本實用新型涉及一種采用新的結(jié)構(gòu)電容制作的結(jié)構(gòu)電容。

背景技術(shù)：

在移動通信的基站系統(tǒng)中，通常通過發(fā)射天線發(fā)射特定頻率范圍內(nèi)的承載通信數(shù)據(jù)的通信信號，并通過接收天線接收通信信號。由接收天線接收的信號中不僅包含上述特定頻率范圍內(nèi)的承載通信數(shù)據(jù)的通信信號，而且還包括許多上述特定頻率范圍外的雜波或干擾信號。要從接收天線接收的信號中獲取發(fā)射天線發(fā)射的特定頻率范圍內(nèi)的承載通信數(shù)據(jù)的通信信號，通常需要將該接收天線接收的信號通過濾波器進(jìn)行濾波，將該承載通信數(shù)據(jù)的通信信號特定頻率外的雜波或干擾信號濾除。

目前，基站系統(tǒng)中普遍采用腔體濾波器。腔體濾波器不僅包括發(fā)射通道濾波器、接收通道濾波器、耦合器，還包括Biastee防雷部分。所述Biastee 防雷部分由結(jié)構(gòu)電容、電感和防雷電路構(gòu)成。所述結(jié)構(gòu)電容和電感等效為一高通濾波器，該高通濾波器的截止頻率必須低于腔體濾波器的使用頻段。因此，所述結(jié)構(gòu)電容和電感的大小將直接影響所述高通濾波器的截止頻率，進(jìn)而影響所述腔體濾波器的性能指標(biāo)。

現(xiàn)有的腔體濾波器的結(jié)構(gòu)電容包括兩個電極，以及設(shè)置在所述兩個電極之間的介質(zhì)層。所述介質(zhì)層采用介電常數(shù)為2.1的PTFE。因此，在需要較大容量的結(jié)構(gòu)電容時，需要增大所述結(jié)構(gòu)電容的正對面積或減小所述兩個電極之間的距離。增加所述結(jié)構(gòu)電容的正對面積，會造成所述結(jié)構(gòu)電容所占據(jù)的空間增大，不利于所述腔體濾波器的小型化和集成化發(fā)展。因此，需盡量減小所述兩個電極之間設(shè)有所述介質(zhì)層的厚度，從而減小所述兩個電極之間的距離。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述技術(shù)問題，本實用新型提出一種新的結(jié)構(gòu)電容的結(jié)構(gòu)，可將結(jié)構(gòu)電容兩電極間的距離縮小幾倍，得到更高的電容值，從而使產(chǎn)品整體獲得更好的電氣性能。

為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，本實用新型采用如下的技術(shù)方案：

一種結(jié)構(gòu)電容，包括第一電極和第二電極，所述第一電極呈圓柱體形，其內(nèi)部中空形成收容空間，所述第二電極呈圓柱體形，其收容于所述收容空間，所述結(jié)構(gòu)電容還包括設(shè)置在所述第一電極和第二電極之間的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層為纏繞于第二電極外壁上的PTFE薄膜層。

作為本實用新型技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述PTFE薄膜層的厚度為0.02mm~0.08mm。

所述PTFE薄膜層的厚度為0.05mm。

本實用新型的有益效果是：

采用PTFE薄膜繞包填充結(jié)構(gòu)電容的兩極，PTFE薄膜厚度可為傳統(tǒng)車制PTFE套管的1/5甚至更薄，可實現(xiàn)較高電氣性能。得到比通常PTFE車制管填充更好的電氣性能。

附圖說明

圖1為本實用新型第一電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型第二電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實用新型PTFE薄膜層的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了使得本領(lǐng)域技術(shù)人員更加清楚本實用新型一種結(jié)構(gòu)電容的技術(shù)方案，下面結(jié)合說明書附圖以及具體實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

結(jié)構(gòu)電容的常規(guī)結(jié)構(gòu)由于PTFE套管管壁只能車加工到最薄約0.3mm，由于該尺寸的限制，無法實現(xiàn)產(chǎn)品整體較高電氣性能。本實用新型將原來的PTFE套管用PTFE薄膜替代，而PTFE薄膜厚度最薄可到約0.03mm，可將結(jié)構(gòu)電容兩電極間的距離縮小幾倍，得到更高的電容值，從而使產(chǎn)品整體獲得更好的電氣性能。

實施例1

請參閱圖1，其為一較佳實施方式的結(jié)構(gòu)電容的立體分解示意圖。

一種結(jié)構(gòu)電容，包括第一電極和第二電極，所述第一電極呈圓柱體形，其內(nèi)部中空形成收容空間，所述第二電極呈圓柱體形，其收容于所述收容空間，所述結(jié)構(gòu)電容還包括設(shè)置在所述第一電極和第二電極之間的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層為纏繞于第二電極外壁上的PTFE薄膜層。

作為本實用新型技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述PTFE薄膜層的厚度為0.2mm~0.08mm。