1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：
插入件，其包括：
加強件層，其包括頂部加強件表面、底部加強件表面和導(dǎo)電通孔，所述導(dǎo)電通孔從所述頂部加強件表面延伸到所述底部加強件表面；及
再分布結(jié)構(gòu)，其包括頂部再分布結(jié)構(gòu)表面和耦合到所述頂部加強件表面的底部再分布結(jié)構(gòu)表面；以及
半導(dǎo)體裸片，其連接到所述頂部再分布結(jié)構(gòu)表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述加強件層包括硅層、玻璃層和/或陶瓷層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電通孔具有形狀呈倒置梯形的橫截面，其中所述頂部加強件表面處的頂部通孔端比所述底部加強件表面處的底部通孔端更寬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電通孔的頂部通孔表面具有較所述導(dǎo)電通孔的底部通孔表面更大的直徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其包括在所述導(dǎo)電通孔與所述加強件之間的晶種層和絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進一步包括耦合到所述導(dǎo)電通孔的底部通孔端的導(dǎo)電凸塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其進一步包括在所述導(dǎo)電通孔與所述導(dǎo)電凸塊之間的凸塊下金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電通孔的側(cè)面包括凹坑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其包括所述導(dǎo)電通孔的側(cè)面周圍的絕緣層，其中所述絕緣層包括凹坑。
10.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：
插入件，其包括：
加強件層，其包括頂部加強件表面、底部加強件表面和導(dǎo)電通孔，所述導(dǎo)電通孔從所述頂部加強件表面延伸到所述底部加強件表面；
再分布結(jié)構(gòu)，其包括頂部再分布結(jié)構(gòu)表面和耦合到所述頂部加強件表面的底部再分布結(jié)構(gòu)表面；以及
導(dǎo)電柱，其自所述導(dǎo)電通孔的底部通孔表面延伸；以及
半導(dǎo)體裸片，其連接到所述頂部再分布結(jié)構(gòu)表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中整個所述導(dǎo)電柱具有較所述導(dǎo)電通孔的寬度更小的寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電柱具有形狀呈倒置梯形的橫截面，其中頂部柱端比底部柱端更寬。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電通孔具有形狀呈倒置梯形的橫截面，其中頂部通孔端比底部通孔端更寬。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述底部導(dǎo)電柱自所述底部加強件表面延伸。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其包括耦合到所述導(dǎo)電柱的底部柱端的導(dǎo)電凸塊。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電通孔與所述導(dǎo)電柱彼此一體地形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其包括晶種層和絕緣層，其中：
所述晶種層的第一部分和所述絕緣層的第一部分在所述導(dǎo)電通孔與所述加強件之間；以及
所述晶種層的第二部分和所述絕緣層的第二部分在所述導(dǎo)電柱與所述加強件之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中整個所述導(dǎo)電柱自所述底部加強件表面延伸。