本發(fā)明涉及光學(xué)器件領(lǐng)域，尤其是一種ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜及其制作工藝。

背景技術(shù)：

On-cell是指將觸摸面板功能嵌入到彩色濾光片基板和偏光板之間的方法；由于液晶面板不耐高溫，故在液晶模板生產(chǎn)過程中，液晶面板之上的ITO鍍膜時溫度不能過高，只能鍍制低溫ITO膜層，而低溫ITO膜層的透光性以及電阻率等性能均不理想。隨著消費電子市場需求，現(xiàn)有消費電子用觸摸屏都要求屏幕盡可能大，這就要求用于觸控功能的ITO膜層電阻盡可能低，否則影響觸控靈敏度?，F(xiàn)有工藝制備的低溫ITO膜層存在透光性較低，電阻率較高的特效，其難以滿足上述大尺寸屏幕的使用要求。與此同時，現(xiàn)有的ITO膜層較厚，其蝕刻痕跡較為明顯。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜及其制作工藝，其可針對大屏幕電子產(chǎn)品形成同時滿足高透光率以及低電阻的ITO膜層，進(jìn)而致使觸控面板整體可改善觸控的靈敏度。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明涉及一種ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜，其包括有A膜層、二氧化硅膜層、ITO膜層，所述A模層為氧化鈮膜層與二氧化鈦膜層中的任意一種，所述ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜膜層結(jié)構(gòu)依次為：A膜層、二氧化硅膜層、ITO膜層。

上述ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜的制作工藝包括有如下工藝步驟：

1)將玻璃基板、A靶材、硅靶以及ITO靶材分別安裝在鍍膜箱體之中，并對鍍膜箱體進(jìn)行抽真空處理，所述A靶材為氧化鈮靶材與二氧化鈦靶材中的任意一種；

2)將鍍膜箱體內(nèi)部在300～500℃的溫度環(huán)境下烘烤3～6h，以去除鍍膜箱體內(nèi)部雜質(zhì)氣體；

3)當(dāng)鍍膜箱體內(nèi)部真空度達(dá)到5*10^-4pa時，向鍍膜箱體內(nèi)充入純度為99.99%的氬氣與氧氣，直至鍍膜箱體內(nèi)部工作壓強(qiáng)達(dá)到0.1～0.6Pa，鍍膜箱體內(nèi)部ITO靶材所處位置氧氣占比為5～10%；

4)在70℃的環(huán)境溫度下開啟A靶材、硅靶與ITO靶材電源，當(dāng)A靶材、硅靶與ITO靶材的靶材表面分別形成等離子區(qū)，在鍍膜箱體內(nèi)進(jìn)行磁控濺射，通過氬氣轟擊靶材表面，以在玻璃基板上依次沉積A膜層、二氧化硅膜層、ITO膜層，得到成型面板；所述A膜層為步驟1）所采用的氧化鈮靶材與二氧化鈦靶材所得到的對應(yīng)膜層；

5)將完成鍍膜后的成型面板置于退火箱體內(nèi)進(jìn)行真空冷卻退火處理，退火箱體內(nèi)部安裝有冷卻板，成型面板置于置于冷卻板之上進(jìn)行退火處理，冷卻板溫度為8至15℃，退火時間為20至40min。

作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述步驟1）中的ITO靶材內(nèi)氧化銦和氧化錫的質(zhì)量比例為90:10。

作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述步驟4）之中，成型面板A膜層厚為8～12nm，二氧化硅膜層厚為20～50nm，ITO膜層厚為110～160nm。

采用上述技術(shù)方案中的ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜，其通過采用氧化鈮膜層與二氧化鈦膜層中的任意一種，進(jìn)而使得成型面板在進(jìn)行鍍膜成型過程中的蝕刻痕跡得以消除，致使本申請中面板的觸摸效果得以顯著改善；與此同時，上述ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜在制作過程之中，其可通過采用氧氣進(jìn)行鍍膜處理進(jìn)而使得面板中的ITO膜層可同時形成高透光率以及低電阻率。當(dāng)面板在鍍膜箱體內(nèi)成型后，其可進(jìn)一步通過長時間的真空退火處理，以進(jìn)一步的降低ITO膜層的電阻率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例1中膜層示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例4中膜層示意圖；

附圖標(biāo)記列表：

1—氧化鈮膜層、2—二氧化硅膜層、3—ITO膜層、4—玻璃基板、5—二氧化鈦膜層。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施方式，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解下述具體實施方式僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。需要說明的是，下面描述中使用的詞語“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語“內(nèi)”和“外”分別指的是朝向或遠(yuǎn)離特定部件幾何中心的方向。

實施例1

如圖1所示的一種ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜，其包括有氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3；所述ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜膜層結(jié)構(gòu)依次為：氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3。

上述ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜的制作工藝包括有如下工藝步驟：

1)將玻璃基板4、氧化鈮靶材、硅靶以及ITO靶材分別安裝在鍍膜箱體之中，并對鍍膜箱體進(jìn)行抽真空處理；

2)將鍍膜箱體內(nèi)部在300℃的溫度環(huán)境下烘烤6h，以去除鍍膜箱體內(nèi)部雜質(zhì)氣體；

3)當(dāng)鍍膜箱體內(nèi)部真空度達(dá)到5*10^-4pa時，向鍍膜箱體內(nèi)充入純度為99.99%的氬氣與氧氣，直至鍍膜箱體內(nèi)部工作壓強(qiáng)達(dá)到0.1Pa，鍍膜箱體內(nèi)部ITO靶材所處位置氧氣占比為10%；

4)在70℃的環(huán)境溫度下開啟氧化鈮靶材、硅靶與ITO靶材電源，當(dāng)氧化鈮靶材、硅靶與ITO靶材的靶材表面分別形成等離子區(qū)，在鍍膜箱體內(nèi)進(jìn)行磁控濺射，通過氬氣轟擊靶材表面，以在玻璃基板4上依次沉積氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3，得到成型面板；

5)將完成鍍膜后的成型面板置于退火箱體內(nèi)進(jìn)行真空冷卻退火處理，退火箱體內(nèi)部安裝有冷卻板，成型面板置于置于冷卻板之上進(jìn)行退火處理，冷卻板溫度為8℃，退火時間為40min。

作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述步驟1）中的ITO靶材內(nèi)氧化銦和氧化錫的質(zhì)量比例為90:10。

作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述步驟4）之中，成型面板氧化鈮膜層1厚為8nm，二氧化硅膜層2厚為20nm，ITO膜層3厚為110nm。

采用上述技術(shù)方案中的ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜，其通過采用氧化鈮膜層與二氧化鈦膜層中的任意一種，進(jìn)而使得成型面板在進(jìn)行鍍膜成型過程中的蝕刻痕跡得以消除，致使本申請中面板的觸摸效果得以顯著改善；與此同時，上述ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜在制作過程之中，其可通過采用氧氣進(jìn)行鍍膜處理進(jìn)而使得面板中的ITO膜層可同時形成高透光率以及低電阻率。當(dāng)面板在鍍膜箱體內(nèi)成型后，其可進(jìn)一步通過長時間的真空退火處理，以進(jìn)一步的降低ITO膜層的電阻率。

采用上述技術(shù)方案中的ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜，其透光率可達(dá)到88%以上，而電阻率可控制在3.0*10^-4Ω.cm以下，相較于常規(guī)ITO膜層透光率在70%左右，電阻率在6*10^-4Ω.cm左右，其在ITO透明導(dǎo)電膜的性能上具有顯著改善。

實施例2

如圖1所示的一種ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜，其包括有氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3；所述ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜膜層結(jié)構(gòu)依次為：氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3。

1)將玻璃基板4、氧化鈮靶材、硅靶以及ITO靶材分別安裝在鍍膜箱體之中，并對鍍膜箱體進(jìn)行抽真空處理；

2)將鍍膜箱體內(nèi)部在500℃的溫度環(huán)境下烘烤3h，以去除鍍膜箱體內(nèi)部雜質(zhì)氣體；

3)當(dāng)鍍膜箱體內(nèi)部真空度達(dá)到5*10^-4pa時，向鍍膜箱體內(nèi)充入純度為99.99%的氬氣與氧氣，直至鍍膜箱體內(nèi)部工作壓強(qiáng)達(dá)到0.6Pa，鍍膜箱體內(nèi)部ITO靶材所處位置氧氣占比為10%；

4)在70℃的環(huán)境溫度下開啟氧化鈮靶材、硅靶與ITO靶材電源，當(dāng)氧化鈮靶材、硅靶與ITO靶材的靶材表面分別形成等離子區(qū)，在鍍膜箱體內(nèi)進(jìn)行磁控濺射，通過氬氣轟擊靶材表面，以在玻璃基板4上依次沉積氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3，得到成型面板；

5)將完成鍍膜后的成型面板置于退火箱體內(nèi)進(jìn)行真空冷卻退火處理，退火箱體內(nèi)部安裝有冷卻板，成型面板置于置于冷卻板之上進(jìn)行退火處理，冷卻板溫度為15℃，退火時間為20min。

作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述步驟4）之中，成型面板氧化鈮膜層厚為12nm，二氧化硅膜層厚為50nm，ITO膜層厚為160nm。

本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例1相同。

實施例3

如圖1所示的一種ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜，其包括有氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3；所述ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜膜層結(jié)構(gòu)依次為：氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3。

1)將玻璃基板4、氧化鈮靶材、硅靶以及ITO靶材分別安裝在鍍膜箱體之中，并對鍍膜箱體進(jìn)行抽真空處理；

2)將鍍膜箱體內(nèi)部在400℃的溫度環(huán)境下烘烤4.5h，以去除鍍膜箱體內(nèi)部雜質(zhì)氣體；

3)當(dāng)鍍膜箱體內(nèi)部真空度達(dá)到5*10^-4pa時，向鍍膜箱體內(nèi)充入純度為99.99%的氬氣與氧氣，直至鍍膜箱體內(nèi)部工作壓強(qiáng)達(dá)到0.3Pa，鍍膜箱體內(nèi)部ITO靶材所處位置氧氣占比為8%；

4)在70℃的環(huán)境溫度下開啟氧化鈮靶材、硅靶與ITO靶材電源，當(dāng)氧化鈮靶材、硅靶與ITO靶材的靶材表面分別形成等離子區(qū)，在鍍膜箱體內(nèi)進(jìn)行磁控濺射，通過氬氣轟擊靶材表面，以在玻璃基板4上依次沉積氧化鈮膜層1、二氧化硅膜層2、ITO膜層3，得到成型面板；

5)將完成鍍膜后的成型面板置于退火箱體內(nèi)進(jìn)行真空冷卻退火處理，退火箱體內(nèi)部安裝有冷卻板，成型面板置于置于冷卻板之上進(jìn)行退火處理，冷卻板溫度為12℃，退火時間為30min。

作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述步驟4）之中，成型面板氧化鈮膜層厚為10nm，二氧化硅膜層厚為35nm，ITO膜層厚為135nm。

本實施例其余特征與優(yōu)點均與實施例1相同。

實施例4

如圖2所示的一種ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜，其包括有二氧化鈦膜層5、二氧化硅膜層2、ITO膜層3；所述ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜膜層結(jié)構(gòu)依次為：二氧化鈦膜層5、二氧化硅膜層2、ITO膜層3。

上述ON-CELL用ITO透明導(dǎo)電膜的制作工藝包括有如下工藝步驟：

1)將玻璃基板4、二氧化鈦靶材、硅靶以及ITO靶材分別安裝在鍍膜箱體之中，并對鍍膜箱體進(jìn)行抽真空處理；

2)將鍍膜箱體內(nèi)部在400℃的溫度環(huán)境下烘烤4.5h，以去除鍍膜箱體內(nèi)部雜質(zhì)氣體；

3)當(dāng)鍍膜箱體內(nèi)部真空度達(dá)到5*10^-4pa時，向鍍膜箱體內(nèi)充入純度為99.99%的氬氣與氧氣，直至鍍膜箱體內(nèi)部工作壓強(qiáng)達(dá)到0.4Pa，鍍膜箱體內(nèi)部ITO靶材所處位置氧氣占比為5～10%；

4)在70℃的環(huán)境溫度下開啟二氧化鈦靶材、硅靶與ITO靶材電源，當(dāng)二氧化鈦靶材、硅靶與ITO靶材的靶材表面分別形成等離子區(qū)，在鍍膜箱體內(nèi)進(jìn)行磁控濺射，通過氬氣轟擊靶材表面，以在玻璃基板4上依次沉積二氧化鈦膜層5、二氧化硅膜層2、ITO膜層3，得到成型面板；

5)將完成鍍膜后的成型面板置于退火箱體內(nèi)進(jìn)行真空冷卻退火處理，退火箱體內(nèi)部安裝有冷卻板，成型面板置于置于冷卻板之上進(jìn)行退火處理，冷卻板溫度為12℃，退火時間為30min。

作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述步驟4）之中，成型面板二氧化鈦膜層厚為10nm，二氧化硅膜層厚為35nm，ITO膜層厚為135nm。

本實施例其余特征均與實施例1相同。