1.一種低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元，由第三層寄生貼片、第二層寄生貼片、第一層寄生貼片、輻射貼片、水平極化饋電貼片、十字槽型耦合縫隙貼片、垂直極化饋電貼片、反射板、第一SMA型連接器、第二SMA型連接器組成，第三層寄生貼片、第二層寄生貼片、第一層寄生貼片、輻射貼片、水平極化饋電貼片、十字槽型耦合縫隙貼片、垂直極化饋電貼片由上至下依次疊放排列，各層間采用半波化片熱壓縮工藝壓合連接，其特征在于：所述的垂直極化饋電貼片通過導(dǎo)電膠粘合固定于反射板上，第一SMA型連接器和第二SMA型連接器固定于反射板的反面，第一SMA型連接器的內(nèi)導(dǎo)體穿過反射板、垂直極化饋電貼片、十字槽型耦合縫隙貼片、水平極化饋電貼片與水平極化饋電貼片上表面的金屬線連接，第二SMA型連接器的內(nèi)導(dǎo)體穿過反射板、垂直極化饋電貼片與垂直極化饋電貼片上表面的金屬線連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元，其特征在于：所述的第三層寄生貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板，厚度1mm～3mm，，長(zhǎng)12mm～15mm，寬12mm～15mm，介電常數(shù)為2～3.6。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元，其特征在于：所述的第二層寄生貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板，厚度1mm～3mm，長(zhǎng)12mm～15mm，寬12mm～15mm，介電常數(shù)為2～3.6。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元，其特征在于：所述的第一層寄生貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板，厚度1mm～3mm，長(zhǎng)12mm～15mm，寬12mm～15mm，介電常數(shù)為2～3.6。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元，其特征在于：所述的輻射貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板，厚度1mm～3mm，長(zhǎng)25mm～28mm，寬25mm～28mm，介電常數(shù)為2～3.6。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元，其特征在于：所述的水平極化饋電貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板，厚度0.1mm～0.5mm，長(zhǎng)25mm～28mm，寬25mm～28mm，介電常數(shù)為2～3.6。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元，其特征在于：所述的十字槽型耦合縫隙貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板，厚度0.1mm～0.5mm，長(zhǎng)25mm～28mm，寬25mm～28mm，介電常數(shù)為2～3.6。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元，其特征在于：所述的垂直極化饋電貼片為正方形PTFE陶瓷敷銅板，厚度0.1mm～0.5mm，長(zhǎng)25mm～28mm，寬25mm～28mm，介電常數(shù)為2～3.6。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剖面的C波段雙極化多層微帶貼片天線單元，其特征在于：所述的反射板為厚度0.5mm～5mm，邊長(zhǎng)28mm～36mm的鋁板。