技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
第一等離子納米結(jié)構(gòu)傳感器像素包括半導(dǎo)體基板和多個(gè)金屬柱。半導(dǎo)體基板具有上表面和上表面下方的光電二極管區(qū)域。多個(gè)金屬柱至少部分地嵌入在基板中并從上表面在與上表面基板垂直的方向中延伸。第二等離子納米結(jié)構(gòu)傳感器像素包括(a)具有上表面的半導(dǎo)體基板，(b)在上表面上的氧化物層，(c)在上表面和氧化物層之間的薄膜涂層，以及(d)多個(gè)金屬納米顆粒，多個(gè)金屬納米顆粒(i)至少部分地在上表面和氧化物層之間并且(ii)至少部分地嵌入在薄膜涂層和氧化物層的至少一個(gè)中。第三等離子納米結(jié)構(gòu)傳感器像素包括第一和第二等離子納米結(jié)構(gòu)傳感器像素的特征。

技術(shù)研發(fā)人員：張博洋;彭進(jìn)寶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：豪威科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.15
技術(shù)公布日：2017.07.18