本發(fā)明涉及光伏太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種雙節(jié)疊層并聯(lián)的碲化鎘薄膜太陽能電池制造工藝方法。

背景技術(shù)：

薄膜太陽能電池作為未來電池發(fā)展的方向，特別是碲化鎘薄膜太陽能電池，碲化鎘電池和晶硅電池比較主要特點(diǎn)是弱光性好，衰減率低，溫度系數(shù)好等優(yōu)點(diǎn)而受到很多機(jī)構(gòu)的研究。但是其有一定的缺點(diǎn)，比如轉(zhuǎn)化效率還沒有晶硅電池高，開路電壓較高，本工藝制作發(fā)明可解決此缺點(diǎn)，給碲化鎘電池發(fā)展帶來明顯優(yōu)勢(shì)。

現(xiàn)在國(guó)內(nèi)外已有的碲化鎘電池工藝設(shè)計(jì)制造均為單節(jié)電池（即只有一個(gè)PN結(jié)），主要工藝流程如圖1所示，依次為：玻璃磨邊，導(dǎo)電玻璃清洗，激光刻線（TCO薄膜），沉積硫化鎘，沉積碲化鎘，氯化鎘活化處理，激光刻線，沉積緩沖層（復(fù)合背接觸層），后處理活化，沉積金屬背電極，激光刻畫背電極，激光掃邊，封裝測(cè)試。該工藝所制作的電池結(jié)構(gòu)如圖2所示，自下而上依次為：玻璃襯底10、TCO層20、硫化鎘30、碲化鎘40、緩沖層70、背電極層80。這種已有電池制作工藝雖然簡(jiǎn)單，但是轉(zhuǎn)化效率不高，在產(chǎn)品市場(chǎng)化后，競(jìng)爭(zhēng)力不夠，由于薄膜太陽能電池開路電壓都偏高，雖然有的廠商已設(shè)計(jì)了并聯(lián)刻線連接的方式制作電池組件，將開路電壓降低，但是對(duì)轉(zhuǎn)化效率沒有明顯改善，也難于適應(yīng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明目的是提供一種雙節(jié)疊層并聯(lián)的碲化鎘薄膜太陽能電池制造工藝方法。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種雙節(jié)疊層并聯(lián)的碲化鎘薄膜太陽能電池制造工藝方法，包括以下步驟（1）將襯底玻璃磨邊;（2）在襯底玻璃上沉積TCO導(dǎo)電玻璃并清洗；（3）在TCO導(dǎo)電玻璃上沉積第一層硫化鎘；（4）在第一層硫化鎘上沉積第一層碲化鎘；（5）第一次氯化鎘活化處理；（6）第一次活化后清洗；（7）在第一層碲化鎘上面沉積第二層硫化鎘；（8）在第二層硫化鎘上面沉積第二層碲化鎘；（9）第二次氯化鎘活化處理；（10）第二次活化后清洗；（11）P1激光刻線；（12）沉積緩沖層；（13）P2激光刻線；（14）沉積金屬背電極；（15）P3激光刻畫背電極；（16）激光掃邊；（17）封裝測(cè)試。

所述第一層硫化鎘厚度為100nm,第一層碲化鎘厚度為500nm，第二層硫化鎘厚度為400nm,第二層碲化鎘厚度為3um。

所述步驟（11）、（13）和（15）采用并聯(lián)的方式刻線，P1\P2\P3激光刻線重合，封裝的時(shí)候再用并聯(lián)連接的方式連接線路。

所述第一層硫化鎘與第一層碲化鎘組成的第一個(gè)PN結(jié)，第二層硫化鎘與第二層碲化鎘組成的第二個(gè)PN結(jié)，第一個(gè)PN結(jié)與第二個(gè)PN結(jié)串聯(lián)。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明有效提高電池的轉(zhuǎn)化效率，提高電池產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，有效降低了產(chǎn)品的成本；同時(shí)打開的碲化鎘電池研究的工藝窗口，結(jié)合并聯(lián)刻線的工藝方法，有效解決電池電壓偏高的情況。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做進(jìn)一步的說明。

圖1是傳統(tǒng)碲化鎘薄膜太陽能電池制造工藝流程圖；

圖2是傳統(tǒng)碲化鎘薄膜太陽能電池的剖面結(jié)構(gòu)圖；

圖3是本發(fā)明碲化鎘薄膜太陽能電池制造工藝流程圖；

圖4是本發(fā)明碲化鎘薄膜太陽能電池的剖面結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

參照?qǐng)D3-圖4所示，為本發(fā)明的一種雙節(jié)疊層并聯(lián)的碲化鎘薄膜太陽能電池制造工藝方法，包括以下步驟：

（1）將襯底玻璃10磨邊;

（2）在襯底玻璃10上沉積TCO導(dǎo)電玻璃20并清洗；

（3）在TCO導(dǎo)電玻璃上沉積第一層硫化鎘30（CdS）；

（4）在第一層硫化鎘上沉積第一層碲化鎘40（CdTe）；

（5）第一次氯化鎘活化處理；

（6）第一次活化后清洗；

（7）在第一層碲化鎘40上面沉積第二層硫化鎘50（CdS）；

（8）在第二層硫化鎘50上面沉積第二層碲化鎘60（CdTe）；

（9）第二次氯化鎘活化處理；

（10）第二次活化后清洗；

（11）P1激光刻線；

（12）沉積緩沖層70；

（13）P2激光刻線；

（14）沉積金屬背電極80；

（15）P3激光刻畫背電極；

（16）激光掃邊；

（17）封裝測(cè)試。

鍍膜過程中，適當(dāng)減薄窗口層CdS 的厚度，可減少入射光的損失，從而增加電池短波響應(yīng)以提高短路電流密度，因此第一個(gè)PN結(jié)中的硫化鎘厚度控制在100nm左右，碲化鎘厚度500nm；保證光透過第一個(gè)PN結(jié)被第二個(gè)PN結(jié)吸收，第二個(gè)PN結(jié)的硫化鎘膜厚約400nm，碲化鎘膜厚3μm。有效提高電池轉(zhuǎn)化效率約2%。

由于薄膜電池電壓偏高，因此采用并聯(lián)的方式刻線，P1\P2\P3激光刻線需重合，封裝的時(shí)候才用并聯(lián)連接的方式連接線路。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)先實(shí)施方式，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，只要以基本相同手段實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。