本實(shí)用新型屬于發(fā)光二極管產(chǎn)品封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種COB光模組。

背景技術(shù)：

在LED應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)，LED模組因其超高亮度，低功耗、使用壽命長、安裝簡便等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于廣告燈箱、標(biāo)識招牌、宣傳指示標(biāo)志等場所，隨著LED模組技術(shù)的逐漸成熟，其應(yīng)用范圍將會更加的廣泛，LED模組中最常實(shí)用的就是COB封裝，但目前的COB封裝發(fā)光效率低，發(fā)光角度大，光斑明顯、散熱效果差；而且小發(fā)光面大功率的COB光源成本高，生產(chǎn)效率低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種COB光模組，其能解決COB的光效不足，熒光膠體由于溫度過高而致使膠體開裂的問題。

本實(shí)用新型的目的采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種COB光模組，包括LED芯片、電路基板、硅膠熒光層、圍壩、透明硅膠層和焊盤，所述電路基板上有一載片區(qū)，所述載片區(qū)為電路基板上一凹槽，所述硅膠熒光層位于載片區(qū)，所述透明硅膠層位 于硅膠熒光層之上，所述圍壩位于透明硅膠層的外圍；所述焊盤包括正極焊盤和負(fù)極焊盤，所述LED芯片安裝在載片區(qū)，所述LED芯片的正極通過金線與正極焊盤電性連接，所述LED芯片負(fù)極通過金線與負(fù)極焊盤電性連接。

優(yōu)選地，所述硅膠熒光層的高度與載片區(qū)高度相同。能夠進(jìn)一步解決硅膠熒光層的厚度的技術(shù)問題。

優(yōu)選地，所述圍壩和透明硅膠層的形狀為圓形。能進(jìn)一步解決圍壩和透明硅膠層的形狀的問題。

優(yōu)選地，所述透明硅膠層覆蓋硅膠熒光層。能進(jìn)一步解決硅膠熒光層與透明硅膠層的大小問題。

優(yōu)選地，所述透明硅膠層在電路基板上的投影與硅膠熒光層在電路基板上投影重合。能進(jìn)一步解決硅膠熒光層與透明硅膠層的大小問題。

相比現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的有益效果在于：

本實(shí)用新型的采用熒光粉近場涂覆工藝的COB光源解決了熒光粉的散熱，避免膠體溫度超過極限溫度致膠體開裂的問題；并且該COB光模組能夠改善光斑，降低成本，提高生產(chǎn)效率。在硅膠熒光層上點(diǎn)透明硅膠實(shí)現(xiàn)更小的光束角和更大的中心光強(qiáng)，提升COB光模組的光效。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一種COB光模組的正視圖；

圖2為本實(shí)用新型一種COB光模組的俯視圖。

附圖標(biāo)記：1、LED芯片；2、電路基板；3、硅膠熒光層；4、圍壩；5、透明硅膠層；6、正極焊盤；7、負(fù)極焊盤。

具體實(shí)施方式

下面，結(jié)合附圖以及具體實(shí)施方式，對本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述：

如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型還提供了一種COB光模組，包括LED芯片1、電路基板2、硅膠熒光層3、圍壩4、透明硅膠層5和焊盤，所述電路基板2上有一載片區(qū)，所述載片區(qū)為電路基板2上一凹槽，所述硅膠熒光層3填滿載片區(qū)，所述硅膠熒光層3的高度與載片區(qū)高度相同，也即是熒光膠填充于載片區(qū)，填滿載片區(qū)并與載片區(qū)打平，填平原本電路基板2上的凹槽。所述透明硅膠層5位于硅膠熒光層3之上，所述硅膠熒光層3與透明硅膠層5在電路基板2上的投影的大小相同，透明硅膠層5在此主要起到保護(hù)硅膠熒光層3的作用，所述圍壩4位于透明硅膠層5的外圍；所述圍壩4和透明硅膠層5的形狀為圓形，所述圍壩4是為了防止硅膠熒光層4外溢。所述焊盤包括正極焊盤6和負(fù)極焊盤7，所述LED芯片1安裝在載片區(qū)，所述LED芯片1的正極通過金線與正極焊盤6電性連接，所述LED芯片1負(fù)極通過金線與負(fù)極焊盤7電性連接。

對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及形變，而所有的這些改變以及形變都應(yīng)該屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。