1.一種適用于集成電路的新型結(jié)構(gòu)超結(jié)IGBT，其特征在于：包括：
n-型基區(qū)(1)；
p型基區(qū)(2)，所述p型基區(qū)(2)為兩個且分別位于所述n-型基區(qū)(1)的左上部和右上部；
N+集電區(qū)(4)，位于左上部的p型基區(qū)(2)的上表面內(nèi)；
背P+層發(fā)射區(qū)(9)，位于右上部的p型基區(qū)(2)的上表面；
集電極(7)，位于所述n-型基區(qū)(1)的下表面且與所述背P+層發(fā)射區(qū)(9)電連接；
p柱(3)，所述p柱(3)為多個且分布在所述n-型基區(qū)(1)的內(nèi)兩側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于集成電路的新型結(jié)構(gòu)超結(jié)IGBT，其特征在于：所述IGBT還包括發(fā)射極(8)，所述發(fā)射極(8)位于左上部的p型基區(qū)(2)和N+集電區(qū)(4)的上表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于集成電路的新型結(jié)構(gòu)超結(jié)IGBT，其特征在于：所述IGBT還包括柵氧化層(5)，所述柵氧化層(5)位于所述N+集電區(qū)(4)、n-型基區(qū)(1)以及兩個所述p型基區(qū)(2)的上表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的適用于集成電路的新型結(jié)構(gòu)超結(jié)IGBT，其特征在于：所述IGBT還包括多晶柵(6)，所述多晶柵(6)位于所述柵氧化層(5)的上表面，所述多晶柵(6)的上表面上設(shè)有柵電極(10)。