相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2015年12月17日提交的韓國專利申請no.10-2015-0181241的權(quán)益，通過引用將該專利申請結(jié)合在此，如同在這里完全闡述一樣。

本發(fā)明的實施方式涉及一種有機發(fā)光顯示裝置，尤其涉及一種頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

作為自發(fā)光顯示裝置的有機發(fā)光顯示(oled)裝置具有低功耗、快速響應(yīng)速度、高發(fā)光效率、高亮度和寬視角的優(yōu)點。

根據(jù)從有機發(fā)光裝置發(fā)射的光的方向，oled裝置可大體上分為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。在底部發(fā)光型的情形中，在發(fā)光層與圖像顯示表面之間設(shè)置有電路裝置，由此由于電路裝置，可降低開口率。同時，在頂部發(fā)光型的情形中，在發(fā)光層與圖像顯示表面之間沒有設(shè)置電路裝置，由此可提高開口率。

圖1是相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光型oled裝置的剖面圖。

如圖1中所示，包括有源層11、柵極絕緣膜12、柵極電極13、層間絕緣層14、源極電極15和漏極電極16的薄膜晶體管層t設(shè)置在基板10上，然后鈍化層20和平坦化層30按順序設(shè)置在薄膜晶體管層t上。

此外，陽極電極40和輔助電極50設(shè)置在平坦化層30上。設(shè)置輔助電極50是用來減小陰極電極90的電阻。在頂部發(fā)光型的情形中，從有機發(fā)光層80發(fā)射的光經(jīng)過陰極電極90。由于此原因，陰極電極90由透明導(dǎo)電材料形成，這導(dǎo)致其中的電阻增加。為了減小陰極電極90的電阻，陰極電極90與輔助電極50連接。

在陽極電極40和輔助電極50上設(shè)置堤部60，以限定像素區(qū)域。此外，有機發(fā)光層80設(shè)置在由堤部60限定的像素區(qū)域中。

如果輔助電極50被有機發(fā)光層80覆蓋，則陰極電極90與輔助電極50之間的電連接變得困難。因而，為了防止輔助電極50被有機發(fā)光層80覆蓋，在輔助電極50上設(shè)置分隔部70。分隔部70與堤部60分隔開，由此輔助電極50和陰極電極90經(jīng)由分隔部70與堤部60之間的空間彼此連接。

分隔部70可包括第一分隔部71和第二分隔部72，其中分隔部70形成為屋檐(eaves)結(jié)構(gòu)。因而，隨著對于工藝特性來說具有出色筆直度的有機發(fā)光層80被分隔部70阻擋，可防止有機發(fā)光層80滲透到分隔部70與堤部60之間的空間中。同時，對于工藝特性來說具有較差筆直度的陰極電極90滲透到分隔部70與堤部60之間的空間中，然后與輔助電極50連接。

在相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光型oled裝置的情形中，為了陰極電極90與輔助電極50之間的電連接要額外設(shè)置分隔部70。因此，需要額外執(zhí)行用于形成分隔部70的掩模工藝，由此導(dǎo)致產(chǎn)率的降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的實施方式旨在提供一種基本上克服了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的一個或多個問題的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

本發(fā)明實施方式的一個方面旨在提供一種無需形成額外的分隔部就能夠?qū)崿F(xiàn)陰極電極與輔助電極之間的電連接的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

在下面的描述中將部分列出本發(fā)明實施方式的附加優(yōu)點和特征，這些優(yōu)點和特征的一部分根據(jù)對下文的研究對于所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得顯而易見或者可通過本發(fā)明實施方式的實施領(lǐng)會到。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明實施方式的這些目的和其他優(yōu)點。

為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點，并根據(jù)本發(fā)明實施方式的意圖，如在此具體化和概括地描述的，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，可包括：基板；位于所述基板上的陽極電極和陰極電極；設(shè)置在所述陽極電極和所述陰極電極之間的有機發(fā)光層；與所述陰極電極連接的輔助電極；位于所述輔助電極的上表面上的第一堤部；和位于所述輔助電極與所述陽極電極之間的第二堤部，其中所述第二堤部由與所述第一堤部相同的材料形成，并且所述第一堤部和所述第二堤部彼此分隔開，其中所述第一堤部的上表面的寬度大于所述第一堤部的下表面的寬度，并且所述陰極電極經(jīng)由所述第一堤部與所述第二堤部之間的間隙空間與所述輔助電極連接。

在本發(fā)明實施方式的另一個方面中，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，可包括：設(shè)置在第一像素電極上的有機發(fā)光層；設(shè)置在所述有機發(fā)光層上的第二像素電極；與所述第二像素電極連接的輔助電極；設(shè)置在所述輔助電極上的第一堤部；包括第一部分和第二部分的第二堤部，其中所述第二堤部的第一部分和第二部分設(shè)置在所述第一堤部的兩側(cè)上以及所述輔助電極的兩端上；以及位于所述第一堤部與所述第二堤部的第一部分或第二部分之間的間隙空間，其中所述輔助電極在位于所述第一堤部與所述第二堤部的第一部分或第二部分之間的間隙空間中連接至所述第二像素電極。

在本發(fā)明實施方式的又一個方面中，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，可包括：在基板上設(shè)置陽極電極和輔助電極；在所述輔助電極上設(shè)置第一堤部，并且在所述輔助電極與所述陽極電極之間設(shè)置第二堤部，其中所述第二堤部與所述第一堤部分隔開；在所述陽極電極上設(shè)置有機發(fā)光層；和在所述有機發(fā)光層上設(shè)置陰極電極，其中所述第一堤部的上表面的寬度大于所述第一堤部的下表面的寬度，并且所述陰極電極經(jīng)由所述第一堤部與所述第二堤部之間的間隙空間與所述輔助電極連接。

應(yīng)當理解，本發(fā)明實施方式前面的大體性描述和下面的詳細描述都是示例性的和解釋性的，旨在對要求保護的本發(fā)明提供進一步的解釋。

附圖說明

被包括來給本發(fā)明的實施方式提供進一步理解且并入本申請構(gòu)成本申請一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明實施方式的原理。在附圖中：

圖1是圖解相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置的剖面圖；

圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的剖面圖；以及

圖3a到3k是圖解根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細參考本發(fā)明的示例性實施方式進行描述，附圖中圖解了這些實施方式的一些例子。盡可能地在整個附圖中使用相同的參考標記表示相同或相似的部分。將通過參照附圖描述的下列實施方式闡明本發(fā)明的優(yōu)點和特征及其實現(xiàn)方法。然而，本發(fā)明可以以不同的形式實施，不應(yīng)解釋為限于在此列出的實施方式。而是，提供這些實施方式是為了使本公開內(nèi)容全面和完整，并將本發(fā)明的范圍充分地傳遞給所屬領(lǐng)域技術(shù)人員。此外，本發(fā)明僅由權(quán)利要求書的范圍限定。

為了描述本發(fā)明的實施方式而在附圖中披露的形狀、尺寸、比例、角度和數(shù)量僅僅是示例，因而本發(fā)明不限于圖示的細節(jié)。相似的參考標記通篇表示相似的元件。在下面的描述中，當確定對相關(guān)的已知功能或構(gòu)造的詳細描述會不必要地使本發(fā)明的重點模糊不清時，將省略該詳細描述。在使用本申請中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情況下，可添加另外的部分，除非使用了“僅”。

在解釋一要素時，盡管沒有明確說明，但該要素應(yīng)解釋為包括誤差范圍。

在本發(fā)明實施方式的描述中，當一結(jié)構(gòu)(例如，電極、線、配線、層或接觸部)被描述為形成在另一結(jié)構(gòu)的上部/下部處或者形成在其他結(jié)構(gòu)上/下時，此描述應(yīng)當解釋為包括這些結(jié)構(gòu)彼此接觸的情形以及在它們之間設(shè)置有第三結(jié)構(gòu)的情形。

在描述時間關(guān)系時，例如，當時間順序被描述為“在……之后”、“隨后”、“接下來”和“在……之前”時，可包括不連續(xù)的情況，除非使用了“正好”或“直接”。

將理解到，盡管在此可使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種元件，但這些元件不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅是用來將元件彼此區(qū)分開。例如，在不背離本發(fā)明的范圍的情況下，第一元件可能被稱為第二元件，相似地，第二元件可能被稱為第一元件。

所屬領(lǐng)域技術(shù)人員能夠充分理解，本發(fā)明各實施方式的特征可彼此部分或整體地結(jié)合或組合，并且可在技術(shù)上彼此進行各種互操作和驅(qū)動。本發(fā)明的實施方式可彼此獨立實施，或者以相互依賴的關(guān)系共同實施。

下文中，將參照附圖詳細描述根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置。

圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的剖面圖。

如圖2中所示，根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的有機發(fā)光顯示(oled)裝置可包括基板100、薄膜晶體管層t、鈍化層165、第一平坦化層171、第二平坦化層172、第一陽極電極180、第二陽極電極200、第一輔助電極190、第二輔助電極210、堤部221和222、有機發(fā)光層240和陰極電極250。堤部221和一部分第二輔助電極210形成分隔部，分隔部具有朝著其底表面變窄的倒錐形，并且分隔部具有屋檐部，并且陰極電極250在分隔部的屋檐部下方的區(qū)域中連接到第二輔助電極210。這部分第二輔助電極210可形成分隔部的基部，并且堤部221可形成分隔部的上部。

基板100可由玻璃或透明塑料形成，但并不限于這些材料。

薄膜晶體管層t可包括有源層110、柵極絕緣膜120、柵極電極130、層間絕緣層140、源極電極150和漏極電極160。

有源層110設(shè)置在基板100上，其中有源層110與柵極電極130交疊。有源層110可由基于硅的半導(dǎo)體材料或基于氧化物的半導(dǎo)體材料形成。盡管未示出，但可在基板100與有源層110之間附加設(shè)置遮光層。在這種情形中，入射到基板100的下表面上的外部光被遮光層阻擋，使得可防止有源層110被外部光損壞。

柵極絕緣膜120設(shè)置在有源層110上。柵極絕緣膜120將有源層110和柵極電極130彼此絕緣。例如，柵極絕緣膜120可由無機絕緣材料形成，更特別地，柵極絕緣膜120可以以諸如硅氧化物siox或硅氮化物sinx之類的無機絕緣材料的單層結(jié)構(gòu)、或上述硅氧化物siox和硅氮化物sinx的多層結(jié)構(gòu)形成，但并不限于這些結(jié)構(gòu)。

柵極電極130設(shè)置在柵極絕緣膜120上。柵極電極130與有源層110交疊，其中柵極絕緣膜120插置在彼此交疊的柵極電極130與有源層110之間。柵極電極130可以以鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)、銅(cu)和它們的合金之中選出的一種或多種材料的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)形成，但并不限于這些材料。

層間絕緣層140設(shè)置在柵極電極130上。層間絕緣層140由與柵極絕緣膜120相同的材料形成。例如，層間絕緣層140可以以諸如硅氧化物siox或硅氮化物sinx之類的無機絕緣材料的單層結(jié)構(gòu)、或上述硅氧化物siox和硅氮化物sinx的多層結(jié)構(gòu)形成，但并不限于這些材料和結(jié)構(gòu)。

彼此面對的源極電極150和漏極電極160設(shè)置在層間絕緣層140上。在前述柵極絕緣膜120和層間絕緣層140中設(shè)置有用于暴露有源層110的一端的第一接觸孔ch1，并且在前述柵極絕緣膜120和層間絕緣層140中設(shè)置有用于暴露有源層110的另一端的第二接觸孔ch2。源極電極150經(jīng)由第二接觸孔ch2與有源層110的另一端連接，并且漏極電極160經(jīng)由第一接觸孔ch1與有源層110的一端連接。

源極電極150可包括下部源極電極151和上部源極電極152。

下部源極電極151設(shè)置在層間絕緣層140與上部源極電極152之間，其中下部源極電極151提高層間絕緣層140與上部源極電極152之間的粘合強度。此外，下部源極電極151保護上部源極電極152的下表面，使得可防止上部源極電極152的下表面被腐蝕。因而，下部源極電極151的氧化度可低于上部源極電極152的氧化度。就是說，下部源極電極151的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于上部源極電極152的材料中的抗腐蝕性。下部源極電極151用作粘合改善層或腐蝕阻止層。下部源極電極151可由鉬和鈦的合金moti形成，但并不限于此材料。

上部源極電極152設(shè)置在下部源極電極151的上表面上。上部源極電極152可由諸如銅cu之類的低電阻金屬材料形成，但并不限于此金屬材料。上部源極電極152可由電阻相對低于下部源極電極151的金屬材料形成。為了減小源極電極150的總電阻，上部源極電極152的厚度優(yōu)選大于下部源極電極151的厚度。

以與前述源極電極150相同的方式，漏極電極160可包括下部漏極電極161和上部漏極電極162。

下部漏極電極161設(shè)置在層間絕緣層140與上部漏極電極162之間，其中下部漏極電極161提高層間絕緣層140與上部漏極電極162之間的粘合強度。此外，下部漏極電極161防止上部漏極電極162的下表面被腐蝕。因而，下部漏極電極161的氧化度可低于上部漏極電極162的氧化度。就是說，下部漏極電極161的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于上部漏極電極162的材料中的抗腐蝕性。下部漏極電極161可由與前述下部源極電極151相同的材料，即鉬和鈦的合金moti形成，但并不限于此材料。

上部漏極電極162設(shè)置在下部漏極電極161的上表面上。上部漏極電極162可由與前述上部源極電極152相同的材料，例如cu形成，但并不限于此材料。為了減小漏極電極160的總電阻，上部漏極電極162的厚度優(yōu)選大于下部漏極電極161的厚度。

上部漏極電極162可由與上部源極電極152相同的材料形成，并且上部漏極電極162可以以與上部源極電極152相同的厚度形成。下部漏極電極161可由與下部源極電極151相同的材料形成，并且下部漏極電極161可以以與下部源極電極151相同的厚度形成。在這種情形中，漏極電極160和源極電極150可通過同一工藝同時制造。

薄膜晶體管層t的結(jié)構(gòu)不限于上述結(jié)構(gòu)，就是說，薄膜晶體管層t的結(jié)構(gòu)可變?yōu)閷τ谒鶎兕I(lǐng)域技術(shù)人員來說通常已知的各種形狀。例如，附圖顯示了其中柵極電極130設(shè)置在有源層110上的頂柵結(jié)構(gòu)，但不是必須的。就是說，可提供其中柵極電極130設(shè)置在有源層110下方的底柵結(jié)構(gòu)。

鈍化層165設(shè)置在薄膜晶體管層t上，更具體地說是設(shè)置在源極電極150和漏極電極160的上表面上。鈍化層165保護薄膜晶體管層t。鈍化層165可由無機絕緣材料，例如硅氧化物膜siox或硅氮化物膜sinx形成，但并不限于這些材料。

第一平坦化層171設(shè)置在鈍化層165上。設(shè)置第一平坦化層171是為了使具有薄膜晶體管層t的基板100的上表面平坦化。第一平坦化層171可由有機絕緣材料，例如壓克力(acryl)樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等形成，但并不限于這些材料。

第一陽極電極180和第一輔助電極190設(shè)置在第一平坦化層171上。就是說，第一陽極電極180和第一輔助電極190形成在同一層中。在前述鈍化層165和第一平坦化層171中形成有用于暴露源極電極150的第三接觸孔ch3。源極電極150和第一陽極電極180經(jīng)由第三接觸孔ch3彼此連接。如果需要的話，第三接觸孔ch3可暴露漏極電極160，由此漏極電極160和第一陽極電極180可經(jīng)由第三接觸孔ch3彼此連接。

第一陽極電極180可包括第一下部陽極電極181、第一上部陽極電極182和第一蓋部陽極電極183。

第一下部陽極電極181設(shè)置在平坦化層171與第一上部陽極電極182之間，其中第一下部陽極電極181提高平坦化層171與第一上部陽極電極182之間的粘合強度。此外，第一下部陽極電極181保護第一上部陽極電極182的下表面，由此防止第一上部陽極電極182的下表面被腐蝕。因而，第一下部陽極電極181的氧化度可低于第一上部陽極電極182的氧化度。就是說，第一下部陽極電極181的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第一上部陽極電極182的材料中的抗腐蝕性。此外，第一下部陽極電極181保護上部源極電極152的上表面，由此防止上部源極電極152的上表面被腐蝕。因而，第一下部陽極電極181的氧化度可低于上部源極電極152的氧化度。就是說，第一下部陽極電極181的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于上部源極電極152的材料中的抗腐蝕性。由于第一下部陽極電極181防止上部源極電極152的上表面被腐蝕，可在源極電極150中設(shè)置前述的雙層結(jié)構(gòu)。第一下部陽極電極181用作粘合改善層或腐蝕阻止層。第一下部陽極電極181可由鉬和鈦的合金moti形成，但并不限于此材料。

第一上部陽極電極182設(shè)置在第一下部陽極電極181與第一蓋部陽極電極183之間。第一上部陽極電極182可由諸如銅cu之類的低電阻金屬材料形成，但并不限于此金屬材料。第一上部陽極電極182可由電阻相對低于第一下部陽極電極181和第一蓋部陽極電極183的金屬材料形成。為了減小第一陽極電極180的總電阻，第一上部陽極電極182的厚度優(yōu)選大于第一下部陽極電極181和第一蓋部陽極電極183的每一個的厚度。

第一蓋部陽極電極183設(shè)置在第一上部陽極電極182上。第一蓋部陽極電極183覆蓋第一上部陽極電極182的上表面和側(cè)表面，使得可防止第一上部陽極電極182的上表面和側(cè)表面被腐蝕。因而，第一蓋部陽極電極183的氧化度可低于第一上部陽極電極182的氧化度。就是說，第一蓋部陽極電極183的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第一上部陽極電極182的材料中的抗腐蝕性。

第一蓋部陽極電極183可覆蓋第一下部陽極電極181的側(cè)表面。在這種情形中，第一蓋部陽極電極183的氧化度可低于第一下部陽極電極181的氧化度。就是說，第一蓋部陽極電極183的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第一下部陽極電極181的材料中的抗腐蝕性。第一蓋部陽極電極183可由透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫ito形成，但并不限于此材料。

以與第一陽極電極180相同的方式，第一輔助電極190可包括第一下部輔助電極191、第一上部輔助電極192和第一蓋部輔助電極193。

第一下部輔助電極191設(shè)置在平坦化層171與第一上部輔助電極192之間，其中第一下部輔助電極191提高平坦化層171與第一上部輔助電極192之間的粘合強度。此外，第一下部輔助電極191防止第一上部輔助電極192的下表面被腐蝕。因而，第一下部輔助電極191的氧化度可低于第一上部輔助電極192的氧化度。就是說，第一下部輔助電極191的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第一上部輔助電極192的材料中的抗腐蝕性。第一下部輔助電極191可由與第一下部陽極電極181相同的材料，即鉬和鈦的合金moti形成，但并不限于此材料。

第一上部輔助電極192設(shè)置在第一下部輔助電極191與第一蓋部輔助電極193之間。第一上部輔助電極192可由與第一上部陽極電極182相同的材料，即銅cu形成，但并不限于此材料。為了減小第一輔助電極190的總電阻，具有相對較低電阻的第一上部輔助電極192的厚度優(yōu)選大于具有相對較高電阻的第一下部輔助電極191和第一蓋部輔助電極193的每一個的厚度。

第一蓋部輔助電極193設(shè)置在第一上部輔助電極192上。第一蓋部輔助電極193覆蓋第一上部輔助電極192的上表面和側(cè)表面，使得可防止第一上部輔助電極192的上表面和側(cè)表面被腐蝕。因而，第一蓋部輔助電極193的氧化度可低于第一上部輔助電極192的氧化度。就是說，第一蓋部輔助電極193的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第一上部輔助電極192的材料中的抗腐蝕性。

第一蓋部輔助電極193可覆蓋第一下部輔助電極191的側(cè)表面。在這種情形中，第一蓋部輔助電極193的氧化度可低于第一下部輔助電極191的氧化度。就是說，第一蓋部輔助電極193的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第一下部輔助電極191的材料中的抗腐蝕性。第一蓋部輔助電極193可由透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫ito形成，但并不限于此材料。

第一蓋部輔助電極193可由與第一蓋部陽極電極183相同的材料形成，并且第一蓋部輔助電極193可以以與第一蓋部陽極電極183相同的厚度制造。第一上部輔助電極192可由與第一上部陽極電極182相同的材料形成，并且第一上部輔助電極192可以以與第一上部陽極電極182相同的厚度制造。第一下部輔助電極191可由與第一下部陽極電極181相同的材料形成，并且第一下部輔助電極191可以以與第一下部陽極電極181相同的厚度制造。在這種情形中，可通過同一工藝同時制造第一輔助電極190和第一陽極電極180。

第二平坦化層172設(shè)置在第一輔助電極190和第一陽極電極180上。第二平坦化層172與前述第一平坦化層171一起被設(shè)置用來使基板100的上表面平坦化。第二平坦化層172可由有機絕緣材料，例如壓克力樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等形成，但并不限于這些材料。

在第二平坦化層172中設(shè)置有第四接觸孔ch4和第五接觸孔ch5。經(jīng)由第四接觸孔ch4暴露第一陽極電極180，并且經(jīng)由第五接觸孔ch5暴露第一輔助電極190。

第二陽極電極200設(shè)置在第二平坦化層172上。第二陽極電極200經(jīng)由第四接觸孔ch4與第一陽極電極180連接。第二陽極電極200將從有機發(fā)光層240發(fā)射的光反射到向上的方向，由此第二陽極電極200包括具有優(yōu)良反射率的材料。第二陽極電極200可包括第二下部陽極電極201、第二中部陽極電極202和第二上部陽極電極203。

第二下部陽極電極201設(shè)置在第一陽極電極180與第二中部陽極電極202之間。第二下部陽極電極201保護第二中部陽極電極202的下表面，由此防止第二中部陽極電極202的下表面被腐蝕。因而，第二下部陽極電極201的氧化度可低于第二中部陽極電極202的氧化度。就是說，第二下部陽極電極201的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第二中部陽極電極202的材料中的抗腐蝕性。第二下部陽極電極201可由諸如氧化銦錫ito之類的透明導(dǎo)電材料形成，但并不限于此材料。

第二中部陽極電極202設(shè)置在第二下部陽極電極201與第二上部陽極電極203之間。第二中部陽極電極202由與第二下部陽極電極201和第二上部陽極電極203相比具有相對較低電阻和相對較高反射率的材料，例如銀ag形成，但并不限于此材料。為了減小第二陽極電極200的總電阻，具有相對較低電阻的第二中部陽極電極202的厚度優(yōu)選大于具有相對較高電阻的第二下部陽極電極201和第二上部陽極電極203的每一個的厚度。

第二上部陽極電極203設(shè)置在第二中部陽極電極202的上表面上，使得可防止第二中部陽極電極202的上表面被腐蝕。因而，第二上部陽極電極203的氧化度可低于第二中部陽極電極202的氧化度。就是說，第二上部陽極電極203的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第二中部陽極電極202的材料中的抗腐蝕性。第二上部陽極電極203可由諸如氧化銦錫ito之類的透明導(dǎo)電材料形成，但并不限于此材料。

以與前述第二陽極電極200相同的方式，第二輔助電極210設(shè)置在第二平坦化層172上。第二輔助電極210經(jīng)由第五接觸孔ch5與第一輔助電極190連接。第二輔助電極210與第一輔助電極190一起減小陰極電極250的電阻。此外，第二輔助電極210在第一堤部221與第二堤部222之間制備間隙空間。

第二輔助電極210可包括第二下部輔助電極211、第二中部輔助電極212和第二上部輔助電極213。

第二下部輔助電極211設(shè)置在第一輔助電極190與第二中部輔助電極212之間。第二下部輔助電極211保護第二中部輔助電極212的下表面，由此防止第二中部輔助電極212的下表面被腐蝕。因而，第二下部輔助電極211的氧化度可低于第二中部輔助電極212的氧化度。就是說，第二下部輔助電極211的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第二中部輔助電極212的材料中的抗腐蝕性。第二下部輔助電極211可由透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫ito形成，但并不限于此材料。

第二下部輔助電極211的寬度大于第二中部輔助電極212的寬度和第二上部輔助電極213的寬度的每一個，由此有利于陰極電極250與第二輔助電極210之間的電連接。

第二中部輔助電極212設(shè)置在第二下部輔助電極211與第二上部輔助電極213之間。第二中部輔助電極212由與第二下部輔助電極211和第二上部輔助電極213相比具有相對較低電阻和相對較高反射率的材料，例如銀ag形成，但并不限于此材料。為了減小第二輔助電極210的總電阻，具有相對較低電阻的第二中部輔助電極212的厚度優(yōu)選大于具有相對較高電阻的第二下部輔助電極211和第二上部輔助電極213的每一個的厚度。

第二中部輔助電極212的寬度小于第二下部輔助電極211的寬度。此外，第二中部輔助電極212的寬度小于第二上部輔助電極213的寬度。具有相對較小寬度的第二中部輔助電極212能夠增大第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間，由此陰極電極250很容易沉積在第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間中。

第二上部輔助電極213設(shè)置在第二中部輔助電極212的上表面上，使得可防止第二中部輔助電極212的上表面被腐蝕。因而，第二上部輔助電極213的氧化度可低于第二中部輔助電極212的氧化度。就是說，第二上部輔助電極213的材料中的抗腐蝕性可優(yōu)于第二中部輔助電極212的材料中的抗腐蝕性。第二上部輔助電極213可由諸如氧化銦錫ito之類的透明導(dǎo)電材料形成，但并不限于此材料。

第二上部輔助電極213的兩端沿著第一堤部221的下表面向上延伸。通過隨后的制造工藝將很容易理解與第二上部輔助電極213的兩端有關(guān)的結(jié)構(gòu)。

第二上部輔助電極213可由與第二上部陽極電極203相同的材料形成，并且第二上部輔助電極213可以以與第二上部陽極電極203相同的厚度制造。第二中部輔助電極212可由與第二中部陽極電極202相同的材料形成，并且第二中部輔助電極212可以以與第二中部陽極電極202相同的厚度制造。第二下部輔助電極211可由與第二下部陽極電極201相同的材料形成，并且第二下部輔助電極211可以以與第二下部陽極電極201相同的厚度制造。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，存在用于減小陰極電極250的電阻的彼此連接的兩個輔助電極：第一輔助電極190和第二輔助電極210，使得很容易控制輔助電極的電阻特性。

更詳細地說，第二輔助電極210與第二陽極電極200形成在同一層中。因而，如果第二輔助電極210寬度增加，則第二陽極電極200寬度必須減小，由此減小了顯示裝置的像素區(qū)域。由于此原因，第二輔助電極210的寬度增加存在限制。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，在第二輔助電極210下方附加設(shè)置與第二輔助電極210連接的第一輔助電極190，使得可減小陰極電極250的電阻而不減小像素區(qū)域。

第一輔助電極190與第一陽極電極180形成在同一層中，其中第一陽極電極180將源極電極150和第二陽極電極200彼此連接。因而，可減小第一陽極電極180的寬度，由此可增加第一輔助電極190的寬度。就是說，第一輔助電極190的寬度可大于第一陽極電極180的寬度。此外，隨著第一輔助電極190的寬度可增加，第一輔助電極190可與第二陽極電極200交疊，由此減小陰極電極250的電阻。

堤部221和222設(shè)置在第二陽極電極200和第二輔助電極210上。堤部221和222可包括第一堤部221和第二堤部222。第一堤部221和第二堤部222由同一材料形成。第一堤部221設(shè)置在第二輔助電極210的第二上部輔助電極213的上表面上。第二堤部222設(shè)置在第二陽極電極200的上表面以及第二輔助電極210的第二下部輔助電極211的上表面上。第一堤部221和第二堤部222彼此分隔開，并且第二輔助電極210和陰極電極250在第一堤部221與第二堤部之間的間隙空間中彼此電連接。第二堤部222可包括位于第一堤部221的兩側(cè)上以及第二輔助電極210的兩端上的第一部分和第二部分。

第二堤部222的厚度t2小于第一堤部221的厚度t1。由于第二堤部222的厚度t2小于第一堤部221的厚度t1，有利于在第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間中實現(xiàn)陰極電極250與第二輔助電極210之間的電連接。就是說，如果第二堤部222的厚度t2較大，則第一堤部221與第二堤部222之間的間隔減小，由此陰極電極250可能不會沉積在第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間中。為了防止此問題，第二堤部222的厚度t2小于第一堤部221的厚度t1。

第一堤部221的上表面的寬度大于第一堤部221的下表面的寬度。因而，第一堤部221形成為屋檐結(jié)構(gòu)。從頂視圖來看，第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間被具有屋檐結(jié)構(gòu)的第一堤部221的上表面覆蓋，使得對于有機發(fā)光層240的沉積工藝，可防止有機發(fā)光層240沉積在第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間中。就是說，如果充當屋檐的第一堤部221的上表面配置成覆蓋第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間，則可防止有機發(fā)光層240滲透到第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間中。因此，可經(jīng)由第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間暴露第二輔助電極210。尤其是，可通過使用具有出色筆直度的沉積材料執(zhí)行蒸發(fā)方法來制造有機發(fā)光層240。因而，對于有機發(fā)光層240的沉積工藝，有機發(fā)光層240不沉積在第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間中。

暴露第二陽極電極200的上表面的第二堤部222設(shè)置在第二陽極電極200的一側(cè)和另一側(cè)上。隨著第二堤部222設(shè)置成暴露第二陽極電極200的上表面，可確保圖像顯示區(qū)域。此外，第二堤部222設(shè)置在第二陽極電極200的一側(cè)和另一側(cè)上，使得可防止第二中部陽極電極202的側(cè)表面暴露到外部(其中第二中部陽極電極202的側(cè)表面相對易受到腐蝕)，由此防止第二中部陽極電極202的側(cè)表面被腐蝕。

此外，第二堤部222設(shè)置在第二陽極電極200與第二輔助電極210之間，其中第二堤部222將第二陽極電極200和第二輔助電極210彼此電絕緣。第一堤部221和第二堤部222可由有機絕緣材料，例如聚酰亞胺樹脂、壓克力樹脂、苯并環(huán)丁烯bcb等形成，但并不限于這些材料。

有機發(fā)光層240設(shè)置在第二陽極電極200上。有機發(fā)光層240可包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。有機發(fā)光層240的結(jié)構(gòu)可變?yōu)閷τ谒鶎兕I(lǐng)域技術(shù)人員來說通常已知的各種形狀。

有機發(fā)光層240可延伸至堤部221和222的上表面。此外，有機發(fā)光層240可延伸至第二輔助電極210的第二下部輔助電極211的上表面。在這種情形中，有機發(fā)光層240不覆蓋第二下部輔助電極211的整個上表面。如果第二下部輔助電極211的整個上表面被有機發(fā)光層240覆蓋，則很難將第二輔助電極210和陰極電極250彼此電連接。

陰極電極250設(shè)置在有機發(fā)光層240上。由于陰極電極250設(shè)置在發(fā)射光的表面上，所以陰極電極250由透明導(dǎo)電材料形成。因而，由于陰極電極250由透明導(dǎo)電材料形成，所以陰極電極250的電阻增加。為了減小陰極電極250的電阻，陰極電極250與第二輔助電極210連接。就是說，陰極電極250經(jīng)由第一堤部221與第二堤部221之間的間隙空間與第二輔助電極210連接?？赏ㄟ^濺射，即，使用具有較差筆直度的沉積材料執(zhí)行沉積工藝來制造陰極電極250。因此，對于陰極電極250的沉積工藝，陰極電極250可沉積在第一堤部221與第二堤部221之間的間隙空間中。

盡管未示出，但可在陰極電極250上附加設(shè)置用于防止?jié)駳鉂B透的封裝層。封裝層可由對于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來說通常已知的各種材料形成。盡管未示出，但可在陰極電極250上附加設(shè)置用于每個像素的濾色器。在這種情形中，可從有機發(fā)光層240發(fā)射白色光。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，代替提供屋檐結(jié)構(gòu)的附加分隔部(見圖1的“70”)，設(shè)置在第二輔助電極210上的第一堤部221的上表面的寬度大于第一堤部221的下表面的寬度，使得第一堤部221充當屋檐。因而，可省略根據(jù)相關(guān)技術(shù)的用于形成分隔部(見圖1的“70”)的額外掩模工藝。

圖3a到3k是圖解根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的剖面圖，其涉及圖2中所示的有機發(fā)光顯示裝置。因而，在整個附圖中將使用相同的參考數(shù)字表示相同或相似的部分，并將省略對相同部分的詳細描述。

首先，如圖3a中所示，在基板100上按順序設(shè)置有源層110、柵極絕緣膜120、柵極電極130、層間絕緣層140、源極電極150和漏極電極160。

更詳細地說，在基板100上設(shè)置有源層110，在有源層110上設(shè)置柵極絕緣膜120，在柵極絕緣膜120上設(shè)置柵極電極130，在柵極電極130上設(shè)置層間絕緣層140，在柵極絕緣膜120和層間絕緣層140中設(shè)置第一接觸孔ch1和第二接觸孔ch2，并且設(shè)置經(jīng)由第一接觸孔ch1與有源層110的一端連接的漏極電極160，以及設(shè)置經(jīng)由第二接觸孔ch2與有源層110的另一端連接的源極電極150。

源極電極150可包括下部源極電極151和上部源極電極152。漏極電極160可包括下部漏極電極161和上部漏極電極162。

然后，如圖3b中所示，在源極電極150和漏極電極160上設(shè)置鈍化層165。在鈍化層165上設(shè)置第一平坦化層171。

在鈍化層165和第一平坦化層171中設(shè)置第三接觸孔ch3，由此源極電極150經(jīng)由第三接觸孔ch3暴露到外部。如果需要的話，漏極電極160可經(jīng)由第三接觸孔ch3暴露到外部。

然后，如圖3c中所示，在第一平坦化層171上設(shè)置第一陽極電極180和第一輔助電極190，其中第一陽極電極180和第一輔助電極190彼此分隔開。

第一陽極電極180經(jīng)由第三接觸孔ch3與源極電極150連接。如果漏極電極160經(jīng)由第三接觸孔ch3暴露到外部，則第一陽極電極180經(jīng)由第三接觸孔ch3與漏極電極160連接。

第一陽極電極180可包括第一下部陽極電極181、第一上部陽極電極182和第一蓋部陽極電極183。第一輔助電極190可包括第一下部輔助電極191、第一上部輔助電極192和第一蓋部輔助電極193。

第一陽極電極180和第一輔助電極190可由同一材料形成并且可通過同一圖案化工藝同時制造。

然后，如圖3d中所示，在第一陽極電極180和第一輔助電極190上設(shè)置第二平坦化層172。

在第二平坦化層172中設(shè)置第四接觸孔ch4和第五接觸孔ch5。第一陽極電極180經(jīng)由第四接觸孔ch4暴露到外部，并且第一輔助電極190經(jīng)由第五接觸孔ch5暴露到外部。

然后，如圖3e中所示，在第二平坦化層172上設(shè)置第二陽極電極200和第二輔助電極210。

第二陽極電極200和第二輔助電極210可由同一材料形成并且可通過同一圖案化工藝同時制造。

第二陽極電極200可包括第二下部陽極電極201、第二中部陽極電極202和第二上部陽極電極203。第二輔助電極210可包括第二下部輔助電極211、第二中部輔助電極212和第二上部輔助電極213。

然后，如圖3f中所示，在第二陽極電極200和第二輔助電極210上設(shè)置光刻膠圖案410和420。

光刻膠圖案410和420可包括設(shè)置在第二輔助電極210上的第一光刻膠圖案410和設(shè)置在第二陽極電極200上的第二光刻膠圖案420。

第一光刻膠圖案410設(shè)置在第二輔助電極210的上表面的預(yù)定部分上，由此第二輔助電極210的一側(cè)和另一側(cè)不被第一光刻膠圖案410覆蓋。

第二光刻膠圖案420設(shè)置在第二陽極電極200的整個上表面上，由此第二陽極電極200的整個上表面被第二光刻膠圖案420覆蓋。

如圖3g中所示，通過使用第一光刻膠圖案410作為掩模蝕刻第二輔助電極210的預(yù)定部分。

詳細地說，蝕刻未被第一光刻膠圖案410覆蓋的第二輔助電極210的一側(cè)和另一側(cè)。在這種情形中，第二下部輔助電極211未被蝕刻，但第二中部輔助電極212和第二上部輔助電極213被蝕刻。就是說，在使用第一光刻膠圖案410作為掩模的情況下，第二上部輔助電極213首先被蝕刻，然后第二中部輔助電極212被蝕刻。因而，第二下部輔助電極211未被蝕刻。然而，如果需要的話，第二下部輔助電極211可被部分蝕刻。

在蝕刻工藝之后，第二上部輔助電極213的寬度可與第一光刻膠圖案410的寬度相同，然而設(shè)置在第二上部輔助電極213下方的第二中部輔助電極212的寬度可小于第一光刻膠圖案410的寬度。因此，在蝕刻工藝之后獲得的第二上部輔助電極213的寬度可大于在蝕刻工藝之后獲得的第二中部輔助電極212的寬度。

第二陽極電極200被第二光刻膠圖案420覆蓋，由此第二陽極電極200未被第二輔助電極210的蝕刻工藝蝕刻。

然后，如圖3h中所示，去除第一光刻膠圖案410和第二光刻膠圖案420，然后在第二輔助電極210和第二陽極電極200上設(shè)置堤部221和222。

堤部221和222可包括設(shè)置在第二輔助電極210的第二上部輔助電極213的上表面上的第一堤部221和設(shè)置在其余區(qū)域上的第二堤部222。第二堤部222設(shè)置在第二陽極電極200的上表面上并且設(shè)置在第二輔助電極210的第二下部輔助電極211的上表面上。

第二堤部222的厚度t2小于第一堤部221的厚度t1。由于第二堤部222的厚度t2小于第一堤部221的厚度t1，有利于在第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間中實現(xiàn)第二輔助電極210與陰極電極(見圖3k的“250”)之間的電連接。

就是說，如果第二堤部222的厚度t2較大，則第一堤部221與第二堤部222之間的間隔減小，由此在圖3k的隨后工藝，陰極電極(見圖3k中的“250”)可能不會沉積在第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間中。因而，為了防止此問題，第二堤部222的厚度t2小于第一堤部221的厚度t1?？赏ㄟ^使用半色調(diào)掩?；蜓苌溲谀?zhí)行一次曝光制造具有不同厚度的第一堤部221和第二堤部222。

然后，如圖3i中所示，執(zhí)行熱處理，從而在第一堤部221與設(shè)置在第一堤部221下方的第二上部輔助電極213之間引起熱應(yīng)力。就是說，第一堤部221收縮，使得第一堤部221的下表面的兩端的寬度減小。因此，第二上部輔助電極213的兩端沿著第一堤部221的下表面向上延伸。也就是說，對第一堤部221執(zhí)行熱處理，并且彎曲第二上部輔助電極213的兩端或多個部分以沿著第一堤部221的兩側(cè)向上延伸。

通過前述工藝，第一堤部221的上表面的寬度大于第一堤部221的下表面的寬度，由此可在第一堤部221中獲得屋檐結(jié)構(gòu)。由于屋檐結(jié)構(gòu)，第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間被第一堤部221的上表面覆蓋。因而，在隨后的有機發(fā)光層240的沉積工藝中可防止有機發(fā)光層240沉積在第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間中。

然后，如圖3j中所示，在第二陽極電極200上設(shè)置有機發(fā)光層240。

可通過使用具有出色筆直度的沉積材料執(zhí)行蒸發(fā)方法制造有機發(fā)光層240。因而，有機發(fā)光層240可沉積在堤部221和222的上表面上。然而，可防止有機發(fā)光層240沉積在第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間中。就是說，對于有機發(fā)光層240的沉積工藝，第一堤部221的上表面充當屋檐，由此在有機發(fā)光層240的沉積工藝中可防止有機發(fā)光層240沉積在第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間中，而無需使用覆蓋第二下部輔助電極211的上表面的掩模圖案。

然而，一些有機發(fā)光層240可沉積在第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間中。即使在這種情形中，不是全部第二下部輔助電極211被有機發(fā)光層240覆蓋。

如圖3k中所示，在有機發(fā)光層240上設(shè)置陰極電極250。

陰極電極250經(jīng)由第一堤部221與第二堤部222之間的間隙空間與第二輔助電極210連接?？赏ㄟ^濺射，即，使用具有較差筆直度的沉積材料執(zhí)行沉積工藝來制造陰極電極250。因此，在陰極電極250的沉積工藝中陰極電極250可沉積在第一堤部221與第二堤部221之間的間隙空間中。尤其是，陰極電極250可分別與組成第二輔助電極210的第二下部輔助電極211、第二中部輔助電極212和第二上部輔助電極213連接。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，設(shè)置在第二輔助電極210上的第一堤部221配置成具有屋檐結(jié)構(gòu)，使得可省略根據(jù)相關(guān)技術(shù)的用于形成分隔部的額外掩模工藝。本發(fā)明中的陽極電極可用作第一像素電極，陰極電極可用作第二像素電極。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，存在用于減小陰極電極250的電阻的第一輔助電極190和第二輔助電極210這兩個輔助電極，使得可很容易控制輔助電極的電阻特性。尤其是，在第二輔助電極210下方附加設(shè)置經(jīng)由接觸孔與第二輔助電極210連接的第一輔助電極190，使得可減小陰極電極250的電阻而不減小像素區(qū)域。

對于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見的是，在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，能夠?qū)Ρ景l(fā)明作出各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求書范圍及其等同范圍內(nèi)的對本發(fā)明的修改和變化。