本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

高級超維場開關(guān)技術(shù)(Advanced-Super Dimension Switch，ADS)通過同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push mura)等優(yōu)點(diǎn)。制作ADS產(chǎn)品主要采用6次掩模工藝，包括：依次在基板上形成柵極金屬層(Gate)、有源層(Active)、公共電極層(1^st ITO)、源漏金屬層(SD)、鈍化層(PVX)、像素電極層(2^nd ITO)層。

現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，在襯底基板100上制作有源層101、半導(dǎo)體層102、源漏金屬(SD)層103之后即進(jìn)行溝道刻蝕(刻掉)，如果SD層103中包含比較活潑的金屬或合金，例如AlNd，在進(jìn)行溝道刻蝕時，反應(yīng)氣體Cl₂容易與SD層103側(cè)面處暴漏在外的比較活潑的金屬發(fā)生反應(yīng)，使SD層103受到腐蝕。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的在進(jìn)行溝道刻蝕時，反應(yīng)氣體腐蝕源漏金屬層的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成具有相同圖形的有源層和半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層上形成源漏金屬層的圖形；

形成用于至少覆蓋所述源漏金屬層位于所述有源層圖形之上的側(cè)面的保護(hù)層；

對所述半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，形成薄膜晶體管的溝道區(qū)域；

去除所述保護(hù)層。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，所述保護(hù)層的材料為光刻膠；所述形成用于至少覆蓋所述源漏金屬層位于所述有源層圖形之上的側(cè)面的保護(hù)層，包括：

在所述源漏金屬層上形成第一光刻膠層；

采用形成所述源漏金屬層的掩模板，以特定曝光速度對所述第一光刻膠層進(jìn)行曝光，形成所述保護(hù)層的圖形。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，所述在所述源漏金屬層上形成第一光刻膠層，具體包括：

在形成所述源漏金屬層的圖形之后，且去除形成所述源漏金屬層的圖形的第二光刻膠層之前，形成所述第一光刻膠層。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，所述去除所述保護(hù)層，具體包括：

采用剝離工藝，同時去除所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層均為正性光刻膠時，對所述第一光刻膠層進(jìn)行曝光的特定曝光速度高于對所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光時采用的曝光速度；

所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層均為負(fù)性光刻膠時，對所述第一光刻膠層進(jìn)行曝光的特定曝光速度低于對所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光時采用的曝光速度。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，所述源漏金屬層為由鉬、鋁、釹化鋁、鈦或銅中的一種或多種構(gòu)成的單層膜或多層膜。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，所述源漏金屬層為由鉬金屬層、釹化鋁金屬層以及鉬金屬層構(gòu)成的三層膜。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板由上述制作方法制作而成。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述陣列基板為高級超維場開關(guān)型液晶顯示陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述陣列基板。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，包括：在襯底基板上形成具有相同圖形的有源層和半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成源漏金屬層的圖形；形成用于至少覆蓋源漏金屬層位于有源層圖形之上的側(cè)面的保護(hù)層；對半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，形成薄膜晶體管的溝道區(qū)域；去除保護(hù)層。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，在形成源漏金屬層的圖形后，形成用于至少覆蓋源漏金屬層位于有源層圖形之上的側(cè)面的保護(hù)層，因而在對半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕時，不會對源漏金屬層產(chǎn)生腐蝕，并且在形成溝道區(qū)域后去除保護(hù)層，所以也不會改變薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中制作陣列基板過程中，反應(yīng)氣體腐蝕源漏金屬層的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程圖；

圖3a到圖3e為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中，各步驟的截面示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的在進(jìn)行溝道刻蝕時，反應(yīng)氣體腐蝕源漏金屬層的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。

下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。附圖中各膜層的厚度和形狀不反映真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括：

S201、在襯底基板上形成具有相同圖形的有源層和半導(dǎo)體層；

S202、在半導(dǎo)體層上形成源漏金屬層的圖形；

S203、形成用于至少覆蓋源漏金屬層位于有源層圖形之上的側(cè)面的保護(hù)層；

S204、對半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，形成薄膜晶體管的溝道區(qū)域；

S205、去除保護(hù)層。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，在形成源漏金屬層的圖形后，形成用于至少覆蓋源漏金屬層位于有源層圖形之上的側(cè)面的保護(hù)層，因而在對半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕時，不會對源漏金屬層產(chǎn)生腐蝕，并且在形成溝道區(qū)域后去除保護(hù)層，所以也不會改變薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。

上述步驟S201中，半導(dǎo)體層優(yōu)選為N型半導(dǎo)體層，用于提供載流子以提高有源層和源漏金屬層之間的導(dǎo)電性，上述步驟S202中，在制作源漏金屬層的圖形，一般采用濕法刻蝕的工藝，因而不會引入與源漏金屬層發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)氣體，即在制作源漏金屬層的圖形過程中一般不會對源漏金屬層產(chǎn)生腐蝕。

上述步驟S203中，如果源漏金屬層上表面已經(jīng)覆蓋了其他物質(zhì)，例如制作源漏金屬層時的光刻膠，則保護(hù)層只需覆蓋源漏金屬層位于有源層之上的側(cè)面；如果源漏金屬層的上表面沒有被任何物質(zhì)覆蓋，則保護(hù)層需要覆蓋源漏金屬層的上表面和位于有源層之上的側(cè)面，從而使源漏金屬層不會被后續(xù)溝道刻蝕工藝中的反應(yīng)氣體腐蝕。

具體地，上述保護(hù)層的材料優(yōu)選為光刻膠；上述步驟S203，可以包括圖中未示出的步驟S2031和步驟S2032：

S2031、在源漏金屬層上形成第一光刻膠層；

S2032、采用形成源漏金屬層的掩模板，以特定曝光速度對第一光刻膠層進(jìn)行曝光，形成保護(hù)層的圖形。

在制作保護(hù)層時，使用光刻膠作為保護(hù)層的材料，并且采用形成源漏金屬層的掩模板，通過調(diào)整曝光速度以形成保護(hù)層的圖形，無需再針對保護(hù)層制作掩模板，制作工藝簡單，并且節(jié)約了制作成本。

在具體實(shí)施時，上述保護(hù)層也可以采用其他材料，只要形成薄膜晶體管的溝道區(qū)域后，能夠去除即可，采用光刻膠只是優(yōu)選的實(shí)施方式，此處并不對保護(hù)層的材料進(jìn)行限定。

更具體地，上述步驟S2031，具體包括：

在形成源漏金屬層的圖形之后，且去除形成源漏金屬層的圖形的第二光刻膠層之前，形成第一光刻膠層。

在去除形成源漏金屬層的圖形的第二光刻膠之前，形成上述第一光刻膠層，因而后續(xù)第一光刻膠層和第二光刻膠層可以一起去除，即上述步驟S205，可以具體包括：

采用剝離工藝，同時去除第一光刻膠層和第二光刻膠層。

由于上述保護(hù)層采用形成源漏金屬層的掩模板，所以第一光刻膠層和第二光刻膠層的性質(zhì)類似，同為正性光刻膠或同為負(fù)性光刻膠，優(yōu)選為相同材料的光刻膠，可以采用相同的剝離工藝去除第一光刻膠層和第二光刻膠層，使工藝過程更加方便。

在具體實(shí)施時，在對第一光刻膠層和第二光刻膠層分別進(jìn)行曝光時，若曝光速度相同，則第一光刻膠和第二光刻膠的寬度一致，這樣第一光刻膠無法覆蓋源漏金屬層的側(cè)面，因此在制作第一光刻膠的圖形時，需要對曝光速度進(jìn)行調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)方式如下：

情況一：第一光刻膠層和第二光刻膠層均為正性光刻膠時，對第一光刻膠層進(jìn)行曝光的特定曝光速度高于對第二光刻膠層進(jìn)行曝光時采用的曝光速度；

情況二：第一光刻膠層和第二光刻膠層均為負(fù)性光刻膠時，對第一光刻膠層進(jìn)行曝光的特定曝光速度低于對第二光刻膠層進(jìn)行曝光時采用的曝光速度。

以情況一為例，對第一光刻膠的曝光過程進(jìn)行說明：對第一光刻膠層的曝光速度高于第二光刻膠層的曝光速度，因而對第一光刻膠層曝光時，光源與第一光刻膠層的接觸時間較短，導(dǎo)致第一光刻膠層被刻蝕掉的部分較少，因此，最終第一光刻膠層的圖形要比第二光刻膠層的圖形寬，所以，第一光刻膠層能夠覆蓋源漏金屬層的側(cè)面，情況二的原理與情況一類似，此處不再贅述。

以下參考圖3a至圖3e，對上述制作陣列基板的過程進(jìn)行詳細(xì)說明：

圖3a為上述步驟S201后得到的圖形，制作過程可以具體為：

在襯底基板100上分別形成有源層101的薄膜和半導(dǎo)體層102的薄膜；

采用相同的掩模板對有源層101的薄膜和半導(dǎo)體層102的薄膜進(jìn)行光刻工藝，以得到具有相同圖形的有源層101和半導(dǎo)體層102。

圖3b為上述步驟S202后得到的圖形，并且此時沒有去除制作源漏金屬層103的第二光刻膠層104，制作過程可以具體為：

在半導(dǎo)體層102上形成源漏金屬層103的薄膜；

在形成的源漏金屬層103的薄膜上，形成第二光刻膠層104；

對第二光刻膠層104進(jìn)行曝光，得到第二光刻膠層104的圖形；

對源漏金屬層103進(jìn)行濕法刻蝕，得到源漏金屬層103的圖形。

圖3c為上述步驟S203后得到的圖形，制作過程可以具體為：

在形成源漏金屬層103的圖形之后，且去除形成源漏金屬層103的圖形的第二光刻膠層104之前，形成第一光刻膠層105；

采用形成源漏金屬層103的掩模板，以特定曝光速度對第一光刻膠層105進(jìn)行曝光，形成保護(hù)層的圖形。

圖3d為上述步驟S204后得到的圖形，通過對半導(dǎo)體層102進(jìn)行刻蝕，以得到薄膜晶體管的溝道區(qū)域，該過程中，由于保護(hù)層覆蓋了源漏金屬層103的側(cè)面，因而在半導(dǎo)體層102刻蝕過程中，反應(yīng)氣體不會腐蝕源漏金屬層103。

此外，對于半導(dǎo)體層102的圖形制作過程中，無需制作半導(dǎo)體層102的圖形對應(yīng)的掩模板，節(jié)約了制作成本，制作半導(dǎo)體層102的圖形可以節(jié)省掩模板的原因?yàn)椋簩⒅谱靼雽?dǎo)體層102的圖形的過程分為兩步，第一步，在制作有源層101的時候，形成于有源層101圖形一致的半導(dǎo)體層102的初步圖形；第二步，形成源漏金屬層103的圖形后，將源漏金屬層103的圖形作為“天然的掩模板”，對半導(dǎo)體層102直接進(jìn)行刻蝕，形成溝道區(qū)域?？梢姡撨^程并沒有增加工藝的復(fù)雜程度，并且節(jié)省了制作半導(dǎo)體層102的掩模板。

圖3e為上述步驟S205后得到的圖形，采用剝離工藝，同時去除第一光刻膠層105和第二光刻膠層104，避免了分別對第一光刻膠層105和第二光刻膠層104進(jìn)行剝離，減少了工藝過程。

在實(shí)際應(yīng)用時，上述源漏金屬層103可以為由鉬、鋁、釹化鋁、鈦或銅中的一種或多種構(gòu)成的單層膜或多層膜。

為了滿足大尺寸陣列基板的要求，可以將上述源漏金屬層103做成三層膜的結(jié)構(gòu)，如圖4所示，上述源漏金屬層103可以為由鉬金屬層1031、釹化鋁金屬層1032以及鉬金屬層1033構(gòu)成的三層膜。該結(jié)構(gòu)和采用的金屬材料是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，此處并不對源漏金屬層103的結(jié)構(gòu)和材料進(jìn)行限定。

應(yīng)當(dāng)說明的是，在制作陣列基板的過程中，還應(yīng)該包括制作柵極、柵極絕緣層、公共電極層、像素電極層以及鈍化層等，這些過程可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的工藝和順序，此處不再贅述。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板由上述制作方法制作而成。由于該陣列基板解決問題的原理與上述陣列基板的制作方法相似，因此該陣列基板的實(shí)施可以參見上述陣列基板的制作方法的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，該陣列基板優(yōu)選為高級超維場開關(guān)型液晶顯示陣列基板。該陣列基板為ADS型只是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式，在具體實(shí)施時，也可以為其他類型的陣列基板，此處不做限定。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括上述陣列基板，該顯示裝置可以應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。由于該顯示裝置解決問題的原理與上述陣列基板相似，因此該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述陣列基板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，在形成源漏金屬層的圖形后，形成用于至少覆蓋源漏金屬層位于有源層圖形之上的側(cè)面的保護(hù)層，因而在對半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕時，不會對源漏金屬層產(chǎn)生腐蝕，并且在形成溝道區(qū)域后去除保護(hù)層，所以也不會改變薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。