1.一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池窗口層，其特征在于，從底面往上由下膜層和上膜層組成，下膜層為摻雜ZnO膜層，上膜層為ITO膜層或摻雜ZnO膜層，下膜層和上膜層均為摻雜ZnO膜層時(shí)，為不同摻雜ZnO膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池窗口層，其特征在于，下膜層的厚度為5-300nm，上膜層的厚度為50-600nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池窗口層，其特征在于，下膜層包括AZO膜層、BZO膜層、SZO膜層或FZO膜層，上膜層包括ITO膜層、MZO膜層、GZO膜層或AZO膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池窗口層，其特征在于，下膜層靶材摻雜量不高于10％，上膜層靶材摻雜量不高于10％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池窗口層，其特征在于，下膜層靶材摻雜量為0.1-3％，上膜層靶材摻雜量為0.1-3％。
6.權(quán)利要求1-5任一權(quán)利要求所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池窗口層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、將依次沉積背電極、吸收層、緩沖層的襯底放入真空腔室；
步驟二、真空腔室分為若干個(gè)沉積室，前置沉積室安裝下膜層靶材，后續(xù)沉積室安裝上膜層靶材，真空腔室溫度維持在50-350℃下，抽真空至低于5×10-4Torr，后充氣氛維持真空腔室在1-30m Torr下；
步驟三、待真空腔室氣壓穩(wěn)定后，采用DC磁控濺射、MF磁控濺射或RF磁控濺射分別對(duì)下膜層靶材和上膜層靶材進(jìn)行濺射，在襯底上依次濺射下膜層和上膜層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池窗口層的制備方法，其特征在于，步驟一所述襯底為不銹鋼襯底、玻璃襯底或高分子聚合物襯底；步驟二所述下膜層靶材和上膜層靶材為旋轉(zhuǎn)靶或平面靶。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池窗口層的制備方法，其特征在于，步驟二前置沉積室氣氛為惰性氣體和氧化性氣體的混合，惰性氣體是氧化性氣體的1-80倍，惰性氣體和氧化性氣體按比例混合后再充入前置沉積室；后續(xù)沉積室氣氛為惰性氣體、氧化性氣體、還原性氣體的混合，惰性氣體是還原性氣體的1-100倍，還原性氣體是氧化性氣體的1-100倍，惰性氣體、氧化性氣體、還原性氣體按比例混合后再充入后續(xù)沉積室；或?yàn)槎栊詺怏w和水蒸氣的混合，惰性氣體是水蒸氣的1-80倍，惰性氣體和水蒸氣按比例混合后再充入后續(xù)沉積室。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池窗口層的制備方法，其特征在于，前置沉積室氣氛中惰性氣體包括氬氣、氪氣、氙氣中的一種或多種，氧化性氣體包括氧氣；后續(xù)沉積室氣氛中，惰性氣體包括氬氣、氪氣、氙氣中的一種或多種，氧化性氣體包括氧氣，還原性氣體包括氫氣。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池窗口層的制備方法，其特征在于，步驟三下膜層靶材和上膜層靶材預(yù)濺射一段時(shí)間，當(dāng)預(yù)濺射完成后，設(shè)備自動(dòng)運(yùn)行正常濺射程序直至結(jié)束；下膜層和上膜層濺射完成后，還包括退火處理。