本實用新型涉及硅片技術(shù)領域，具體為一種高強度太陽能硅片。

背景技術(shù)：

當今世界，常規(guī)能源的持續(xù)使用帶來了能源緊缺以及環(huán)境惡化等一系列經(jīng)濟和社會問題，解決上述問題的最好途經(jīng)是大力發(fā)展和推廣可再生能源。在可再生能源中，太陽能發(fā)電由于地域性限制小、應用范圍廣、基本無污染、可持續(xù)利用率高等優(yōu)點，成為世界各國競相發(fā)展的目標。

目前，現(xiàn)有的各類太陽能電池中，晶體硅太陽電池占了90%的市場份額，其中單晶硅電池的轉(zhuǎn)化效率超過18%，多晶硅電池轉(zhuǎn)化效率也接近17%。盡管在實驗室中小面積的晶體硅電池的最高轉(zhuǎn)化效率接近25%，但由于其工藝與結(jié)構(gòu)過于復雜，不利于規(guī)模化生產(chǎn)及應用。因此，在成本不太高，工藝不太復雜的前提下，各國都在從新的器件結(jié)構(gòu)努力，開發(fā)效率更高的晶體硅類太陽電池及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)。但是在目前階段，太陽能相關設備的成本還很高，可靠性和使用壽命等都不是很理想，因此怎樣提高太陽能相關設備的可靠性、使用壽命等成為了研究熱點。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種高強度太陽能硅片，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：一種高強度太陽能硅片，包括硅片單元，所述硅片單元均勻排列在硅晶基板上，所述硅晶基板設置在鋁合金框上，所述硅片單元上方設有耐老化薄膜，所述耐老化薄膜下方設有吸光層，所述吸光層下方設有N型硅半導體，所述N型硅半導體下方設有P型硅半導體,所述N型硅半導體和P型硅半導體之間形成了一PN結(jié)，所述N型硅半導體的左側(cè)接通上電極，所述P型硅半導體的右側(cè)接通下電極，所述P型硅半導體下方設有防反射層。

優(yōu)選的，所述防反射層下方設有保護膜。

優(yōu)選的，所述硅片單元的表面設有柵格。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是：本高強度太陽能硅片，通過在硅片單元上設置耐老化薄膜提高了硅片的使用壽命，以及吸光層和防反射層的設置提高了硅片的光電轉(zhuǎn)換強度。

附圖說明

圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型硅片單元結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1硅片單元、11上電極、12吸光層、13 N型硅半導體、14 PN結(jié)、15 P型硅半導體、16下電極、17保護膜、18防反射層、19耐老化薄膜、2硅晶基板、3鋁合金框。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

請參閱圖1-2，本實用新型提供一種技術(shù)方案：一種高強度太陽能硅片，包括硅片單元1，所述硅片單元1均勻排列在硅晶基板2上，所述硅晶基板2設置在鋁合金框3上，所述硅片單元1上方設有耐老化薄膜19，所述耐老化薄膜19下方設有吸光層12，所述吸光層12下方設有N型硅半導體13，所述N型硅半導體13下方設有P型硅半導體15,所述N型硅半導體13和P型硅半導體15之間形成了一PN結(jié)14，所述N型硅半導體13的左側(cè)接通上電極11，所述P型硅半導體15的右側(cè)接通下電極16，所述P型硅半導體15下方設有防反射層18，所述防反射層18下方設有保護膜17，所述硅片單元1的表面設有柵格。

工作原理：工作時，當太陽光照射到硅片單元1上，在PN結(jié)14中，N型硅半導體13的空穴往P型硅半導體15移動，而P型硅半導體15中的電子往N型硅半導體13移動，從而形成從N型硅半導體13到P型硅半導體15的電流。然后在PN結(jié)14中形成電勢差，這就形成了電源。硅片單元1上設置耐老化薄膜19提高了硅片的使用壽命，以及吸光層12和防反射層18的設置提高了硅片的光電轉(zhuǎn)換強度。

盡管已經(jīng)示出和描述了本實用新型的實施例，對于本領域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實用新型的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。