本實(shí)用新型屬于發(fā)光二極管(LED)封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(LED)是一種半導(dǎo)體制造技術(shù)加工的電致發(fā)光器件，被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，包括背光單元、汽車、電信號(hào)、交通信號(hào)燈、以及照明裝置等，被譽(yù)為替代熒光燈和白熾燈的第四代照明光源。

當(dāng)前市場(chǎng)上主流的商品化白光LED是采用藍(lán)光LED芯片加上黃色熒光粉、綠色熒光粉、紅色熒光粉一種或多種來(lái)實(shí)現(xiàn)，具體的，LED芯片在電流驅(qū)動(dòng)下發(fā)出的藍(lán)光激發(fā)熒光粉，使其產(chǎn)生其它波段的可見(jiàn)光，這些可見(jiàn)光跟藍(lán)光混合后形成了白光。

LED封裝的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題在于熒光粉必須均勻地涂敷在LED芯片表面，否則會(huì)出現(xiàn)光色不均勻的光斑現(xiàn)象。對(duì)于典型的LED封裝結(jié)構(gòu)，如圖1所示，LED芯片放置在支架的反光杯內(nèi)，支架作為電極實(shí)現(xiàn)電連接，同時(shí)提供了導(dǎo)熱通道，在反光杯內(nèi)涂敷光轉(zhuǎn)換層，依據(jù)涂敷量的差異，表面可成平面、凹面或者凸面，然而，該結(jié)構(gòu)的缺陷在于熒光粉厚度的不均勻性，中心處熒光粉少，側(cè)面的熒光粉多；如圖2所示，在從中心點(diǎn)0°到±90°處，藍(lán)光的強(qiáng)度越來(lái)越小，黃光的強(qiáng)度越來(lái)越大，表現(xiàn)為空間色溫的一致性差，即中心色溫高、側(cè)面色溫低。

針對(duì)上述的熒光粉涂敷不均勻的缺陷，Lumileds公司推出保型涂敷結(jié)構(gòu)(如圖3所示)，熒光粉可均勻地覆蓋在芯片上表面，較好的解決了光色不均勻的問(wèn)題。然而，該結(jié)構(gòu)仍然不能根本解決藍(lán)光在光轉(zhuǎn)換層中傳播路徑存在光程差問(wèn)題，尤其是LED芯片側(cè)面的光轉(zhuǎn)換層不能很好地覆蓋LED芯片，在芯片頂角處熒光粉相對(duì)少，導(dǎo)致側(cè)面的藍(lán)光過(guò)多，色溫空間分布有很大的差異(如圖4所示)；而且，LED芯片側(cè)面的藍(lán)光與其激發(fā)熒光粉發(fā)出的其它可見(jiàn)光不能充分混合成白光，導(dǎo)致其白光亮度更低。

LED封裝的另一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)是散熱，若溫度過(guò)高，會(huì)同時(shí)影響熒光粉的發(fā)光效率。而熒光粉一般與LED芯片直接接觸，LED芯片發(fā)出的光直接激發(fā)熒光粉，LED芯片本身的一部分熱量會(huì)加載到熒光粉上，而熒光粉在光轉(zhuǎn)換過(guò)程中也會(huì)產(chǎn)生很多熱量，這些熱量均會(huì)提高熒光粉自身的溫度。而LED芯片的導(dǎo)熱系數(shù)低，不能有效傳導(dǎo)熒光粉的熱量，則更多的熱量加載到熒光粉上，必然造成熒光粉的失效嚴(yán)重，最后影響整個(gè)LED封裝器件的壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型為彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)的不足，一方面提供了一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其改進(jìn)了LED芯片外圍的光轉(zhuǎn)換層的分布，使LED芯片發(fā)出的藍(lán)光與光轉(zhuǎn)換層激發(fā)出的可見(jiàn)光能均勻混合，減小了0°角到90°角的色溫差，有效提高了LED器件的空間色溫均勻性，并且，其避免了光轉(zhuǎn)換層和LED芯片的直接接觸，從而有效解決了光轉(zhuǎn)換層受熱失效的問(wèn)題。

本實(shí)用新型為達(dá)到其目的，采用的技術(shù)方案如下：

一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括有LED芯片、LED載體、光轉(zhuǎn)換層和外保護(hù)層，所述LED芯片設(shè)于所述LED載體上，其特征在于：

還包括有透明硅膠層，所述透明硅膠層被包覆于所述光轉(zhuǎn)換層和所述LED芯片之間；

位于所述透明硅膠層上方的所述光轉(zhuǎn)換層的厚度從中心區(qū)到四周逐漸減小，位于所述透明硅膠層側(cè)壁的所述光轉(zhuǎn)換層的厚度從上往下逐漸增大；

所述外保護(hù)層包覆所述光轉(zhuǎn)換層。

進(jìn)一步的，位于所述LED芯片上方的最中心區(qū)域的第一透明硅膠層呈平臺(tái)狀，位于所述LED芯片上方的其它區(qū)域的第二透明硅膠層呈四周高、中間低的斜坡?tīng)?；所述第二透明硅膠層的最低位置不低于所述第一透明硅膠層的位置；位于所述LED芯片側(cè)壁的第三透明硅膠層呈向外張開的斜坡?tīng)睢?/p>

進(jìn)一步的，位于所述LED芯片上方的第四透明硅膠層的表面向下凹陷且呈半球狀，位于所述LED芯片側(cè)壁的第五透明硅膠層呈向外張開的斜坡?tīng)睢?/p>

進(jìn)一步的，位于所述LED芯片上方的第六透明硅膠層呈四周高、中間低的斜坡?tīng)钋冶砻娉蔢字型，位于所述LED芯片側(cè)壁的第七透明硅膠層呈向外張開的斜坡?tīng)睢?/p>

進(jìn)一步的，所述LED芯片為正裝芯片、倒裝芯片或者垂直芯片中的一種。

進(jìn)一步的，所述光轉(zhuǎn)換層中的光轉(zhuǎn)換材料為發(fā)射波長(zhǎng)在500～600nm之間的綠色熒光粉、紅色熒光粉或者黃色熒光粉中的一種。

進(jìn)一步的，所述外保護(hù)層的形狀為半球形、方形、橢圓形、菲涅爾形、蜂窩形、花生形、圓錐形、正六邊形、或者柿餅形中的一種。

本實(shí)用新型另一個(gè)方面提供了一種LED封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其與前述的LED封裝結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)，有效地解決了LED器件空間色差大、以及光轉(zhuǎn)換層受熱失效的問(wèn)題，且其采用專門的生產(chǎn)設(shè)備，使用機(jī)械化生產(chǎn)，封裝步驟簡(jiǎn)單，可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，其特征在于，包括以下步驟：

S1：將LED芯片固定在LED載體上；

S2：在所述LED芯片外圍Molding透明硅膠層；

S3：在所述透明硅膠層外圍噴涂光轉(zhuǎn)換層，使得位于所述透明硅膠層上方的所述光轉(zhuǎn)換層的厚度從中心區(qū)到四周逐漸減小，位于所述透明硅膠層側(cè)壁的所述光轉(zhuǎn)換層的厚度從上往下逐漸增大；

S4：在所述光轉(zhuǎn)換層外圍Molding外保護(hù)層。

進(jìn)一步的，在所述步驟S2中，根據(jù)所述透明硅膠層的形狀預(yù)制一透明硅膠層Molding模具，在透明硅膠里摻雜小粒徑細(xì)粉并攪拌均勻、分散，將所述透明硅膠填充于所述透明硅膠層Molding模具中并靜置，然后將固定有所述LED芯片的所述LED載體倒扣在所述透明硅膠層Molding模具中，對(duì)位壓合并加熱固化，使得在所述LED芯片外圍形成所述透明硅膠層。

進(jìn)一步的，在所述步驟S3中，將光轉(zhuǎn)換材料加入透明高分子材料中，再加入稀釋劑并均勻攪拌、脫泡以形成所述光轉(zhuǎn)換層流體，將所述光轉(zhuǎn)換層流體注入噴涂設(shè)備中，然后均勻噴涂在所述透明硅膠層外圍，同時(shí)在所述LED載體的底部加熱，其中，噴涂厚度根據(jù)色溫要求進(jìn)行管控。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型具有以下有益技術(shù)效果：

(1)本實(shí)用新型提供的一種LED封裝結(jié)構(gòu)，在LED芯片和光轉(zhuǎn)換層之間設(shè)置有透明硅膠層，結(jié)構(gòu)新穎、獨(dú)特，其中：

①位于透明硅膠層上方的光轉(zhuǎn)換層厚度從中心區(qū)到四周逐漸減小，即光轉(zhuǎn)換層形成中心厚、四周薄的結(jié)構(gòu)，從而有效地減小了激發(fā)光到光轉(zhuǎn)換層的中間和側(cè)面的光程差，減小了0°角與90°角之間的色溫差，進(jìn)而有效地改善了LED器件的空間色溫分布；

②包覆于透明硅膠層側(cè)壁的光轉(zhuǎn)換層厚度從上往下逐漸增大，防止LED芯片側(cè)面的藍(lán)光的混合不均勻，且LED芯片頂角處的斜坡結(jié)構(gòu)有效地緩解了光轉(zhuǎn)換層的流動(dòng)，即有效地阻擋了光轉(zhuǎn)換層在噴涂時(shí)的垂直分布，從而進(jìn)一步改善了LED器件的空間色溫分布；

③有效地?cái)U(kuò)大了光轉(zhuǎn)換層的出光面積，可以將更多的光反射出去，從而提高了LED的光轉(zhuǎn)換效率；

④避免了LED芯片與光轉(zhuǎn)換層直接接觸，且透明硅膠層的導(dǎo)熱能力差，有效地降低了LED芯片傳遞到光轉(zhuǎn)換層的熱量，同時(shí)也增大了光轉(zhuǎn)換層的接觸面積，改善了光轉(zhuǎn)換層的散熱效果，有效解決了光轉(zhuǎn)換層受熱失效的問(wèn)題，從而保證了光轉(zhuǎn)換層在工作時(shí)的轉(zhuǎn)換效率，極大延長(zhǎng)了LED器件的壽命。

(2)本實(shí)用新型提供的一種LED封裝結(jié)構(gòu)制備方法，其與前述的LED封裝結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)，有效地解決了LED器件空間色差大、以及光轉(zhuǎn)換層受熱失效的問(wèn)題，而且其采用專門的生產(chǎn)設(shè)備，使用機(jī)械化生產(chǎn)，封裝步驟簡(jiǎn)單，可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。

綜上所述，本實(shí)用新型提供的一種LED封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法可以廣泛地應(yīng)用于LED照明、背光等技術(shù)領(lǐng)域，具有很高的市場(chǎng)價(jià)值。

附圖說(shuō)明

圖1為典型的LED封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為典型的LED封裝結(jié)構(gòu)的藍(lán)光、黃光的強(qiáng)度分布圖；

圖3為保型涂敷結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4為保型涂敷結(jié)構(gòu)的空間色溫分布圖；

圖5是實(shí)施例1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是實(shí)施例1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是圖6所示的LED封裝結(jié)構(gòu)Molding外保護(hù)層前的俯視圖；

圖8是圖7的剖視圖；

圖9是實(shí)施例1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的透明硅膠層Molding過(guò)程示意圖；

圖10是圖5所示的LED封裝結(jié)構(gòu)的外保護(hù)層Molding過(guò)程示意圖；

圖11是圖6所示的LED封裝結(jié)構(gòu)的外保護(hù)層Molding過(guò)程示意圖；

圖12是實(shí)施例1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的一種制備流程示意圖；

圖13是實(shí)施例1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的空間色溫分布圖；

圖14是實(shí)施例2所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15是實(shí)施例2所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16是圖15所示的LED封裝結(jié)構(gòu)Molding外保護(hù)層前的俯視圖；

圖17是圖16的剖視圖；

圖18是實(shí)施例2所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的透明硅膠層Molding過(guò)程示意圖；

圖19是實(shí)施例3所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖20是實(shí)施例3所述的LED封裝結(jié)構(gòu)的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖21是圖20所示的LED封裝結(jié)構(gòu)Molding外保護(hù)層前的俯視圖；

圖22是圖21的剖視圖。

附圖標(biāo)記：

1(2或3)、LED封裝結(jié)構(gòu)；11、LED芯片；12、LED載體；13、光轉(zhuǎn)換層；14、外保護(hù)層；15、透明硅膠層；151、第一透明硅膠層；152、第二透明硅膠層；153、第三透明硅膠層；154、第四透明硅膠層；155、第五透明硅膠層；156、第六透明硅膠層；16、透明硅膠層Molding模具；17(或18)、外保護(hù)層Molding模具。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以很多不同于此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

實(shí)施例1

本實(shí)施例公開了一種LED封裝結(jié)構(gòu)1，如圖5～11所示，包括有LED芯片11、LED載體12、光轉(zhuǎn)換層13和外保護(hù)層14，LED芯片11設(shè)于LED載體12上。

LED封裝結(jié)構(gòu)1還包括有透明硅膠層15，透明硅膠層15被包覆于光轉(zhuǎn)換層13和LED芯片11之間，則透明硅膠層15成為光轉(zhuǎn)換層13的一個(gè)支撐平臺(tái)。

位于透明硅膠層15上方的光轉(zhuǎn)換層13的厚度從中心區(qū)到四周逐漸減小，即此部分光轉(zhuǎn)換層13形成中心厚、四周薄的結(jié)構(gòu)，位于透明硅膠層15側(cè)壁的光轉(zhuǎn)換層13的厚度從上往下逐漸增大，有效地減小了激發(fā)光到光轉(zhuǎn)換層13的中間和側(cè)面的光程差。

外保護(hù)層14包覆光轉(zhuǎn)換層13，并在邊緣處與LED載體12接觸，對(duì)光轉(zhuǎn)換層13起到物理和化學(xué)保護(hù)作用。

在本實(shí)施例中，如圖5～8所示，根據(jù)光學(xué)性能要求，位于LED芯片11上方的最中心區(qū)域的第一透明硅膠層151呈平臺(tái)狀，位于LED芯片11上方的其它區(qū)域的第二透明硅膠層152呈四周高、中間低的斜坡?tīng)睿坏诙该鞴枘z層152的最低位置不低于第一透明硅膠層151的位置；位于LED芯片11側(cè)壁的第三透明硅膠層153呈向外張開的斜坡?tīng)睢?/p>

基于該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并結(jié)合光轉(zhuǎn)換層13作為流體時(shí)的特性，使得位于LED芯片11上方的中間區(qū)域的光轉(zhuǎn)換層13較厚，周邊區(qū)域較薄，位于LED芯片11側(cè)面的光轉(zhuǎn)換層13的厚度從上往下逐漸增大，從而有效地減小了激發(fā)光到光轉(zhuǎn)換層13的中間和側(cè)面的光程差。

在本實(shí)施例中，LED芯片11為正裝芯片、倒裝芯片或者垂直芯片中的一種。

在本實(shí)施例中，光轉(zhuǎn)換層13由光轉(zhuǎn)換材料和透明高分子材料混合而成。其中，光轉(zhuǎn)換層13中的光轉(zhuǎn)換材料為發(fā)射波長(zhǎng)在500～600nm之間的綠色熒光粉、紅色熒光粉或者黃色熒光粉中的一種或兩種，透明高分子材料為丙烯酸酯類樹脂、有機(jī)硅氧烷樹脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸脂、改性有機(jī)硅樹脂或環(huán)氧樹脂中的一種。

根據(jù)光學(xué)要求，外保護(hù)層14的形狀為半球形、方形、橢圓形、菲涅爾形、蜂窩形、花生形、圓錐形、正六邊形、或者柿餅形中的一種，當(dāng)然，在本實(shí)用新型中，外保護(hù)層14的形狀并不限于此。在本實(shí)施例中，外保護(hù)層14的形狀具體為半球形(如圖5所示)、或者為方形(如圖6所示)。外保護(hù)層14的制備材料為丙烯酸酯類樹脂、有機(jī)硅氧烷樹脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸脂、改性有機(jī)硅樹脂或環(huán)氧樹脂中的一種。

在本實(shí)施例中，LED載體12為陶瓷平面支架、環(huán)氧模塑平面支架、硅膠基模塑平面支架、金屬平面支架、柔性平面支架中的一種，其不僅作為導(dǎo)電通道，而且為L(zhǎng)ED芯片11提供支撐平臺(tái)。當(dāng)然，LED載體12的類型并不限于此。

在本實(shí)施例中，透明硅膠層15、外保護(hù)層14里均勻摻雜小粒徑的細(xì)粉，可以增大折射率，有利于提高光效。

本實(shí)施例還提供了LED封裝結(jié)構(gòu)1的一種制備方法，如圖12所示，包括以下步驟：

S1：將LED芯片11固定在LED載體12上(如圖9～11所示)；

S2：如圖9所示，在LED芯片11外圍Molding透明硅膠層15；

S3：如圖5或6所示，在透明硅膠層11外圍噴涂光轉(zhuǎn)換層13，使得位于透明硅膠層15上方的光轉(zhuǎn)換層13的厚度從中心區(qū)到四周逐漸減小，位于透明硅膠層15側(cè)壁的光轉(zhuǎn)換層13的厚度從上往下逐漸增大；

S4：如圖10或11所示，根據(jù)光學(xué)要求，預(yù)制一外保護(hù)層Molding模具17(或18)，然后使用外保護(hù)層Molding模具17(或18)在光轉(zhuǎn)換層13外圍Molding外保護(hù)層14，使得外保護(hù)層14呈半球形、或者為方形。

其中，在步驟S1中，LED芯片11固定于LED載體12上的過(guò)程主要包括固晶、烘烤、焊線，或者倒裝芯片的共晶工藝，以實(shí)現(xiàn)二者的電連接。更具體的，在LED載體12上點(diǎn)上絕緣膠，對(duì)于正裝芯片，將其置于絕緣膠上，然后放在烤箱內(nèi)將絕緣膠固化，接著在正裝芯片上連接金屬線，與LED載體12形成導(dǎo)電回路，則電流通過(guò)LED載體12時(shí)，LED芯片11即可被激發(fā)發(fā)光；對(duì)于垂直芯片，使用銀膠作為粘接劑，銀膠構(gòu)成電路回路的一部分，只需焊上一條金屬線即可；對(duì)于倒裝芯片，使用共晶焊技術(shù)，將其直接焊接在LED載體12上，無(wú)須連接金屬線。本步驟所述的工藝極為成熟，制備效率高。

其中，在步驟S2中，如圖5～8所示，位于LED芯片11上方的最中心區(qū)域的第一透明硅膠層151呈平臺(tái)狀，位于LED芯片11上方的其它區(qū)域的第二透明硅膠層152呈四周高、中間低的斜坡?tīng)?；第二透明硅膠層152的最低位置不低于第一透明硅膠層151的位置；位于LED芯片11側(cè)壁的第三透明硅膠層153呈向外張開的斜坡?tīng)?；如圖9所示，根據(jù)透明硅膠層15的形狀預(yù)制加工一透明硅膠層Molding模具16(其內(nèi)表面可以凃敷脫模劑)，在透明硅膠里均勻摻雜小粒徑細(xì)粉并攪拌均勻、分散，將透明硅膠填充于透明硅膠層Molding模具16中并靜置，填充量可通過(guò)機(jī)臺(tái)控制，然后將固定有LED芯片11的LED載體12倒扣在透明硅膠層Molding模具16中，機(jī)臺(tái)自動(dòng)對(duì)位壓合，在高溫下加熱一段時(shí)間以固化，使得在LED芯片11外圍形成透明硅膠層15，最后取下LED載體12(包括LED芯片11和固化成型的透明硅膠層15)即可。本步驟所述的工藝采用的是專門的生產(chǎn)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)機(jī)械化生產(chǎn)，步驟簡(jiǎn)單，可實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。

其中，在步驟S3中，將光轉(zhuǎn)換材料加入透明高分子材料中，再加入稀釋劑并均勻攪拌、脫泡以形成光轉(zhuǎn)換層流體，將光轉(zhuǎn)換層流體注入噴涂設(shè)備中，然后均勻噴涂在透明硅膠層15外圍，同時(shí)在LED載體12的底部加熱，其中，噴涂厚度根據(jù)色溫要求進(jìn)行管控?；谕该鞴枘z層15的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在噴涂過(guò)程中，根據(jù)光轉(zhuǎn)換層流體的特性，其在重力作用下沿著透明硅膠層15的斜坡向下流，并在下流過(guò)程中受熱固化成型。

對(duì)于本實(shí)施例所述的LED封裝結(jié)構(gòu)1，經(jīng)光學(xué)測(cè)試，所獲得的空間色溫分布如圖13所示，可以發(fā)現(xiàn)：制成的白光LED光源器件的空間色溫分布在5000-8000K之間，Δ＝3000K。而對(duì)于傳統(tǒng)的保型涂敷結(jié)構(gòu)，如圖4所示，所得到的空間色溫分布在4000-10000K之間，Δ＝6000K。換言之，本實(shí)施例所述的LED封裝結(jié)構(gòu)1的色溫差減小了50％，可見(jiàn)其色溫空間分布得到了極大的改善，使得LED產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了亮度更高、光色更均勻、可靠性更高的優(yōu)異性能。

實(shí)施例2

本實(shí)施例公開了另一種LED封裝結(jié)構(gòu)2，在結(jié)構(gòu)上，其與實(shí)施例1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)1的差異在于：

在本實(shí)施例中，如圖14～17所示，根據(jù)光學(xué)性能要求，位于LED芯片上方11的第四透明硅膠層154的表面向下凹陷且呈半球狀，位于LED芯片11側(cè)壁的第五透明硅膠層155呈向外張開的斜坡?tīng)睢?/p>

基于上述的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并結(jié)合光轉(zhuǎn)換層13作為流體時(shí)的特性，同樣使得位于LED芯片11上方的中間區(qū)域的光轉(zhuǎn)換層13較厚，周邊區(qū)域較薄，位于LED芯片11側(cè)面的光轉(zhuǎn)換層13的厚度從上往下逐漸增大，從而有效地減小了激發(fā)光到光轉(zhuǎn)換層13的中間和側(cè)面的光程差。

對(duì)于制備方法而言，本實(shí)施例所述的LED封裝結(jié)構(gòu)2與實(shí)施例1的差異僅在于：在步驟S2中，透明硅膠層Molding模具16的形狀不同，其與本實(shí)施例所述的透明硅膠層15的形狀相對(duì)應(yīng)，如圖18所示。

本實(shí)施例所述的LED封裝結(jié)構(gòu)2的其它結(jié)構(gòu)、其它制備方法與實(shí)施例1完全相同，在此不再贅述。

對(duì)于本實(shí)施例所述的LED封裝結(jié)構(gòu)2，經(jīng)光學(xué)測(cè)試所獲得的空間色溫分布與實(shí)施例1基本相同，即色溫差得到極大降低。

實(shí)施例3

本實(shí)施例公開了另一種LED封裝結(jié)構(gòu)3，在結(jié)構(gòu)上，其與實(shí)施例1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)1的差異在于：

在本實(shí)施例中，如圖19～22所示，位于LED芯片11上方的第六透明硅膠層156呈四周高、中間低的斜坡?tīng)钋冶砻娉蔢字型，位于LED芯片11側(cè)壁的第七透明硅膠層157呈向外張開的斜坡?tīng)?，類似于在透明硅膠層15的表面沿兩對(duì)角線切兩條溝槽。

基于上述的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并結(jié)合光轉(zhuǎn)換層13作為流體時(shí)的特性，同樣使得位于LED芯片11上方的中間區(qū)域的光轉(zhuǎn)換層13較厚，周邊區(qū)域較薄，位于LED芯片11側(cè)面的光轉(zhuǎn)換層13的厚度從上往下逐漸增大，從而有效地減小了激發(fā)光到光轉(zhuǎn)換層13的中間和側(cè)面的光程差。

對(duì)于制備方法而言，本實(shí)施例所述的LED封裝結(jié)構(gòu)3與實(shí)施例1的差異僅在于：在步驟S2中，透明硅膠層Molding模具16的形狀不同，其與本實(shí)施例所述的透明硅膠層15的形狀相對(duì)應(yīng)。

本實(shí)施例所述的LED封裝結(jié)構(gòu)3的其它結(jié)構(gòu)、其它制備方法與實(shí)施例1完全相同，在此不再贅述。

對(duì)于本實(shí)施例所述的LED封裝結(jié)構(gòu)3，經(jīng)光學(xué)測(cè)試所獲得的空間色溫分布與實(shí)施例1相近，即色溫差同樣得到極大降低。

本實(shí)用新型所述一種LED封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法的其它內(nèi)容參見(jiàn)現(xiàn)有技術(shù)。

最后，需要說(shuō)明的是：在本實(shí)用新型中，LED芯片11上方的透明硅膠層15的結(jié)構(gòu)并不限于上述各實(shí)施例的描述，其還可以設(shè)為其它結(jié)構(gòu)形式，比如其表面為半橢圓球狀等；此外，本實(shí)用新型所述的LED封裝結(jié)構(gòu)還可以是多顆LED芯片模組器件。因此，諸如此類變化均屬于本實(shí)用新型的等效保護(hù)范圍。

綜上所述，本實(shí)用新型公開了一種特殊、巧妙的LED封裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)改進(jìn)了LED芯片外圍的光轉(zhuǎn)換層的分布，使LED芯片發(fā)出的藍(lán)光與光轉(zhuǎn)換層激發(fā)出的可見(jiàn)光能均勻混合，減小了0°角到90°角的空間色溫差，提高了LED器件空間色溫均勻性；并且，該結(jié)構(gòu)有利于提高LED光源的發(fā)光效率，使更多的光可以反射出來(lái)；此外，通過(guò)透明硅膠層使得光轉(zhuǎn)換層與LED芯片發(fā)生隔離，有效防止了LED芯片的高溫對(duì)光轉(zhuǎn)換層的影響，提高了光轉(zhuǎn)換層的信賴度，降低了光衰，從而很好地解決了光轉(zhuǎn)換層受熱后發(fā)光效率下降的問(wèn)題，極大地提高了LED產(chǎn)品的壽命。

以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型做任何形式上的限制，故凡未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。