技術特征：

技術總結
準備R?T?B系燒結磁體原材料和Pr?Ga合金。燒結磁體原材料含有R：27.5～35.0質量％(R為稀土元素中的至少一種，必包含Nd)、B：0.80～0.99質量％、Ga：0～0.8質量％、M：0～2質量％(M為Cu、Al、Nb、Zr中的至少一種)、剩余部分T(T為過渡金屬元素的至少一種，必含有Fe，F(xiàn)e的10％以下可以被Co置換)和不可避免的雜質。將T的含量(質量％)設為[T]、B的含量(質量％)設為[B]時，滿足[T]/55.85＞14[B]/10.8。使燒結磁體原材料表面的至少一部分與Pr?Ga合金的至少一部分接觸，在超過600℃、950℃以下的溫度實施第一熱處理。在低于第一熱處理溫度的溫度、且450℃以上750℃以下的溫度實施第二熱處理。

技術研發(fā)人員：國吉太
受保護的技術使用者：日立金屬株式會社
技術研發(fā)日：2016.07.20
技術公布日：2017.08.18