本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體工藝和使用半導(dǎo)體工藝的半導(dǎo)體處理器件。

背景技術(shù)：

在晶圓蝕刻工藝中，在蝕刻晶圓之后，在其中晶圓被蝕刻的腔室可以獲得在腔室壁上沉積的副產(chǎn)品。清洗腔室的清洗工藝去除腔室壁上的副產(chǎn)品，并且然后晶圓蝕刻工藝?yán)^續(xù)。

然而，清洗腔室以去除副產(chǎn)品的工藝需要大量時(shí)間。在清洗工藝期間，腔室不能蝕刻其他晶圓。因此，清洗工藝減小腔室的效率和生產(chǎn)能力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體工藝，包括：(a)蝕刻在第一蝕刻腔室中設(shè)置的晶圓以產(chǎn)生蝕刻的晶圓，其中，所述第一蝕刻腔室設(shè)置在蝕刻模塊中；(b)清洗設(shè)置在所述蝕刻模塊外部的第二蝕刻腔室，并且在清洗所述第二蝕刻腔室之后，在所述第二蝕刻腔室中設(shè)置另一晶圓；(c)從所述蝕刻模塊去除具有所述蝕刻的晶圓的所述第一蝕刻腔室；以及(d)在所述蝕刻模塊中設(shè)置具有所述另一晶圓的所述第二蝕刻腔室，以用于蝕刻所述另一晶圓。

根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，還提供了一種半導(dǎo)體工藝，包括：(a)蝕刻在多個(gè)蝕刻腔室的一個(gè)中設(shè)置的晶圓以產(chǎn)生蝕刻的晶圓，其中，在蝕刻模塊中蝕刻所述晶圓；(b)清洗所述蝕刻腔室的無(wú)晶圓蝕刻腔室以成為清洗的蝕刻腔室，其中，所述無(wú)晶圓蝕刻腔室設(shè)置在所述蝕刻模塊外部，并且在所述清洗的蝕刻腔室中設(shè)置將被蝕刻的另一晶圓；(c)將具有所述蝕刻的晶圓的所述蝕刻腔室與具有所述另一晶圓的所述清洗的蝕刻腔室互換，從而在所述蝕刻模塊中設(shè)置所述清洗的蝕刻腔室以用于將被蝕刻的所述另一晶圓并且在所述蝕刻模塊外部設(shè)置具有所述蝕刻的晶圓的所述蝕刻腔室以被清洗；以及(d)去除在所述蝕刻腔室中的所述蝕刻的晶圓。

根據(jù)本發(fā)明的又一些實(shí)施例，還提供了一種半導(dǎo)體處理器件，包括：第一蝕刻腔室；第二蝕刻腔室；以及蝕刻模塊，適于可交換地包含所述第一蝕刻腔室或所述第二蝕刻腔室以用于晶圓蝕刻。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明的實(shí)施例。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，對(duì)各種部件沒(méi)有按比例繪制并且僅僅用于說(shuō)明的目的。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或縮小。

圖1a至圖1g是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的執(zhí)行半導(dǎo)體工藝的半導(dǎo)體處理器件的示意圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例示出的半導(dǎo)體工藝的步驟的流程圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一些其他實(shí)施例示出的半導(dǎo)體工藝的步驟的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下公開(kāi)內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下面描述了組件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字母。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以便于描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，而在此使用的空間相對(duì)描述符可以同樣地作相應(yīng)的解釋。

圖1a至圖1g是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的執(zhí)行半導(dǎo)體工藝的半導(dǎo)體處理器件的示意圖。參照?qǐng)D1a，半導(dǎo)體處理器件100包括第一蝕刻腔室110、第二蝕刻腔室120、以及蝕刻模塊130。第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120的每個(gè)適合于包括用于蝕刻的晶圓。在一些實(shí)施例中，蝕刻模塊130包括適于包含用于晶圓蝕刻的第一蝕刻腔室110或者第二蝕刻腔室120的狹縫132。換言之，在一些實(shí)施例中，蝕刻模塊130的狹槽132僅包括一個(gè)蝕刻腔室，第一蝕刻腔室110或第二蝕刻腔室120。然而，本發(fā)明不限制于此。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)蝕刻模塊130的狹槽132以包括一個(gè)以上的蝕刻腔室。

在一些實(shí)施例中，蝕刻模塊130適于在狹槽132中可交換地包含用于晶圓蝕刻的的第一蝕刻腔室110或第二蝕刻腔室120。換言之，當(dāng)?shù)谝晃g刻腔室110包含將被蝕刻的晶圓時(shí)，第一蝕刻腔室110設(shè)置在用于晶圓蝕刻的蝕刻模塊130的狹槽132中。以相同的方式，當(dāng)?shù)诙g刻腔室120包含將被蝕刻的晶圓時(shí)，第二蝕刻腔室120設(shè)置在用于晶圓蝕刻的蝕刻模塊130的狹槽132中。在一些實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝晃g刻腔室110設(shè)置在狹槽132中時(shí)，第二蝕刻腔室120設(shè)置在蝕刻模塊130的外部。相似地，當(dāng)?shù)诙g刻腔室120設(shè)置在狹槽132中時(shí)，第一蝕刻腔室110設(shè)置在蝕刻模塊130的外部。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體處理器件100還包括傳送模塊140。傳送模塊140鄰近蝕刻模塊130設(shè)置。當(dāng)傳送模塊140中的第一蝕刻腔室110或第二蝕刻腔室120在無(wú)晶圓狀態(tài)中時(shí)，傳送模塊140適于包含用于清洗的第一蝕刻腔室110或第二蝕刻腔室120。換言之，當(dāng)傳送模塊140中的第一蝕刻腔室110或第二蝕刻腔室120不包括晶圓時(shí)，傳送模塊140包含用于清洗的第一蝕刻腔室110或第二蝕刻腔室120。在傳送模塊140中對(duì)第一蝕刻腔室110或第二蝕刻腔室120執(zhí)行的蝕刻工藝適于去除沉積在已經(jīng)經(jīng)歷晶圓蝕刻工藝或蝕刻工藝的蝕刻腔室(例如，第一蝕刻腔室110或第二蝕刻腔室)上的副產(chǎn)品(未示出)。在晶圓蝕刻工藝期間，副產(chǎn)品可以沉積在需要被清洗的蝕刻腔室的壁上以繼續(xù)蝕刻額外的晶圓。因此，清洗工藝必須被執(zhí)行以去除副產(chǎn)品。在一些實(shí)施例中，清洗工藝是無(wú)晶圓自動(dòng)清洗工藝。然而，本發(fā)明不限制于此。清洗工藝可以是本領(lǐng)域的普通技術(shù)熟知的任何清洗工藝，以用于清洗蝕刻腔室，從而去除副產(chǎn)品。

在一些實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝晃g刻腔室110和第二蝕刻腔室120將在蝕刻模塊130中互換時(shí)，傳送模塊140適于同時(shí)包含第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120。傳送模塊140使第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120中的一個(gè)與蝕刻模塊130的狹槽132對(duì)準(zhǔn)，然后將第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120中對(duì)準(zhǔn)的一個(gè)移動(dòng)至狹槽132中。

此外，在一些實(shí)施例中，蝕刻模塊130具有上部130a、中間部130b和下部130c(僅在圖1a中示出)。狹槽132位于蝕刻模塊130的中間部130b中，從而位于狹槽132中的蝕刻腔室(例如，第一蝕刻腔室110或第二蝕刻腔室120)是中間蝕刻腔室。在一些實(shí)施例中，在晶圓蝕刻工藝期間，副產(chǎn)品大多數(shù)沉積在中間蝕刻腔室中。因此，在晶圓蝕刻工藝之后，中間蝕刻腔室需要被清洗。第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120彼此相同，并且可以在位于蝕刻模塊130的中間部130b中的狹槽132中互換，從而位于狹槽132中的任何蝕刻腔室是中間蝕刻腔室。當(dāng)中間蝕刻腔室需要被清洗時(shí)，另一相同的蝕刻腔室(未在狹縫132中的第一蝕刻腔室110或第二蝕刻腔室120)可以被切換以繼續(xù)晶圓蝕刻工藝，同時(shí)被切換出的中間蝕刻腔室可被清洗。這樣，蝕刻模塊130可以繼續(xù)晶圓蝕刻工藝而沒(méi)有時(shí)間上的損失。換言之，需要被清洗的具有副產(chǎn)品的中間蝕刻腔室在蝕刻模塊130外部被清洗，并且相同的蝕刻腔室被切換為蝕刻模塊130中的中間蝕刻腔室以繼續(xù)蝕刻工藝。因此，通過(guò)能夠切換相同的蝕刻腔室(例如，第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120)，蝕刻模塊130可以繼續(xù)進(jìn)行晶圓蝕刻工藝，而同時(shí)蝕刻腔室中的一個(gè)被清洗。同時(shí)執(zhí)行晶圓蝕刻工藝和清洗工藝允許晶圓蝕刻工藝?yán)^續(xù)而無(wú)需停止和等待蝕刻腔室(例如，第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120)被清洗。這減小了蝕刻模塊130的非生產(chǎn)性時(shí)間，并且在蝕刻模塊130中晶圓蝕刻工藝可以更有效且生產(chǎn)率更高。當(dāng)然，晶圓蝕刻工藝不限制于與清洗其他蝕刻腔室的清洗工藝同時(shí)被執(zhí)行。清洗工藝和晶圓蝕刻工藝相對(duì)于彼此還可在獨(dú)立的時(shí)間被執(zhí)行。

在一些實(shí)施例中，蝕刻模塊130的上部130a和下部130c還可包括額外的狹槽(未示出)。額外的狹槽可保持額外的蝕刻腔室或其他合適的組件。然而，本發(fā)明不限制于此。根據(jù)設(shè)計(jì)要求，本領(lǐng)域的普通技術(shù)可包括或省略蝕刻模塊130的上部130a和下部130c中的額外的狹槽。這樣，上部130a和下部130c可以是真空的。此外，如果額外的狹槽包括在上部130a或下部130c中、或同時(shí)包括在上部130a和下部130c中，本領(lǐng)域的普通技術(shù)可選擇性地包括額外的蝕刻腔室或其他合適的組件。

參照?qǐng)D1a至圖1g，圖1a至圖1g是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的執(zhí)行半導(dǎo)體工藝的半導(dǎo)體處理器件的示意圖。詳細(xì)地，如圖1a中所示，在半導(dǎo)體工藝中，第一蝕刻腔室110設(shè)置在蝕刻模塊130的中間部130b中的狹槽132中。在第一蝕刻腔室110中設(shè)置的晶圓112可經(jīng)歷晶圓蝕刻工藝。傳送模塊140包括第二蝕刻腔室120。在圖1a中，設(shè)置在傳送模塊140中的第二蝕刻腔室120可以經(jīng)歷清洗工藝。換言之，第二蝕刻腔室120可預(yù)先設(shè)置在蝕刻模塊130中以用于晶圓蝕刻工藝。然而，第二蝕刻腔室120還可以是設(shè)置在傳送模塊140中的尚未經(jīng)歷任何晶圓蝕刻工藝的清洗腔室。應(yīng)該注意，第二蝕刻腔室120在無(wú)晶圓狀態(tài)下。換言之，第二蝕刻腔室120不包括晶圓以經(jīng)歷清洗工藝。

此外，如圖1a所示，傳送模塊140還包括上部140a、中間部140b和下部140c(僅在圖1a中示出)?？梢钥闯觯诙g刻腔室120位于傳送模塊140的上部140a中。換言之，在傳送模塊140中執(zhí)行的清洗工藝在傳送模塊140的上部140a中執(zhí)行。然而，本發(fā)明不限制于此。如果期望，本領(lǐng)域的普通技術(shù)可在傳送模塊140的中間部140b或下部140c中執(zhí)行清洗部分。

在一些實(shí)施例中，在傳送模塊140中執(zhí)行的清洗工藝與在蝕刻模塊130中執(zhí)行的晶圓蝕刻工藝同時(shí)進(jìn)行?？梢酝瑫r(shí)執(zhí)行清洗工藝和晶圓蝕刻工藝以增加蝕刻模塊130的晶圓蝕刻生產(chǎn)率。然而，本發(fā)明不限制于此。獨(dú)立于在蝕刻模塊130中執(zhí)行的晶圓蝕刻工藝，執(zhí)行在傳送模塊140中的清洗工藝。因此，清洗工藝不必須與晶圓蝕刻工藝同時(shí)執(zhí)行?？筛鶕?jù)用戶要求確定每個(gè)工藝的時(shí)間。

此外，在一些實(shí)施例中，蝕刻腔室的清洗工藝不必須在傳送模塊140中執(zhí)行。換言之，可以省略傳送模塊140且第二蝕刻腔室120的清洗工藝可發(fā)生在用于清洗第二蝕刻腔室120(或?qū)⒁磺逑吹牧硪晃g刻腔室)的另一合適的組件中。本發(fā)明不限制于此。根據(jù)用戶的要求，本領(lǐng)域的普通技術(shù)可包括傳送模塊140或省略傳送模塊140。

接下來(lái)，參照?qǐng)D1b，晶圓114設(shè)置在第二蝕刻腔室120中。當(dāng)清洗第二蝕刻腔室120時(shí)，晶圓114設(shè)置在第二蝕刻腔室120中。換言之，如果第二蝕刻腔室120預(yù)先具有已經(jīng)沉積在第二蝕刻腔室120內(nèi)的副產(chǎn)品，在第二蝕刻腔室120已經(jīng)經(jīng)歷清洗工藝之后，設(shè)置晶圓114。如果第二蝕刻腔室120預(yù)先沒(méi)有在第二蝕刻腔室120內(nèi)沉積的副產(chǎn)品，那么第二蝕刻腔室120已經(jīng)干凈，并且晶圓114可設(shè)置在第二蝕刻腔室120中，而第二蝕刻腔室120未經(jīng)歷清洗工藝。當(dāng)然，本發(fā)明不限制于此。即使第二蝕刻腔室120已經(jīng)干凈，如果用戶期望，第二蝕刻腔室120也可再次經(jīng)歷清洗工藝。

接下來(lái)，參照?qǐng)D1c，在第一蝕刻腔室110通過(guò)蝕刻蝕刻模塊130中的晶圓112已經(jīng)完成晶圓蝕刻工藝之后，第一蝕刻腔室1120移動(dòng)至傳送模塊140。在圖1c中可以看出，傳送模塊140鄰近蝕刻模塊130設(shè)置。此外，在一些實(shí)施例中，蝕刻模塊130的上部、中間部、和下部和傳送模塊140的上部、中間部、和下部彼此對(duì)準(zhǔn)。然而，本發(fā)明不限于此，并且蝕刻模塊130和傳送模塊140之間的配置可根據(jù)用戶要求調(diào)節(jié)。在圖1c中示出的半導(dǎo)體工藝的步驟中，第一蝕刻腔室110被移動(dòng)至傳送模塊140的中間部140b。換言之，現(xiàn)在移動(dòng)至傳送模塊140的第一蝕刻腔室110與蝕刻模塊130中的狹槽132對(duì)準(zhǔn)。具體地，第一蝕刻腔室110位于傳送模塊140的的中間部140b中，且與位于蝕刻模塊130的中間部130b中的狹槽132對(duì)準(zhǔn)。第一蝕刻腔室110通過(guò)半導(dǎo)體處理器件100的傳送機(jī)制移動(dòng)至傳送模塊140的中間部140b。傳送機(jī)制可以是適合于本領(lǐng)域的普通技術(shù)的任何類(lèi)型的傳送機(jī)制。本發(fā)明不限制用于將第一蝕刻腔室110移動(dòng)至傳送模塊140的中間部140b的傳送機(jī)制的類(lèi)型。第一蝕刻腔室110被移動(dòng)至傳送模塊140以開(kāi)始切換第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120的工藝。換言之，第一蝕刻腔室110已經(jīng)完成對(duì)晶圓112的晶圓蝕刻工藝，并且需要被清洗。第二蝕刻腔室120是干凈的且設(shè)置有晶圓114，以及準(zhǔn)備好在蝕刻模塊130中進(jìn)行晶圓蝕刻工藝。第一蝕刻腔室110移出蝕刻模塊130的狹槽132并且移動(dòng)至傳送模塊140。這樣，蝕刻模塊130中的狹槽132閑置，從而第二蝕刻腔室120可以設(shè)置在蝕刻模塊130的狹槽132中。

接下來(lái)，參照?qǐng)D1d，第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120一起移位，從而第二蝕刻腔室120在傳送模塊140的中間部140b中，且第一蝕刻腔室110在傳送模塊140的下部140c中。換言之，在圖1d的步驟中，第二蝕刻腔室120移位以與蝕刻模塊130的狹槽132對(duì)準(zhǔn)。如上所述，第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120一起移位。具體地，第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120分別從上部140a和中間部140b一起向下移位至中間部140b和下部140c。第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120通過(guò)傳送模塊140中的傳送機(jī)制一起移位。用于第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120一起移位的傳送機(jī)制可以是用于本領(lǐng)域的普通技術(shù)的任何合適類(lèi)型的傳送機(jī)制。本發(fā)明不限制用于第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120一起移位的傳送機(jī)制的類(lèi)型。

接下來(lái)，參照?qǐng)D1e，具有晶圓114的第二蝕刻腔室120從傳送模塊140移動(dòng)至蝕刻模塊130的狹槽132中。換言之，在圖1e的步驟中，半導(dǎo)體工藝已經(jīng)完成第二蝕刻腔室120和第一蝕刻腔室110的切換工藝。具體地，第二蝕刻腔室120已經(jīng)移動(dòng)至蝕刻模塊130的狹槽132中，并且準(zhǔn)備好對(duì)晶圓114執(zhí)行晶圓蝕刻工藝。由于在圖1d的步驟中第二蝕刻腔室120與狹槽132對(duì)準(zhǔn)，圖1e的步驟可容易地移動(dòng)第二蝕刻腔室120至狹槽132中。第二蝕刻腔室120可通過(guò)圖1c的步驟中的同一傳送機(jī)制移動(dòng)至狹槽132中。換言之，將第一蝕刻腔室110從狹槽132移動(dòng)至圖1c中的傳送模塊140的傳送機(jī)制可以是將第二蝕刻腔室120移動(dòng)至蝕刻模塊130的狹槽132中的相同的傳送機(jī)制。

接下來(lái)，參照?qǐng)D1f，第一蝕刻腔室110從傳送模塊140的下部140c移位至傳送模塊140的上部140a。第一蝕刻腔室110可通過(guò)與圖1d中的步驟的傳送機(jī)制相同的傳送機(jī)制移位。換言之，在圖1d中將第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120一起向下移位的傳送機(jī)制還可將圖1f中的第一蝕刻腔室110移位。如上所述，在傳送模塊140中對(duì)蝕刻腔室的清洗工藝可在傳送模塊140的上部140a中執(zhí)行。因此，第一蝕刻腔室110從傳送模塊140的下部140c向上移位至傳送模塊140的上部140a。這樣，第一蝕刻腔室110可在傳送模塊140的合適位置中以經(jīng)歷清洗工藝。然而，本發(fā)明不限制于此。用戶可選擇傳送模塊140中的蝕刻腔室的清洗工藝在任何一部分中或在任何部分的組合中。如果清洗工藝被選擇在傳送模塊140的下部140c中，那么可省略圖1f中的移位第一蝕刻腔室110的步驟。

接下來(lái)，參照?qǐng)D1g，去除在第一蝕刻腔室110中已經(jīng)完成晶圓蝕刻工藝的晶圓112。這樣，第一蝕刻腔室110在無(wú)晶圓狀態(tài)中，并且可在傳送模塊140中經(jīng)歷清洗工藝。應(yīng)該注意，在圖1e、圖1f、和圖1g的步驟期間，蝕刻模塊130可以對(duì)設(shè)置在第二蝕刻腔室120中的晶圓114執(zhí)行晶圓蝕刻工藝。本發(fā)明不限制何時(shí)對(duì)晶圓114執(zhí)行蝕刻工藝。由于在圖1e、圖1f、和圖1g中第二蝕刻腔室120設(shè)置在狹槽132中，蝕刻工藝可在那些步驟中的任何時(shí)刻發(fā)生。在一些實(shí)施例中，在圖1g的步驟中對(duì)晶圓114執(zhí)行蝕刻工藝。這樣，在已經(jīng)從第一蝕刻腔室110去除晶圓112之后，在蝕刻晶圓114的同時(shí)可清洗第一蝕刻腔室110。這減小了蝕刻模塊130的非生產(chǎn)性時(shí)間，并且在蝕刻模塊130中晶圓蝕刻工藝可以更有效且生產(chǎn)率更高。

在一些實(shí)施例中，傳送模塊140中的清洗工藝不在傳送模塊140的上部140a中，但是可位于傳送模塊140的中間部140b或下部140c中。結(jié)果，第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120如何被移位和移動(dòng)可以與圖1a至圖1f中描述的方式不同。換言之，根據(jù)在傳送模塊140中的清洗工藝發(fā)生的位置，可以調(diào)節(jié)布置第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120的順序和序列以切換位置。

此外，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體工藝可省略傳送模塊140。換言之，第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120可以在蝕刻模塊130的狹槽132中切換而不使用傳送模塊140。第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120可以手動(dòng)切換或通過(guò)任何其他合適的手動(dòng)或自動(dòng)機(jī)器。被切換出且將被清洗的第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120可以移動(dòng)至用于清洗工藝的合適的機(jī)器，并且不限制于在傳送模塊140中清洗。

在圖1g中的步驟之后，半導(dǎo)體工藝可以重復(fù)以返回至圖1a中的步驟。圖1g和圖1a之間的差異在于第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120的位置。換言之，在圖1a中，第一蝕刻腔室110是在蝕刻模塊130中，且晶圓112可被蝕刻，以及在傳送模塊140的上部140a中的第二蝕刻腔室120可以在無(wú)晶圓狀態(tài)中被清洗。在圖1g中，第二蝕刻腔室120是在蝕刻模塊130中，且晶圓114可被蝕刻，以及在傳送模塊140的上部140a中的第一蝕刻腔室110可以在無(wú)晶圓狀態(tài)中被清洗。除了在圖1a至圖1g的每個(gè)圖中切換第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120的描述以外，半導(dǎo)體工藝重復(fù)。本文將不再重復(fù)描述。應(yīng)該注意，在清洗第一蝕刻腔室110之后，將被蝕刻的下一個(gè)晶圓設(shè)置在第一蝕刻腔室110中，并且繼續(xù)切換第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120的工藝。換言之，當(dāng)晶圓114已經(jīng)被蝕刻時(shí)，第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120再次切換位置，以及在去除晶圓114之后，再次清洗第二蝕刻腔室120且接下來(lái)將被蝕刻的另一晶圓設(shè)置在第二蝕刻腔室120中。半導(dǎo)體工藝在蝕刻腔室的一個(gè)中繼續(xù)蝕刻晶圓且清洗另一個(gè)蝕刻腔室。通過(guò)使用可在蝕刻模塊130中切換位置的兩個(gè)相同的蝕刻腔室，可同時(shí)發(fā)生清洗工藝和晶圓蝕刻工藝，從而減小非生產(chǎn)性時(shí)間。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例示出的半導(dǎo)體工藝的步驟的流程圖。在步驟s102中，蝕刻在第一蝕刻腔室110中設(shè)置的晶圓以產(chǎn)生蝕刻的晶圓，其中，第一蝕刻腔室110設(shè)置在蝕刻模塊130中。在步驟s104中，清洗設(shè)置在蝕刻模塊130外部的第二蝕刻腔室120，并且在清洗第二蝕刻腔室120之后，在第二蝕刻腔室120中設(shè)置另一晶圓。在一些實(shí)施例中，當(dāng)在蝕刻模塊130中蝕刻第一蝕刻腔室110中的晶圓的同時(shí)，清洗第二蝕刻腔室120。然而，本發(fā)明不限于此，并且步驟s102和s104可以在不同的時(shí)間執(zhí)行(即，可在步驟s104之前或之后執(zhí)行步驟s102)。接下來(lái)，在步驟s106中，從蝕刻模塊130去除具有蝕刻的晶圓的第一蝕刻腔室110。接下來(lái)，在步驟s108中，在蝕刻模塊130中設(shè)置具有另一晶圓的第二蝕刻腔室120以用于蝕刻另一晶圓。接下來(lái)，在步驟s110中，蝕刻在第二蝕刻腔室120中設(shè)置的另一晶圓以產(chǎn)生另一蝕刻的晶圓，其中，第二蝕刻腔室120設(shè)置在蝕刻模塊130中。在步驟s112中，清洗設(shè)置在蝕刻模塊130外部的第一蝕刻腔室110，并且在清洗第一蝕刻腔室110之后，還在第一蝕刻腔室110中設(shè)置另一晶圓。在一些實(shí)施例中，當(dāng)在蝕刻模塊130中蝕刻第二蝕刻腔室120中的另一晶圓的同時(shí)，清洗第一蝕刻腔室110。然而，本發(fā)明不限于此，并且步驟s110和s112可以在不同的時(shí)間執(zhí)行(即，可在步驟s112之前或之后執(zhí)行步驟s110)。接下來(lái)，在步驟s114中，從蝕刻模塊130去除具有另一蝕刻的晶圓的第二蝕刻腔室120。接下來(lái)，在步驟s116中，在蝕刻模塊130中設(shè)置具有又另一晶圓的第一蝕刻腔室110以用于蝕刻又另一晶圓。接下來(lái)，半導(dǎo)體工藝可以重復(fù)，并且重復(fù)步驟s102至s116。

在一些實(shí)施例中，在步驟s104中，在傳送模塊140中清洗第二蝕刻腔室120，且在步驟s112中，在傳送模塊140中清洗第一蝕刻腔室110。在步驟s106和在步驟s108中，將具有蝕刻的晶圓的第一蝕刻腔室110從蝕刻模塊130移動(dòng)至傳送模塊140且與狹槽132對(duì)準(zhǔn)。將第二蝕刻腔室120從傳送模塊140移動(dòng)至蝕刻模塊130。在步驟s114和在步驟s116中，將具有另一蝕刻的晶圓的第二蝕刻腔室120從蝕刻模塊130移動(dòng)至傳送模塊140且與狹槽132對(duì)準(zhǔn)。將第一蝕刻腔室110從傳送模塊140移動(dòng)至蝕刻模塊130。在步驟s108之前，一起移位第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120以使第二蝕刻腔室120與狹槽132對(duì)準(zhǔn)。在步驟s116之前，一起移位第二蝕刻腔室120和第一蝕刻腔室110以使第一蝕刻腔室110與狹槽132對(duì)準(zhǔn)。如何利用傳送模塊140以及如何移動(dòng)和移位第一蝕刻腔室110和第二蝕刻腔室120的描述可以參照以上描述。本文將不再重復(fù)相同的描述。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一些其他實(shí)施例示出的半導(dǎo)體工藝的步驟的流程圖。在步驟s202中，蝕刻在多個(gè)蝕刻腔室的一個(gè)中設(shè)置的晶圓以產(chǎn)生蝕刻的晶圓，其中，在蝕刻模塊130中蝕刻晶圓。在步驟s204中，清洗蝕刻腔室的無(wú)晶圓蝕刻腔室以成為清洗的蝕刻腔室，其中，無(wú)晶圓蝕刻腔室設(shè)置在蝕刻模塊130外部，并且在清洗的蝕刻腔室中設(shè)置將被蝕刻的另一晶圓。在一些實(shí)施例中，同時(shí)執(zhí)行步驟s202和步驟s204。然而，本發(fā)明不限于此，并且步驟s202和s204可以在不同時(shí)間執(zhí)行(即，可在步驟s204之前或之后執(zhí)行步驟s202)。接下來(lái)，在步驟s206中，將具有蝕刻的晶圓的蝕刻腔室與具有另一晶圓的清洗的蝕刻腔室互換，從而，清洗的蝕刻腔室設(shè)置在蝕刻模塊130中以用于將被蝕刻的另一晶圓，并且具有蝕刻的晶圓的蝕刻腔室設(shè)置在蝕刻模塊130外部以被清洗。接下來(lái)，在步驟s208中，去除在蝕刻腔室中的蝕刻的晶圓。接下來(lái)，半導(dǎo)體工藝可以重復(fù)，并且重復(fù)步驟s202至s208。

在一些實(shí)施例中，在步驟s204中，在傳送模塊140中清洗設(shè)置在蝕刻模塊130外部的無(wú)晶圓蝕刻腔室。在步驟s206中，將具有蝕刻的晶圓的蝕刻腔室從蝕刻模塊130移動(dòng)至傳送模塊140，并且將清洗的蝕刻腔室從傳送模塊140移動(dòng)至蝕刻模塊130。此外，在步驟s206中，在傳送模塊140中一起移位具有蝕刻的晶圓的蝕刻腔室和清洗的蝕刻腔室，以使清洗的蝕刻腔室與蝕刻模塊130的狹槽132對(duì)準(zhǔn)且然后移動(dòng)至蝕刻模塊130的狹槽132中。如何利用傳送模塊140以及如何移動(dòng)和移位蝕刻腔室的描述可以參照以上描述。本文將不再重復(fù)相同的描述。

根據(jù)一些實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體工藝。半導(dǎo)體工藝包括下面的步驟。蝕刻在第一蝕刻腔室中設(shè)置的晶圓以產(chǎn)生蝕刻的晶圓，其中，第一蝕刻腔室設(shè)置在蝕刻模塊中。清洗設(shè)置在蝕刻模塊外部的第二蝕刻腔室，并且在清洗第二蝕刻腔室之后，在第二蝕刻腔室中設(shè)置另一晶圓。從蝕刻模塊去除具有蝕刻的晶圓的第一蝕刻腔室。具有另一晶圓的第二蝕刻腔室設(shè)置至蝕刻模塊中以用于蝕刻另一晶圓。

根據(jù)實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體工藝。半導(dǎo)體工藝包括下面的步驟。蝕刻在多個(gè)蝕刻腔室的一個(gè)中設(shè)置的晶圓以產(chǎn)生蝕刻的晶圓，其中，在蝕刻模塊中蝕刻晶圓。清洗蝕刻腔室的無(wú)晶圓蝕刻腔室以成為清洗的蝕刻腔室，其中，無(wú)晶圓蝕刻腔室設(shè)置在蝕刻模塊外部，并且在清洗的蝕刻腔室中設(shè)置將被蝕刻的另一晶圓。將具有蝕刻的晶圓的蝕刻腔室與具有另一晶圓的清洗的蝕刻腔室互換，從而在蝕刻模塊中設(shè)置清洗的蝕刻腔室以用于將要被蝕刻的另一晶圓且在蝕刻模塊外部設(shè)置具有蝕刻的晶圓的蝕刻腔室以被清洗。去除在蝕刻腔室中的蝕刻的晶圓。前述步驟可以被重復(fù)以重復(fù)半導(dǎo)體工藝。

根據(jù)一些實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體處理器件。半導(dǎo)體處理器件包括第一蝕刻腔室、第二蝕刻腔室、以及蝕刻模塊。蝕刻模塊適于可交換地包含用于晶圓蝕刻的第一蝕刻腔室或第二蝕刻腔室。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體工藝，包括：(a)蝕刻在第一蝕刻腔室中設(shè)置的晶圓以產(chǎn)生蝕刻的晶圓，其中，所述第一蝕刻腔室設(shè)置在蝕刻模塊中；(b)清洗設(shè)置在所述蝕刻模塊外部的第二蝕刻腔室，并且在清洗所述第二蝕刻腔室之后，在所述第二蝕刻腔室中設(shè)置另一晶圓；(c)從所述蝕刻模塊去除具有所述蝕刻的晶圓的所述第一蝕刻腔室；以及(d)在所述蝕刻模塊中設(shè)置具有所述另一晶圓的所述第二蝕刻腔室，以用于蝕刻所述另一晶圓。

在上述工藝中，還包括：(e)蝕刻在所述第二蝕刻腔室中設(shè)置的所述另一晶圓以產(chǎn)生另一蝕刻的晶圓，其中，所述第二蝕刻腔室設(shè)置在所述蝕刻模塊中；(f)清洗設(shè)置在所述蝕刻模塊外部的所述第一蝕刻腔室，并且在清洗所述第一蝕刻腔室之后，在所述第一蝕刻腔室中設(shè)置又另一晶圓；(g)從所述蝕刻模塊去除具有所述另一蝕刻的晶圓的所述第二蝕刻腔室；以及(h)在所述蝕刻模塊中設(shè)置具有所述又另一晶圓的所述第一蝕刻腔室以用于蝕刻所述又另一晶圓。

在上述工藝中，所述蝕刻模塊包括適于包含所述第一蝕刻腔室和所述第二蝕刻腔室中的一個(gè)的狹槽。

在上述工藝中，在步驟(b)中，在傳送模塊中清洗所述第二蝕刻腔室，且在步驟(f)中，在所述傳送模塊中清洗所述第一蝕刻腔室。

在上述工藝中，在步驟(c)中，具有所述蝕刻的晶圓的所述第一蝕刻腔室從所述蝕刻模塊移動(dòng)至所述傳送模塊且與所述狹槽對(duì)準(zhǔn)，以及在步驟(g)中，具有所述另一蝕刻的晶圓的所述第二蝕刻腔室從所述蝕刻模塊移動(dòng)至所述傳送模塊且與所述狹槽對(duì)準(zhǔn)。

在上述工藝中，在步驟(d)中，所述第二蝕刻腔室從所述傳送模塊移動(dòng)至所述蝕刻模塊，且在步驟(h)中，所述第一蝕刻腔室從所述傳送模塊移動(dòng)至所述蝕刻模塊。

在上述工藝中，在步驟(d)之前，一起移位所述第二蝕刻腔室和所述第一蝕刻腔室以使所述第二蝕刻腔室與所述狹槽對(duì)準(zhǔn)。

在上述工藝中，在步驟(h)之前，一起移位所述第二蝕刻腔室和所述第一蝕刻腔室以使所述第一蝕刻腔室與所述狹槽對(duì)準(zhǔn)。

在上述工藝中，在步驟(b)中，當(dāng)在所述蝕刻模塊中蝕刻所述第一蝕刻腔室中的所述晶圓的同時(shí)，清洗所述第二蝕刻腔室。

在上述工藝中，在步驟(f)中，當(dāng)在所述蝕刻模塊中蝕刻所述第二蝕刻腔室中的所述另一晶圓的同時(shí)，清洗所述第一蝕刻腔室。

根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，還提供了一種半導(dǎo)體工藝，包括：(a)蝕刻在多個(gè)蝕刻腔室的一個(gè)中設(shè)置的晶圓以產(chǎn)生蝕刻的晶圓，其中，在蝕刻模塊中蝕刻所述晶圓；(b)清洗所述蝕刻腔室的無(wú)晶圓蝕刻腔室以成為清洗的蝕刻腔室，其中，所述無(wú)晶圓蝕刻腔室設(shè)置在所述蝕刻模塊外部，并且在所述清洗的蝕刻腔室中設(shè)置將被蝕刻的另一晶圓；(c)將具有所述蝕刻的晶圓的所述蝕刻腔室與具有所述另一晶圓的所述清洗的蝕刻腔室互換，從而在所述蝕刻模塊中設(shè)置所述清洗的蝕刻腔室以用于將被蝕刻的所述另一晶圓并且在所述蝕刻模塊外部設(shè)置具有所述蝕刻的晶圓的所述蝕刻腔室以被清洗；以及(d)去除在所述蝕刻腔室中的所述蝕刻的晶圓。

在上述工藝中，所述蝕刻模塊包括適于包含所述蝕刻腔室中的一個(gè)的狹槽。

在上述工藝中，在步驟(b)中，在傳送模塊中清洗在所述蝕刻模塊外部設(shè)置的所述無(wú)晶圓蝕刻腔室。

在上述工藝中，在步驟(c)中，將具有所述蝕刻的晶圓的所述蝕刻腔室從所述蝕刻模塊移動(dòng)至所述傳送模塊，并且將所述清洗的蝕刻腔室從所述傳送模塊移動(dòng)至所述蝕刻模塊。

在上述工藝中，在步驟(c)中，將具有所述蝕刻的晶圓的所述蝕刻腔室移動(dòng)至所述傳送模塊，并且在所述傳送模塊中一起移位具有所述蝕刻的晶圓的所述蝕刻腔室和清洗的蝕刻腔室，從而所述清洗的蝕刻腔室與所述蝕刻模塊的所述狹槽對(duì)準(zhǔn)，并且然后移動(dòng)至所述蝕刻模塊的所述狹槽中。

在上述工藝中，同時(shí)執(zhí)行步驟(a)和步驟(b)。

根據(jù)本發(fā)明的又一些實(shí)施例，還提供了一種半導(dǎo)體處理器件，包括：第一蝕刻腔室；第二蝕刻腔室；以及蝕刻模塊，適于可交換地包含所述第一蝕刻腔室或所述第二蝕刻腔室以用于晶圓蝕刻。

在上述半導(dǎo)體處理器件中，還包括：傳送模塊，鄰近所述蝕刻模塊設(shè)置且適于包含和清洗處于無(wú)晶圓狀態(tài)中的所述第一蝕刻腔室或所述第二蝕刻腔室。

在上述半導(dǎo)體處理器件中，所述蝕刻模塊包括適于包含用于晶圓蝕刻的所述第一蝕刻腔室或所述第二蝕刻腔室的狹槽。

在上述半導(dǎo)體處理器件中，當(dāng)所述第一蝕刻腔室和所述第二蝕刻腔室在所述蝕刻模塊中將被互換時(shí)，所述傳送模塊適于包含所述第一蝕刻腔室和所述第二蝕刻腔室，并且將所述第一蝕刻腔室和所述第二蝕刻腔室中的一個(gè)與所述蝕刻模塊的所述狹槽對(duì)準(zhǔn)以將所述第一蝕刻腔室和所述第二蝕刻腔室中的一個(gè)移動(dòng)至所述狹槽中。

上面概述了若干實(shí)施例的部件、使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)現(xiàn)與在此所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢(shì)的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍、并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此他們可以做出多種變化、替換以及改變。