本實用新型涉及晶閘管領域，具體為一種具有發(fā)射區(qū)短路點的晶閘管。

背景技術：

晶閘管發(fā)射區(qū)短路點是為旁路晶閘管發(fā)射結而設計的電阻性連接。發(fā)射區(qū)短路點的運用，是作為一種工藝方法以提高正向阻斷電壓和器件的di／dt耐量，發(fā)射區(qū)短路點不僅能有效地控制電壓的轉折，而且也能夠提高晶閘管最大的di／dt耐量。但發(fā)射區(qū)短路點的存在，也會造成發(fā)射區(qū)的損失，而且也是導通面積的損失。由于導通面積的損失，造成晶閘管的通態(tài)壓降變大，從而使晶閘管發(fā)熱現(xiàn)象嚴重，間接加大了晶閘管散熱器的使用成本。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種具有發(fā)射區(qū)短路點的晶閘管，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種具有發(fā)射區(qū)短路點的晶閘管，包括硅片，門極，扇形發(fā)射區(qū)短路點，所述硅片的中心位置上設置有所述門極，所述硅片上還設置有一組所述扇形發(fā)射區(qū)短路點，所述扇形發(fā)射區(qū)短路點以所述門極為圓心均布在所述硅片上。

優(yōu)選的，所述扇形發(fā)射區(qū)短路點采用扇形結構。

優(yōu)選的，所述扇形發(fā)射區(qū)短路點從所述門極到所述硅片邊緣共分布有四圈，從內圈到外圈分布的所述扇形發(fā)射區(qū)短路點的數(shù)量依次遞增。

與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是：該具有發(fā)射區(qū)短路點的晶閘管的扇形發(fā)射區(qū)短路點取代傳統(tǒng)遍布于整個發(fā)射區(qū)的圓形短路點，扇形發(fā)射區(qū)短路點與傳統(tǒng)遍布于整個發(fā)射區(qū)的圓形短路點相比，具有增加導通面積，減小晶閘管通態(tài)壓降，降低晶閘管發(fā)熱量，從而節(jié)省晶閘管散熱器的使用成本，避免短路點對等離子擴展有過大的阻滯，提高晶閘管最大的di／dt耐量。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖。

圖中：1、硅片，2、門極，3、扇形發(fā)射區(qū)短路點。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

請參閱圖1，本實用新型提供一種技術方案：一種具有發(fā)射區(qū)短路點的晶閘管，包括硅片1，門極2，扇形發(fā)射區(qū)短路點3，所述硅片1的中心位置上設置有所述門極2，所述硅片1上還設置有一組所述扇形發(fā)射區(qū)短路點3，所述扇形發(fā)射區(qū)短路點3以所述門極2為圓心均布在所述硅片1上，所述扇形發(fā)射區(qū)短路點3采用扇形結構，所述扇形發(fā)射區(qū)短路點3從所述門極2到所述硅片1邊緣共分布有四圈，從內圈到外圈分布的所述扇形發(fā)射區(qū)短路點3的數(shù)量依次遞增。

工作原理：在使用該具有發(fā)射區(qū)短路點的晶閘管時，扇形發(fā)射區(qū)短路點取代傳統(tǒng)遍布于整個發(fā)射區(qū)的圓形短路點，扇形發(fā)射區(qū)短路點與傳統(tǒng)遍布于整個發(fā)射區(qū)的圓形短路點相比，具有增加導通面積，減小晶閘管通態(tài)壓降，降低晶閘管發(fā)熱量，從而節(jié)省晶閘管散熱器的使用成本，避免短路點對等離子擴展有過大的阻滯，提高晶閘管最大的di／dt耐量。

盡管已經示出和描述了本實用新型的實施例，對于本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本實用新型的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本實用新型的范圍由所附權利要求及其等同物限定。