本實(shí)用新型涉及太陽能電池制造領(lǐng)域，尤其涉及一種板式PECVD機(jī)臺(tái)的雙面鍍膜結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在現(xiàn)有的可持續(xù)能源中，太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。太陽能發(fā)電裝置又稱為太陽能電池或光伏電池，可以將太陽能直接轉(zhuǎn)換成電能，其發(fā)電原理是基于半導(dǎo)體PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。太陽能發(fā)電裝置的核心是電池片，目前絕大多數(shù)都采用硅片制成。

光伏電池生產(chǎn)過程中，目前高效電池片的技術(shù)中PERC工藝已經(jīng)得到廣泛推廣，PERC工藝技術(shù)需要沉積三次不同的膜層來完成正面和背面的鈍化，即背面AL₂O₃、背面Si₃N₄、正面Si₃N₄。PERC工藝在量產(chǎn)技術(shù)中，又以微波激發(fā)等離子體和ALD為主流的兩大技術(shù)，其中微波等離子體技術(shù)中，背面AL₂O₃和背面Si₃N₄在同一機(jī)臺(tái)中完成，正面Si₃N₄在單獨(dú)的PECVD鍍膜機(jī)臺(tái)中完成；而ALD技術(shù)中，先在ALD機(jī)臺(tái)上沉積背面AL₂O₃，然后在PECVD機(jī)臺(tái)上沉積背面Si₃N₄，最后還需在PECVD機(jī)臺(tái)再次沉積正面Si₃N₄，此種方法需要分三步，分別完成正面和背面的鍍膜，造成ALD技術(shù)的PERC電池成本偏高，而且在多次搬運(yùn)的過程中，極易造成AL₂O₃膜層被損傷，影響鈍化效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種板式PECVD機(jī)臺(tái)的雙面鍍膜結(jié)構(gòu)。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種板式PECVD機(jī)臺(tái)的雙面鍍膜結(jié)構(gòu)，包括石墨框及微波激發(fā)等離子體系統(tǒng)，所述石墨框水平布置，所述微波激發(fā)等離子體系統(tǒng)以所述石墨框?yàn)榛鶞?zhǔn)對(duì)稱布置于石墨框的上方及下方。

上述技術(shù)方案中，所述微波激發(fā)等離子體系統(tǒng)包括U型槽、磁鐵及石英管，所述磁鐵設(shè)于U型槽外側(cè)，石英管設(shè)于U型槽內(nèi)。

上述技術(shù)方案中，所述U型槽的橫截面為等腰梯形結(jié)構(gòu)，等腰梯形的兩個(gè)底邊中，長(zhǎng)的底邊定義為下底，短的底邊定義為上底，所述U型槽等腰梯形結(jié)構(gòu)中的下底為敞口，該敞口朝向所述石墨框設(shè)置。

優(yōu)選地，所述等腰梯形結(jié)構(gòu)的上底上開設(shè)有氨氣進(jìn)氣孔。

優(yōu)選地，所述氨氣進(jìn)氣孔沿U型槽的長(zhǎng)度方向間隔分布。

優(yōu)選地，所述磁鐵設(shè)于等腰梯形結(jié)構(gòu)兩個(gè)腰的外側(cè)。

優(yōu)選地，所述等腰梯形結(jié)構(gòu)兩個(gè)腰上靠近下底的一端向U型槽外各延伸出一側(cè)翼。

優(yōu)選地，所述側(cè)翼上開設(shè)有硅烷進(jìn)氣孔。

優(yōu)選地，所述硅烷進(jìn)氣孔沿U型槽的長(zhǎng)度方向在側(cè)翼上間隔分布。

由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：

1．本實(shí)用新型可同時(shí)對(duì)硅片的正面和背面進(jìn)行沉積氮化硅薄膜；

2. 本實(shí)用新型減少了鍍膜工序，因此減少了過程的搬運(yùn)，從而降低了背面AL₂O₃膜層被損傷的風(fēng)險(xiǎn)；

3．本實(shí)用新型減少了工序，降低了人工和采購設(shè)備的成本；

4．本實(shí)用新型減少了工序，提升了產(chǎn)能；

5. 本實(shí)用新型操作和控制簡(jiǎn)單，適于在所有板式PECVD機(jī)臺(tái)上推廣。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一結(jié)構(gòu)剖視圖。

上述附圖中：1、石墨框；2、硅片；3、U型槽；4、硅烷進(jìn)氣孔；5、磁鐵；6、石英管；7、氨氣進(jìn)氣孔；8、等離子體；9、側(cè)翼。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述：

實(shí)施例一：

一種板式PECVD機(jī)臺(tái)的雙面鍍膜結(jié)構(gòu)，包括石墨框1及微波激發(fā)等離子體系統(tǒng)，所述石墨框1水平布置，硅片2置于石墨框1上，所述微波激發(fā)等離子體系統(tǒng)以所述石墨框1為基準(zhǔn)對(duì)稱布置于石墨框1的上方及下方。

所述微波激發(fā)等離子體系統(tǒng)包括U型槽3、磁鐵5及石英管6，所述磁鐵5設(shè)于U型槽3外側(cè)，石英管6設(shè)于U型槽3內(nèi)。

所述U型槽3的橫截面為等腰梯形結(jié)構(gòu)，等腰梯形的兩個(gè)底邊中，長(zhǎng)的底邊定義為下底，短的底邊定義為上底，所述U型槽3等腰梯形結(jié)構(gòu)中的下底為敞口，該敞口朝向所述石墨框1設(shè)置。

所述等腰梯形結(jié)構(gòu)的上底上開設(shè)有氨氣進(jìn)氣孔7。

所述氨氣進(jìn)氣孔7沿U型槽3的長(zhǎng)度方向間隔分布。

所述磁鐵5設(shè)于等腰梯形結(jié)構(gòu)兩個(gè)腰的外側(cè)。

所述等腰梯形結(jié)構(gòu)兩個(gè)腰上靠近下底的一端向U型槽3外各延伸出一側(cè)翼9。

所述側(cè)翼9上開設(shè)有硅烷進(jìn)氣孔4。

所述硅烷進(jìn)氣孔4沿U型槽3的長(zhǎng)度方向在側(cè)翼9上間隔分布。

硅片2在沉積完背面AL₂O₃后，在PECVD機(jī)臺(tái)上，可同時(shí)完成正面和背面的Si₃N₄的沉積。