本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光顯示面板、顯示裝置。

背景技術：

經過近二十余年的迅速發(fā)展，有機電致發(fā)光器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)在材料合成、器件制備以及工藝集成方面都有了質的飛躍。OLED具有高效率、高亮度、高對比度、低功耗、響應速度快、可實現(xiàn)柔性顯示等諸多優(yōu)點，OLED將成為下一代主流平板顯示技術最有力的競爭者。

現(xiàn)有技術OLED的像素結構如圖1所述，包括位于襯底基板10上的若干薄膜晶體管陣列電路11、位于薄膜晶體管陣列電路11上的陽極12、位于陽極12上的像素定義層13、位于像素定義層13上的有機發(fā)光層14、位于有機發(fā)光層14上的陰極15。像素定義層13的作用是包覆陽極12邊緣，定義出OLED的發(fā)光區(qū)域，由于OLED的陽極12一般采用氧化銦錫(ITO)等金屬氧化物，而ITO的晶粒較大，同時，經過刻蝕的ITO邊緣較直，幾乎呈90度直角，且ITO的厚度較厚，一般為到若沒有像素定義層13，陰極15很容易與陽極12在陽極12邊緣的90度直角處短路，如在圖中虛線區(qū)域16標注的位置處發(fā)生短路。

但現(xiàn)有技術像素定義層的存在會減小發(fā)光區(qū)域，尤其對于現(xiàn)在顯示追求高解析率的趨勢下，要求像素區(qū)域盡可能的小，而像素定義層的存在又進一步減小了發(fā)光區(qū)域，使得對OLED的效率和壽命要求進一步增高。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實用新型實施例提供了一種有機電致發(fā)光顯示面板、顯示裝置，用以省去現(xiàn)有技術的像素定義層，增加像素的發(fā)光區(qū)域。

本實用新型實施例提供的一種有機電致發(fā)光顯示面板，包括襯底基板、位于所述襯底基板上的陽極和陰極，以及位于所述陽極和所述陰極之間的有機發(fā)光層，其中，還包括覆蓋整個所述襯底基板的半導體層；

所述半導體層位于所述陽極和所述有機發(fā)光層之間；或，

所述半導體層位于所述陰極和所述有機發(fā)光層之間。

由本實用新型實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板，由于該有機電致發(fā)光顯示面板包括覆蓋整個襯底基板的半導體層，而半導體層在通常情況下導電率較低，能夠起到包覆陽極邊緣、防止陰極和陽極短路的作用，因此，本實用新型實施例能夠省去現(xiàn)有技術的像素定義層，增加像素的發(fā)光區(qū)域。

較佳地，流經所述半導體層的電流值大于有機電致發(fā)光顯示面板點亮時需要的電流值；所述流經所述半導體層的電流值為當有機電致發(fā)光顯示面板包括的薄膜晶體管陣列電路中的薄膜晶體管開啟時，薄膜晶體管的開啟電壓對應的電流值。

較佳地，所述半導體層為有機化合物半導體層，或為非晶態(tài)半導體層，或為氧化物半導體層。

較佳地，所述非晶態(tài)半導體層為非晶硅半導體層。

較佳地，所述半導體層的厚度為到

較佳地，所述陽極的材料為金屬材料或透明導電材料；

所述陰極的材料為金屬材料或透明導電材料。

較佳地，當所述半導體層位于所述陽極和所述有機發(fā)光層之間，還包括：位于所述陽極和所述半導體層之間的空穴注入層；或，位于所述半導體層和所述有機發(fā)光層之間的空穴注入層；

當所述半導體層位于所述陰極和所述有機發(fā)光層之間，還包括：位于所述陽極和所述有機發(fā)光層之間的空穴注入層。

較佳地，當所述半導體層位于所述陽極和所述有機發(fā)光層之間，還包括：位于所述有機發(fā)光層和所述陰極之間的電子傳輸層；

當所述半導體層位于所述陰極和所述有機發(fā)光層之間，還包括：位于所述陰極和所述半導體層之間的電子傳輸層；或，位于所述半導體層和所述有機發(fā)光層之間的電子傳輸層。

本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的有機電致發(fā)光顯示面板。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術的有機電致發(fā)光顯示面板結構示意圖；

圖2a和圖2b為本實用新型實施例提供的一種有機電致發(fā)光顯示面板結構示意圖；

圖3為本實用新型實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板包括的薄膜晶體管開啟時，半導體層不同位置處導電性能示意圖；

圖4為本實用新型實施例提供的另一有機電致發(fā)光顯示面板結構示意圖；

圖5為本實用新型實施例提供的又一有機電致發(fā)光顯示面板結構示意圖；

圖6為本實用新型實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板包括的半導體層的電流-電壓曲線圖；

圖7為當有導電顆粒存在時，有機電致發(fā)光顯示面板無半導體層時的示意圖；

圖8為當有導電顆粒存在時，有機電致發(fā)光顯示面板設置半導體層時的示意圖；

圖9a和圖9b為本實用新型實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法流程圖。

具體實施方式

本實用新型實施例提供了一種有機電致發(fā)光顯示面板、顯示裝置，用以省去現(xiàn)有技術的像素定義層，增加像素的發(fā)光區(qū)域。

為了使本實用新型的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

下面結合附圖詳細介紹本實用新型具體實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板。

附圖中各膜層厚度和區(qū)域大小、形狀不反應各膜層的真實比例，目的只是示意說明本實用新型內容。

如圖2a和圖2b所示，本實用新型具體實施例提供了一種有機電致發(fā)光顯示面板，包括襯底基板10、位于襯底基板10上的陽極12和陰極15，以及位于陽極12和陰極15之間的有機發(fā)光層14，本實用新型具體實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板還包括覆蓋整個襯底基板10的半導體層21，其中：半導體層21位于陽極12和有機發(fā)光層14之間，如圖2a所示；或，半導體層21位于陰極15和有機發(fā)光層14之間，如圖2b所示。

具體地，本實用新型具體實施例中的陽極12設置于襯底基板10上，陰極15位于陽極12的上方，如圖2a所示；當然，實際生產過程中，本實用新型具體實施例中也可以將陰極15設置于襯底基板10上，陽極12位于陰極15上方，如圖2b所示。

本實用新型具體實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板中，半導體層在通常情況下導電率較低，能夠起到包覆陽極邊緣、防止陰極和陽極短路的作用，因此，本實用新型具體實施例能夠省去現(xiàn)有技術的像素定義層，增加像素的發(fā)光區(qū)域。

本實用新型以下的具體實施例僅以陽極位于襯底基板上為例進行具體介紹。

如圖3所示，本實用新型具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板包括位于襯底基板10上若干陣列排列的薄膜晶體管陣列電路22，薄膜晶體管陣列電路22的具體設置方式與現(xiàn)有技術類似，這里不再贅述。

如圖3所示，當與虛線區(qū)域31對應的像素需要開啟時，位于陽極12上方的半導體層21(如圖中虛線區(qū)域31對應的半導體層21)，由于有柵極電壓的存在，此時虛線區(qū)域31對應的半導體層21變?yōu)閷w，該半導體層21可以作為陽極12的一部分，用于將空穴傳輸?shù)接袡C發(fā)光層14；而不在陽極12上方的半導體層21(如圖中虛線區(qū)域32對應的半導體層21)由于沒有柵極電壓的存在，此時，虛線區(qū)域32對應的半導體層21相當于絕緣體，不會有漏電流的產生。

具體地，本實用新型具體實施例中的半導體層為有機化合物半導體層，也可以為非晶態(tài)半導體層，當然，在實際生產過程中，本實用新型具體實施例中的半導體層還可以為氧化物半導體層，如：為銦鎵鋅氧化物半導體層。

具體實施時，本實用新型具體實施例的半導體層選擇非晶態(tài)半導體層，優(yōu)選地，本實用新型具體實施例中非晶態(tài)半導體層選擇非晶硅半導體層，非晶硅半導體層在材料選用上更加方便，材料成本相對較低，且非晶硅半導體層的電流-電壓曲線較穩(wěn)定。

優(yōu)選地，本實用新型具體實施例中半導體層的厚度為到本實用新型具體實施例中半導體層的厚度值指半導體層制作時沉積的膜層的厚度值；該厚度下的半導體層能夠形成更加均一的膜層，且能夠更好的起到包覆陽極邊緣的作用。

具體實施時，本實用新型具體實施例中的陽極的材料為金屬材料或透明導電材料，陰極的材料為金屬材料或透明導電材料。實際生產過程中，金屬材料可以選擇鉬(Mo)、鋁(Al)等的單層金屬或多層金屬組成的復合金屬，透明導電材料可以選擇氧化銦錫(ITO)等透明導電材料。當陽極材料選擇金屬材料，陰極材料選擇透明導電材料時，本實用新型具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板為頂發(fā)射型；當陽極材料選擇透明導電材料，陰極材料選擇金屬材料時，本實用新型具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板為底發(fā)射型。

具體地，如圖4所示，本實用新型具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板還包括位于陽極12和半導體層21之間的空穴注入層41；或，位于半導體層21和有機發(fā)光層14之間的空穴注入層，圖中僅示出了空穴注入層41位于陽極12和半導體層21之間的情況，空穴注入層41的材料選擇與現(xiàn)有技術相同，這里不再贅述，空穴注入層41的設置更有利于空穴注入到有機發(fā)光層14中。當然，若本實用新型具體實施例中的半導體層21位于陰極15和有機發(fā)光層14之間，本實用新型具體實施例中的空穴注入層41位于陽極12和有機發(fā)光層14之間。

具體地，如圖5所示，本實用新型具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板還包括位于有機發(fā)光層14和陰極15之間的電子傳輸層51，電子傳輸層51的材料選擇與現(xiàn)有技術相同，這里不再贅述，電子傳輸層51的設置更有利于電子傳輸?shù)接袡C發(fā)光層14中。當然，若本實用新型具體實施例中的半導體層21位于陰極15和有機發(fā)光層14之間，本實用新型具體實施例中的電子傳輸層51位于陰極15和半導體層21之間，或位于半導體層21和有機發(fā)光層14之間。

具體地，如圖3、4和5所示，本實用新型具體實施例流經半導體層21的電流值大于有機電致發(fā)光顯示面板點亮時需要的電流值；流經半導體層21的電流值為當薄膜晶體管陣列電路22中的薄膜晶體管開啟時，薄膜晶體管的開啟電壓對應的電流值。如：薄膜晶體管的開啟電壓一般為7V，本實用新型具體實施例中的半導體層21以非晶硅半導體層為例，如圖6所示，圖6示出了非晶硅半導體層的電流-電壓曲線，當薄膜晶體管開啟時，流經非晶硅半導體層的電流大約為10^-7A～10^-8A，大于有機電致發(fā)光顯示面板點亮時需要的電流值5納安(nA)，因此，半導體層21的存在不影響有機電致發(fā)光顯示面板的發(fā)光。

下面結合附圖7和附圖8介紹一下當蒸鍍有機發(fā)光層14時存在導電顆粒(particle)時的情況。

如圖7所示，當本實用新型具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板沒有半導體層時，導電顆粒70的存在導致陰極15與陽極12短路，這時相當于有機電致發(fā)光顯示面板從兆歐級電阻變?yōu)?，電流會增加上千倍，容易影響周邊像素的亮度，或者將周邊像素燒壞。

如圖8所示，當本實用新型具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板有半導體層21時，導電顆粒70的存在使得陰極15與半導體層21相連，本實用新型具體實施例中的半導體層21以非晶硅半導體層為例，如圖6所示，這時半導體層21的電阻同為兆歐級，此時流過有導電顆粒70導致的短路的有機電致發(fā)光顯示面板的像素電流與流過無導電顆粒70未短路時的有機電致發(fā)光顯示面板的像素電流相差不大，即若一個像素的陰陽極短路的不良發(fā)生時，本實用新型具體實施例能夠使得流經短路區(qū)的電流與常態(tài)時一致，因此本實用新型具體實施例不會影響周邊像素的發(fā)光。

基于同樣的構思，本實用新型具體實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括本實用新型具體實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板，該顯示裝置可以為OLED顯示器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。

下面簡單的介紹一下本實用新型具體實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法。

如圖9a所示，本實用新型具體實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法，包括：

S9011、在襯底基板上制作陽極；

S9012、在所述陽極上制作一層半導體層，該半導體層覆蓋整個襯底基板；

S9013、在所述半導體層上制作有機發(fā)光層，在所述有機發(fā)光層上制作陰極。

本實用新型具體實施例制作半導體層時不需要采用掩膜板(mask)，與現(xiàn)有技術相比，不僅在工藝上省去了一次曝光過程，節(jié)省了一道m(xù)ask，同時也增加了像素的發(fā)光區(qū)域。

具體地，本實用新型具體實施例在襯底基板上制作陽極的具體方法與現(xiàn)有技術相同，這里不再贅述。

具體地，本實用新型具體實施例在陽極上制作一層半導體層，包括：在陽極上通過化學氣相沉積的方法沉積一層半導體層，具體實施時，半導體層為有機化合物半導體層，或為非晶態(tài)半導體層，或為氧化物半導體層。當然，在實際生產過程中還可以通過熱蒸發(fā)的方式在陽極上沉積一層半導體層，本實用新型具體實施例并不對半導體層的具體制作方法做限定。在實際制作過程中，本實用新型具體實施例還可以將半導體層制作在有機發(fā)光層和陰極之間。

具體地，本實用新型具體實施例在半導體層上制作有機發(fā)光層，在有機發(fā)光層上制作陰極，有機發(fā)光層和陰極的具體制作方法與現(xiàn)有技術相同，這里不再贅述。

具體地，本實用新型具體實施例在襯底基板上制作若干陣列排列的陽極之前包括：在襯底基板上制作若干陣列排列的薄膜晶體管陣列電路，薄膜晶體管陣列電路的具體制作方法與現(xiàn)有技術相同，這里不再贅述。具體實施時，流經半導體層的電流值大于有機電致發(fā)光顯示面板點亮時需要的電流值；流經半導體層的電流值為薄膜晶體管陣列電路中的薄膜晶體管開啟時，薄膜晶體管的開啟電壓對應的電流值，這樣不影響有機電致發(fā)光顯示面板的發(fā)光。

具體地，本實用新型具體實施例還包括在陽極和半導體層之間制作空穴注入層；或，在半導體層和有機發(fā)光層之間制作空穴注入層，空穴注入層的具體制作方法與現(xiàn)有技術相同，這里不再贅述，制作的空穴注入層的位置可以參見圖4所示。

具體地，本實用新型具體實施例還包括在有機發(fā)光層和陰極之間制作電子傳輸層，電子傳輸層的具體制作方法與現(xiàn)有技術相同，這里不再贅述，制作的電子傳輸層的位置可以參見圖5所示。

如圖9b所示，本實用新型具體實施例提供的另一種有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法，包括：

S9021、在襯底基板上制作陰極；

S9022、在所述陰極上制作一層半導體層，該半導體層覆蓋整個襯底基板；

S9023、在所述半導體層上制作有機發(fā)光層，在所述有機發(fā)光層上制作陽極。

具體地，本實用新型具體實施例陰極、有機發(fā)光層和陽極的具體方法與現(xiàn)有技術相同，這里不再贅述。

具體地，本實用新型具體實施例在陰極上制作一層半導體層，包括：在陰極上通過化學氣相沉積的方法沉積一層半導體層，當然，在實際生產過程中還可以通過熱蒸發(fā)的方式在陽極上沉積一層半導體層，本實用新型具體實施例并不對半導體層的具體制作方法做限定。在實際制作過程中，本實用新型具體實施例還可以將半導體層制作在有機發(fā)光層和陽極之間。

具體地，本實用新型具體實施例還包括在陽極和有機發(fā)光層之間制作空穴注入層，空穴注入層的具體制作方法與現(xiàn)有技術相同，這里不再贅述。

具體地，本實用新型具體實施例還包括在陰極和半導體層之間制作電子傳輸層；或，在半導體層和有機發(fā)光層之間制作電子傳輸層，電子傳輸層的具體制作方法與現(xiàn)有技術相同，這里不再贅述。

綜上所述，本實用新型具體實施例提供一種有機電致發(fā)光顯示面板，包括襯底基板、位于襯底基板上的陽極和陰極，以及位于陽極和陰極之間的有機發(fā)光層，其中，還包括覆蓋整個襯底基板的半導體層；半導體層位于陽極和有機發(fā)光層之間；或，半導體層位于陰極和有機發(fā)光層之間。由于本實用新型具體實施例中的有機電致發(fā)光顯示面板包括覆蓋整個襯底基板的半導體層，半導體層在通常情況下導電率較低，能夠起到包覆陽極邊緣的作用，因此，本實用新型具體實施例能夠省去現(xiàn)有技術的像素定義層，增加像素的發(fā)光區(qū)域。

顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。