技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種形成嵌入式閃存單元的方法以及相關(guān)的裝置，該方法通過(guò)提供具有相對(duì)均勻厚度的隧道介電層提供改進(jìn)的性能。通過(guò)在襯底內(nèi)的邏輯區(qū)、控制柵極區(qū)和選擇柵極區(qū)上方形成電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)施該方法。實(shí)施第一電荷捕獲介電蝕刻工藝以在邏輯區(qū)上方的電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)中形成開(kāi)口，并且在開(kāi)口內(nèi)形成熱柵極介電層。實(shí)施第二電荷捕獲介電蝕刻工藝以去除位于選擇柵極區(qū)上方的電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)。在第二電荷捕獲介電蝕刻工藝之后剩余的熱柵極介電層和電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)上方形成柵電極。本發(fā)明實(shí)施例涉及制造嵌入式閃存單元的均勻的隧道電介質(zhì)的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：潘瑞彧;徐丞伯;黃仲仁;林敬儒;楊宗諭;吳云驥;屈岳杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.28
技術(shù)公布日：2017.08.11