1.一種基于具備臺狀有源區(qū)SPiN二極管可重構(gòu)全息天線的制備方法，其特征在于，所述全息天線包括SOI襯底(1)、第一天線臂(2)、第二天線臂(3)、同軸饋線(4)及全息圓環(huán)(14)；其中，所述制備方法包括：
在所述SOI襯底(1)上制作多個基于臺狀有源區(qū)的SPiN二極管；
將多個所述基于臺狀有源區(qū)的SPiN二極管依次互連PAD以形成多個SPiN二極管串；
由多個等長的SPiN二極管串形成所述第一天線臂(2)和第二天線臂(3)；
制作所述同軸饋線(4)以連接所述第一天線臂(2)及所述第二天線臂(3)以形成所述全息天線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述SOI材料(1)上制作多個基于臺狀有源區(qū)的SPiN二極管，包括：
(a)選取SOI襯底；刻蝕SOI襯底形成臺狀有源區(qū)；
(b)利用氧化工藝，對所述臺狀有源區(qū)的側(cè)壁進(jìn)行氧化以在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁形成氧化層；
(c)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述氧化層以完成對所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁的平整化處理；
(d)對所述臺狀有源區(qū)四周利用原位摻雜工藝分別淀積P型Si材料和N型Si材料形成P區(qū)和N區(qū)；
(e)利用CVD工藝，在所述臺狀有源區(qū)四周淀積所述多晶Si材料；在整個襯底表面淀積第四保護(hù)層；
(f)利用退火工藝激活所述P區(qū)和所述N區(qū)中的雜質(zhì)；
(g)在所述多晶Si材料表面制作引線并光刻PAD以形成所述SPiN二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(a)包括：
(a1)利用CVD工藝，在所述SOI襯底表面形成第一保護(hù)層；
(a2)采用第一掩膜版，利用光刻工藝在所述第一保護(hù)層上形成有源區(qū)圖形；
(a3)利用干法刻蝕工藝，對所述有源區(qū)圖形的指定位置四周刻蝕所述第一保護(hù)層及所述SOI襯底的頂層Si層從而形成有所述臺狀有源區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(d)包括：
(d1)在整個襯底表面淀積第二保護(hù)層；
(d2)采用第二掩膜板，利用光刻工藝在所述第二保護(hù)層表面形成P區(qū)圖形；
(d3)利用濕法刻蝕工藝去除P區(qū)圖形上的所述第二保護(hù)層；
(d4)利用原位摻雜工藝，在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁淀積P型Si材料形成所述P區(qū)；
(d5)在整個襯底表面淀積第三保護(hù)層；
(d6)采用第三掩膜板，利用光刻工藝在所述第三保護(hù)層表面形成N區(qū)圖形；
(d7)利用濕法刻蝕工藝去除N區(qū)圖形上的所述第三保護(hù)層；
(d8)利用原位摻雜工藝，在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁淀積N型Si材料形成所述N區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟(d4)包括：
(d41)利用原位摻雜工藝，在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁淀積P型Si材料；
(d42)采用第四掩膜版，利用干法刻蝕工藝刻蝕所述P型Si材料以在所述臺狀有源區(qū)的側(cè)壁形成所述P區(qū)；
(d43)利用選擇性刻蝕工藝去除整個襯底表面的所述第二保護(hù)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟(d8)包括：
(d81)利用原位摻雜工藝，在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁淀積N型Si材料；
(d82)采用第五掩膜版，利用干法刻蝕工藝刻蝕所述N型Si材料以在所述臺狀有源區(qū)的另一側(cè)壁形成所述N區(qū)；
(d83)利用選擇性刻蝕工藝去除整個襯底表面的所述第三保護(hù)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(g)包括：
(g1)采用第六掩膜版，利用光刻工藝在所述第四保護(hù)層表面形成引線孔圖形；
(g2)利用各向異性刻蝕工藝刻蝕所述第四保護(hù)層漏出部分所述多晶Si材料以形成所述引線孔；
(g3)對所述引線孔濺射金屬材料以形成金屬硅化物；
(g4)鈍化處理并光刻PAD以形成所述SPiN二極管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述全息圓環(huán)(14)為由八段等長的SPiN二極管串排列形成正八邊形結(jié)構(gòu)，其中，所述正八邊形的邊長與所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)長度之和相同；所述正八邊形的外接圓的半徑為所述天線接收或發(fā)送的電磁波波長的四分之三。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括制作于所述Si基SOI半導(dǎo)體基片(1)的直流偏置線(5、6、7、8、9、10、11、12)；所述直流偏置線(5、6、7、8、9、10、11、12)間隔性的電連接至所述SPiN二極管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6)兩端。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)的導(dǎo)通長度根據(jù)預(yù)接收或發(fā)送的電磁波波長所確定。