1.一種肖特基二極管T型陽(yáng)極接觸空氣橋電極制作方法，其特征是包括以下步驟：
1）在輕摻雜半導(dǎo)體外延材料即第一層光刻圖形上旋涂第一層光刻膠，并光刻出A直徑的第一層圓形陽(yáng)極接觸孔；
2）在第一層光刻圖形上旋涂第二層光刻膠，并光刻出B直徑的第二層陽(yáng)極接觸孔，使其圓心與第一層光刻的陽(yáng)極接觸孔圓心重合；B直徑大于A直徑；
3）蒸發(fā)陽(yáng)極肖特基接觸金屬，并用有機(jī)溶劑丙酮將兩層光刻膠去除，同時(shí)剝離出T型陽(yáng)極接觸金屬；
4）旋涂光刻膠并光刻，使陽(yáng)極接觸孔以及陽(yáng)極電極板圖形無(wú)光刻膠，而空氣橋下方有光刻膠作為支撐；
5）在第一層光刻圖形上旋涂第二層光刻膠并光刻，形成空氣橋以及陽(yáng)極電極板上層膠圖形；
6）蒸發(fā)空氣橋及陽(yáng)極電極板金屬，并用有機(jī)溶劑丙酮將兩層光刻膠去除，同時(shí)剝離出陽(yáng)極電極板以及連接電極板與陽(yáng)極接觸金屬的空氣橋結(jié)構(gòu)，完成肖特基二極管T型陽(yáng)極接觸空氣橋電極制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管T型陽(yáng)極接觸空氣橋電極制作方法，其特征是輕摻雜半導(dǎo)體材料是InP、GaAs或GaN，其摻雜濃度為1×1016cm-3到1×1018cm-3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管T型陽(yáng)極接觸空氣橋電極制作方法，其特征是所述的蒸發(fā)肖特基陽(yáng)極接觸金屬，如TiPtAu，金屬總厚度大于第一層光刻膠厚度并小于兩層光刻膠總厚度，完成蒸發(fā)后用有機(jī)溶劑丙酮溶液浸泡，使第一、第二兩層光刻膠溶解，并使附著在第一層光刻膠上的金屬剝離，留下T型陽(yáng)極接觸金屬附著在輕摻雜半導(dǎo)體外延材料上，同時(shí)剝離出T型陽(yáng)極電極板及跨接電極板與陽(yáng)極接觸金屬的空氣橋結(jié)構(gòu)，完成肖特基二極管T型陽(yáng)極接觸空氣橋電極制作。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管T型陽(yáng)極接觸空氣橋電極制作方法，其特征是光刻膠旋涂厚度為0.2微米到6微米，光刻出陽(yáng)極接觸孔，使其圓心與陽(yáng)極接觸金屬圓心重合，直徑小于陽(yáng)極接觸金屬上層圓盤直徑，同時(shí)光刻出陽(yáng)極電極板圖形，距離陽(yáng)極接觸金屬1微米到50微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種肖特基二極管T型陽(yáng)極接觸空氣橋電極制作方法，其特征是所述第一層光刻圖形上旋涂厚度為0.1微米到10微米的第一層光刻膠，光刻出的A直徑為0.1微米到10微米的第一層圓形陽(yáng)極接觸孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種肖特基二極管T型陽(yáng)極接觸空氣橋電極制作方法，其特征是所述的第一層光刻圖形上旋涂厚度為0.2微米到15微米的第二層光刻膠，并光刻出的B直徑0.2微米到15微米的第二層圓形陽(yáng)極接觸孔，圓心與第一層圓形陽(yáng)極接觸孔重合。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種肖特基二極管T型陽(yáng)極接觸空氣橋電極制作方法，其特征是所述的上層陽(yáng)極電極板圖形重合的下層陽(yáng)極電極板圖形、以及連接陽(yáng)極電極板與陽(yáng)極接觸孔的連接區(qū)，寬度在0.1微米到10微米之間。