本發(fā)明涉及一種iii-v族元素的氧化物的去除液及使用該去除液的去除方法、半導(dǎo)體基板的處理液。并且，本發(fā)明涉及一種iii-v族元素的化合物的處理液、iii-v族元素的抗氧化液、以及半導(dǎo)體基板產(chǎn)品的制造方法。

背景技術(shù)：

集成電路的制造由多階段的各種加工工序構(gòu)成。其制造過程中，一再反復(fù)進(jìn)行多種材料的堆積、光刻、蝕刻等。其中，蝕刻和膜去除成為重要的工藝。不得不選擇性地去除特定的材料，對于其他材料，避免腐蝕而使其殘留。有時(shí)要求，以殘留由類似的金屬種類構(gòu)成的層彼此或由防腐性更高的材料構(gòu)成的層的形態(tài)，僅去除規(guī)定層。半導(dǎo)體基板內(nèi)的配線和集成電路的尺寸越發(fā)減小，不會(huì)腐蝕應(yīng)殘留的部件而正確地進(jìn)行膜去除等的重要性提高。

若以場效應(yīng)晶體管為例，則隨著其快速的微細(xì)化，強(qiáng)烈要求形成于源極-漏極區(qū)域的上表面的硅化物層的薄膜化和新型材料的開發(fā)。并且，改變通常的mosfet結(jié)構(gòu)來提出有各種多柵極晶體管(mufet)(參考專利文獻(xiàn)1、非專利文獻(xiàn)1)。例如，提出有flexfet、finfet、gaafet、三柵極晶體管等具有復(fù)雜結(jié)構(gòu)的晶體管，希望開發(fā)適于這些晶體管的制造技術(shù)。

以往技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：美國專利7407847號說明書

非專利文獻(xiàn)

非專利文獻(xiàn)1：finfetsandothermulti-gatetransistors,colinge,j.-p.(ed.)2008,xv

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的技術(shù)課題

半導(dǎo)體基板的制造過程中，有時(shí)在露出有各部件的表面的狀態(tài)下受到氧化。要求僅去除該氧化膜和氧化物的殘?jiān)鼇慝@得清潔的部件表面。并且，若不防止在蝕刻或去除膜之后出現(xiàn)的表面的氧化，則即使去除氧化物膜及氧化物的殘?jiān)?，還會(huì)對之后的電特性產(chǎn)生不良影響。因此，對蝕刻或去除膜的表面進(jìn)行抗氧化的重要性也提高。本發(fā)明中，尤其著眼于iii-v族元素的氧化物的去除及去除氧化物之后的抗氧化。

本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠去除iii-v族元素的氧化物，且能夠根據(jù)需要對iii-v族元素(金屬)抑制或防止其膜的溶出的iii-v族元素的氧化物的去除液及利用該去除液的去除方法、以及半導(dǎo)體基板的處理液及半導(dǎo)體基板產(chǎn)品的制造方法。

并且，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠去除iii-v族元素的氧化物，且能夠抑制或防止去除氧化物之后的iii-v族元素的氧化，進(jìn)一步能夠根據(jù)需要對iii-v族元素(金屬)抑制或防止其膜的溶出的iii-v族元素的化合物的處理液。

而且，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠抑制或防止iii-v族元素的氧化，進(jìn)一步能夠根據(jù)需要對iii-v族元素抑制或防止其膜的溶出的iii-v族元素的抗氧化液。

用于解決技術(shù)課題的手段

上述課題通過以下方法解決。

〔1〕一種iii-v族元素的氧化物的去除液，其含有酸與巰基化合物。

〔2〕根據(jù)〔1〕所述的去除液，其中，上述巰基化合物含有羧基及羥基中的至少1個(gè)與硫醇基。

〔3〕根據(jù)〔1〕或〔2〕所述的去除液，其中，巰基化合物為碳原子數(shù)1～12，且在分子內(nèi)具有1個(gè)以上且4個(gè)以下的硫醇基。

〔4〕根據(jù)〔1〕至〔3〕中任一項(xiàng)所述的去除液，其中，上述酸為無機(jī)酸。

〔5〕根據(jù)〔4〕所述的去除液，其中，上述無機(jī)酸為鹽酸。

〔6〕根據(jù)〔1〕至〔5〕中任一項(xiàng)所述的去除液，其中，抑制或防止iii-v族元素的溶出來去除iii-v族元素的氧化物。

〔7〕根據(jù)〔1〕至〔6〕中任一項(xiàng)所述的去除液，其中，上述iii-v族元素為選自in、ga、as及p中的至少1個(gè)。

〔8〕根據(jù)〔1〕至〔7〕中任一項(xiàng)所述的去除液，其含有0.05質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下的上述酸。

〔9〕根據(jù)〔1〕至〔8〕中任一項(xiàng)所述的去除液，其含有0.01質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下的上述巰基化合物。

〔10〕根據(jù)〔1〕至〔9〕中任一項(xiàng)所述的去除液，其中，上述巰基化合物以下述式(1)～(4)中的任一個(gè)表示。

[化學(xué)式1]

r¹～r⁵分別獨(dú)立地為氫原子、硫醇基、羥基、羧基、烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、?；蝓；被?。r¹～r⁵可相互鍵結(jié)而形成環(huán)。

m及n為整數(shù)。m+n成為1～12的整數(shù)。

分子中的r¹～r⁵中，1個(gè)以上作為羧基或羥基而存在。

a為羧基或羥基。

cy為從環(huán)狀脂肪族烴去除m1+n1+p1個(gè)氫原子的結(jié)構(gòu)。

r⁶為烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、?；蝓；被?。

n1、n2、p1、p2為1～4的整數(shù)。m1、m2為0～4的整數(shù)。其中，n2+m2+p2為6以下。

ha表示從包含n的雜芳環(huán)去除m3+n3+p3個(gè)氫原子的結(jié)構(gòu)。

n3及m3為0～5的整數(shù)。p3為1～4的整數(shù)。

〔11〕一種處理液，其為含有酸與巰基化合物的半導(dǎo)體基板的處理液，其中，上述巰基化合物含有羧基及羥基中的至少1個(gè)與硫醇基。

〔12〕一種處理液，其為含有酸與巰基化合物的半導(dǎo)體基板的處理液，其中，上述巰基化合物為碳原子數(shù)1～12，且在分子內(nèi)具有1個(gè)以上且4個(gè)以下的硫醇基。

〔13〕根據(jù)〔11〕或〔12〕所述的處理液，其中，上述酸為無機(jī)酸。

〔14〕根據(jù)〔13〕所述的處理液，其中，上述無機(jī)酸為鹽酸。

〔15〕根據(jù)〔11〕至〔14〕中任一項(xiàng)所述的處理液，其含有0.05質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下的上述酸。

〔16〕根據(jù)〔11〕至〔15〕中任一項(xiàng)所述的處理液，其含有0.01質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下的上述巰基化合物。

〔17〕根據(jù)〔11〕至〔16〕中任一項(xiàng)所述的處理液，其中，上述巰基化合物以下述式(1)～(4)中的任一個(gè)表示。

[化學(xué)式2]

r¹～r⁵分別獨(dú)立地為氫原子、硫醇基、羥基、羧基、烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、?；蝓；被?。r¹～r⁵可相互鍵結(jié)而形成環(huán)。

m及n為整數(shù)。m+n成為1～12的整數(shù)。

分子中的r¹～r⁵中，1個(gè)以上作為羧基或羥基而存在。

a為羧基或羥基。

cy為從環(huán)狀脂肪族烴去除m1+n1+p1個(gè)氫原子的結(jié)構(gòu)。

r⁶為烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、酰基或?；被?。

n1、n2、p1、p2為1～4的整數(shù)。m1、m2為0～4的整數(shù)。其中，n2+m2+p2為6以下。

ha表示從包含n的雜芳環(huán)去除m3+n3+p3個(gè)氫原子的結(jié)構(gòu)。

n3及m3為0～5的整數(shù)。p3為1～4的整數(shù)。

〔18〕一種去除方法，其將含有酸與巰基化合物的處理液(去除液)適用于iii-v族元素的氧化物來去除上述iii-v族元素的氧化物。

〔19〕根據(jù)〔18〕所述的去除方法，其中，抑制或防止iii-v族元素的溶出來去除iii-v族元素的氧化物。

〔20〕根據(jù)〔18〕或〔19〕所述的去除方法，其中，在遮斷500nm以下的光的條件或者暗室條件下進(jìn)行處理。

〔21〕一種半導(dǎo)體基板產(chǎn)品的制造方法，其經(jīng)由〔18〕至〔20〕中任一項(xiàng)所述的去除方法制造半導(dǎo)體基板產(chǎn)品。

〔22〕一種iii-v族元素的化合物的處理液，其含有酸與巰基化合物。

〔23〕根據(jù)〔22〕所述的處理液，其中，上述巰基化合物含有羧基及羥基中的至少1個(gè)與硫醇基。

〔24〕根據(jù)〔22〕所述的處理液，其中，上述巰基化合物為碳原子數(shù)1～12，且在分子內(nèi)具有1個(gè)以上且4個(gè)以下的硫醇基。

〔25〕根據(jù)〔22〕至〔24〕中任一項(xiàng)所述的處理液，其中，上述酸為無機(jī)酸。

〔26〕根據(jù)〔25〕所述的處理液，其中，上述無機(jī)酸為鹽酸。

〔27〕根據(jù)〔22〕至〔26〕中任一項(xiàng)所述的處理液，其中，抑制或防止iii-v族元素的溶出來去除iii-v族元素的氧化物。

〔28〕根據(jù)〔22〕至〔27〕中任一項(xiàng)所述的處理液，其中，上述iii-v族元素為選自in、ga、as及p中的至少1個(gè)。

〔29〕根據(jù)〔22〕至〔28〕中任一項(xiàng)所述的處理液，其含有0.05質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下的上述酸。

〔30〕根據(jù)〔22〕至〔29〕中任一項(xiàng)所述的處理液，其含有0.01質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下的上述巰基化合物。

〔31〕根據(jù)〔22〕至〔30〕中任一項(xiàng)所述的處理液，其中，上述巰基化合物以下述式(1)～(4)中的任一個(gè)表示。

[化學(xué)式3]

r¹～r⁵分別獨(dú)立地為氫原子、硫醇基、羥基、羧基、烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、?；蝓；被?。r¹～r⁵可相互鍵結(jié)而形成環(huán)。

m及n為整數(shù)。m+n成為1～12的整數(shù)。

分子中的r¹～r⁵中，1個(gè)以上作為羧基或羥基而存在。

a為羧基或羥基。

cy為從環(huán)狀脂肪族烴去除m1+n1+p1個(gè)氫原子的結(jié)構(gòu)。

r⁶為烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、?；蝓；被?。

n1、n2、p1、p2為1～4的整數(shù)。m1、m2為0～4的整數(shù)。其中，n2+m2+p2為6以下。

ha表示從包含n的雜芳環(huán)去除m3+n3+p3個(gè)氫原子的結(jié)構(gòu)。

n3及m3為0～5的整數(shù)。p3為1～4的整數(shù)。

〔32〕一種iii-v族元素的抗氧化液，其含有酸與巰基化合物。

〔33〕根據(jù)〔32〕所述的抗氧化液，其中，上述巰基化合物含有羧基及羥基中的至少1個(gè)與硫醇基。

〔34〕根據(jù)〔32〕所述的抗氧化液，其中，上述巰基化合物為碳原子數(shù)1～12，且在分子內(nèi)具有1個(gè)以上且4個(gè)以下的硫醇基。

〔35〕根據(jù)〔32〕至〔34〕中任一項(xiàng)所述的抗氧化液，其中，上述酸為無機(jī)酸。

〔36〕根據(jù)〔35〕所述的抗氧化液，其中，上述無機(jī)酸為鹽酸。

〔37〕根據(jù)〔32〕至〔36〕中任一項(xiàng)所述的抗氧化液，其中，抑制或防止iii-v族元素的溶出來去除iii-v族元素的氧化物。

〔38〕根據(jù)〔32〕至〔37〕中任一項(xiàng)所述的抗氧化液，其中，上述iii-v族元素為選自in、ga、as及p中的至少1個(gè)。

〔39〕根據(jù)〔32〕至〔38〕中任一項(xiàng)所述的抗氧化液，其含有0.05質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下的上述酸。

〔40〕根據(jù)〔32〕至〔39〕中任一項(xiàng)所述的抗氧化液，其含有0.01質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下的上述巰基化合物。

〔41〕根據(jù)〔32〕至〔40〕中任一項(xiàng)所述的抗氧化液，其中，上述巰基化合物以下述式(1)～(4)中的任一個(gè)表示。

[化學(xué)式4]

r¹～r⁵分別獨(dú)立地為氫原子、硫醇基、羥基、羧基、烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、?；蝓；被?。r¹～r⁵可相互鍵結(jié)而形成環(huán)。

m及n為整數(shù)。m+n成為1～12的整數(shù)。

分子中的r¹～r⁵中，1個(gè)以上作為羧基或羥基而存在。

a為羧基或羥基。

cy為從環(huán)狀脂肪族烴去除m1+n1+p1個(gè)氫原子的結(jié)構(gòu)。

r⁶為烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、?；蝓；被?。

n1、n2、p1、p2為1～4的整數(shù)。m1、m2為0～4的整數(shù)。其中，n2+m2+p2為6以下。

ha表示包含n的雜芳環(huán)。

n3及m3為0～5的整數(shù)。p3為1～4的整數(shù)。

本說明書中，iii-v族元素是屬于周期表的iiib族(13族)的元素與屬于vb族(15族)的元素的總稱。優(yōu)選為in、ga、p、as、al、sb、tl、bi，更優(yōu)選為in、ga、as或p。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠去除iii-v族元素的氧化物，且能夠根據(jù)需要對iii-v族元素抑制或防止其膜的溶出。

并且，根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制或防止iii-v族元素的氧化，能夠根據(jù)需要對iii-v族元素抑制或防止其膜的溶出。

而且，根據(jù)本發(fā)明，能夠去除iii-v族元素的氧化物，能夠根據(jù)需要對iii-v族元素抑制或防止其膜的溶出，而且能夠抑制或防止氧化物去除后的iii-v族元素的氧化。

本發(fā)明的上述及其他特征以及優(yōu)點(diǎn)，通過適當(dāng)添加的附圖及下述記載，會(huì)更加清楚。

附圖說明

圖1是示意地表示finfet的結(jié)構(gòu)的立體圖。

圖2是示意地表示iii-v族元素的氧化膜(氧化物)的去除方式的剖視圖。

圖3是表示finfet的一部分制作過程的基板剖視圖。

圖4是表示finfet的制作過程的另一例的基板剖視圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明中的基團(tuán)(原子團(tuán))的表述中，未記述取代及未取代時(shí)，在無損本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)，與不具有取代基的基團(tuán)一同包含具有取代基的基團(tuán)。例如，“烷基”不僅包含不具有取代基的烷基(未取代烷基)，還包含具有取代基的烷基(取代烷基)。其含義對各化合物均相同。

并且，本說明書中，“準(zhǔn)備”是除了對特定材料進(jìn)行合成或配置等來準(zhǔn)備以外，還包含通過購入等來籌措規(guī)定材料的含義。

而且，本發(fā)明中，(埃)相當(dāng)于0.1nm。

本發(fā)明的iii-v族元素的化合物的處理液、本發(fā)明的iii-v族元素的抗氧化液、本發(fā)明的iii-v族元素的氧化物的去除液及本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的處理液均含有酸與巰基化合物。因此，還將這些液體總稱為本發(fā)明的含有酸與巰基化合物的液體(簡稱為本發(fā)明的液體)。

對本發(fā)明的iii-v族元素的化合物的處理液、本發(fā)明的iii-v族元素的抗氧化液及本發(fā)明的iii-v族元素的氧化物的去除液，著眼于其作用功能，分別稱作化合物處理液、抗氧化液或去除液。即，著眼于去除iii-v族元素的氧化物，抑制或防止氧化物去除之后的iii-v族元素的氧化的作用功能時(shí)，稱作化合物處理液。并且，著眼于去除iii-v族元素的氧化物的作用功能時(shí)，稱作去除液。而且，著眼于抑制或防止iii-v族元素的氧化的作用功能時(shí)，稱作抗氧化液。

并且，本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的處理液適當(dāng)適用于半導(dǎo)體基板中存在的iii-v族元素的化合物。

因此，本發(fā)明的液體在以下詳述的組成、優(yōu)選方式、保管或搬運(yùn)的容器、使用方式(套件或濃縮液等)及制備方法等中，均相同。

本發(fā)明中，作為適用化合物處理液的iii-v族元素的化合物，可舉出包含iii族元素的至少1種與v族元素的至少1種的化合物，包含iii-v族元素(金屬)及iii-v族元素的氧化物等。其中，如通過后述的本發(fā)明的說明會(huì)更加清楚，iii-v族元素(金屬)是iii族元素(單體)及v族元素(單體)的混合物(聚合體)即可，是指包含示出半導(dǎo)電性的iii-v族半導(dǎo)體等。iii-v族半導(dǎo)體為包含iii族元素的至少1種與v族元素的至少1種的化合物半導(dǎo)體，例如，可舉出gaas、inp、inas、ingaas、inalas或gaasp等。其中，優(yōu)選為ingaas或inp。

本發(fā)明中，如上所述，適用抗氧化液的iii-v族元素是指包含iii-v族半導(dǎo)體。

并且，適用去除液的iii-v族元素的氧化物包含上述iii-v族半導(dǎo)體的氧化物。作為氧化物的具體例，可舉出上述iii-v族半導(dǎo)體的氧化物，其中，優(yōu)選為ingaas或inp的氧化物。

而且，適用半導(dǎo)體基板的處理液的半導(dǎo)體基板只要是存在上述的iii-v族元素的化合物的半導(dǎo)體基板，則并無特別限定。詳細(xì)內(nèi)容將后述。

上述iii-v族元素、其氧化物及化合物的形態(tài)并無限定，可以是膜、粒子或塊狀形態(tài)。

本發(fā)明的液體含有酸與巰基化合物。

對本發(fā)明的液體，將進(jìn)行詳細(xì)說明，只要是本發(fā)明的液體，則下述事項(xiàng)均適合。

以下，參考附圖，對其優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。

[本發(fā)明的液體]

如上所述，本發(fā)明的液體中包含酸與巰基化合物，也可含有其他成分。其中，巰基化合物是在分子內(nèi)具有硫醇基的化合物的總稱。作為進(jìn)一步包含的任意成分，可舉出水和有機(jī)溶劑。其中，本發(fā)明的液體實(shí)際上優(yōu)選(i)僅包含酸、巰基化合物及水、(ii)僅包含酸、巰基化合物及有機(jī)溶劑或(iii)僅包含酸、巰基化合物、水及有機(jī)溶劑。其中，使用“實(shí)際上”這一表述，是表示在發(fā)揮本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)，可包含不可避免的雜質(zhì)或微量的添加成分。以下，對各成分進(jìn)行說明。

(酸)

作為酸，可舉出鹵酸(鹽酸(hcl)、氫氟酸(hf)、氫溴酸(hbr)等)、硫酸(h2so4)、硝酸(hno3)、磷酸(h3po4)或膦酸(h3po3)等無機(jī)酸或各種有機(jī)酸。其中，本發(fā)明中，優(yōu)選為無機(jī)酸，更優(yōu)選為鹵酸，進(jìn)一步優(yōu)選為鹽酸或氫溴酸，尤其優(yōu)選為鹽酸。這些可單獨(dú)使用1種，也可組合2種以上來使用。

關(guān)于酸的濃度，本發(fā)明的液體中，優(yōu)選含有0.05質(zhì)量％以上，更優(yōu)選含有0.1質(zhì)量％以上，尤其優(yōu)選含有1質(zhì)量％以上。作為上限，優(yōu)選為20質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為10質(zhì)量％以下，尤其優(yōu)選為5質(zhì)量％以下。通過以上述濃度適用酸，在iii-v族元素的氧化物的去除中實(shí)現(xiàn)良好的性能，并且對于iii-v族元素(金屬)，能夠?qū)崿F(xiàn)有效的保護(hù)，因此優(yōu)選。若進(jìn)一步包括推斷而進(jìn)行具體敘述，則可解釋為酸負(fù)責(zé)溶解氧化物的作用，但通過進(jìn)一步適用巰基化合物，可解釋為其溶解性得到提高。若酸的濃度過高，則金屬(iii-v族元素)過度溶解，很難賦予較高選擇性。

(巰基化合物)

優(yōu)選巰基化合物含有羧基及羥基中的至少1個(gè)與硫醇基(氫硫基：-sh)?；蛘?，優(yōu)選巰基化合物為碳原子數(shù)1～12(優(yōu)選為1～6)，且在分子內(nèi)具有1個(gè)以上且4個(gè)以下(優(yōu)選為2個(gè)以下)的硫醇基。進(jìn)一步優(yōu)選巰基化合物以下述式(1)～(4)中的任一個(gè)表示。

[化學(xué)式5]

r¹～r⁵分別獨(dú)立地為氫原子、硫醇基、羥基、羧基、烷基(優(yōu)選為碳原子數(shù)1～12，更優(yōu)選為1～6，尤其優(yōu)選為1～3)、烯基(優(yōu)選為碳原子數(shù)2～12，更優(yōu)選為2～6)、芳基(優(yōu)選為碳原子數(shù)6～22，更優(yōu)選為6～14，尤其優(yōu)選為6～10)、芳烷基(優(yōu)選為碳原子數(shù)7～23，更優(yōu)選為7～15，尤其優(yōu)選為7～11)、氨基(nrⁿ2：rⁿ為氫原子、碳原子數(shù)1～3的烷基、碳原子數(shù)6～14的芳基)、酰基(優(yōu)選為碳原子數(shù)2～12，更優(yōu)選為2～6)或?；被?優(yōu)選為碳原子數(shù)2～12，更優(yōu)選為2～6)。

m及n為整數(shù)。m+n成為1～12的整數(shù)，優(yōu)選為1～8，更優(yōu)選為1～4，進(jìn)一步優(yōu)選為2～4。

分子中的r¹～r⁵中，1個(gè)以上作為羧基或羥基而存在是條件，優(yōu)選1個(gè)以上且4個(gè)以下作為羧基或羥基而存在。

r¹～r⁵可相互鍵結(jié)而形成環(huán)。其中，r¹～r⁵相互鍵結(jié)而形成環(huán)而成的化合物與以上述式(2)表示的化合物不同。

a為羧基或羥基。

cy為從環(huán)狀脂肪族烴去除m1+n1+p1個(gè)氫原子的結(jié)構(gòu)。作為環(huán)狀脂肪族烴的例子，可舉出環(huán)己烷、環(huán)戊烷、金剛烷、降莰烷等。

r⁶為烷基(優(yōu)選為碳原子數(shù)1～12，更優(yōu)選為1～6，尤其優(yōu)選為1～3)、烯基(優(yōu)選為碳原子數(shù)2～12，更優(yōu)選為2～6)、芳基(優(yōu)選為碳原子數(shù)6～22，更優(yōu)選為6～14，尤其優(yōu)選為6～10)、芳烷基(優(yōu)選為碳原子數(shù)7～23，更優(yōu)選為7～15，尤其優(yōu)選為7～11)、氨基(nrⁿ2)、?；?優(yōu)選為碳原子數(shù)2～12，更優(yōu)選為2～6)或?；被?優(yōu)選為碳原子數(shù)2～12，更優(yōu)選為2～6)。

n1、n2、p1及p2分別為1～4的整數(shù)。m1及m2分別為0～4的整數(shù)。其中，n2+m2+p2為6以下。

ha表示從式(4)中的包含n的雜芳環(huán)去除m3+n3+p3個(gè)氫原子的環(huán)結(jié)構(gòu)。作為雜芳環(huán)，只要是作為環(huán)構(gòu)成原子具有至少1個(gè)氮原子的環(huán)，則并無特別限定，可以是單環(huán)也可以是稠環(huán)。作為環(huán)構(gòu)成原子，除了氮原子以外，可舉出碳原子、氧原子、硫原子、硅原子、硒原子或磷原子。該雜芳環(huán)優(yōu)選為單環(huán)，其環(huán)元數(shù)優(yōu)選為5元或6元。作為雜芳環(huán)的例子，例如，可舉出吡唑環(huán)、咪唑環(huán)、三唑環(huán)、噁唑環(huán)、噻唑環(huán)等5元環(huán)、吡啶環(huán)、嘧啶環(huán)、吡嗪環(huán)、噠嗪環(huán)、三嗪環(huán)或四嗪環(huán)等6元環(huán)、苯并咪唑環(huán)、苯并三唑環(huán)、苯并噁唑環(huán)、苯并噻唑環(huán)、喹啉環(huán)或異喹啉環(huán)等稠環(huán)。其中，優(yōu)選為吡啶環(huán)、嘧啶環(huán)或三唑環(huán)，更優(yōu)選為吡啶環(huán)。

以式(4)表示的化合物中，優(yōu)選硫醇基與鍵合于環(huán)構(gòu)成氮原子的環(huán)構(gòu)成原子(相對于環(huán)構(gòu)成氮原子在2位)鍵合。即，以式(4)表示的化合物作為環(huán)構(gòu)成原子具有1個(gè)氮原子時(shí)，優(yōu)選硫醇基與鍵合于該環(huán)構(gòu)成氮原子的環(huán)構(gòu)成原子鍵合。并且，上述化合物作為環(huán)構(gòu)成原子具有2個(gè)以上的氮原子時(shí)，優(yōu)選硫醇基與介入于環(huán)構(gòu)成氮原子與環(huán)構(gòu)成碳原子之間的環(huán)構(gòu)成原子(優(yōu)選為環(huán)構(gòu)成碳原子)鍵合。

n3及m3分別為0～5的整數(shù)。p3為1～4的整數(shù)。n3+m3+p3優(yōu)選為6以下。

巰基化合物可單獨(dú)使用1種，也可組合2種以上來使用。

下述中舉出巰基化合物的具體例，但本發(fā)明并不限定于此來解釋。

[化學(xué)式6]

在本發(fā)明的液體中，關(guān)于巰基化合物的濃度，本發(fā)明的液體中，優(yōu)選為10質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為7質(zhì)量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為5質(zhì)量％以下，尤其優(yōu)選為3質(zhì)量％以下。作為下限，優(yōu)選為0.01質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為0.05質(zhì)量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上，尤其優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以上。

作為相對于酸100質(zhì)量份的巰基化合物的量，優(yōu)選為0.1質(zhì)量份以上，更優(yōu)選為1質(zhì)量份以上，尤其優(yōu)選為5質(zhì)量份以上。作為上限，優(yōu)選為200質(zhì)量份以下，更優(yōu)選為100質(zhì)量份以下，尤其優(yōu)選為50質(zhì)量份以下。

巰基化合物的量若過少，則無法充分發(fā)揮效果。相反，若過多，則存在溶解度的問題或者附著于氧化膜(氧化物)的整個(gè)面，反而有可能導(dǎo)致氧化物的溶解速度的下降。

本發(fā)明的液體中，優(yōu)選將巰基化合物的含量與酸的含量的含有比例(質(zhì)量比)調(diào)整為下述范圍。即，巰基化合物的含量相對于酸的含量的比[巰基化合物的含量/酸的含量]優(yōu)選為0.001～500，從提高氧化膜去除速度的觀點(diǎn)考慮，更優(yōu)選為0.01～400，從抑制金屬溶出的觀點(diǎn)考慮，尤其優(yōu)選為0.03～300。

具體而言，含量的比的下限優(yōu)選為0.001以上，從抑制金屬溶出的觀點(diǎn)考慮，更優(yōu)選為0.01以上，從進(jìn)一步兼顧優(yōu)異的氧化膜去除速度，顯著獲得效果的觀點(diǎn)考慮，尤其優(yōu)選為0.3以上。另一方面，上限優(yōu)選小于200，從抑制金屬溶出的觀點(diǎn)考慮，更優(yōu)選小于150，從進(jìn)一步兼顧優(yōu)異的氧化膜去除速度，顯著獲得效果的觀點(diǎn)考慮，尤其優(yōu)選小于100。

通過此番研究，確認(rèn)到通過如此調(diào)整含有比例，本發(fā)明的液體在經(jīng)時(shí)之后，也能夠良好地保持如上述的本發(fā)明的效果，而且再利用性也優(yōu)異。

再利用是指，并不是將本發(fā)明的液體僅使用一次，例如，將在本發(fā)明的任意處理中使用的液體再次在本發(fā)明的任意處理中使用的方式。例如，將在半導(dǎo)體基板的處理中使用過一次的液體再次在半導(dǎo)體基板的處理中使用的方式。

再利用時(shí)，若反復(fù)清洗，則會(huì)產(chǎn)生iii-v族元素或其他半導(dǎo)體中使用的原材料向處理液的微量溶出。得知由于這些的蓄積，有時(shí)本發(fā)明的效果會(huì)發(fā)生變化，但若在上述范圍內(nèi)，則再利用性優(yōu)異。推斷這是因?yàn)樗崤c巰基化合物相互作用。

因此，本發(fā)明的液體能夠通過再利用來使用。

(有機(jī)溶劑)

作為有機(jī)溶劑，例如，可舉出脂肪族化合物、鹵化烴化合物、醇化合物、醚化合物、酯化合物、酮化合物、腈化合物、酰胺化合物、亞砜化合物、芳香族化合物，這些有機(jī)溶劑可混合使用。下述中列舉各個(gè)例子。

·脂肪族化合物

己烷、庚烷、環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、辛烷、戊烷、環(huán)戊烷等

·鹵化烴化合物

二氯甲烷(methylenechloride)、氯仿、二氯甲烷(dichloromethane)、二氯化乙烷、四氯化碳、三氯乙烯、四氯乙烯、環(huán)氧氯丙烷、一氯苯、鄰二氯苯、烯丙基氯、hcfc、一氯乙酸甲酯、一氯乙酸乙酯、一氯乙酸、三氯乙酸、溴甲烷、碘甲烷、三(四)氯乙烯等

·醇化合物

甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、2-丁醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、1,6-己二醇、環(huán)己二醇、山梨糖醇、木糖醇、2-甲基-2,4-戊二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇等

·醚化合物(包含含有羥基的醚化合物)

二甲醚、二乙醚、二異丙醚、二丁醚、叔丁基甲基醚、環(huán)己基甲醚、苯甲醚、四氫呋喃、亞烷基二醇烷基醚(乙二醇單甲醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇、二丙二醇、丙二醇單甲醚、二乙二醇單甲醚、三乙二醇、聚乙二醇、丙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、三丙二醇單甲醚、二乙二醇單丁醚等)等

·酯化合物

乙酸乙酯、乳酸乙酯、2-(1-甲氧基)乙酸丙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯(propyleneglycol1-monomethylether2-acetate)等

·酮化合物

丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環(huán)己酮、2-庚酮等

·腈化合物

乙腈等

·酰胺化合物

n,n-二甲基甲酰胺、1-甲基-2-吡咯烷酮、2-吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、ε-己內(nèi)酰胺、甲酰胺、n-甲基甲酰胺、乙酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基乙酰胺、n-甲基丙酰胺、六甲基磷酰三胺等

·亞砜化合物

二甲基亞砜等

·芳香族化合物

苯、甲苯等

有機(jī)溶劑優(yōu)選使用后述的減少了雜質(zhì)及粗大粒子的品級的溶劑或進(jìn)一步提純來使用。提純方法并無特別限定，優(yōu)選使用過濾膜或離子交換膜的提純或基于蒸餾的提純。

有機(jī)溶劑的使用量并無特別限定，本發(fā)明的液體中，優(yōu)選為5質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為7質(zhì)量％以上。作為上限，優(yōu)選為90質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為85質(zhì)量％以下。

上述有機(jī)溶劑可僅使用1種，也可并用2種以上。

本說明書中，在末尾附加化合物或酸等來對化合物進(jìn)行特定時(shí)，是指在發(fā)揮本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)，除了該化合物以外，還包含其離子、鹽。并且，同樣指包含其衍生物。

(水)

優(yōu)選本發(fā)明的液體中含有水(水介質(zhì))。作為水(水介質(zhì))，可以是在無損本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)包含溶解成分的水性介質(zhì)，或者也可包含不可避免的微量的混合成分。其中，優(yōu)選為蒸餾水或離子交換水或者超純水等已實(shí)施凈化處理的水，尤其優(yōu)選使用半導(dǎo)體制造中使用的超純水，最優(yōu)選使用對其進(jìn)一步進(jìn)行提純來減少無機(jī)陰離子或金屬離子等的水。提純方法并無特別限定，優(yōu)選為使用過濾膜或離子交換膜的提純或基于蒸餾的提純。

水的濃度并無特別限定，本發(fā)明的液體中，優(yōu)選為50質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為60質(zhì)量％以上，尤其優(yōu)選為70質(zhì)量％以上。作為上限，優(yōu)選為99質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為95質(zhì)量％以下，尤其優(yōu)選為90質(zhì)量％以下。

(表面活性劑)

本發(fā)明的液體中可含有表面活性劑。表面活性劑并無特別限定，能夠適當(dāng)適用陰離子性表面活性劑、陽離子性表面活性劑、非離子性表面活性劑、包含高分子化合物的表面活性劑、氟類表面活性劑、聚氧化烯類表面活性劑等。

表面活性劑的濃度相對于本發(fā)明的液體總量，優(yōu)選含有10質(zhì)量％以下，更優(yōu)選含有5質(zhì)量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選以1質(zhì)量％以下的范圍內(nèi)含有。作為下限值，優(yōu)選含有0.001質(zhì)量％以上，更優(yōu)選以0.005質(zhì)量％以上含有。表面活性劑可單獨(dú)使用1種，也可組合2種以上來使用。

(有機(jī)酸)

本發(fā)明的液體除了上述酸以外，還可含有有機(jī)酸。有機(jī)酸優(yōu)選為1官能性、2官能性、3官能性或4官能性的有機(jī)酸。若本發(fā)明的液體含有有機(jī)酸，則能夠防止在適用本發(fā)明的液體的設(shè)備等中使用的半導(dǎo)體材料或/及絕緣膜的腐蝕。

有機(jī)酸中，羧酸有效防止鋁、銅及這些的合金的金屬腐蝕，因此優(yōu)選，具有羥基的羥基羧酸對金屬腐蝕的防止尤其有效，因此更優(yōu)選。羧酸對這些金屬具有螯合效果。優(yōu)選羧酸中包含單羧酸及多羧酸。作為羧酸，并不限定于這些，能夠例示甲酸、乙酸、丙酸、戊酸(valericacid)、異戊酸(isovalericacid)、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、馬來酸、富馬酸、鄰苯二甲酸、1,2,3-苯三羧酸、乙醇酸、乳酸、檸檬酸、水楊酸、酒石酸、葡萄糖酸、二甘醇酸、蘋果酸、乙酰氧肟酸、苯甲羥肟酸、水楊基氧肟酸、鄰苯二甲酸異羥肟酸、苯甲酸或二羥基苯甲酸。其中，能夠優(yōu)選使用作為羥基羧酸的檸檬酸、蘋果酸、酒石酸、乙醇酸、葡萄糖酸或乳酸。

優(yōu)選羧酸為將構(gòu)成元素僅設(shè)為碳、氫及氧的各原子的羧酸，更優(yōu)選不具有氨基。并且，這些有機(jī)酸能夠單獨(dú)使用1種或混合2種以上來使用。從有效防止金屬腐蝕的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選并用2種以上。

有機(jī)酸的含量相對于本發(fā)明的液體總量，優(yōu)選為約0.001～約20.0質(zhì)量％，更優(yōu)選為約0.01～約20.0質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為0.01～10.0質(zhì)量％。

(ph調(diào)節(jié)劑)

本發(fā)明的液體中可使用ph調(diào)節(jié)劑。作為ph調(diào)節(jié)劑，可舉出用于提高本發(fā)明的液體的ph的ph調(diào)節(jié)劑與用于降低ph的ph調(diào)節(jié)劑。

作為提高本發(fā)明的液體的ph的ph調(diào)節(jié)劑，只要不阻礙本發(fā)明的液體的效果，則并無特別限定。例如，氨(nh3)、氫氧化鈉(naoh)或氫氧化鉀(koh)等氫氧化堿(金屬氫氧化物)、堿土類鹽、異丙胺、叔丁胺、2-氨基乙醇、胍或1-氨基-2-丙醇等胺化合物、羥胺等羥胺化合物或、四甲基氫氧化銨(tmah)、四乙基氫氧化銨或四丙基氫氧化銨等烷基氫氧化銨等。

作為降低本發(fā)明的液體的ph的ph調(diào)節(jié)劑，只要不阻礙本發(fā)明的液體的效果，則并無特別限定，例如，可舉出上述的酸或上述的有機(jī)酸。

ph調(diào)節(jié)劑的使用量并無特別限定，按為了將ph調(diào)整為上述范圍所需的量使用即可。ph調(diào)節(jié)劑可單獨(dú)使用1種，也可組合2種以上來使用。

(其他)

本發(fā)明的液體中，還能夠適當(dāng)利用防腐劑(日本特開2014-232874[0132]、日本特開2014-185332[0015]～[0022]、日本特開2014-220300[0030]～[0037])、螯合劑(日本特開2014-093407[0024]、日本特開2014-041260[0024])、ph緩沖劑或消泡劑等。

(ph)

本發(fā)明的液體的ph優(yōu)選為-2以上，更優(yōu)選為-1以上，尤其優(yōu)選為0以上。作為上限，優(yōu)選為4以下，更優(yōu)選為3以下，尤其優(yōu)選為2以下。通過將ph設(shè)為該范圍，能夠控制氧化物的去除速度，較優(yōu)選。另外，關(guān)于ph，除非另有指明，則設(shè)為在室溫(25℃)下通過horiba,ltd.制造的f-51(商品名)測定的值。

(套件)

本發(fā)明的液體可設(shè)為將其原料分割為多個(gè)的套件。例如，可舉出作為第1液準(zhǔn)備在水介質(zhì)中含有上述酸的液體組合物，作為第2液準(zhǔn)備在水介質(zhì)中含有上述巰基化合物的液體組合物的方式。作為其使用例，優(yōu)選為混合兩個(gè)液體來調(diào)液本發(fā)明的液體，之后適時(shí)適用于上述處理的方式。有機(jī)溶劑等可含有于兩個(gè)液體中的任一個(gè)。由此，避免由巰基化合物的分解引起的液體性能的劣化，能夠有效發(fā)揮所希望的作用。第1液中的酸的濃度和第2液中的巰基化合物的濃度能夠根據(jù)前面敘述的1液型(one-liquidtype)的配合量，作為混合后的濃度適當(dāng)設(shè)定。

(濃縮液)

本發(fā)明的液體可作為濃縮液來準(zhǔn)備。此時(shí)，在使用時(shí)能夠用水稀釋來使用。

(雜質(zhì)及粗大粒子)

鑒于其使用用途，本發(fā)明的液體中，優(yōu)選液體中的雜質(zhì)例如金屬成分等較少。作為金屬成分，可舉出na、k、ca、cu、mg、mn、li、al、cr、ni、fe、co及zn的金屬元素等，從抑制半導(dǎo)體基板產(chǎn)品的性能故障的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選均小于1ppm。尤其，優(yōu)選液體中的na、k及ca離子濃度分別在小于1ppb(質(zhì)量基準(zhǔn))的范圍。

作為本發(fā)明的液體中的na、k及ca離子濃度等的降低方法，例如，可舉出，在混合用于制造本發(fā)明的液體的原材料之前的階段及制備本發(fā)明的液體之后的階段中的至少一個(gè)階段，進(jìn)行蒸餾或利用離子交換樹脂進(jìn)行過濾的方法。作為其他方法，例如，可舉出，對容納本發(fā)明的液體的制造中所使用的原材料的“容器”，使用如后述那樣雜質(zhì)的溶出較少的容器的方法。并且，還可舉出，對配管內(nèi)壁進(jìn)行氟類樹脂的內(nèi)襯等，以避免從用于制備或移送本發(fā)明的液體的配管等中溶出na、k或ca等金屬成分的方法。

并且，本發(fā)明的液體中，優(yōu)選平均粒徑0.5μm以上的粗大粒子數(shù)在100個(gè)/cm³以下的范圍，更優(yōu)選在50個(gè)/cm³以下的范圍。上述粗大粒子是指，作為雜質(zhì)而包含于本發(fā)明的液體的原料中的塵埃、灰塵、有機(jī)固形物或無機(jī)固形物等粒子、本發(fā)明的液體的制備中作為污染物而帶入的塵埃、灰塵、有機(jī)固形物或無機(jī)固形物等粒子等，最終在本發(fā)明的液體中未溶解而作為粒子而存在的粒子。本發(fā)明的液體中存在的粗大粒子數(shù)能夠利用將激光作為光源的光散射式液中粒子測定方式中的市售的測定裝置，在液相中進(jìn)行測定。

(濾除)

出于控制異物和粗大粒子的個(gè)數(shù)或減少缺陷等目的，優(yōu)選用過濾器對本發(fā)明的液體進(jìn)行過濾(濾除)。作為過濾器，只要是以往用于過濾用途等中的過濾器，則能夠不特別受限地使用。例如，可舉出由ptfe(聚四氟乙烯)等氟樹脂、尼龍等聚酰胺類樹脂、聚乙烯或聚丙烯(pp)等聚烯烴樹脂(包含高密度、超高分子量)等形成的過濾器。這些原材料中，優(yōu)選為聚丙烯(包含高密度聚丙烯)及尼龍。過濾器的孔徑為0.001～1.0μm左右為較適當(dāng)，優(yōu)選為0.01～0.5μm左右，更優(yōu)選為0.02～0.1μm左右。通過設(shè)為該范圍，能夠抑制過濾堵塞的同時(shí)，控制本發(fā)明的液體中包含的雜質(zhì)或凝聚物等微細(xì)異物的個(gè)數(shù)。

使用過濾器時(shí)，可組合不同過濾器。此時(shí)，通過第1過濾器進(jìn)行的濾除可僅進(jìn)行1次，也可進(jìn)行2次以上。組合不同過濾器來進(jìn)行2次以上濾除時(shí)，優(yōu)選第2次以后的孔徑與第1次濾除的孔徑相同或大于第1次濾除的孔徑。并且，可組合在上述范圍內(nèi)不同孔徑的第1過濾器。此處的孔徑能夠參考過濾器制造商的公稱值。作為市售的過濾器，例如，能夠從由nihonpallltd.、toyoroshikaisha,ltd.、nihonentegrisk.k.(原mykroliscorpration)或kitzmicrofiltercorporation等提供的各種過濾器中選擇。第2過濾器能夠使用由與上述第1過濾器相同的材料等形成的過濾器。第2過濾器的孔徑為0.01～1.0μm左右為較適當(dāng)，優(yōu)選為0.1～0.5μm左右。通過設(shè)為該范圍，本發(fā)明的液體中含有成分粒子時(shí)，能夠在使該成分粒子殘留的狀態(tài)下，控制混入本發(fā)明的液體中的異物的個(gè)數(shù)。例如，通過第1過濾器進(jìn)行的濾除通過包含本發(fā)明的液體的一部分成分的混合液進(jìn)行，也可在對此混合剩余成分來制備本發(fā)明的液體之后進(jìn)行第2濾除。

(容器)

關(guān)于本發(fā)明的液體，(與是否為套件無關(guān)地)只要腐蝕性等不成問題，則能夠填充于任意容器來保管、搬運(yùn)并使用。并且，作為保管或搬運(yùn)本發(fā)明的液體的容器，優(yōu)選半導(dǎo)體用途為目的的容器的清潔度較高且雜質(zhì)的溶出較少的容器。作為能夠使用的容器，可舉出aicellochemicalco.,ltd.制造的“cleanbottle”系列、kodamaplasticsco.,ltd.制造的“purebottle”等，但并不限定于這些。

優(yōu)選該容器或其容納部的內(nèi)壁由不同于選自包含聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂及聚乙烯-聚丙烯樹脂的組的1種以上的樹脂的樹脂或?qū)嵤┯蟹冷P或金屬溶出防止處理的金屬形成。作為上述不同的樹脂，能夠尤其優(yōu)選使用氟類樹脂(全氟樹脂)。如此，通過使用容器或其容納部的內(nèi)壁為氟類樹脂的容器，與使用容器或其容納部的內(nèi)壁為聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂或聚乙烯-聚丙烯樹脂的容器時(shí)相比，能夠抑制乙烯或丙烯的低聚物的溶出等不良情況的產(chǎn)生。作為這種容器或其容納部的內(nèi)壁為氟類樹脂的容器的具體例，例如，可舉出entegris，inc.制造的fluoropurepfa復(fù)合滾筒等。并且，還能夠使用日本特表平3-502677號公報(bào)的第4頁等、國際公開第2004/016526號小冊子的第3頁等或國際公開第99/46309號小冊子的第9及16頁等中記載的容器。

如后述，本發(fā)明的液體能夠去除iii-v族元素的氧化物。本發(fā)明的液體能夠根據(jù)需要對適用本發(fā)明的液體的iii-v族元素抑制或防止其膜的溶出。

＜iii-v族元素的氧化物的去除液＞

本發(fā)明的iii-v族元素的氧化物的去除液能夠去除iii-v族元素的氧化物。該去除液能夠根據(jù)需要對適用去除液的iii-v族元素抑制或防止其膜的溶出。

＜iii-v族元素的抗氧化液＞

本發(fā)明的iii-v族元素的抗氧化液能夠抑制或防止iii-v族元素、尤其氧化的進(jìn)行程度較低的元素和/或氧化物去除之后的iii-v族元素的氧化。抗氧化液能夠根據(jù)需要對適用抗氧化液的iii-v族元素抑制或防止其膜的溶出。

＜iii-v族元素的化合物的處理液＞

本發(fā)明的iii-v族元素的化合物的處理液能夠去除iii-v族元素的氧化物，抑制或防止氧化物去除之后的iii-v族元素的氧化?；衔锾幚硪耗軌蚋鶕?jù)需要對適用化合物處理液的iii-v族元素抑制或防止其膜的溶出。

＜半導(dǎo)體基板的處理液＞

本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的處理液能夠適用于半導(dǎo)體基板(中存在的iii-v族元素的化合物)，去除iii-v族元素的氧化物和/或抑制或防止iii-v族元素的氧化。該處理液能夠根據(jù)需要對iii-v族元素抑制或防止其膜的溶出。本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的處理液還能夠用作沖洗液。

[處理方法(氧化物的去除方法)]

本發(fā)明的氧化物的去除方法中，其實(shí)施方式并無特別限定。例如，可以是利用浴槽的分批式處理，也可以是利用單晶片式裝置的處理。具體而言，浴槽處理中，能夠在裝滿本發(fā)明的液體的浴槽中，例如浸漬具有iii-v族元素的氧化物的半導(dǎo)體基板或半導(dǎo)體基板產(chǎn)品來進(jìn)行處理。優(yōu)選單晶片式裝置具有處理槽，在該處理槽中傳送或旋轉(zhuǎn)上述半導(dǎo)體基板，在該處理槽內(nèi)賦予(噴出、噴射、流下、滴加等)上述剝離液，從而使上述剝離液與半導(dǎo)體基板接觸。

本發(fā)明的液體的處理溫度優(yōu)選為10℃以上，更優(yōu)選為20℃以上。作為上限，優(yōu)選為80℃以下，更優(yōu)選為60℃以下，尤其優(yōu)選為40℃以下。另外，處理溫度在單晶片式裝置中以適用于基板的溫度為基礎(chǔ)?？梢砸员４鏈囟然蛘咄ㄟ^分批處理進(jìn)行管理時(shí)的其罐內(nèi)的溫度、通過循環(huán)系統(tǒng)管理時(shí)的循環(huán)流路內(nèi)的溫度進(jìn)行設(shè)定。

上述去除方法中，通過如上所述來使半導(dǎo)體基板或半導(dǎo)體基板產(chǎn)品等與本發(fā)明的液體接觸來去除氧化物之后，可進(jìn)行清洗(沖洗)，也可不進(jìn)行清洗(沖洗)。沖洗時(shí)，作為能夠使用的沖洗液，例如，能夠使用水、異丙醇或這些的混合液。其中，最優(yōu)選為水。沖洗液的溫度并無特別限定，能夠設(shè)定為適當(dāng)?shù)臏囟?，?yōu)選為室溫(25℃)。

優(yōu)選以較快的去除速度去除上述iii-v族元素的氧化物(膜)。就iii-v族元素的氧化物的膜而言，去除速度[r2]并無特別限定，但考慮到生產(chǎn)效率，優(yōu)選為以上，更優(yōu)選為以上，尤其優(yōu)選為以上。并沒有特別的上限，但實(shí)際上為以下。

iii-v族元素的氧化膜的露出寬度并無特別限定，從本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)變得更顯著的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為2nm以上，更優(yōu)選為4nm以上。同樣從效果的顯著性的觀點(diǎn)考慮，上限值實(shí)際上為1000nm以下，優(yōu)選為100nm以下，更優(yōu)選為20nm以下。

iii-v族元素的膜的溶出速度(簡稱為去除速度或金屬溶出速度)[r1]并無特別限定，優(yōu)選不過度去除，進(jìn)一步優(yōu)選為以下，進(jìn)一步優(yōu)選為以下，尤其優(yōu)選為以下。下限并無特別限定，考慮到測定極限，實(shí)際上為以上。

iii-v族元素的氧化膜與iii-v族元素的膜的選擇性去除中，其去除速度比([r2]/[r1])優(yōu)選為2以上，更優(yōu)選為5以上，尤其優(yōu)選為10以上。作為上限，并無特別規(guī)定，越高越優(yōu)選，實(shí)際上為300以下，更實(shí)際上為200以下。

而且，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式所涉及的本發(fā)明的液體中，還能夠適當(dāng)抑制al、w等金屬電極層、hfo、hfsio、wo、alox、sio2、sioc、sion、siocn、tin、sin、tialc等絕緣膜層的損傷和溶出，因此還優(yōu)選適用于包含這些的半導(dǎo)體基板。另外，本說明書中，通過其元素的組合標(biāo)記金屬化合物的組成時(shí)，是指廣泛包含任意組成的元素。例如，sioc(sion)表示si、o與c(n)共存，并非表示其量的比例為1:1:1。這在本說明書中共用，對于其他金屬化合物也相同。

通過上述去除方法去除iii-v族元素的氧化物。此時(shí)，能夠根據(jù)需要對iii-v族元素(金屬)抑制或防止其膜的溶出。而且，還能夠抑制或防止iii-v族元素的(再)氧化。

[處理方法(iii-v族元素的抗氧化方法)]

iii-v族元素的抗氧化方法優(yōu)選適用于iii-v族元素(尤其氧化的進(jìn)行程度較低的元素)或已去除氧化物的iii-v族元素。適用對象并非為iii-v族元素的氧化物，除此以外，與上述去除方法相同。由此，iii-v族元素的抗氧化液能夠抑制或防止iii-v族元素的(再)氧化。關(guān)于其理由，雖然未詳細(xì)確定，但認(rèn)為是因?yàn)?，iii-v族元素的iii族元素例如as與巰基化合物的sh基相互作用(例如，物理性或者化學(xué)性吸附)，從而形成巰基化合物的覆膜(保護(hù)膜)。

[處理方法(iii-v族元素的化合物的處理方法)]

iii-v族元素的化合物的處理方法優(yōu)選適用于iii-v族元素的化合物。iii-v族元素的化合物的處理方法中，適用對象特定為iii-v族元素的氧化物與iii-v族元素，但通常與上述去除方法相同。本發(fā)明的iii-v族元素的化合物的處理液具有氧化物的去除作用及化合物的抗氧化作用，因此即使是1液型，也能夠去除iii-v族元素的氧化物，進(jìn)一步抑制或防止已去除氧化物的iii-v族元素的(再)氧化。氧化物的去除作用及iii-v族元素的抗氧化作用如上所述。

[處理方法(半導(dǎo)體基板的處理方法)]

iii-v族元素的半導(dǎo)體基板的處理方法優(yōu)選適用于半導(dǎo)體基板中存在的iii-v族元素的化合物。該處理方法通常與上述去除方法相同。

[半導(dǎo)體基板產(chǎn)品]

圖1是示意地表示能夠適當(dāng)使用上述去除液等本發(fā)明的液體的finfet的結(jié)構(gòu)的一部分的立體圖。finfet的特征在于，傳導(dǎo)性通道被構(gòu)成元件的柵極的較薄的“凸片”狀的硅覆蓋。finfet的稱呼是由美國加州大學(xué)的berkeley研究所命名的單詞。其基于以往的delta的設(shè)計(jì)，適用于將非平面型雙柵·晶體管構(gòu)筑在soi基板上的結(jié)構(gòu)的說明。其中，該單詞并不具有固定的定義。有時(shí)作為使用任意凸片的多柵極·晶體管的結(jié)構(gòu)來說明。根據(jù)基于finfet的多柵/三柵·結(jié)構(gòu)，工藝微細(xì)化的可能性進(jìn)一步提高。具有能夠使柵極·泄漏電流最小化的可能性，且能夠使用標(biāo)準(zhǔn)的光刻技術(shù)輕松制造。

結(jié)構(gòu)上，成為在二維基板上構(gòu)筑三維結(jié)構(gòu)的形狀。若基板面積相同，則柵極體積變得大于平面型晶體管。因?yàn)槌蔀闁艠O“包圍”通道的結(jié)構(gòu)，因此柵極的通道控制性較高，設(shè)備關(guān)閉狀態(tài)時(shí)的泄漏電流減少。因此，能夠較低地設(shè)置閾值電壓，可獲得適當(dāng)?shù)那袚Q速度與消耗電力。

本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，能夠適當(dāng)應(yīng)對上述finfet結(jié)構(gòu)的形成。尤其，在源極電極或漏極電極等中使用的iii-v族元素的氧化膜的去除上發(fā)揮適當(dāng)?shù)男阅堋６?，能夠根?jù)需求對iii-v族元素的膜表面抑制損傷和溶出，形成其清潔的膜面。進(jìn)一步優(yōu)選還能夠抑制iii-v族元素(金屬)的(再)氧化，維持iii-v族元素的氧化膜的去除之后的清潔的膜面。

或者，上述的finfet以外，能夠根據(jù)需要適用于gaa結(jié)構(gòu)或通常的mosfet的制造，能夠發(fā)揮其效果。另外，gate-all-around(gaa、整周柵極)fet中，用柵極材料包圍通道部分的整個(gè)側(cè)面，除此以外，其結(jié)構(gòu)為與finfet相同概念的結(jié)構(gòu)。gaafet根據(jù)設(shè)計(jì)具有2個(gè)或3個(gè)有效的柵極。

圖2(a)表示在iii-v族元素的膜1上形成其氧化膜2的狀態(tài)。對其賦予上述去除液等本發(fā)明的液體3。其結(jié)果，僅適當(dāng)去除iii-v族元素的氧化膜2而成為圖2(b)的狀態(tài)。另一方面，本發(fā)明的液體對iii-v族元素不會(huì)示出過度的損傷和溶出，因此iii-v族元素的膜1維持清潔的狀態(tài)。而且，本發(fā)明的液體優(yōu)選能夠防止相對于iii-v族元素的(再)氧化，從該角度出發(fā)，iii-v族元素的膜1也維持清潔的狀態(tài)。由此能夠向下一道工序送出保持良好的品質(zhì)的半導(dǎo)體基板產(chǎn)品。另外，在此為了便于圖示，將氧化物示為氧化膜，但本發(fā)明并不限定于此，還可適當(dāng)適用于粒子狀的氧化物或不規(guī)則形狀的氧化物等氧化物殘?jiān)娜コ?/p>

圖3是表示finfet的一部分制作過程的基板剖視圖(省略陰影線)。該工序中，準(zhǔn)備依次層疊ingaas/inp/si的基板(工序(a))，在成為最上層的ingaas通過干式蝕刻形成有規(guī)定的圖案(工序(b))。省略抗蝕劑膜的圖示。上述干式蝕刻之后，表面s1上殘留有氧化膜或氧化物的殘?jiān)?。這種氧化膜或氧化物的殘?jiān)娜コ?，上述去除液等本發(fā)明的液體可適當(dāng)發(fā)揮其效果。并且，如此去除氧化膜或氧化物的殘?jiān)膇ngaas的抗(再)氧化中，本發(fā)明的液體可適當(dāng)發(fā)揮其效果。

圖4是表示finfet的制作過程的另一例的基板剖視圖(省略陰影線)。該工序中，同樣在表面s2上殘留有ingaas的氧化膜及氧化物的殘?jiān)?。相對于此，上述去除液等本發(fā)明的液體可適當(dāng)發(fā)揮其效果。并且，如此去除氧化膜或氧化物的殘?jiān)膇ngaas的抗(再)氧化中，本發(fā)明的液體可適當(dāng)發(fā)揮其效果。

此外，例如在pcmp(post-cmp)的處理中，上述去除液等本發(fā)明的液體可發(fā)揮其效果。cmp工序中，有時(shí)例如削去ingaas的突出部。有時(shí)在該削去之后的表面形成氧化膜或殘留氧化物的殘?jiān)?。相對于此，本發(fā)明的液體可適當(dāng)發(fā)揮其效果。并且，如此去除氧化膜或氧化物的殘?jiān)膇ngaas的抗(再)氧化中，本發(fā)明的液體可適當(dāng)發(fā)揮其效果。

基于本發(fā)明的液體的處理優(yōu)選在遮斷500nm以下的光的條件下進(jìn)行處理(例如，黃燈或紅燈條件下處理)或者在暗室條件下進(jìn)行處理。這是因?yàn)?，若存在光的照射，則有時(shí)會(huì)進(jìn)行光照射反應(yīng)(photo-illuminationreaction)，而降低氧化物的去除效果。

如上述適用本發(fā)明的液體的半導(dǎo)體基板中，iii-v族元素的氧化物被去除，進(jìn)一步優(yōu)選還抑制或防止iii-v族元素的氧化，保持清潔的表面。因此，將適用本發(fā)明的液體的半導(dǎo)體基板供給至下一道工序?yàn)橹沟臅r(shí)間并無特別限制，例如能夠確保4小時(shí)以上，優(yōu)選確保10小時(shí)以上，進(jìn)一步優(yōu)選確保24小時(shí)以上。

本說明書中，半導(dǎo)體基板以不僅包含晶圓還包含對其實(shí)施電路結(jié)構(gòu)的整個(gè)基板結(jié)構(gòu)體的含義來使用。半導(dǎo)體基板部件是指構(gòu)成上述中定義的半導(dǎo)體基板的部件，可包含1種材料，也可包含多種材料。另外，有時(shí)將已加工的半導(dǎo)體基板區(qū)別稱呼為半導(dǎo)體基板產(chǎn)品，根據(jù)需要，進(jìn)一步予以區(qū)別，將對其加以加工，切片來取出的芯片及其加工產(chǎn)品稱作半導(dǎo)體元件。即，廣義上半導(dǎo)體元件或組裝有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體產(chǎn)品屬于半導(dǎo)體基板產(chǎn)品。

本說明書中，將對半導(dǎo)體基板及半導(dǎo)體基板產(chǎn)品賦予處理液的情況稱作“適用”，其實(shí)施方式并無特別限定。例如，廣泛包含使本發(fā)明的液體與基板接觸的情況，具體而言，可通過分批式方式浸漬，也可通過單晶片式方式通過噴出來使其接觸。

對在上述半導(dǎo)體基板產(chǎn)品中使用本發(fā)明的液體的情況進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明中，使用本發(fā)明的iii-v族元素的氧化物的去除液、本發(fā)明的iii-v族元素的抗氧化液、本發(fā)明的iii-v族元素的化合物的處理液及半導(dǎo)體基板的處理液時(shí)，也與使用本發(fā)明的液體的情況同樣地，能夠適當(dāng)適用于上述的各圖中示出的半導(dǎo)體基板，發(fā)揮相同的作用效果。

本發(fā)明的各種方法中使用的本發(fā)明的液體能夠再使用。雖并無特別限定，但可舉出優(yōu)選并非僅使用一次(不再使用)，而是回收或循環(huán)已使用的液體，從而在上述各種方法，例如，去除方法、抗氧化方法、處理方法和/或半導(dǎo)體基板的處理方法中再使用的方法。并且，還能夠用作沖洗液。

循環(huán)本發(fā)明的液體來再使用時(shí)，能夠使用1小時(shí)以上，能夠反復(fù)利用。并沒有特別的循環(huán)的上限時(shí)間，但由于處理性能會(huì)下降，因此優(yōu)選在1星期以內(nèi)更換，更優(yōu)選在3天以內(nèi)更換，尤其優(yōu)選每天更換為新的液體。并且，液體的循環(huán)優(yōu)選在盡可能封閉的系統(tǒng)中使用或在進(jìn)行氮流的同時(shí)進(jìn)行。更優(yōu)選為氮流。

以流水線形式進(jìn)行液體的循環(huán)時(shí)，液體的設(shè)定溫度適當(dāng)根據(jù)是流水線結(jié)構(gòu)或處理性能等設(shè)定即可，典型地優(yōu)選設(shè)定儲(chǔ)存液體的罐的溫度來進(jìn)行管理。性能上要求更嚴(yán)格的條件時(shí)等，如果能夠進(jìn)行測定及管理，則可根據(jù)本發(fā)明的液體的適用對象物的表面溫度管理液體的設(shè)定溫度。

[實(shí)施例]

以下，舉出實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說明，但本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施例。另外，實(shí)施例中，關(guān)于作為配方和配合量來示出的％及份，除非另有指明，則為質(zhì)量基準(zhǔn)。

[實(shí)施例1及比較例1]

(試驗(yàn)基板的制作)

在市售的硅基板上，使si膜外延生長。進(jìn)一步在上述的si外延層上形成ingaas或inp的膜。對此進(jìn)行處理，在基板上的一部分形成ingaas或inp的氧化膜來作為試驗(yàn)基板。

(氧化膜的去除試驗(yàn))

制備表1所示的組成的各去除液(簡稱為化學(xué)液)，利用上述試驗(yàn)基板進(jìn)行了燒杯試驗(yàn)。具體而言，以250rpm攪拌室溫(25℃)的化學(xué)液的同時(shí)，切割試驗(yàn)基板的一部分來放入燒杯中，用各去除液進(jìn)行2分鐘的處理。上述處理在黃燈(黃色燈)下進(jìn)行。另外，試驗(yàn)101的化學(xué)液的ph為0.1。將化學(xué)液處理之后的基板在大氣中、黃色燈下保管了4小時(shí)。

(性能評價(jià))

＜氧化膜去除能力及再氧化抑制能力＞

關(guān)于氧化膜去除能力，通過x射線光電子能譜法(esca)測定處理之后的基板表面，按構(gòu)成各基板的成分進(jìn)行了分析。具體而言，在ingaas的情況下，分析了in、ga及as。所測定的元素的任一個(gè)中，以氧化膜的去除能力最低的元素為基準(zhǔn)實(shí)施了剝離性(氧化膜去除能力)的評價(jià)。具體而言，將氧化物的峰(p2)相對于非氧化物的峰(p1)的比例[p2/p1]作為氧化膜剝離性能及抗再氧化性能，以如下區(qū)分進(jìn)行了評價(jià)。將其結(jié)果示于表1。

aa：[p2/p1]＜0.02

a：0.02≤[p2/p1]＜0.04

b：0.04≤[p2/p1]＜0.05

c：0.05≤[p2/p1]＜0.06

d：0.06≤[p2/p1]

＜金屬溶出性＞

關(guān)于金屬(in、ga、as及p的各元素)的溶出，將已去除氧化膜的金屬膜(ingaas膜及inp膜)浸漬于該化學(xué)液中，進(jìn)行了前后的評價(jià)。具體而言，通過橢偏儀測定膜厚，并以如下基準(zhǔn)進(jìn)行了評價(jià)。具體而言，利用橢偏儀(使用了橢圓偏振光譜儀、j.a.woollamco.,inc.vase)測定處理前后的膜厚，由此計(jì)算出被去除的膜的厚度t。采用了5點(diǎn)的平均值t^av(測定條件測定范圍：1.2-2.5ev、測定角：70度及75度)。將其結(jié)果示于表1。

aa：

a：

b：

c：

＜穩(wěn)定性＞

將在試驗(yàn)號103中制備的液體在40℃的環(huán)境下保管2個(gè)月之后，進(jìn)行了上述＜氧化膜去除能力及再氧化抑制能力＞及＜金屬溶出性＞的性能評價(jià)。其結(jié)果，得知可獲得與下述表1的“試驗(yàn)號103”所示的結(jié)果相同的結(jié)果，通過經(jīng)時(shí)保存也保持初始的功能，穩(wěn)定性優(yōu)異。

＜再利用性＞

向在試驗(yàn)號103中制備的液體200ml中，以與上述(氧化膜的去除試驗(yàn))相同的方法，依次(連續(xù))浸漬10張?jiān)囼?yàn)基板(1cm×2cm方片)來進(jìn)行氧化膜的去除試驗(yàn)，并評價(jià)了上述＜氧化膜去除能力及再氧化抑制能力＞及＜金屬溶出性＞。其結(jié)果，在任意試驗(yàn)基板上，均獲得了與下述表1的“試驗(yàn)號103”所示的結(jié)果相同的結(jié)果。由此，得知在試驗(yàn)號103中制備的液體對第1張?jiān)囼?yàn)基板與第10張?jiān)囼?yàn)基板的性能相同，示出優(yōu)異的再利用性。

＜表的注釋＞

ingaasox：ingaas的氧化物

inpox：inp的氧化物

tbac：四丁基氯化銨tcichemicals制造

hcl：表示的質(zhì)量％的鹽酸水溶液(wakopurechemicalindustries,ltd.制造)

hf：表示的質(zhì)量％的氫氟酸水溶液

hbr：表示的質(zhì)量％的氫溴酸水溶液

硫代蘋果酸：tokyochemicalindustryco.,ltd.制造

α-硫代丙三醇：kantochemicalco.,inc.制造

2-巰基吡啶：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

巰基乙酸：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

l-半胱氨酸：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

2-巰基嘧啶：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

1h-1,2,4-三唑-3-硫醇：wakopurechemicalindustries,ltd.制造quartamin60w(商品名)：kaocorporation制造

(十六烷基三甲基氯化銨)

草酸：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

檸檬酸：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

苯并三唑：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

1-羥基苯并三唑：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

苯并噻唑：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

噻唑：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

蘋果酸：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

乙醇酸：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

硼酸：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

甲基硼酸：wakopurechemicalindustries,ltd.制造

dmso：二甲基亞砜

如從上述表1的結(jié)果可知，得知根據(jù)本發(fā)明的去除液，iii-v族元素的氧化物的去除性(氧化膜去除能力)較高，另一方面能夠抑制iii-v族元素(金屬)的膜的溶出。并且，得知根據(jù)本發(fā)明的去除液，iii-v族元素的再氧化抑制能力也較高。

尤其，可知無機(jī)酸水溶液等以往的去除液中未示出充分的氧化膜去除能力及再氧化抑制能力的、對ingaas的氧化膜去除能力及對ingaas(化合物半導(dǎo)體)的再氧化抑制能力優(yōu)異。

[實(shí)施例2及比較例2]

制備表2所示的組成的各去除液，利用在實(shí)施例1中制作的試驗(yàn)基板(形成有ingaas的氧化膜的基板)進(jìn)行了氧化膜的去除試驗(yàn)。具體而言，將氧化膜的去除試驗(yàn)中的化學(xué)液處理之后的基板，在大氣中、黃色燈下保管4小時(shí)及24小時(shí)之后，對各基板評價(jià)了氧化膜去除能力及再氧化抑制能力，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方法，對各基板進(jìn)行了氧化膜的去除試驗(yàn)。將其結(jié)果示于表2。

表2中，在氧化膜去除能力及再氧化抑制能力的欄中示出保存4小時(shí)之后的氧化膜去除能力及再氧化抑制能力的結(jié)果(實(shí)施例1及比較例1)與保存24小時(shí)之后的氧化膜去除能力及再氧化抑制能力(實(shí)施例2及比較例2)的結(jié)果。

另外，表2中，試驗(yàn)號及表的注釋與表1相同。

如從上述表2的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明的去除液，除了iii-v族元素的氧化物的去除性以外，還能夠更有效地抑制iii-v族元素的再氧化。

[實(shí)施例3及比較例3]

制備表3所示的組成的各去除液，利用在實(shí)施例1中制作的試驗(yàn)基板(形成有ingaas的氧化膜的基板)，以與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行氧化膜的去除試驗(yàn)，測定了氧化膜去除速度[r2]、金屬溶出速度[r1]及去除速度比([r2]/[r1])。

對金屬溶出速度[r1]，通過將ingaas(in、ga及as的各元素)的溶出量換算為膜厚之后，除以工藝時(shí)間來求出。

并且，對氧化膜去除速度[r2]，通過將ingaas氧化物的去除量換算為膜厚之后，除以工藝時(shí)間來求出。

各去除液中，計(jì)算出含量的比[酸的含量/巰基化合物的含量]并記載于表3。

另外，表3中，試驗(yàn)號及表的注釋與表1相同。

＜氧化膜去除速度[r2]＞

根據(jù)下述評價(jià)區(qū)分(單位為)，評價(jià)了如上述求出的氧化膜去除速度[r2]。將其結(jié)果示于表3。

a：10≤[r2]

b：3≤[r2]＜10

c：1≤[r2]＜3

d：[r2]＜1

＜金屬溶出速度[r1]＞

根據(jù)下述評價(jià)區(qū)分(單位為)，評價(jià)了如上述求出的金屬溶出速度[r1]。將其結(jié)果示于表3。

aa：[r1]＜2

a：2≤[r1]＜5

b：5≤[r1]＜10

c：10≤[r1]

＜去除速度比＞

從通過上述求出的金屬溶出速度[r1]及氧化膜去除速度[r2]，計(jì)算去除速度比([r2]/[r1])，并根據(jù)下述評價(jià)區(qū)分進(jìn)行了評價(jià)。將其結(jié)果示于表3。

a：10≤[r2]/[r1]

b：2≤[r2]/[r1]＜10

c：[r2]/[r1]＜2

如從表3的結(jié)果可知，根據(jù)本發(fā)明的去除液，能夠以較快的去除速度[r2]去除iii-v族元素的氧化物，而且，有效地抑制iii-v族元素(iii-v族半導(dǎo)體)的溶出。如此，可知本發(fā)明的去除液能夠以較高的選擇性去除iii-v族元素的氧化膜。

從實(shí)施例1～3的結(jié)果，可知以下內(nèi)容。

上述的實(shí)施例1～3中，使用了本發(fā)明的去除液，但代替該去除液，使用具有與上述各去除液相同組成的本發(fā)明的iii-v族元素的化合物的處理液及iii-v族元素的抗氧化液，也可獲得與上述結(jié)果相同的優(yōu)異的效果。并且，代替上述的試驗(yàn)基板，通過具有與上述各去除液相同的組成的本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的處理液對具有iii-v族元素的化合物的半導(dǎo)體基板進(jìn)行處理，也可獲得與上述的結(jié)果相同的優(yōu)異的效果。由此，能夠制造所希望的半導(dǎo)體基板產(chǎn)品。

與實(shí)施方式一同對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但除非我們特別指明，則在說明的任意細(xì)節(jié)中均不限定本發(fā)明，認(rèn)為應(yīng)在不脫離所添附的權(quán)利要求中示出的發(fā)明精神的范圍內(nèi)廣泛地解釋。

本申請主張基于2015年2月12日在日本申請專利的專利申請2015-25478及2016年2月2日在日本申請專利的專利申請2016-18056的優(yōu)先權(quán)，在此，參考這些并將其內(nèi)容作為本說明書的一部分來引入。

符號說明

1-iii-v族元素的膜，2-iii-v族元素的氧化膜，3-去除液。