本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備及用于處理晶圓的方法。

背景技術(shù)：

本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備。

在半導(dǎo)體制造工藝中，進(jìn)行若干過程以處理晶圓。在這些過程中，涉及光處理的應(yīng)用。通常，光處理包括閃光退火(flashannealing)、紫外線(uv)固化以及通過紅外線(ir)加熱等的應(yīng)用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括：處理室；至少一個(gè)反射器，存在于所述處理室中；以及至少一個(gè)電磁波發(fā)射器件，在所述處理室中存在于所述反射器與晶圓之間，所述電磁波發(fā)射器件配置為向所述晶圓發(fā)射電磁波光譜，其中，關(guān)于所述電磁波光譜，所述反射器具有對(duì)于al2o3的相對(duì)反射率，并且所述反射器的相對(duì)反射率在從70％至120％的范圍內(nèi)。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括：處理室；電磁波發(fā)射器件，存在于所述處理室中，所述電磁波發(fā)射器件配置為向晶圓發(fā)射電磁波光譜；以及反射器，存在于所述電磁波發(fā)射器件的與所述晶圓相對(duì)的側(cè)部處，其中，關(guān)于所述電磁波光譜，所述反射器具有對(duì)于al2o3的相對(duì)漫反射率，并且所述反射器的相對(duì)漫反射率在從90％至110％的范圍內(nèi)。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種用于處理晶圓的方法，所述方法包括：發(fā)射電磁波光譜，至少一部分所述電磁波光譜到達(dá)反射器；以及將到達(dá)所述反射器的所述一部分所述電磁波光譜的90.5％至99.9％反射至所述晶圓。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以最佳地理解本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種部件沒有被按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增加或減少。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體制造設(shè)備的示意圖。

圖2是圖1的反射器的局部放大圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一些其他實(shí)施例的半導(dǎo)體制造設(shè)備的示意圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的又一些其他實(shí)施例的半導(dǎo)體制造設(shè)備的示意圖。

具體實(shí)施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多不同實(shí)施例或?qū)嵗?，用于?shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征。以下將描述組件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實(shí)例并且不意欲限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實(shí)施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。而且，本發(fā)明在各個(gè)實(shí)例中可以重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)僅是為了簡(jiǎn)明和清楚，其自身并不表示所論述的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

本文中所使用的術(shù)語是僅用于描述特定實(shí)施例的目的，而不是為了限制本發(fā)明。如本文中所使用的，除非上下文清楚地表明，否則單數(shù)“一”，“一個(gè)”和“所述”旨在也包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，當(dāng)在本發(fā)明中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”，或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“有”時(shí)，指定闡述的部件、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件、和/或組件的存在，但不排除附加的一個(gè)或多個(gè)其他部件、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組的存在。

而且，為便于描述，本文可以使用諸如“在...下方”、“在...下面”、“下部”、“在...上面”、“上部”等的空間關(guān)系術(shù)語，以描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。空間相對(duì)術(shù)語旨在包括除了附圖中所示的方位之外，在使用中或操作中的器件的不同方位。裝置可以以其他方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空間關(guān)系描述符可以同樣地作相應(yīng)地解釋。

除非另有規(guī)定，本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有如本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同的含義。還應(yīng)該理解，除非本文清楚地限定，否則，諸如常用的字典中限定的那些的術(shù)語應(yīng)該被理解為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域和本發(fā)明的內(nèi)容中的意思一致的意思，并且不應(yīng)該以理想化和過于正式的形式來解釋。

參考圖1。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體制造設(shè)備100的示意圖。如圖1所示，半導(dǎo)體制造設(shè)備100包括處理室110、至少一個(gè)反射器120和至少一個(gè)電磁波發(fā)射器件130。反射器120存在于處理室110中。在處理室110中，電磁波發(fā)射器件130存在于反射器120與晶圓200之間。電磁波發(fā)射器件130配置為向晶圓200發(fā)射電磁波光譜(spectrumofelectromagneticwave)。反射器120具有關(guān)于電磁波光譜的反射率，并且反射器120的反射率在從約90.5％至約99.9％的范圍內(nèi)。

在實(shí)際應(yīng)用中，在半導(dǎo)體制造設(shè)備100的操作期間，電磁波發(fā)射器件130發(fā)射電磁波光譜并且至少一部分電磁波光譜傳播至晶圓200以及在一段時(shí)間中到達(dá)晶圓200。然而，在相同的時(shí)間段期間，由電磁波發(fā)射器件130發(fā)射的另一部分電磁波光譜在遠(yuǎn)離晶圓200的方向上傳播。如圖1所示，反射器120存在于電磁波發(fā)射器件130的與晶圓200相對(duì)的側(cè)部處。當(dāng)遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120將初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜反射回晶圓200。通過這種方式，將由電磁波發(fā)射器件130發(fā)射的大部分電磁波光譜引導(dǎo)至晶圓200。更具體地，由反射器120反射的電磁波光譜的百分比取決于反射器120的反射率，如以上所述，該反射率在從約90.5％至約99.9％的范圍內(nèi)。例如，如果約90％的電磁波光譜被反射器120反射，則這意味著約10％的電磁波光譜將被反射器120吸收。

與氧化鋁al2o3的材料相比，關(guān)于電磁波光譜，反射器120具有對(duì)于al2o3的相對(duì)反射率。在一些實(shí)施例中，與al2o3相比，反射器120的相對(duì)反射率在從約70％至約120％的范圍內(nèi)。由于反射器120的相對(duì)反射率可以比al2o3大約70％，所以反射器120可以將更高百分比的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜反射回晶圓200。換句話說，當(dāng)由電磁波發(fā)射器件130發(fā)射的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120將吸收初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的更低百分比的電磁波光譜。

由于反射器120將初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜反射回晶圓200，所以通過反射器120增加了由電磁波發(fā)射器件130發(fā)射的被引導(dǎo)向晶圓200的電磁波光譜的百分比。結(jié)果，對(duì)于將要被引導(dǎo)向晶圓200的相同量的電磁波光譜，需要更少的功率來使電磁波發(fā)射器件130發(fā)射電磁波光譜。因此，降低了半導(dǎo)體制造設(shè)備100的操作成本，同時(shí)增強(qiáng)了半導(dǎo)體制造設(shè)備100的效率。在實(shí)際應(yīng)用中，在一些實(shí)施例中，電磁波發(fā)射器件130至少具有內(nèi)部設(shè)置的電極。利用供應(yīng)至電磁波發(fā)射器件130的更少的功率來發(fā)射電磁波光譜，設(shè)置在電磁波發(fā)射器件130內(nèi)部的電極的退化速率相應(yīng)地減慢。因此，還相應(yīng)地增加了電磁波發(fā)射器件130的工作壽命。

此外，為了實(shí)現(xiàn)由電磁波發(fā)射器件130發(fā)射的電磁波光譜的均勻反射(evenreflection)，反射器120具有關(guān)于電磁波光譜的漫反射率(diffusereflectance)。在一些實(shí)施例中，反射器120的漫反射率在從約90.5％至約99.9％的范圍內(nèi)。

與al2o3的材料相比，關(guān)于電磁波光譜，反射器120具有對(duì)于al2o3的相對(duì)漫反射率。在一些實(shí)施例中，與al2o3相比，反射器120的相對(duì)漫反射率在從約90％至約110％的范圍內(nèi)。由于反射器120的相對(duì)漫反射率可以比al2o3大約90％，所以當(dāng)將初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜反射回晶圓200時(shí)，反射器120可以實(shí)現(xiàn)更加均勻的反射。換句話說，當(dāng)由電磁波發(fā)射器件130發(fā)射的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120將以更加均勻的方式反射初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜。

為了維持由電磁波發(fā)射器件130發(fā)射的電磁波光譜的強(qiáng)度，半導(dǎo)體制造設(shè)備100還包括傳感器140和功率控制器150。傳感器140配置為檢測(cè)到達(dá)晶圓200的電磁波光譜的強(qiáng)度。另一方面，功率控制器150電連接至電磁波發(fā)射器件130。功率控制器150配置為用于根據(jù)由傳感器140檢測(cè)的電磁波光譜的強(qiáng)度來向電磁波發(fā)射器件130供應(yīng)功率。例如，如果在使用一段時(shí)間之后設(shè)置在電磁波發(fā)射器件130內(nèi)部的電極退化并且由電磁波發(fā)射器件130發(fā)射的電磁波光譜的強(qiáng)度降低，則傳感器140將檢測(cè)到達(dá)晶圓200的電磁波光譜的降低的強(qiáng)度。因此，功率控制器150將根據(jù)由傳感器140檢測(cè)的電磁波光譜的降低的強(qiáng)度來向電磁波發(fā)射器件130供應(yīng)更多的功率，以維持由電磁波發(fā)射器件130發(fā)射的電磁波光譜的強(qiáng)度。

此外，半導(dǎo)體制造設(shè)備100還包括加熱器160。加熱器160存在于處理室110中并且配置為允許晶圓200設(shè)置在該加熱器上。換句話說，在半導(dǎo)體制造設(shè)備100的操作期間，晶圓200設(shè)置在加熱器160上。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用，加熱器160工作以增加晶圓200的溫度。

在一些實(shí)施例中，如圖1所示，電磁波發(fā)射器件130的數(shù)量為復(fù)數(shù)，并且鄰近的電磁波發(fā)射器件130之間存在間隔s。通過這種方式，當(dāng)初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120將反射初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜，并且被反射器120反射的電磁波光譜將通過間隔s并且朝向晶圓200傳播。

在一些實(shí)際應(yīng)用中，通過半導(dǎo)體制造設(shè)備100對(duì)晶圓200執(zhí)行的光處理可以為閃光退火。在閃光退火中，例如，在介于數(shù)百微秒和數(shù)毫秒之間的時(shí)間段中，在晶圓200的表面上施加光能量。通過這種方式，熱處理晶圓200的表面，并且相應(yīng)地提高晶圓200的質(zhì)量。

在一些實(shí)施例中，電磁波發(fā)射器件130包括至少一個(gè)可見光源?？梢姽庠磁渲脼榘l(fā)射可見光?？梢姽獾牟ㄩL(zhǎng)近似在約200nm和約900nm之間。在半導(dǎo)體制造設(shè)備100用于閃光退火的操作期間，例如，電磁波發(fā)射器件130的可見光源在介于數(shù)百微秒和數(shù)毫秒之間的時(shí)間段中向晶圓200發(fā)射可見光。然而，在相同的時(shí)間段期間，由電磁波發(fā)射器件130的可見光源發(fā)射的另一部分可見光在遠(yuǎn)離晶圓200的方向上傳播。當(dāng)遠(yuǎn)離晶圓200傳播的可見光到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120將初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的可見光反射回晶圓200。在一些實(shí)施例中，反射器120能夠反射的電磁波的波長(zhǎng)的范圍足夠?qū)捯园梢姽獾牟ㄩL(zhǎng)。通過這種方式，將由電磁波發(fā)射器件130的可見光源發(fā)射的大部分可見光引導(dǎo)至晶圓200。

此外，如以上所述，由于反射器120的相對(duì)反射率可以比al2o3大約70％，所以反射器120可以將更高百分比的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的可見光反射回晶圓200。換句話說，當(dāng)由電磁波發(fā)射器件130的可見光源發(fā)射的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的可見光到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120將吸收初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的更低百分比的可見光。在一些實(shí)施例中，例如，反射器120可以將約95％以上的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的可見光反射回晶圓200。這意味著，當(dāng)初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的可見光到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120吸收低于約5％的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的可見光。

在一些實(shí)際應(yīng)用中，通過半導(dǎo)體制造設(shè)備100對(duì)晶圓200執(zhí)行的光處理可以為紫外線(uv)固化。uv固化為快速固化工藝，其中，使用紫外線創(chuàng)建即時(shí)固化墨水(ink)、粘合劑和涂料的光化學(xué)反應(yīng)。uv固化由于其屬性而可適用于印刷、涂覆、裝飾(decorating)、立體光刻以及各種產(chǎn)品和材料的裝配。uv固化為低溫工藝、高速工藝和無溶劑工藝。在uv固化中，通過聚合而不是通過蒸發(fā)來進(jìn)行固化。

在一些實(shí)施例中，電磁波發(fā)射器件130包括至少一個(gè)紫外線源。紫外線源配置為發(fā)射紫外光。紫外光的波長(zhǎng)近似在約100nm和約400nm之間。在半導(dǎo)體制造設(shè)備100用于uv固化的操作期間，電磁波發(fā)射器件130的紫外線源在一段時(shí)間中向晶圓200發(fā)射紫外光。然而，在相同的時(shí)間段中，由電磁波發(fā)射器件130的紫外線源發(fā)射的另一部分紫外光在遠(yuǎn)離晶圓200的方向上傳播。當(dāng)遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紫外光到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120將初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紫外光反射回晶圓200。在一些實(shí)施例中，反射器120能夠反射的電磁波的波長(zhǎng)的范圍足夠?qū)捯园ㄗ贤夤獾牟ㄩL(zhǎng)。通過這種方式，將由電磁波發(fā)射器件130的紫外線源發(fā)射的大部分紫外線引導(dǎo)至晶圓200。

此外，如以上所述，由于反射器120的相對(duì)反射率可以比al2o3大約70％，所以反射器120可以將更高百分比的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紫外光反射回晶圓200。換句話說，當(dāng)由電磁波發(fā)射器件130的紫外線源發(fā)射的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紫外光到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120將吸收初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的更低百分比的紫外光。在一些實(shí)施例中，例如，反射器120可以將約95％以上的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紫外光反射回晶圓200。這意味著，當(dāng)初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紫外線到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120吸收低于約5％的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紫外光。

在一些實(shí)際應(yīng)用中，在光處理中使用紅外(ir)光。在一些實(shí)施例中，電磁波發(fā)射器件130包括至少一個(gè)紅外線源。紅外線源配置為發(fā)射紅外光。紅外光的波長(zhǎng)近似在約700nm和約1mm之間。在半導(dǎo)體制造設(shè)備100用于紅外光的應(yīng)用的操作期間，電磁波發(fā)射器件130的紅外線源在一段時(shí)間中向晶圓200發(fā)射紅外光。然而，在相同的時(shí)間段期間，由電磁波發(fā)射器件130的紅外線源發(fā)射的另一部分紅外光在遠(yuǎn)離晶圓200的方向上傳播。當(dāng)遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紅外光到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120將初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紅外光反射回晶圓200。在一些實(shí)施例中，反射器120能夠反射的電磁波的波長(zhǎng)的范圍足夠?qū)捯园t外光的波長(zhǎng)。通過這種方式，將由電磁波發(fā)射器件130的紅外線源發(fā)射的大部分紅外光引導(dǎo)至晶圓200。

此外，如以上所述，由于反射器120的相對(duì)反射率可以比al2o3大約70％，所以反射器120可以將更高百分比的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紅外光反射回晶圓200。換句話說，當(dāng)由電磁波發(fā)射器件130的紅外線源發(fā)射的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紅外光到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120將吸收初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的更低百分比的紅外光。在一些實(shí)施例中，例如，反射器120可以將約95％以上的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紅外光反射回晶圓200。這意味著，當(dāng)初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紅外線到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120吸收低于約5％的初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的紅外光。

在一些實(shí)施例中，反射器120由包括銀的材料制成。在實(shí)際應(yīng)用中，可以涂覆銀以作為反射器120上方的層。換句話說，反射器120具有面向電磁波發(fā)射器件130的表面，并且反射器120的所述表面包括銀。

參考圖2。圖2是圖1的反射器120的局部放大圖。如圖2所示，為了增加反射器120的反射率，反射器120包括微小尺度(microscopicscale)的多個(gè)原纖維(fibril)121。微小尺度為比肉眼可見但是足夠大以在顯微鏡下可見的那些更小的物體和事物的尺度。原纖維121配置為反射并且折射電磁波光譜，從而增加反射器120的反射率。換句話說，反射器120具有面向電磁波發(fā)射器件130的表面，并且原纖維121存在于該反射器的所述表面上。實(shí)際上來說，反射器120由包括聚四氟乙烯(ptfe)的材料制成。

具有原纖維121的反射器120可以基本具有面向電磁波發(fā)射器件130和/或晶圓200的朗伯表面(lambertiansurface)。換句話說，反射器120的面向電磁波發(fā)射器件130和/或晶圓200的表面基本為朗伯的(lambertian)。反射器120的面向電磁波發(fā)射器件130和/或晶圓200的朗伯表面的亮度基本為各項(xiàng)同性的，這意味著，不管觀察者的從約0°至約180°的視角如何，所述表面的明度基本相同。

另外，在一些實(shí)施例中，反射器120可以由諸如5052和6061的鋁合金制成，從而使得與al2o3相比，反射器120的相對(duì)反射率在從約70％至約120％的范圍內(nèi)。

參考圖3。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一些其他實(shí)施例的半導(dǎo)體制造設(shè)備300的示意圖。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體制造設(shè)備300還包括晶圓支撐件380。晶圓支撐件380配置為支撐晶圓200。同時(shí)，多個(gè)電磁波發(fā)射器件330存在于晶圓200的相對(duì)側(cè)部處。如圖3所示，半導(dǎo)體制造設(shè)備300包括處理室310。電磁波發(fā)射器件330設(shè)置在處理室310中。晶圓200位于電磁波發(fā)射器件330之間。

在實(shí)際應(yīng)用中，晶圓支撐件380對(duì)于電磁波光譜來說是透明的。換句話說，當(dāng)位于晶圓支撐件380的遠(yuǎn)離晶圓200的側(cè)部處的電磁波發(fā)射器件330朝向晶圓200發(fā)射電磁波光譜時(shí)，電磁波光譜將穿透晶圓支撐件380并且到達(dá)晶圓200。

另外，如圖3所示，多個(gè)反射器320存在于晶圓200的相對(duì)側(cè)部處。此外，電磁波發(fā)射器件330位于反射器320之間。

在一些實(shí)施例中，在半導(dǎo)體制造設(shè)備300的光處理工藝期間，存在于晶圓200的相對(duì)側(cè)部處的電磁波發(fā)射器件330發(fā)射電磁波光譜并且在一段時(shí)間中至少一部分電磁波光譜傳播至晶圓200的相對(duì)側(cè)部。然而，在相同的時(shí)間段中，由電磁波發(fā)射器件330發(fā)射的另一部分電磁波光譜在遠(yuǎn)離晶圓200的方向上傳播。當(dāng)遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜到達(dá)反射器320時(shí)，反射器320將初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜反射回晶圓200。通過這種方式，將由存在于晶圓200的相對(duì)側(cè)部處的電磁波發(fā)射器件330發(fā)射的大部分電磁波光譜引導(dǎo)至晶圓200的相對(duì)側(cè)部。

類似地，為了維持由電磁波發(fā)射器件330發(fā)射的電磁波光譜的強(qiáng)度，半導(dǎo)體制造設(shè)備300還包括傳感器340和功率控制器350。例如，如果在使用一段時(shí)間之后設(shè)置在電磁波發(fā)射器件330中的每一個(gè)的內(nèi)部的電極退化并且由電磁波發(fā)射器件330發(fā)射的電磁波光譜的強(qiáng)度降低，則傳感器340將檢測(cè)到達(dá)晶圓200的電磁波光譜的降低的強(qiáng)度。因此，功率控制器350將根據(jù)由傳感器340檢測(cè)的電磁波光譜的降低的強(qiáng)度來向電磁波發(fā)射器件330供應(yīng)更多的功率，以維持由電磁波發(fā)射器件330發(fā)射的電磁波光譜的強(qiáng)度。

參考圖4。圖4是根據(jù)本發(fā)明的又一些其他實(shí)施例的半導(dǎo)體制造設(shè)備500的示意圖。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體制造設(shè)備500包括晶圓支撐件580。晶圓支撐件580配置為支撐晶圓200。如圖4所示，晶圓支撐件580支撐多個(gè)晶圓200，從而使得在處理室510中，晶圓200堆疊為列。此外，電磁波發(fā)射器件530圍繞晶圓支撐件580，并且因此圍繞晶圓200的列。在實(shí)際應(yīng)用中，電磁波發(fā)射器件530垂直設(shè)置在處理室510中，并且晶圓支撐件580以及因此晶圓200的列位于電磁波發(fā)射器件530之間。

另外，如圖4所示，晶圓支撐件580被反射器520圍繞。此外，電磁波發(fā)射器件530位于反射器520之間。

參考以上所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備100，本發(fā)明的實(shí)施例還提供了用于處理晶圓200的方法。方法包括以下步驟(應(yīng)該理解，除非明確說明，可以根據(jù)實(shí)際情況來調(diào)整以下所述的所有步驟和子步驟的順序，或者甚至在同時(shí)執(zhí)行或同時(shí)部分地執(zhí)行以下所述的步驟和子步驟)：

(1)發(fā)射電磁波光譜，至少一部分電磁波光譜到達(dá)反射器120。

(2)將到達(dá)反射器120的所述一部分電磁波光譜的約90.5％至約99.9％反射至晶圓200。

更具體地，在通過半導(dǎo)體制造設(shè)備100對(duì)晶圓200執(zhí)行光處理的工藝期間，電磁波發(fā)射器件130發(fā)射電磁波光譜并且至少一部分電磁波光譜傳播至晶圓200以及在一段時(shí)間中到達(dá)晶圓200。然而，在相同的時(shí)間段中，由電磁波發(fā)射器件130發(fā)射的另一部分電磁波光譜在遠(yuǎn)離晶圓200的方向上傳播。當(dāng)遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜到達(dá)反射器120時(shí)，反射器120將初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜的約90.5％至約99.9％反射回晶圓200。通過這種方式，將由電磁波發(fā)射器件130發(fā)射的大部分電磁波光譜引導(dǎo)至晶圓200。

為了增加反射器120的反射率，在一些實(shí)施例中，反射器120具有面向晶圓200的表面。反射器120的所述表面包括銀。在實(shí)際應(yīng)用中，可以涂覆銀以作為反射器120上方的層。

另一方面，在一些實(shí)施例中，為了增加反射器120的反射率，反射器120在結(jié)構(gòu)上包括位于所述表面上的微小尺度的多個(gè)原纖維121。原纖維121配置為反射并且折射電磁波光譜，從而增加反射器120的反射率。換句話說，在微小尺度上，原纖維121存在于反射器120的面向電磁波發(fā)射器件130的表面上。

在一些實(shí)施例中，具有原纖維121的反射器120可以基本具有面向電磁波發(fā)射器件130和/或晶圓200的朗伯表面。換句話說，反射器120的面向電磁波發(fā)射器件130和/或晶圓200的表面基本為朗伯的。反射器120的面向電磁波發(fā)射器件130和/或晶圓200的朗伯表面的亮度基本為各項(xiàng)同性的，這意味著，不管觀察者的從約0°至約180°的視角如何，所述表面的明度基本相同。

根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，由于反射器120以在從約90.5％至約99.9％的范圍內(nèi)的反射率將初始遠(yuǎn)離晶圓200傳播的電磁波光譜反射回晶圓200，所以通過反射器120增加了由電磁波發(fā)射器件130發(fā)射的被引導(dǎo)至晶圓200的電磁波光譜的百分比。結(jié)果，對(duì)于將要被引導(dǎo)至晶圓200的相同量的電磁波光譜，需要更少的功率來使電磁波發(fā)射器件130發(fā)射電磁波光譜。因此，降低了半導(dǎo)體制造設(shè)備100的操作成本，同時(shí)增強(qiáng)了半導(dǎo)體制造設(shè)備100的效率。

根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體制造設(shè)備包括處理室、至少一個(gè)反射器和至少一個(gè)電磁波發(fā)射器件。反射器存在于處理室中。在處理室中，電磁波發(fā)射器件存在于反射器與晶圓之間。電磁波發(fā)射器件配置為向晶圓發(fā)射電磁波光譜。關(guān)于電磁波光譜，反射器具有對(duì)于al2o3的相對(duì)反射率，并且反射器的相對(duì)反射率在從約70％至約120％的范圍內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體制造設(shè)備包括處理室、電磁波發(fā)射器件和反射器。電磁波發(fā)射器件存在于處理室中。電磁波發(fā)射器件配置為向晶圓發(fā)射電磁波光譜。反射器存在于電磁波發(fā)射器件的與晶圓相對(duì)的側(cè)部處，其中，關(guān)于電磁波光譜，反射器具有對(duì)于al2o3的相對(duì)漫反射率，并且反射器的相對(duì)漫反射率在從約90％至約110％的范圍內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，用于處理晶圓的方法包括發(fā)射電磁波光譜、至少一部分電磁波光譜到達(dá)反射器、以及將到達(dá)反射器的所述一部分電磁波光譜的約90.5％至約99.9％反射至晶圓。

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括：處理室；至少一個(gè)反射器，存在于所述處理室中；以及至少一個(gè)電磁波發(fā)射器件，在所述處理室中存在于所述反射器與晶圓之間，所述電磁波發(fā)射器件配置為向所述晶圓發(fā)射電磁波光譜，其中，關(guān)于所述電磁波光譜，所述反射器具有對(duì)于al2o3的相對(duì)反射率，并且所述反射器的相對(duì)反射率在從70％至120％的范圍內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，關(guān)于所述電磁波光譜，所述反射器具有對(duì)于al2o3的相對(duì)漫反射率，并且所述反射器的相對(duì)漫反射率在從90％至110％的范圍內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述反射器具有面向所述電磁波發(fā)射器件的朗伯表面。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述反射器由包括銀的材料制成。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述反射器包括：多個(gè)原纖維，所述原纖維配置為反射并且折射所述電磁波光譜。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述電磁波發(fā)射器件包括至少一個(gè)可見光源。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述電磁波發(fā)射器件包括至少一個(gè)紅外線源。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述電磁波發(fā)射器件包括至少一個(gè)紫外線源。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體制造設(shè)備還包括：加熱器，存在于所述處理室中并且配置為允許所述晶圓設(shè)置在所述加熱器上。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體制造設(shè)備還包括：晶圓支撐件，配置為支撐所述晶圓，其中，多個(gè)所述電磁波發(fā)射器件存在于所述晶圓的相對(duì)側(cè)部處，并且所述晶圓支撐件對(duì)于所述電磁波光譜來說是透明的。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體制造設(shè)備還包括：晶圓支撐件，配置為支撐所述晶圓，其中，多個(gè)所述反射器存在于所述晶圓的相對(duì)側(cè)部處。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體制造設(shè)備還包括：晶圓支撐件，配置為支撐所述晶圓，其中，所述晶圓支撐件被所述電磁波發(fā)射器件圍繞。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體制造設(shè)備還包括：晶圓支撐件，配置為支撐所述晶圓，其中，所述晶圓支撐件被所述反射器圍繞。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括：處理室；電磁波發(fā)射器件，存在于所述處理室中，所述電磁波發(fā)射器件配置為向晶圓發(fā)射電磁波光譜；以及反射器，存在于所述電磁波發(fā)射器件的與所述晶圓相對(duì)的側(cè)部處，其中，關(guān)于所述電磁波光譜，所述反射器具有對(duì)于al2o3的相對(duì)漫反射率，并且所述反射器的相對(duì)漫反射率在從90％至110％的范圍內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述反射器具有面向所述電磁波發(fā)射器件的朗伯表面。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述反射器具有面向所述電磁波發(fā)射器件的表面，并且所述反射器包括存在于所述反射器的所述表面上的多個(gè)原纖維。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種用于處理晶圓的方法，所述方法包括：發(fā)射電磁波光譜，至少一部分所述電磁波光譜到達(dá)反射器；以及將到達(dá)所述反射器的所述一部分所述電磁波光譜的90.5％至99.9％反射至所述晶圓。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述反射器具有面向所述晶圓的表面，并且所述反射器的所述表面包括銀。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述反射器具有面向所述晶圓的表面，并且所述反射器包括存在于所述反射器的所述表面上的多個(gè)原纖維。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述反射器具有面向所述晶圓的朗伯表面。

以上論述了若干實(shí)施例的部件，使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或更改其他的處理和結(jié)構(gòu)以用于達(dá)到與本發(fā)明所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這些等效結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變。