本發(fā)明屬于微波爐磁控管結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種磁控管屏蔽組件。

背景技術(shù)：

磁控管是產(chǎn)生微波的真空電子管，由于磁控管本身的工作特性，在正常工作時，磁控管濾波組件上接有負(fù)高壓，為防止濾波組件與屏蔽組件之間產(chǎn)生打火，在設(shè)計時需要保證濾波組件與屏蔽組件之間的相對距離。隨著磁控管的不斷升級以及家用微波爐精細(xì)化需求，磁控管的尺寸也漸漸朝小型化方向發(fā)展，因此對屏蔽組件的尺寸優(yōu)化也顯得格外重要。

圖7是現(xiàn)有技術(shù)中磁控管屏蔽組件的剖面圖，現(xiàn)有的磁控管屏蔽組件由屏蔽盒體2’以及屏蔽盒蓋1’組成，濾波組件由穿芯電容3’與扼流線圈4’組成。其中，穿芯電容3’鉚接在屏蔽盒體2’上，穿芯電容3’的兩個輸出端分別與各自的扼流線圈4’焊接在一起，扼流線圈4’的另一端則焊接在端引片5’上，通過端引片5’將電流傳輸?shù)酱趴毓芷渌糠?，焊接完成后，通過鉚接機(jī)將屏蔽盒蓋1’鉚接到屏蔽盒上。

如圖7所示，目前磁控管扼流線圈4’與屏蔽盒底部的距離L2以及扼流線圈4’與屏蔽盒蓋的距離L1都要確保一個最小距離，避免發(fā)生電氣打火現(xiàn)象。因此現(xiàn)在有磁控管的屏蔽盒占據(jù)磁控管總體高度較大比例，造成目前磁控管高度很難減小，以致微波爐腔體的利用率相應(yīng)降低，造成不必要的空間浪費(fèi)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

(一)要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明目要解決的技術(shù)問題是：現(xiàn)有磁控管的屏蔽盒占據(jù)磁控管總體高度較大比例，微波爐腔體的利用率相應(yīng)降低。

(二)技術(shù)方案

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種磁控管屏蔽組件，包括屏蔽盒體、屏蔽盒蓋和濾波組件，所述濾波組件包括穿芯電容和扼流線圈；所述扼流線圈設(shè)置于所述屏蔽盒體內(nèi)的凸臺上；所述穿芯電容穿過所述屏蔽盒體的側(cè)壁與所述扼流線圈連接，且所述穿芯電容至少部分位于所述屏蔽盒體外面；其中，所述扼流線圈上方和/或下方設(shè)置有覆蓋所述扼流線圈上表面和/或下表面的絕緣襯墊。

其中，當(dāng)所述絕緣襯墊設(shè)置在所述扼流線圈的上方時，所述絕緣襯墊為帽子狀或板凳狀。

其中，所述屏蔽盒蓋為扁平形狀且其內(nèi)壁緊貼所述絕緣襯墊并與所述屏蔽盒體扣合。

其中，所述絕緣襯墊與所述屏蔽盒體的側(cè)壁或盒底連接。

其中，當(dāng)所述絕緣襯墊設(shè)置在所述扼流線圈的下方時，所述絕緣襯墊為凹槽結(jié)構(gòu)，且中間設(shè)有通過所述凸臺的孔。

其中，當(dāng)所述絕緣襯墊設(shè)置在所述扼流線圈的下方時所述凸臺的高度小于當(dāng)所述絕緣襯墊設(shè)置在所述扼流線圈的上方時所述凸臺的高度。

其中，所述絕緣襯墊與所述屏蔽盒體的側(cè)壁或盒底連接。

其中，所述扼流線圈的一端與所述穿芯電容的輸出端連接，另一端與所述凸臺上的端引片連接。

其中，所述絕緣襯墊為耐高溫塑膠材料或陶瓷材料。

本發(fā)明還提供了一種磁控管，包括上述的磁控管屏蔽組件。

(三)有益效果

本發(fā)明所提供的磁控管屏蔽組件，在屏蔽盒內(nèi)增設(shè)一個絕緣襯墊，其結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉，并且有效避免了扼流線圈上端與屏蔽盒蓋打火以及扼流線圈下端與屏蔽盒底打火情況的發(fā)生。同時，由于絕緣襯墊的存在，在結(jié)構(gòu)上可以大大降低屏蔽盒體以及屏蔽盒蓋的高度，為小型化的實現(xiàn)提供技術(shù)保障，提升了產(chǎn)品的競爭力。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明磁控管屏蔽組件第一實施例結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明磁控管屏蔽組件第一實施例絕緣襯墊安裝示意圖；

圖3是本發(fā)明磁控管屏蔽組件第二實施例結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明磁控管屏蔽組件第二實施例絕緣襯墊安裝圖；

圖5是本發(fā)明磁控管屏蔽組件第三實施例結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明磁控管屏蔽組件第三實施例絕緣襯墊結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是現(xiàn)有技術(shù)中磁控管屏蔽組件的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：1.屏蔽盒蓋；2.屏蔽盒體；3.穿芯電容；4.扼流線圈；5.絕緣襯墊；6.凸臺；7.端引片；8.螺釘；9.固定支腿；1’.屏蔽盒蓋；2’.屏蔽盒體；3’.穿芯電容；4’.扼流線圈；5’.端引片

具體實施方式

下面結(jié)合說明書附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實施例僅用于說明本發(fā)明，但不能用來限制本發(fā)明的范圍。

實施例一

如圖1所示，本發(fā)明實施例一提供的磁控管屏蔽組件，絕緣襯墊5置于扼流線圈4的正上方，磁控管在正常工作時扼流線圈溫度為150-160℃，絕緣襯墊可采用高溫塑膠材質(zhì)，使得扼流線圈4上端與屏蔽盒蓋1完全隔離，避免上端打火的產(chǎn)生。

由于絕緣襯墊5的存在，避免了打火的發(fā)生，屏蔽盒蓋1可以作壓平處理，圖1中的屏蔽盒蓋1相較于現(xiàn)有結(jié)構(gòu)要矮得多，而扼流線圈4與屏蔽盒底部的距離與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相同，所以扼流線圈4下端也不會產(chǎn)生打火。但是屏蔽盒整體降低了高度，這樣所得的扼流線圈4上端距離屏蔽盒蓋1內(nèi)側(cè)距離要遠(yuǎn)小于現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，使磁控管整體高度大大減小。

如圖2所示，當(dāng)穿芯電容3以及扼流線圈4裝配完成后，將絕緣襯墊5從扼流線圈4正上方下沉至屏蔽盒內(nèi)，絕緣襯墊5上的缺口剛好跨在穿芯電容3上，兩個小孔此時剛好與屏蔽盒側(cè)面四個鉚接孔靠下排的兩個對齊，最后通過螺釘8將絕緣襯墊5與屏蔽盒固定，擰緊即可。

在實施例一中，絕緣襯墊5為帽子狀，蓋在扼流線圈4的正上方。當(dāng)然絕緣襯墊5的材質(zhì)也可用陶瓷，同樣能達(dá)到絕緣的目的，但是陶瓷較塑膠加工困難，而且裝配也困難，安裝在屏蔽盒的時候，必須通過螺栓與螺母配合才能連接。

實施例二

如圖3所示，本發(fā)明實施例二提供的磁控管屏蔽組件，其大部分結(jié)構(gòu)與實施例一相同，僅將絕緣襯墊5的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn)，即將絕緣襯墊5用螺釘8固定在屏蔽盒的底部。

如圖4所示，絕緣襯墊5為帽子狀，當(dāng)穿芯電容3以及扼流線圈4裝配完成后，將絕緣襯墊5從扼流線圈4正上方下沉至屏蔽盒內(nèi)，絕緣襯墊5上的缺口剛好跨在穿芯電容3上，固定支腿9上的小孔剛好與屏蔽盒底部四個鉚接孔中的兩個對齊，最后通過螺釘8將絕緣襯墊5與屏蔽盒固定，擰緊即可。該實施例二的絕緣襯墊5采用塑膠和陶瓷材質(zhì)皆容易裝配。

實施例三

如圖5-6所示，本發(fā)明實施例三提供的磁控管屏蔽組件，其與實施例一和實施例二中的絕緣襯墊5安裝位置不同，扼流線圈4上端距屏蔽盒蓋1內(nèi)側(cè)的尺寸與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中的尺寸一樣，所以扼流線圈上端不會產(chǎn)生打火。但本實施例將絕緣襯墊5置于扼流線圈4的下方，避免絕緣襯墊4下方與屏蔽盒底部產(chǎn)生打火。所述絕緣襯墊5為凹槽結(jié)構(gòu)，且中間設(shè)有通過所述凸臺6的孔。因為絕緣襯墊的存在，可以通過降低屏蔽盒體2的高度、穿芯電容3的安裝高度和凸臺6的高度來實現(xiàn)整個屏蔽組件的高度降低。更改之后，扼流線圈4與屏蔽盒底部的尺寸要遠(yuǎn)小于現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中的尺寸，使磁控管整體高度大大減小。進(jìn)而絕緣襯墊5由螺釘8固定在屏蔽盒61的底部，擰緊完成。

本實施例的安裝方式與實施例一和二也不相同，在本實施例中，需要先安裝絕緣襯墊5，再鉚接好穿芯電容3，之后的步驟與前兩種實施例一和二相同。本實施例中的絕緣襯墊5同樣可采用陶瓷與高溫塑膠材質(zhì)，安裝方便可靠。

實施例四

在上述三種實施例基礎(chǔ)上，本發(fā)明還提出實施例四，實施例四中的磁控管屏蔽組件在扼流線圈4的上方和下方同時設(shè)置絕緣襯墊5，其能夠同時減小屏蔽盒蓋1和屏蔽盒體2的高度。進(jìn)一步的，所述絕緣襯墊5的安裝方式可以選擇使用實施例一和實施例三的安裝方式的組合，也可以選取實施例二和實施例三的安裝方式的組合。進(jìn)而使得扼流線圈4上端距離屏蔽盒蓋1內(nèi)側(cè)距離以及扼流線圈4與屏蔽盒底部的距離都要遠(yuǎn)小于現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，很大程度的降低了磁控管整體高度。

在上述實施例的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還提供了一種微波爐，包括上述任一實施例的磁控管屏蔽組件。

本發(fā)明的磁控管屏蔽組件，在屏蔽盒內(nèi)增設(shè)一個或兩個絕緣襯墊，其結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉，并且有效避免了扼流線圈上端與屏蔽盒蓋打火以及扼流線圈下端與屏蔽盒底打火情況的發(fā)生。同時，由于絕緣襯墊的存在，在結(jié)構(gòu)上可以大大降低屏蔽盒體以及屏蔽盒蓋的高度，為小型化的實現(xiàn)提供技術(shù)保障，提升了產(chǎn)品的競爭力。

以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限制。盡管參照實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行各種組合、修改或者等同替換，都不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。