技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種GaAs基固態(tài)等離子體PiN二極管及其制備方法，該方法包括：選取某一晶向的GeOI襯底，在GeOI襯底上淀積GaAs層并設(shè)置隔離區(qū)；刻蝕GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽，P型溝槽和N型溝槽的深度小于襯底的頂層GaAs的厚度；在P型溝槽和N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū)；填充P型溝槽和N型溝槽，并采用離子注入在襯底的頂層GaAs內(nèi)形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)；在襯底上形成引線，以完成GaAs基固態(tài)等離子體PiN二極管的制備。本發(fā)明實(shí)施例利用深槽隔離技術(shù)及離子注入工藝能夠制備并提供適用于形成固態(tài)等離子天線的高性能GaAs基固態(tài)等離子體PiN二極管。

技術(shù)研發(fā)人員：胡輝勇;康海燕;劉洋;張鶴鳴;宋建軍;舒斌;宣榮喜;蘇漢;王禹
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
文檔號碼：201611188522
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.20
技術(shù)公布日：2017.05.10