發(fā)明的實施方式所涉及的等離子體處理裝置11的基板處理系統(tǒng)10的概略構(gòu)成的立體圖?；逄幚硐到y(tǒng)10包括用于向fpd用玻璃基板等的基板g實施等離子體處理、例如等離子體蝕刻的3個等離子體處理裝置11。此外，作為fpd，能夠列舉液晶顯示器(lcd)、電致發(fā)光(el)顯示器、等離子體顯示器面板(pdp)等。

3個等離子體處理裝置11各自經(jīng)由閘閥13與水平截面為多邊形狀(例如水平截面為矩形狀)的搬送室12的側(cè)面連結(jié)。此外，在后面參照圖2對等離子體處理裝置11的詳細構(gòu)成進行描述。搬送室12還經(jīng)由閘閥15與隔離室14連結(jié)。隔離室14經(jīng)由閘閥17與基板搬出入機構(gòu)16相鄰設(shè)置。基板搬出入機構(gòu)16與2個索引器18相鄰設(shè)置。索引器18載置收納基板g的盒19。盒19能夠收納多個(例如25個)的基板g。

基板處理系統(tǒng)10的整體的動作由未圖示的控制裝置控制。在基板處理系統(tǒng)10對基板g實施等離子體蝕刻時，首先，通過基板搬出入機構(gòu)16將收納在盒19的基板g搬入到隔離室14的內(nèi)部。此時，若在隔離室14的內(nèi)部存在等離子體蝕刻后的基板g，該等離子體蝕刻后的基板g被從隔離室14內(nèi)搬出，與未蝕刻的基板g置換。向隔離室14的內(nèi)部搬入基板g后，將閘閥17關(guān)閉。

接著，隔離室14的內(nèi)部被減壓至規(guī)定的真空度后，搬送室12和隔離室14之間的閘閥15打開。然后，隔離室14的內(nèi)部的基板g被搬送室12的內(nèi)部的搬送機構(gòu)(未圖示)搬入搬送室12的內(nèi)部后，將閘閥15關(guān)閉。

接著，打開搬送室12和等離子體處理裝置11之間的閘閥13，通過搬送機構(gòu)向等離子體處理裝置11的內(nèi)部搬入未蝕刻的基板g。此時，若在等離子體處理裝置11的內(nèi)部存在等離子體蝕刻后的基板g，該等離子體蝕刻后的基板g被搬出，置換成未蝕刻的基板g。之后，由等離子體處理裝置11對搬入的基板g實施等離子體蝕刻。

圖2是表示等離子體處理裝置11的概略構(gòu)成的截面圖。等離子體處理裝置11具體來說是感應(yīng)耦合型等離子體處理裝置(icp處理裝置)。等離子體處理裝置11包括：水平截面為大致矩形的腔室20；和收容、配置在腔室20內(nèi)的下方，在作為頂部的基板載置面上載置基板g的臺狀的載置臺21。另外，在腔室20內(nèi)的上方以與載置臺21相對的方式配置由多個平板部件22a形成的隔板部22，在隔板部22和載置臺21之間形成有用于生成等離子體的處理空間s。

平板部件22a由氧化鋁(al2o3)等的陶瓷、石英等的電介質(zhì)體材料形成，在本實施方式中，由設(shè)置在腔室20的側(cè)壁的矩形形狀的支承框23支承。此外，圖2中僅圖示了第1噴淋板24a、24b、24c。在隔板部22的上表面配置由渦旋狀的導(dǎo)體形成的高頻天線(感應(yīng)耦合天線)50。另外，在隔板部22的下表面(載置臺21側(cè)的面)，除了配置有作為向腔室20內(nèi)供給處理氣體的氣體供給部件的第1噴淋板24a～24d之外，還配置第1噴淋板24e～24h(圖2中未圖示，參照圖3)。在后面參照圖3等對第1噴淋板24a～24h的配置和詳細的構(gòu)成進行描述。

第1噴淋板24a～24h通過處理氣體配管44與處理氣體供給機構(gòu)40連接。處理氣體供給機構(gòu)40具有處理氣體供給源41、氣體流量控制器42和圧力控制閥43。從處理氣體供給機構(gòu)40向第1噴淋板24a～24h供給處理氣體，從設(shè)置在第1噴淋板24a～24h各自的未圖示的氣體吹出孔向處理空間s導(dǎo)入處理氣體。

載置臺21內(nèi)置有由導(dǎo)體形成的基座26，基座26與偏置用高頻電源27經(jīng)匹配器28連接。另外，在載置臺21的上部配置由層狀的電介質(zhì)體形成的靜電吸附部29，靜電吸附部29具備由上層的電介質(zhì)體層和下層的電介質(zhì)體層夾著地內(nèi)置的靜電吸附電極30。靜電吸附電極30與直流電源31連接，從直流電源31向靜電吸附電極30施加直流電壓時，靜電吸附部29通過靜電力吸附保持載置在載置臺21的基板g。偏置用高頻電源27將頻率相對低的高頻電力供給到基座26，在被靜電吸附部29靜電吸附的基板g產(chǎn)生直流偏置電位。此外，靜電吸附部29可以形成為板部件，另外，也可以在載置臺21上形成為噴鍍膜。

載置臺21內(nèi)置有對載置的基板g進行冷卻的冷卻介質(zhì)流路32，冷卻介質(zhì)流路32與供給傳熱氣體的傳熱氣體供給機構(gòu)33連接。作為傳熱氣體例如能夠使用he氣體。傳熱氣體供給機構(gòu)33具有傳熱氣體供給源34和氣體流量控制器35，將傳熱氣體供給到載置臺21。載置臺21包括在上部開口的多個傳熱氣體孔36和使各自的傳熱氣體孔36和傳熱氣體供給機構(gòu)33連通的傳熱氣體供給路徑37。在載置臺21中，在被靜電吸附部29靜電吸附的基板g的背面和載置臺21的上部之間雖然會產(chǎn)生微小的間隙，但是，從傳熱氣體孔36供給的傳熱氣體充填在該間隙，由此，能夠提高基板g和載置臺21的熱傳遞效率，提高載置臺21的基板g的冷卻效率。

高頻天線50經(jīng)由匹配器46與等離子體生成用高頻電源45連接，等離子體生成用高頻電源45將頻率相對高的等離子體生成用的高頻電力供給到高頻天線50。被供給等離子體生成用的高頻電力的高頻天線50在處理空間s中產(chǎn)生電場。另外，等離子體處理裝置11包括與腔室20的內(nèi)部連通的排氣管47，通過排氣管47將腔室20的內(nèi)部的氣體排出，能夠使腔室20的內(nèi)部為規(guī)定的減壓狀態(tài)。

構(gòu)成等離子體處理裝置11的各部的動作在基板處理系統(tǒng)10的控制裝置的統(tǒng)一的控制下，通過裝置控制器48執(zhí)行規(guī)定的程序來控制。在利用等離子體處理裝置11對基板g實施等離子體蝕刻時，處理空間s被減壓，處理氣體被導(dǎo)入處理空間s并且向高頻天線50供給等離子體生成用的高頻電力。由此，在處理空間s中產(chǎn)生電場。被導(dǎo)入至處理空間s的處理氣體被電場激發(fā)而生成等離子體，等離子體中的陽離子被隔著載置臺21在基板g是產(chǎn)生的直流偏置電位引入基板g，對基板g實施等離子體蝕刻。另外，等離子體中的自由基到達基板g對基板g實施等離子體蝕刻。

圖3(a)是表示設(shè)置在腔室20內(nèi)的隔板部22和第1噴淋板24a～24h的位置關(guān)系的平面圖。另外，圖3(b)是圖3(a)中所示的向視a-a的概略截面圖，是表示第1噴淋板24a的概略構(gòu)造及其支承構(gòu)造的圖。為了說明的方便，如圖3(a)所示，設(shè)定彼此正交的x方向、y方向和z方向。此外，xy面與水平方向大致平行，z方向與鉛垂方向大致平行。

第1噴淋板24a～24h僅配置不同，具有大致同等的構(gòu)造。第1噴淋板24a～24h具有長條狀的大致長方體形狀，在從z方向觀看時，如圖3(a)所示，2個第1噴淋板24a、24c，配置成在腔室20的y方向中央，長邊方向與x方向平行，且配置成關(guān)于腔室20的x方向中央在x方向上對稱的位置。另外的2個第1噴淋板24b、24d配置成在腔室20的x方向中央，長邊方向與y方向平行，且配置成關(guān)于腔室20的y方向中央在y方向?qū)ΨQ的位置。即，4個第1噴淋板24a～24d從基板g的中央部向外周呈十字狀配置。并且，另外的4個第1噴淋板24e～24h配置在基板g的對角線上。此外，在第1噴淋板24e～24h配置在基板g的對角線上的情況下，通過與第1噴淋板24a～24d交叉而產(chǎn)生的角度在35～55度的范圍。

與第1噴淋板24a～24d連接的處理氣體配管44通過凸緣49a、49b安裝在腔室20的上壁20a。這樣一來，向第1噴淋板24a～24d供給處理氣體。

隔板部226由4個平板部件22a形成，各平板部件22a的外周端部的一部分被設(shè)置在腔室20的支承框23的上表面所支承。另外，因平板部件22a的形狀不同，除了支承框23之外，還可以被以橫切處理空間的方式形成的梁部件支承。

在4個平板部件22a各自形成有孔部，用于與第1噴淋板24e～24h連接的處理氣體配管44插通。第1噴淋板24e～24h可以通過將處理氣體配管44固定在腔室20的上壁20a而保持，也可以在4個平板部件22a各自安裝第1噴淋板24e～24h。

圖4是表示第1噴淋板24a的概略構(gòu)成的截面圖。此外，為了說明的方便，關(guān)于第1噴淋板24a，將長邊方向定為x方向、寬度方向定為y方向、高度(厚度)方向定為z方向。第1噴淋板24a例如由氧化鋁等的陶瓷形成，包括：設(shè)置在內(nèi)部的緩沖室25a；和以與緩沖室25a連通的方式設(shè)置在第1噴淋板24a的底壁的多個氣體吹出孔25b。在第1噴淋板24a上，多個氣體吹出孔25b具有圓柱狀的形狀，以該軸方向與z方向大致平行(徑方向與xy面大致平行)的方式形成，其在y方向為2列且在x方向是規(guī)定的間隔。

第1噴淋板24a以z方向與鉛垂方向大致平行(xy面與水平方向大致平行)的方式保持在腔室20內(nèi)。由此，從多個氣體吹出孔25b向處理空間s中，在作為與載置臺21的基板載置面大致正交的方向的鉛垂方向吹出處理氣體，由此向處理空間s導(dǎo)入處理氣體。緩沖室25a起到使從多個氣體吹出孔25b各自吹出的處理氣體的流量均等的作用。第1噴淋板24b～24h的構(gòu)造與第1噴淋板24a的構(gòu)造相同，所以，省略說明。

此外，以導(dǎo)入處理空間s的處理氣體不向形成在隔板部22和腔室20的上壁20a之間的空間泄露的方式，在4個平板部件22a彼此的邊界部、腔室20的側(cè)壁和平板部件22a的邊界部、處理氣體配管44和平板部件22a的邊界部的各邊界部使用密封構(gòu)造。上述的密封構(gòu)造與本發(fā)明的特性無直接的關(guān)系，另外，能夠任意選擇周知的密封構(gòu)造進行應(yīng)用，因此，省略說明

圖5(a)是示意地表示利用具有第1噴淋板24a～24h的等離子體處理裝置11進行了等離子體蝕刻時的蝕刻率(e/r)的分布的平面圖，圖5(b)是示意地表示使用第1噴淋板24a～24h的情況下，圖5(a)所示的線b-b下的蝕刻率的分布(實施例)的圖。圖5(c)是示意地表示僅使用第1噴淋板24a～24d的情況下、圖5(a)所示的線b-b下的蝕刻率的分布(參考例)的圖。此外，在此，示意地表示使用氯氣氣體(cl2)作為處理氣體，在表面以規(guī)定的圖案形成的抗蝕劑膜之下使用形成有作為蝕刻對象的鋁(al)膜的基板g的情況的結(jié)果。

在對基板g進行蝕刻處理時，通過排氣管47進行排氣，將腔室20的內(nèi)部維持為規(guī)定的減壓氣氛，并且，從氣體第1噴淋板24a～24h的氣體吹出孔25b在鉛垂方向吹出處理氣體。從氣體吹出孔25b吹出的處理氣體一邊擴散一邊導(dǎo)入處理空間s，但是，在第1噴淋板24a～24h各自的正下方及其附近，處理氣體的濃度容易變高。因此，在第1噴淋板24a～24h各自的正下方及其附近，蝕刻率容易變高。圖5(a)示意地表示如上述方式形成的高蝕刻率區(qū)域k。

在此，對于以與在背景技術(shù)中說明的專利文獻1中記載的具有十字形狀的噴淋頭對應(yīng)的方式，僅從4個第1噴淋板24a～24d以等流量吹出處理氣體的方式控制處理氣體的流量將處理氣體導(dǎo)入處理空間s的情況進行說明。在4個第1噴淋板24a～24d的正下方及其附近，如上述方式形成有高蝕刻率區(qū)域k。對此，在基板g的4個的角部及其附近的區(qū)域中處理氣體的濃度容易變低，因此，蝕刻率容易變低。其結(jié)果是，在線b-b下，如圖5(c)所示，蝕刻率產(chǎn)生較大偏差(高低差δr0)。此外，在基板g的外周端，蝕刻率稍微上升是基于所謂的負載效應(yīng)。

對此，在以從8個第1噴淋板24a～24h以等流量吹出處理氣體的方式，控制處理氣體的流量，從第1噴淋板24a～24h向處理空間s在鉛垂方向吹出處理氣體進行導(dǎo)入的情況下，除了由第1噴淋板24a～24d形成的高蝕刻率區(qū)域k之外，還在第1噴淋板24e～24h各自的正下方及其附近，形成有高蝕刻率區(qū)域k。由此，線b-b下的蝕刻率的偏差(高低差δr1)如圖5(b)所示變小。

所以，能夠提高對基板g的等離子體處理的均勻性，由此，能夠獲得能夠進行更高精度的等離子體處理的效果、能夠提高生產(chǎn)性的效果，進一步，能夠獲得能夠提高使用基板g制造的產(chǎn)品的可靠性的效果。

接著，對于在等離子體處理裝置11中，除了4個第1噴淋板24e～24h之外還配置4個第2噴淋板54a～54d的構(gòu)成的情況進行說明。圖6(a)是表示設(shè)置在腔室20內(nèi)的隔板部22和第1噴淋板24a～24d和第2噴淋板54a～54d的位置關(guān)系的平面圖。圖6(b)是圖6(a)中所示的向視c-c的截面圖，表示第2噴淋板54a的概略構(gòu)造及其支承構(gòu)造的圖。

參照圖3～圖5，由于第1噴淋板24a～24d各自與第1噴淋板24a～24d相同，因此，包括在腔室20內(nèi)的保持方法，省略說明。第2噴淋板54a～54d各自具有長條狀的大致長方體形狀，配置在參照圖3說明的設(shè)置有第1噴淋板24e～24h的位置。這樣一來，第1噴淋板24a～24d和第2噴淋板54a～54d從z方向觀看為順時針(或者逆時針)交替配置。第2噴淋板54a～54d與第1噴淋板24e～24h同樣，由腔室20的上壁20a吊支或者安裝在平板部件22a。因此，省略關(guān)于第2噴淋板54a～54d在腔室20內(nèi)的保持方法的詳細的說明。此外，圖6(b)中示出通過凸緣部59將第2噴淋板54a安裝在平板部件22a的例子。

圖7是表示第2噴淋板54a的構(gòu)造的截面圖。為了說明的方便，如圖7所示，將第2噴淋板54a的長邊方向定為x方向、將寬度方向定為y方向、將高度(厚度)方向定為z方向，但是，在圖7中設(shè)定的x方向、y方向和z方向與圖6(a)所示的x方向、y方向和z方向無關(guān)。

第2噴淋板54a例如由氧化鋁等的陶瓷形成，包括：在內(nèi)部沿x方向設(shè)置的長方體形狀的緩沖室55a；和以與緩沖室55a連通的方式在第2噴淋板54a的側(cè)壁(y方向側(cè)的壁部)與y方向大致平行地設(shè)置的多個氣體吹出孔55b。在此，雖然作為氣體吹出孔55b示出四邊柱狀的孔部，但是，不限于此，可以為氣體吹出孔25b那樣的圓柱狀的孔部。

第2噴淋板54a以x方向和y方向為與水平方向大致平行(z方向與鉛垂方向大致平行)的方式配置在腔室20內(nèi)。因此，處理氣體從第2噴淋板54a，以與載置臺21的基板載置面大致平行的方向的水平方向吹出而被導(dǎo)入至處理空間s。第2噴淋板54b～54d的構(gòu)造與第2噴淋板54a的構(gòu)造相同，因此，在此省略說明。

圖8(a)是示意地表示利用具備第1噴淋板24a～24d和第2噴淋板54a～54d的等離子體處理裝置11進行了等離子體蝕刻時的蝕刻率(e/r)的分布的平面圖，圖8(b)是示意地表示圖8(a)所示的線d-d下的蝕刻率的分布(實施例)的圖。此外，從與參照圖5說明的蝕刻率相比觀點出發(fā)，在此示意地表示也使用了氯氣氣體(cl2)作為處理氣體，使用在表面以規(guī)定的圖案形成的抗蝕劑膜之下形成有作為蝕刻對象的鋁(al)膜的基板g的情況的結(jié)果。

如參照圖5說明的方式，從第1噴淋板24a～24d的氣體吹出孔25b向處理空間s在鉛垂方向吹出處理氣體。而且，從氣體吹出孔25b吹出的處理氣體一邊擴散一邊被導(dǎo)入至處理空間s，此時，在第1噴淋板24a～24d各自的正下方及其附近，高蝕刻率區(qū)域k與圖5(a)同樣地形成。

另一方面，從第2噴淋板54a～54d的氣體吹出孔55b向處理空間s在水平方向吹出處理氣體。此時，如上所述，在對基板g進行蝕刻處理時，通過排氣管47對腔室20內(nèi)進行排氣，由此，腔室20的內(nèi)部被維持為規(guī)定的減壓氣氛，因此，處理氣體被從氣體吹出孔25b向水平方向吹出之后，向基板g在處理空間s擴散。由此，如圖8(a)所示從z方向觀看時，處理氣體均勻擴散的范圍變寬，形成有比高蝕刻率區(qū)域k更寬的高蝕刻率區(qū)域m。其結(jié)果是，線d-d下的蝕刻率的分布如圖8(b)所示被均勻化，能夠使蝕刻率的偏差(高低差δr2)非常窄(δr2<δr1)。

所以，能夠進一步提高對基板g的等離子體處理的均勻性，由此，能夠獲得能夠進行更高精度的等離子體處理的效果、能夠進一步提高生產(chǎn)性的效果，進一步，能夠獲得能夠進一步提高使用基板g制造的產(chǎn)品的可靠性的效果。

此外，為了實現(xiàn)圖8(b)所示的蝕刻率的均勻性，需要調(diào)整從第1噴淋板24a～24d吹出的氣體流量和從第2噴淋板54a～54d吹出的氣體流量。具體來說，通過使氣體吹出孔25b的電導(dǎo)和氣體吹出孔55b的電導(dǎo)大致相等，能夠?qū)崿F(xiàn)基板g的處理面的蝕刻率的均勻化。

在本實施方式中，如圖4和圖7所示，第1噴淋板24a～24d中的氣體吹出孔25b的數(shù)量和第2噴淋板54a～54d中的氣體吹出孔55b的數(shù)量設(shè)定為相同的數(shù)量。在該情況下，使每一個孔部的電導(dǎo)相同即可。氣體吹出孔25b的電導(dǎo)大致由徑方向的截面積和孔深度l1(參照圖4)決定，同樣，氣體吹出孔55b的電導(dǎo)也由徑方向的截面積和孔深度l2(參照圖7)決定。由此，通過計算上述的參數(shù)(截面積、孔深度)的同時，實驗性地使氣體流量變化來調(diào)查蝕刻率的偏差，由此能夠決定適當(dāng)?shù)牡入x子體處理條件。此外，從氣體吹出孔25b、55b吹出的氣體流量設(shè)定為能夠確保防止形成在處理空間s的等離子體侵入氣體吹出孔25b、55b的壓力的值。

成為利用使用了上述的第1噴淋板24a～24h的等離子體處理裝置11或使用了第1噴淋板24a～24d和第2噴淋板54a～54d的等離子體處理裝置11的等離子體處理的對象的基板g不被限定，但是，能夠提高等離子體處理的均勻性的效果例如能夠在平面的尺寸為800mm×900mm以上的基板g中顯著獲得。另外，成為等離子體蝕刻的對象的膜不限定于鋁(al)膜。但是，本發(fā)明適用于對于由蝕刻率對于處理氣體的依賴性高的材料形成的膜的等離子體蝕刻。

在上述實施方式中，由4個平板部件22a構(gòu)成隔板部22，但是，構(gòu)成隔板部22的平板部件的數(shù)量不限于此。并且，以對第1噴淋板24e～24h和第2噴淋板54a～54d各自設(shè)置2根處理氣體配管44的構(gòu)成進行了說明，但是，關(guān)于上述的噴淋板，可以為1個噴淋板與1根處理氣體配管44連接的構(gòu)成。在該情況下，能夠提高高頻天線50的配置圖案的自由度，因此，能夠提高形成于處理空間s的電場的均勻性。由此，能夠生成更均勻的等離子體，能夠進一步提高對基板g的處理面的等離子體處理的均勻性。第1噴淋板24a～24d也可以為與1根處理氣體配管44連接的構(gòu)成。另外，第1噴淋板24a～24d也可以為呈十字型連續(xù)的一體構(gòu)造。

在使用第1噴淋板24a～24d和第2噴淋板54a～54d的情況下，也可以使第1噴淋板24a～24d和第2噴淋板54a～54d的配置位置與圖6(a)所示的位置相反，在該情況下獲得的效果沒有變化。另外，可以由第2噴淋板構(gòu)成所有的噴淋板。多個噴淋板的配置位置能夠根據(jù)被處理基板的形狀適時改變。另外，在使用8個噴淋板的情況下，與基板g的長邊或者短邊平行配置的4個噴淋板以外的4個噴淋板的配置位置能夠根據(jù)基板g的縱橫比改變。例如，優(yōu)選在基板g的短邊中央與長邊平行地配置2個噴淋板，在基板g的長邊中央與短邊平行地配置2個噴淋板，將其余的4個噴淋板以其長邊方向的一端各自位于基板g的角部或者其附近的上部的方式配置，由此，能夠提高對基板g的等離子體處理的均勻性。